JP5392702B2 - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、一対の基板のうちの一方の基板側の上方に形成された画素電極および共通電極を備える液晶表示装置および電子機器に関する。

従来、一対の基板のうちの一方の基板（第１基板）側の上方に形成された画素電極および共通電極を備える液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示された液晶表示装置では、第１基板側の上方に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されており、ＴＦＴの上方には、画素電極が形成されている。この画素電極の表面上には、絶縁膜を介して共通電極が形成されている。これにより、絶縁膜の上下に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生させるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置が構成されている。

また、第１基板の上方には液晶層が設けられ、液晶層の上方には一対の基板のうちの他方の基板（第２基板）が設けられている。この第２基板の液晶層側の表面上には、マトリクス状のブラックマトリクスが形成されており、マトリクス状のブラックマトリクスの間には、カラーフィルターが形成されている。また、第２基板の液晶層とは反対側の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなるシールド電極が形成されている。このシールド電極は、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置の駆動に不具合が生じるのを抑制するためのシールド機能を有している。また、シールド電極は、第１基板および第２基板に設けられた複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように平坦面状に形成されている。

特開平１１−１４９０８５号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、シールド電極を複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように形成しているため、表示領域では、第２基板とシールド電極との屈折率の違いなどにより、第２基板側の微細な凹凸などが見えやすくなるため、表示品位が低下するという問題点がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、表示品位が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記目的を達成するために、この発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、第１基板側に形成された薄膜トランジスタと、第１基板側の薄膜トランジスタの上方に形成された画素電極および共通電極と、画素電極および共通電極の上方に液晶層を介して設けられた第２基板と、第１基板および第２基板に設けられ、複数の画素を含む表示領域と、第２基板の液晶層側の表面上に、平面的に見て、複数の画素を含む表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成された導電層と、平面的に見て、複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びて、網目状に形成された導電層の表面および側面を覆うように形成された非導電性のブラックマトリクス膜と、を備え、導電層は、平面的に見て、幅は第１基板上の各画素間の境界部分に形成されるゲート線およびソース線に重なるとともに、ブラックマトリクス膜の幅よりも小さく形成され、厚みはブラックマトリクス膜のみが形成される領域の厚みよりも小さく形成される。

この液晶表示装置では、複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように導電層が形成される場合と異なり、複数の画素の境界部分にのみ導電層が形成されるので、第２基板側の微細な凹凸などが見えやすくなるのを抑制することができる。その結果、表示品位が低下するのを抑制することができる。また、複数の画素の境界部分に形成された導電層により、複数の画素の静電気などに対するシールドを行うことができるので、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置の駆動に不具合が生じるのを抑制することができる。また、導電層の表面を覆うように非導電性のブラックマトリクス膜を形成することにより、導電層が遮光性を有しない場合にも、導電層が形成されている画素間の境界領域を確実に遮光することができる。

また、遮光性の導電層を設けたとしても、ブラックマトリクス膜により遮光領域を正確に規定することができる。

導電層の厚みがブラックマトリクス膜の厚みよりも小さく形成されている分、確実に、導電層の表面をブラックマトリクス膜により覆うことができる。

上記液晶表示装置において、好ましくは、複数の画素が設けられた表示領域の周りの非表示領域には、ブラックマトリクス膜は形成されておらず、遮光性を有するとともに、非表示領域を覆う導電層が形成されている。このように構成すれば、非表示領域にブラックマトリクス膜が形成されていないので、非表示領域にオーバーコート層などの保護膜を形成する必要がない分、非表示領域の構造を簡素化させることができる。また、非表示領域に、導電層が形成されていることにより、静電気などに対するシールド性能をより向上させることができる。

また、非表示領域にブラックマトリクス膜を形成することなく、遮光性を有する導電層により、非表示領域を遮光することができる。

上記導電層が遮光性を有する液晶表示装置において、好ましくは、液晶層を封入するように第１基板側と第２基板側とをシールするシール材をさらに備え、シール材は、導電粒子が混入された導通部分を含み、導電層は、第２基板の非表示領域の端部近傍まで形成されており、第２基板側の導電層の端部は、シール材の導通部分により、第１基板側と導通されている。このように構成すれば、導電層と第１基板側とが電気的に接続されるので、第２基板側の導電層に帯電した静電気を、シール材の導通部分を介して、第１基板側に逃がすことができる。

