JP5392702B2 - Liquid crystal display device and electronic device - Google Patents
Liquid crystal display device and electronic device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5392702B2 JP5392702B2 JP2009002224A JP2009002224A JP5392702B2 JP 5392702 B2 JP5392702 B2 JP 5392702B2 JP 2009002224 A JP2009002224 A JP 2009002224A JP 2009002224 A JP2009002224 A JP 2009002224A JP 5392702 B2 JP5392702 B2 JP 5392702B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- display device
- crystal display
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、一対の基板のうちの一方の基板側の上方に形成された画素電極および共通電極を備える液晶表示装置および電子機器に関する。 The present invention relates to a liquid crystal display device and an electronic device, and more particularly, to a liquid crystal display device and an electronic device including a pixel electrode and a common electrode formed above one of a pair of substrates.
従来、一対の基板のうちの一方の基板(第1基板)側の上方に形成された画素電極および共通電極を備える液晶表示装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。上記特許文献1に開示された液晶表示装置では、第1基板側の上方に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が形成されており、TFTの上方には、画素電極が形成されている。この画素電極の表面上には、絶縁膜を介して共通電極が形成されている。これにより、絶縁膜の上下に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生させるFFS(Fringe Field Switching)方式の液晶表示装置が構成されている。
Conventionally, a liquid crystal display device including a pixel electrode and a common electrode formed above one substrate (first substrate) side of a pair of substrates is known (see, for example, Patent Document 1). In the liquid crystal display device disclosed in
また、第1基板の上方には液晶層が設けられ、液晶層の上方には一対の基板のうちの他方の基板(第2基板)が設けられている。この第2基板の液晶層側の表面上には、マトリクス状のブラックマトリクスが形成されており、マトリクス状のブラックマトリクスの間には、カラーフィルターが形成されている。また、第2基板の液晶層とは反対側の表面上には、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜からなるシールド電極が形成されている。このシールド電極は、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置の駆動に不具合が生じるのを抑制するためのシールド機能を有している。また、シールド電極は、第1基板および第2基板に設けられた複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように平坦面状に形成されている。 A liquid crystal layer is provided above the first substrate, and the other substrate (second substrate) of the pair of substrates is provided above the liquid crystal layer. A matrix-like black matrix is formed on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and a color filter is formed between the matrix-like black matrices. A shield electrode made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the surface of the second substrate opposite to the liquid crystal layer. The shield electrode has a shield function for suppressing a problem in driving the liquid crystal display device due to the application of a high potential such as static electricity. Further, the shield electrode is formed in a flat surface so as to cover substantially the entire display area including the plurality of pixels provided on the first substrate and the second substrate.
しかしながら、上記特許文献1に記載の液晶表示装置では、シールド電極を複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように形成しているため、表示領域では、第2基板とシールド電極との屈折率の違いなどにより、第2基板側の微細な凹凸などが見えやすくなるため、表示品位が低下するという問題点がある。
However, in the liquid crystal display device described in
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、表示品位が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and an electronic apparatus capable of suppressing a reduction in display quality. That is.
上記目的を達成するために、この発明に係る液晶表示装置は、第1基板と、第1基板側に形成された薄膜トランジスタと、第1基板側の薄膜トランジスタの上方に形成された画素電極および共通電極と、画素電極および共通電極の上方に液晶層を介して設けられた第2基板と、第1基板および第2基板に設けられ、複数の画素を含む表示領域と、第2基板の液晶層側の表面上に、平面的に見て、複数の画素を含む表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成された導電層と、平面的に見て、複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びて、網目状に形成された導電層の表面および側面を覆うように形成された非導電性のブラックマトリクス膜と、を備え、導電層は、平面的に見て、幅は第1基板上の各画素間の境界部分に形成されるゲート線およびソース線に重なるとともに、ブラックマトリクス膜の幅よりも小さく形成され、厚みはブラックマトリクス膜のみが形成される領域の厚みよりも小さく形成される。 To achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention includes a first substrate, a thin film transistor formed on the first substrate side, the pixel electrode and the common electrode formed over the first substrate side of the thin film transistor A second substrate provided above the pixel electrode and the common electrode via a liquid crystal layer, a display region provided on the first substrate and the second substrate and including a plurality of pixels, and a liquid crystal layer side of the second substrate A conductive layer formed in a mesh shape so as to extend along a boundary portion between each pixel of a display region including a plurality of pixels when viewed in a plan view, and a plurality of pixels when viewed in a plan view extending along the boundary between the pixels of the display area is provided, and a non-conductive black matrix film formed to cover the surface and side surfaces of the reticulated to form a conductive layer, The conductive layer has a width of the first substrate as viewed in plan. With overlapping the gate lines and the source lines formed in the boundary portion between the pixels of, is smaller than the width of the black matrix film is formed smaller than the thickness of the region thickness of only the black matrix film is formed .
