JP4883410B2 - 有機電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
一方で今日低価格で大量生産が必要とされている電子ペーパーや、RFIDタグの需要が高まっており、より低コスト、大量生産、短時間の回路制作により製造が可能である有機半導体が注目されている。有機半導体は、化合物半導体に比べ有機物の性格上、スピンコート、印刷、インクジェット法等の低温下のウェットプロセスによる回路制作が可能であり大面積、低コスト、簡易プロセスでの電界効果トランジスタの製造が期待されている(非特許文献1、特許文献1参照)。
しかしながら、有機半導体によるウェットプロセスを用いた有機電界効果トランジスタは、単結晶や真空蒸着法のようなドライプロセスを用いて制作された素子に比べ素子内部での分子秩序性の低下、不純物の混入等が生じそれがキャリアー移動の障害となり電流密度が低下していた。しかし、有機EL等では電流駆動素子であり電圧駆動素子である液晶よりも高い電流密度が要求されている。
本発明は、これらの知見に基づいて完成に至ったものであり、以下のとおりのものである。
(1)基板上に、ウェットプロセスにより作製された、少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、該半導体層にMnO2微粒子を含有することを特徴する電界効果トランジスタ。
(2)前記電界効果トランジスタが、前記有機半導体層を作製後、加熱処理されたものであることを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
図1(b)は、基板1の上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソース電極5、ドレイン電極6、半導体層4が順次形成された構造である。
図1(c)は、基板1の上に半導体層4、ソース電極5、ドレイン電極6、ゲート絶縁膜3、ゲート電極2が順次形成された構造である。
図1(d)は、基板1の上にソース電極5、ドレイン電6、半導体層4、ゲート絶縁膜3、ゲート電極2が順次形成された構造である。
しかしながら形成方法は代表的な例を述べているものであって、層の形成方法は、これらに限定されるものではない。
ここでソース電極5、ドレイン電極6の導電材料としてはクロム、アルミニウム、インジウム、貴金属類(Au、Ag、Cu、Pt)、アルカリ金属(Li、Na、K、Rb、Cs)、アルカリ土類金属(Mg、Ca、Sr、Ba)等の金属材料あるいはカーボン等の微粉体、ならびにナノ粒子や有機Ag化合物等の導電材を含有する各種導電性ペースト等の公知の材料を用いることができる。電極材も同様これらに限定されるものではない。
図2は、本発明の1つの実施態様の概要図である。厚さ300nmの酸化膜8のついたpまたはn型ドープシリコン基板に半導体層9、ソース電極10、ドレイン電極11を順次形成した構造である。
厚さ300nmの酸化膜がついたn型ドープシリコン基板をエタノールで超音波洗浄し、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)に1時間浸し、表面処理を行った。その後クロロホルム溶液で超音波洗浄した。
P3HT(購入後未精製)のクロロホルム溶液0.5wt%を調整し、この溶液に0.17wt%量の平均粒径3〜5μmのMnO2微粒子を加え、上記基板にスピンコートし(2000rpm/60sec)、薄膜を形成した。薄膜の上にソース、ドレイン電極として金を30nm蒸着した。
トランジスタ構造としては、チャネル長20μm、チャネル幅5mmとしクライオスタットでトランジスタ特性を評価した。トランジスタ特性の測定環境は真空中(10−5〜10−6Torr)、室温で行い、15時間150℃の加熱処理を行った。
図3にMnO2微粒子を含有しない同条件で作製したP3HT(同ロッド、購入後未精製)熱処理後、図4にMnO2を含有した熱処理前、図5に熱処理後のドレイン電流−ドレイン電圧特性を示す。
微粒子を添加しないP3HTのホール移動度、しきい値電圧はそれぞれ0.0041cm2/Vs、−9.7Vであり、微粒子を添加した熱処理前、熱処理後の電子移動度、しきい値電圧は0.014cm2/Vs、3.0V、0.015cm2/Vs、−4.4Vと添加していないP3HTよりドレイン電流の向上見られた。また、熱処理によるホール移動度の向上は見られず、ドレイン電流の減少が見られたがノーマリーオンからノーマリーオフになり熱処理による効果が確認された。これは、真空中で加熱処理することによりポリマー中に含まれる溶媒、酸素、水等の残留物の除去や結晶性の向上が図られたためである。
厚さ300nmの酸化膜がついたp型ドープシリコン基板をエタノールで超音波洗浄し、HMDSに1時間浸し表面処理を行った。その後クロロホルム溶液で超音波洗浄した。
C60-mC12のクロロホルム溶液1.0wt%を調整し、この溶液に0.17wt%量の平均粒径3〜5μm粒径のMnO2微粒子を加え、上記基板にスピンコートし(2000rpm/60sec)、薄膜を形成した。薄膜の上にソース、ドレイン電極として金を30nm蒸着した。
トランジスタ構造としては、チャネル長20μm、チャネル幅5mmとしクライオスタットでトランジスタ特性を評価した。トランジスタ特定の測定環境は真空中(10−5〜10−6Torr)で行い、15時間100℃の加熱処理を行った。
微粒子を添加しないC60-mC12の電子移動度、しきい値電圧はそれぞれ0.090cm2/Vs、27.0Vであり、微粒子を添加した熱処理前、熱処理後の電子移動度、しきい値電圧は0.12cm2/Vs、17.6V、0.30cm2/Vs、25.1Vと添加していないC60-mC12より性能が向上した。また、熱処理を行うことによってドレイン電流、電子移動度が向上することも明らかとなった。これらは実施例1と同様の理由によるものである。
実施例1と同条件、微粒子を平均粒径33nmのAl2O3に変更しトランジスタ特性を評価した。得られた詳細なデータを下記の表1に記載した。
実施例1と同条件、微粒子を平均粒径71nmのZnOに変更しトランジスタ特性を評価した。得られた詳細なデータを下記の表1に記載した。
実施例2と同条件、微粒子を平均粒径33nmのAl2O3に変更しトランジスタ特性を評価した。得られた詳細なデータを下記の表1に記載した。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 半導体層
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 pまたはn型ドープシリコン基板
8 シリコン酸化膜
9 半導体層
10 ソース電極(金電極)
11 ドレイン電極(金電極)
Claims (2)
- 基板上に、ウェットプロセスにより作製された、少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、該半導体層にMnO2微粒子を含有することを特徴する電界効果トランジスタ。
- 前記電界効果トランジスタが、前記有機半導体層を作製後、加熱処理されたものであることを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
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