上記シール材を備える液晶表示装置において、好ましくは、第１基板側に接続される配線基板と、第１基板側に設けられ、シール材の導通部分を介して導通された第１基板側の部分と配線基板とを電気的に接続するための配線層とをさらに備える。このように構成すれば、導電層の端部と配線基板とが電気的に接続されるので、第２基板側の導電層に帯電した静電気を、第１基板側から配線層を介して配線基板に逃がすことができる。

上記液晶表示装置において、好ましくは、導電層は、金属からなり、ブラックマトリクス膜は、樹脂からなる。このように構成すれば、金属の導電層により、静電気などに対するシールドを行いながら遮光することができるとともに、樹脂のブラックマトリクス膜により、遮光をすることができる。

上記液晶表示装置において、好ましくは、第１基板側に配置された画素電極と共通電極とは、絶縁膜を介して互いに対向するように配置されている。このように構成すれば、絶縁膜の上下に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生するＦＦＳ方式の液晶表示装置を構成することができる。

また、本発明に係る電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を備える電子機器を得ることができる。

本発明の一実施形態による液晶表示装置の平面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の拡大図である。 図６の１５０−１５０線から見た画素の拡大図である。 図６の２００−２００線から見た画素の拡大図である。 図１の２５０−２５０線に沿った断面図である。 図１の３００−３００線に沿った断面図である。 図４の３５０−３５０線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明した図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明した図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の平面図である。図２は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。図３〜図５は、それぞれ、本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の拡大図である。図６は、図１の２５０−２５０線に沿った断面図である。図７は、図１の３００−３００線に沿った断面図である。図８は、図４の３５０−３５０線に沿った断面図である。図１〜図８を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、本実施形態では、横電界方式の一例であるＦＦＳ方式の液晶表示装置１００に本発明を適用した例について説明する。

本発明の一実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、ガラス等の透明材料からなるＴＦＴ基板１には、表示領域２ａと、非表示領域２ｂが設けられている。また、ＴＦＴ基板１上には、表示領域２ａに接続される駆動ＩＣ３と、ＦＰＣ４（フレキシブルプリント基板：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）とが配設されている。尚、ＴＦＴ基板1は、本発明の「第１基板」の一例であり、ＦＰＣ４は、本発明の「配線基板」の一例である。また、表示領域２ａには、複数の画素２ｃが設けられている。また、非表示領域２ｂは、表示領域２ａをとり囲むように設けられている。

また、ＴＦＴ基板１側の非表示領域２ｂには、Ａｌ（アルミニウム）からなる配線５が形成されている。この配線５は、ＦＰＣ４と接続されている。なお、配線５は、本発明の「配線層」の一例である。また、配線５は、抵抗６を介して接地されている。また、図２に示すように、液晶表示装置１００は、液晶パネル１００ａを含んでいる。この液晶パネル１００ａの矢印Ｚ１方向側には、バックライト７が設けられている。

また、図３に示すように、複数の画素２ｃは、Ｘ方向に延びるゲート線８と、Ｙ方向に延びるソース線９とが交差する位置にそれぞれ設けられており、複数の画素２ｃは、全て同じ矩形形状を有している。また、ゲート線８には、平面的に見て、ゲート線８から矢印Ｙ１方向側（ソース線９が延びる方向）に突出するとともに、Ｙ方向に延びる矩形形状のゲート電極８ａが形成されている。

また、図６に示すように、ＴＦＴ基板１の矢印Ｚ１方向側の表面上には、偏光板１０が形成されている。また、ＴＦＴ基板１の矢印Ｚ２方向側の表面上には、後述するＴＦＴ・電極形成部３０が形成されている。このＴＦＴ・電極形成部３０の矢印Ｚ２方向側には、液晶層１１を介して、対向基板１２が設けられている。なお、対向基板１２は、本発明の「第２基板」の一例である。この対向基板１２の矢印Ｚ２方向側の表面上には、偏光板１３が形成されている。