この液晶表示装置では、複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように導電層が形成される場合と異なり、複数の画素の境界部分にのみ導電層が形成されるので、第2基板側の微細な凹凸などが見えやすくなるのを抑制することができる。その結果、表示品位が低下するのを抑制することができる。また、複数の画素の境界部分に形成された導電層により、複数の画素の静電気などに対するシールドを行うことができるので、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置の駆動に不具合が生じるのを抑制することができる。また、導電層の表面を覆うように非導電性のブラックマトリクス膜を形成することにより、導電層が遮光性を有しない場合にも、導電層が形成されている画素間の境界領域を確実に遮光することができる。 In this liquid crystal display device, unlike the case where the conductive layer is formed so as to cover substantially the entire area of the display region including the pixels of multiple, since the conductive layer is formed only on the boundary portion of the plurality of pixels, It can suppress that the fine unevenness | corrugation etc. on the 2nd board | substrate side become easy to see. As a result, it is possible to suppress the display quality from deteriorating. In addition, since the conductive layer formed at the boundary between the plurality of pixels can shield the plurality of pixels from static electricity, the liquid crystal display device has a problem in driving due to the application of a high potential such as static electricity. Can be suppressed. In addition, by forming a non-conductive black matrix film so as to cover the surface of the conductive layer, even when the conductive layer does not have a light-shielding property, a boundary region between pixels on which the conductive layer is formed can be ensured. Can be shielded from light.
また、遮光性の導電層を設けたとしても、ブラックマトリクス膜により遮光領域を正確に規定することができる。 Even if a light-shielding conductive layer is provided, the light-shielding region can be accurately defined by the black matrix film.
導電層の厚みがブラックマトリクス膜の厚みよりも小さく形成されている分、確実に、導電層の表面をブラックマトリクス膜により覆うことができる。 Since the thickness of the conductive layer is smaller than the thickness of the black matrix film, the surface of the conductive layer can be reliably covered with the black matrix film.
上記液晶表示装置において、好ましくは、複数の画素が設けられた表示領域の周りの非表示領域には、ブラックマトリクス膜は形成されておらず、遮光性を有するとともに、非表示領域を覆う導電層が形成されている。このように構成すれば、非表示領域にブラックマトリクス膜が形成されていないので、非表示領域にオーバーコート層などの保護膜を形成する必要がない分、非表示領域の構造を簡素化させることができる。また、非表示領域に、導電層が形成されていることにより、静電気などに対するシールド性能をより向上させることができる。 In the above SL liquid crystal display device, preferably, the non-display region around the display region where the pixel in the multiple is provided, a black matrix layer is not formed, and has a light shielding property, a non-display area A covering conductive layer is formed. With this configuration, since the black matrix film is not formed in the non-display area, it is not necessary to form a protective film such as an overcoat layer in the non-display area, thereby simplifying the structure of the non-display area. Can do. In addition, since the conductive layer is formed in the non-display area, the shielding performance against static electricity and the like can be further improved.
また、非表示領域にブラックマトリクス膜を形成することなく、遮光性を有する導電層により、非表示領域を遮光することができる。 Further , the non-display area can be shielded from light by the conductive layer having a light-shielding property without forming a black matrix film in the non-display area.
上記導電層が遮光性を有する液晶表示装置において、好ましくは、液晶層を封入するように第1基板側と第2基板側とをシールするシール材をさらに備え、シール材は、導電粒子が混入された導通部分を含み、導電層は、第2基板の非表示領域の端部近傍まで形成されており、第2基板側の導電層の端部は、シール材の導通部分により、第1基板側と導通されている。このように構成すれば、導電層と第1基板側とが電気的に接続されるので、第2基板側の導電層に帯電した静電気を、シール材の導通部分を介して、第1基板側に逃がすことができる。 In the liquid crystal display device in which the conductive layer has a light shielding property, preferably, the liquid crystal layer further includes a sealing material for sealing the first substrate side and the second substrate side so as to enclose the liquid crystal layer, and the sealing material is mixed with conductive particles. The conductive layer is formed up to the vicinity of the end of the non-display area of the second substrate, and the end of the conductive layer on the second substrate side is formed by the conductive portion of the sealing material. Is connected to the side. With this configuration, since the conductive layer and the first substrate side are electrically connected, static electricity charged in the conductive layer on the second substrate side is transferred to the first substrate side via the conductive portion of the sealing material. Can escape.