ここで、本実施形態では、対向基板１２の矢印Ｚ１方向側の表面上の各画素２ｃの境界部分には、遮光性を有し、金属のクロム（Ｃｒ）からなる遮光膜１４が形成されている。なお、遮光膜１４は、本発明の「導電層」の一例である。具体的には、図１に示すように、表示領域２ａでは、遮光膜１４は、複数の画素２ｃが設けられた各画素２ｃ間の境界部分に沿って、Ｘ方向およびＹ方向に延びるように網目状に形成されている。また、非表示領域２ｂでは、遮光膜１４は、網目状には形成されておらず、穴部を有しない平板状に形成されている。また、図３および図４に示すように、遮光膜１４は、平面的に見て、ゲート線８およびソース線９にオーバラップするように網目状に形成されている。

また、本実施形態では、図６に示すように、遮光膜１４の表面（矢印Ｚ１方向側）および側面を覆うように、非導電性であるとともに樹脂製のブラックマトリクス膜１５が形成されている。また、図５に示すように、ブラックマトリクス膜１５は、平面的に見て、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの各画素２ｃ間の境界部分に沿って延びるとともに、網目状に形成された遮光膜１４にオーバラップするように網目状に形成されている。なお、ブラックマトリクス膜１５は、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの周りの非表示領域２ｂには、形成されていない。

また、本実施形態では、図６に示すように、遮光膜１４のＸ方向の幅Ｗ１は、平面的に見て、ブラックマトリクス膜１５のＸ方向の幅Ｗ２よりも小さく形成されている。例えば、遮光膜１４のＸ方向の幅Ｗ１は、約３μｍに形成される場合、ブラックマトリクス膜１５のＸ方向の幅Ｗ２は、約６μｍに形成される。

また、本実施形態では、遮光膜１４のＺ方向の厚みｔ１は、平面的に見て、ブラックマトリクス膜１５の遮光膜１４とオーバラップしていない部分のＺ方向の厚みｔ２よりも小さく形成されている。例えば、遮光膜１４のＺ方向の厚みｔ１は、約０．１５μｍに形成される場合、ブラックマトリクス膜１５のＺ方向の厚みｔ２は、約１．０μｍ以上約１．３μｍ以下に形成される。

また、ブラックマトリクス膜１５とブラックマトリクス膜１５との間の各画素２ｃに対応する領域には、それぞれ、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応するカラーフィルター１６が形成されている。また、カラーフィルター１６およびブラックマトリクス膜１５の表面を覆うように、アクリル系の樹脂材料からなるオーバーコート層１７が形成されている。なお、非表示領域２ｂに形成されている遮光膜１４の表面上には、オーバーコート層１７は形成されていない。また、オーバーコート層１７とＴＦＴ・電極形成部３０との間には液晶層１１が設けられている。また、液晶層１１は、シール材１８によってＴＦＴ基板１と対向基板１２とがシールされることにより封入される。

また、本実施形態では、図７に示すように、遮光膜１４は、対向基板１２の非表示領域２ｂの端部近傍にまで形成されている。また、ＴＦＴ基板１の表面上には、Ａｌからなる配線５が形成されている。この配線５の表面上には、ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）からなり、コンタクトホール１９ａが形成された絶縁膜１９が形成されている。絶縁膜１９および配線５の表面上には、ＩＴＯからなる透明電極２０が形成されており、透明電極２０と配線５とは電気的に接続されている。また、遮光膜１４の端部１４ａと、透明電極２０とは、Ａｕなどの導電粒子２１が混入されたシール材１８の導通部分２２により導通されている。これにより、製造時や使用時において、対向基板１２側に帯電した静電気が、遮光膜１４、導通部分２２、透明電極２０、配線５およびＦＰＣ４（図１参照）を介して接地されることにより、静電気不良を軽減することが可能である。