上記シール材を備える液晶表示装置において、好ましくは、第1基板側に接続される配線基板と、第1基板側に設けられ、シール材の導通部分を介して導通された第1基板側の部分と配線基板とを電気的に接続するための配線層とをさらに備える。このように構成すれば、導電層の端部と配線基板とが電気的に接続されるので、第2基板側の導電層に帯電した静電気を、第1基板側から配線層を介して配線基板に逃がすことができる。 In the liquid crystal display device including the sealing material, preferably, a wiring substrate connected to the first substrate side and a portion on the first substrate side provided on the first substrate side and conducted through the conducting portion of the sealing material. And a wiring layer for electrically connecting the wiring board and the wiring board. If comprised in this way, since the edge part of a conductive layer and a wiring board will be electrically connected, the static electricity electrified by the conductive layer by the side of a 2nd board | substrate will be connected to a wiring board via a wiring layer from the 1st board | substrate side. Can escape.
上記液晶表示装置において、好ましくは、導電層は、金属からなり、ブラックマトリクス膜は、樹脂からなる。このように構成すれば、金属の導電層により、静電気などに対するシールドを行いながら遮光することができるとともに、樹脂のブラックマトリクス膜により、遮光をすることができる。 In the above SL liquid crystal display device, preferably, the conductive layer is made of a metal, the black matrix film is made of a resin. If comprised in this way, while being shielded against static electricity etc. by the metal conductive layer, it can shield light, and it can shield light by the resin black matrix film.
上記液晶表示装置において、好ましくは、第1基板側に配置された画素電極と共通電極とは、絶縁膜を介して互いに対向するように配置されている。このように構成すれば、絶縁膜の上下に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生するFFS方式の液晶表示装置を構成することができる。 In the above SL liquid crystal display device, preferably, the common electrode and the pixel electrode disposed on the first substrate side are disposed to face each other via an insulating film. With this configuration, an FFS mode liquid crystal display device that generates a horizontal electric field between the pixel electrode and the common electrode positioned above and below the insulating film can be configured.
また、本発明に係る電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を備える電子機器を得ることができる。 An electronic apparatus according to the present invention includes a liquid crystal display device having any one of the above-described configurations. If comprised in this way, an electronic device provided with the liquid crystal display device which can suppress the fall of display quality can be obtained.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の平面図である。図2は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。図3〜図5は、それぞれ、本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の拡大図である。図6は、図1の250−250線に沿った断面図である。図7は、図1の300−300線に沿った断面図である。図8は、図4の350−350線に沿った断面図である。図1〜図8を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置100の構成について説明する。なお、本実施形態では、横電界方式の一例であるFFS方式の液晶表示装置100に本発明を適用した例について説明する。
FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 3 to 5 are enlarged views of pixels of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view taken along line 250-250 in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line 300-300 in FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line 350-350 in FIG. With reference to FIGS. 1-8, the structure of the liquid