次に、ＴＦＴ・電極形成部３０の詳細な断面構造としては、図８に示すように、ＴＦＴ基板１の表面上には、ゲート電極８ａが形成されている。このゲート電極８ａおよびＴＦＴ基板１の表面上は、ＳｉＮ膜またはＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜３１ａを含む絶縁膜３１が形成されている。このゲート絶縁膜３１ａを介してゲート電極８ａと平面的に見て重なるように下層のａ−Ｓｉ層と、上層のｎ型の導電性を有するｎ^＋Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層３２が形成されている。

また、半導体層３２の表面上には、ゲート電極８ａおよび半導体層３２と平面的に見て重なるようにソース電極９ａおよびドレイン電極３３が形成されている。また、平面的に見て、ソース電極９ａとドレイン電極３３とに挟まれる半導体層３２の領域には、上層のｎ^＋Ｓｉ層が除去されて下層のａ−Ｓｉ層によりチャネル領域３２ａが形成されている。

また、薄膜トランジスタ３０ａは、ゲート電極８ａ、ゲート絶縁膜３１ａ、半導体層３２、ソース電極９ａおよびドレイン電極３３から構成されている。この薄膜トランジスタ３０ａのソース電極９ａは、ソース線９（図３参照）に電気的に接続されている。

また、ソース電極９ａ、ドレイン電極３３および絶縁膜３１を覆うように、ＳｉＮ膜からなる層間絶縁膜３４が形成されている。この層間絶縁膜３４には、コンタクトホール３４ａが形成されている。また、層間絶縁膜３４の表面上には、有機膜からなる平坦化膜３５が形成されている。この平坦化膜３５には、コンタクトホール３５ａが形成されている。また、平坦化膜３５の表面上には、画素電極３６が形成されている。この画素電極３６は、各画素２ｃ毎に設けられており、画素電極３６は、コンタクトホール３５ａおよび３４ａを介して、コンタクト部３３ａにおいて、ドレイン電極３３と電気的に接続されている。

また、画素電極３６および平坦化膜３５のそれぞれの表面上には、ＳｉＮ膜からなる絶縁膜３７が形成されている。この絶縁膜３７の表面上には、共通電極３８が形成されている。この共通電極３８には、複数のスリット３８ａ（開口部）が形成されている。このように、絶縁膜３７の上下に位置する画素電極３６と共通電極３８との間で横電界を発生させるＦＦＳ方式によって、液晶表示装置１００が駆動されるように構成されている。

また、共通電極３８の表面上には、ポリイミド（ＰＩ）などの有機膜からなる配向膜３９が形成されている。また、オーバーコート層１７の液晶層１１側（矢印Ｚ１方向側）の表面上には、配向膜４０が形成されている。

本実施形態では、上記のように、対向基板１２の液晶層１１側の表面上の複数の画素２ｃの境界部分に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４の表面を覆うとともに、複数の画素２ｃの境界部分に形成された非導電性のブラックマトリクス膜１５とを備える。これにより、複数の画素２ｃを含む表示領域２ａの略全領域を覆うように遮光膜１４を形成する場合と異なり、複数の画素２ｃの境界部分にのみ遮光膜１４が形成されるので、対向基板１２側の微細な凹凸などが見えやすくなるのを抑制することができる。その結果、表示品位が低下するのを抑制することができる。また、複数の画素２ｃの境界部分に形成された遮光膜１４により、複数の画素２ｃの静電気などに対するシールドを行うことができるので、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置１００の駆動に不具合が生じるのを抑制することができる。また、遮光膜１４の表面を覆うように非導電性のブラックマトリクス膜１５を形成することにより、遮光膜１４が遮光性を有しない場合にも、遮光膜１４が形成されている画素２ｃ間の境界領域を確実に遮光することができる。ただし、表示領域２ａに遮光性を有しない遮光膜を用いる場合には、非表示領域２ｂの遮光膜は、遮光性を有する別の遮光膜を形成する必要がある。

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４が、遮光性を有することによって、ブラックマトリクス膜１５のみによって遮光する場合と異なり、より遮光性を高くすることができる。

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４を、平面的に見て、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの各画素２ｃ間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成することによって、遮光膜１４が網目状に形成されているので、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの略全領域において、静電気に対するシールドを行うことができる。

また、本実施形態では、上記のように、ブラックマトリクス膜１５を、平面的に見て、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの各画素２ｃ間の境界部分に沿って延びるとともに、網目状に形成された遮光膜１４にオーバラップするように網目状に形成することによって、網目状に形成された遮光膜１４により、表示領域２ａの略全領域において静電気に対するシールドを行いながら、ブラックマトリクス膜１５により、遮光膜１４が形成されている領域を確実に遮光することができる。

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４の幅Ｗ１を、平面的に見て、ブラックマトリクス膜１５の幅Ｗ２よりも小さく形成することによって、遮光性の遮光膜１４を設けたとしても、ブラックマトリクス膜１５により遮光領域を正確に規定することができる。

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４の厚みｔ１を、ブラックマトリクス膜１５の厚みｔ２よりも小さく形成することによって、クロム遮光膜１４の厚みｔ１がブラックマトリクス膜１５の厚みｔ２よりも小さく形成されている分、確実に、遮光膜１４の表面をブラックマトリクス膜１５により覆うことができる。

また、本実施形態では、上記のように、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの周りの非表示領域２ｂには、ブラックマトリクス膜１５を形成せず、遮光膜１４を形成することによって、非表示領域２ｂにブラックマトリクス膜１５が形成されていないので、非表示領域２ｂにオーバーコート層１７などの保護膜を形成する必要がない分、非表示領域２ｂの構造を簡素化させることができ、液晶表示装置１００を薄型化することができる。また、非表示領域２ｂに、遮光膜１４が形成されていることにより、静電気などに対するシールド性能をより向上させることができる。

また、本実施形態では、上記のように、遮光性を有する遮光膜１４により非表示領域２ｂを覆うように形成することによって、非表示領域２ｂにブラックマトリクス膜１５を形成することなく、非表示領域２ｂを遮光することができる。

また、本実施形態では、上記のように、対向基板１２側の遮光膜１４の端部１４ａが、シール材１８の導通部分２２により、ＴＦＴ基板１側と導通することによって、遮光膜１４とＴＦＴ基板１側とが電気的に接続されるので、対向基板１２側の遮光膜１４に帯電した静電気を、シール材１８の導通部分２２を介して、ＴＦＴ基板１側に逃がすことができる。

また、本実施形態では、上記のように、ＦＰＣ４と配線５とを備えることによって、遮光膜１４の端部１４ａとＦＰＣ４とが電気的に接続されるので、対向基板１２側の遮光膜１４に帯電した静電気を、ＴＦＴ基板１側から配線５を介してＦＰＣ４に逃がすことができる。

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４が、金属からなり、ブラックマトリクス膜１５が、樹脂からなることによって、金属の遮光膜１４により、静電気などに対するシールドを行いながら遮光することができるとともに、樹脂のブラックマトリクス膜１５により、遮光をすることができる。

また、本実施形態では、上記のように、ＴＦＴ基板１側に配置された画素電極３６と共通電極３８とを絶縁膜３７を介して互いに対向するように配置することによって、絶縁膜３７の上下に位置する画素電極３６と共通電極３８との間で横電界を発生するＦＦＳ方式の液晶表示装置１００を構成することができる。

図９および図１０は、それぞれ、本発明の一実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明した図である。図９および図１０を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００を用いた電子機器について説明する。

本発明の一実施形態による液晶表示装置１００は、図９および図１０に示すように、携帯電話４００およびＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）５００などに用いることが可能である。なお、携帯電話４００およびＰＣ５００は、それぞれ、本発明の「電子機器」の一例である。また、図９の携帯電話４００においては、表示画面４００ａに本発明の一実施形態による液晶表示装置１００が用いられる。図１０のＰＣ５００においては、キーボード５００ａなどの入力部および表示画面５００ｂなどに本発明の一実施形態による液晶表示装置１００を用いることが可能である。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記実施形態では、本発明をＦＦＳ方式の液晶表示装置に適用する例について説明したが、本発明はこれに限らず、ＦＦＳ方式以外の横電界方式の液晶表示装置に本発明を適用してもよい。たとえば、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置に適用してもよい。

また、上記実施形態では、導電層の一例としてクロムにより導電層を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、クロム以外の導電性を有する金属により導電層を形成してもよい。

また、上記実施形態では、表示領域に遮光性を有する遮光膜を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、表示領域に遮光性を有さない導電層を形成してもよい。たとえば、導電層をＩＴＯなどの透明電極により形成してもよい。この場合、非表示領域には、別途、遮光性を有する導電層を形成し、表示領域の遮光性を有さない導電層と、非表示領域の遮光性を有する導電層とを電気的に接続する必要がある。

また、上記実施形態では、遮光膜１４の幅Ｗ１を、約３μｍに形成するとともに、ブラックマトリクス膜１５の幅Ｗ２を、約６μｍに形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、遮光膜の幅がブラックマトリクスの幅よりも小さければ、上記以外の幅に形成してもよい。

また、上記実施形態では、遮光膜１４の厚みｔ１を、約０．１５μｍに形成するとともに、ブラックマトリクス膜１５の厚みｔ２を、約１．０μｍ以上約１．３μｍ以下に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、遮光膜の厚みがブラックマトリクスの厚みよりも小さければ、上記以外の厚みに形成してもよい。

１ ＴＦＴ基板（第１基板） ２ａ 表示領域 ２ｂ 非表示領域 ２ｃ 画素 ４ ＦＰＣ（配線基板） ５ 配線（配線層） １１ 液晶層 １２ 対向基板（第２基板） １４ 遮光膜（導電層） １５ ブラックマトリクス膜 １８ シール材 ２１ 導電粒子 ２２ 導通部分 ３０ａ 薄膜トランジスタ ３６ 画素電極 ３８ 共通電極 １００ 液晶表示装置 ４００ 携帯電話（電子機器） ５００ ＰＣ（電子機器）

Claims (8)

1. 第１基板と、
   前記第１基板側に形成された薄膜トランジスタと、
   前記第１基板側の前記薄膜トランジスタの上方に形成された画素電極および共通電極と、
   前記画素電極および前記共通電極の上方に液晶層を介して設けられた第２基板と、
   前記第１基板および前記第２基板に設けられ、複数の画素を含む表示領域と、
   前記第２基板の前記液晶層側の表面上に、平面的に見て、前記複数の画素を含む表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成された導電層と、
   平面的に見て、前記複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びて、前記網目状に形成された前記導電層の表面および側面を覆うように形成された非導電性のブラックマトリクス膜と、
   を備え、
   前記導電層は、平面的に見て、幅は前記第１基板上の各画素間の境界部分に形成されるゲート線およびソース線に重なるとともに、前記ブラックマトリクス膜の幅よりも小さく形成され、厚みは前記ブラックマトリクス膜のみが形成される領域の厚みよりも小さく形成される、
   液晶表示装置。
2. 前記導電層は、遮光性を有する、
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記複数の画素が設けられた表示領域の周りの非表示領域には、前記ブラックマトリクス膜は形成されておらず、遮光性を有するとともに、前記非表示領域を覆う前記導電層が形成されている、
   請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記液晶層を封入するように前記第１基板側と前記第２基板側とをシールするシール材をさらに備え、
   前記シール材は、導電粒子が混入された導通部分を含み、
   前記導電層は、前記第２基板の前記非表示領域の端部近傍まで形成されており、
   前記第２基板側の前記導電層の端部は、前記シール材の導通部分により、前記第１基板側と導通されている、
   請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１基板側に接続される配線基板と、
   前記第１基板側に設けられ、前記シール材の導通部分を介して導通された前記第１基板側の部分と前記配線基板とを電気的に接続するための配線層とをさらに備える、
   請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記導電層は、金属からなり、
   前記ブラックマトリクス膜は、樹脂からなる、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１基板側に配置された前記画素電極と前記共通電極とは、絶縁膜を介して互いに対向するように配置されている、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備える、
   電子機器。
   

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