本発明の一実施形態による液晶表示装置100は、図1に示すように、ガラス等の透明材料からなるTFT基板1には、表示領域2aと、非表示領域2bが設けられている。また、TFT基板1上には、表示領域2aに接続される駆動IC3と、FPC4(フレキシブルプリント基板:Flexible Printed Circuits)とが配設されている。尚、TFT基板1は、本発明の「第1基板」の一例であり、FPC4は、本発明の「配線基板」の一例である。また、表示領域2aには、複数の画素2cが設けられている。また、非表示領域2bは、表示領域2aをとり囲むように設けられている。
In a liquid
また、TFT基板1側の非表示領域2bには、Al(アルミニウム)からなる配線5が形成されている。この配線5は、FPC4と接続されている。なお、配線5は、本発明の「配線層」の一例である。また、配線5は、抵抗6を介して接地されている。また、図2に示すように、液晶表示装置100は、液晶パネル100aを含んでいる。この液晶パネル100aの矢印Z1方向側には、バックライト7が設けられている。
A
また、図3に示すように、複数の画素2cは、X方向に延びるゲート線8と、Y方向に延びるソース線9とが交差する位置にそれぞれ設けられており、複数の画素2cは、全て同じ矩形形状を有している。また、ゲート線8には、平面的に見て、ゲート線8から矢印Y1方向側(ソース線9が延びる方向)に突出するとともに、Y方向に延びる矩形形状のゲート電極8aが形成されている。
Further, as shown in FIG. 3, the plurality of
また、図6に示すように、TFT基板1の矢印Z1方向側の表面上には、偏光板10が形成されている。また、TFT基板1の矢印Z2方向側の表面上には、後述するTFT・電極形成部30が形成されている。このTFT・電極形成部30の矢印Z2方向側には、液晶層11を介して、対向基板12が設けられている。なお、対向基板12は、本発明の「第2基板」の一例である。この対向基板12の矢印Z2方向側の表面上には、偏光板13が形成されている。
Further, as shown in FIG. 6, a
ここで、本実施形態では、対向基板12の矢印Z1方向側の表面上の各画素2cの境界部分には、遮光性を有し、金属のクロム(Cr)からなる遮光膜14が形成されている。なお、遮光膜14は、本発明の「導電層」の一例である。具体的には、図1に示すように、表示領域2aでは、遮光膜14は、複数の画素2cが設けられた各画素2c間の境界部分に沿って、X方向およびY方向に延びるように網目状に形成されている。また、非表示領域2bでは、遮光膜14は、網目状には形成されておらず、穴部を有しない平板状に形成されている。また、図3および図4に示すように、遮光膜14は、平面的に見て、ゲート線8およびソース線9にオーバラップするように網目状に形成されている。
Here, in the present embodiment, a
また、本実施形態では、図6に示すように、遮光膜14の表面(矢印Z1方向側)および側面を覆うように、非導電性であるとともに樹脂製のブラックマトリクス膜15が形成されている。また、図5に示すように、ブラックマトリクス膜15は、平面的に見て、複数の画素2cが設けられた表示領域2aの各画素2c間の境界部分に沿って延びるとともに、網目状に形成された遮光膜14にオーバラップするように網目状に形成されている。なお、ブラックマトリクス膜15は、複数の画素2cが設けられた表示領域2aの周りの非表示領域2bには、形成されていない。
Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 6, a non-conductive
また、本実施形態では、図6に示すように、遮光膜14のX方向の幅W1は、平面的に見て、ブラックマトリクス膜15のX方向の幅W2よりも小さく形成されている。例えば、遮光膜14のX方向の幅W1は、約3μmに形成される場合、ブラックマトリクス膜15のX方向の幅W2は、約6μmに形成される。
Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 6, the width W1 in the X direction of the
また、本実施形態では、遮光膜14のZ方向の厚みt1は、平面的に見て、ブラックマトリクス膜15の遮光膜14とオーバラップしていない部分のZ方向の厚みt2よりも小さく形成されている。例えば、遮光膜14のZ方向の厚みt1は、約0.15μmに形成される場合、ブラックマトリクス膜15のZ方向の厚みt2は、約1.0μm以上約1.3μm以下に形成される。
In the present embodiment, the thickness t1 of the
また、ブラックマトリクス膜15とブラックマトリクス膜15との間の各画素2cに対応する領域には、それぞれ、R(赤色)、G(緑色)およびB(青色)に対応するカラーフィルター16が形成されている。また、カラーフィルター16およびブラックマトリクス膜15の表面を覆うように、アクリル系の樹脂材料からなるオーバーコート層17が形成されている。なお、非表示領域2bに形成されている遮光膜14の表面上には、オーバーコート層17は形成されていない。また、オーバーコート層17とTFT・電極形成部30との間には液晶層11が設けられている。また、液晶層11は、シール材18によってTFT基板1と対向基板12とがシールされることにより封入される。
Further,
また、本実施形態では、図7に示すように、遮光膜14は、対向基板12の非表示領域2bの端部近傍にまで形成されている。また、TFT基板1の表面上には、Alからなる配線5が形成されている。この配線5の表面上には、SiN膜(シリコン窒化膜)からなり、コンタクトホール19aが形成された絶縁膜19が形成されている。絶縁膜19および配線5の表面上には、ITOからなる透明電極20が形成されており、透明電極20と配線5とは電気的に接続されている。また、遮光膜14の端部14aと、透明電極20とは、Auなどの導電粒子21が混入されたシール材18の導通部分22により導通されている。これにより、製造時や使用時において、対向基板12側に帯電した静電気が、遮光膜14、導通部分22、透明電極20、配線5およびFPC4(図1参照)を介して接地されることにより、静電気不良を軽減することが可能である。
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the
次に、TFT・電極形成部30の詳細な断面構造としては、図8に示すように、TFT基板1の表面上には、ゲート電極8aが形成されている。このゲート電極8aおよびTFT基板1の表面上は、SiN膜またはSiO2膜からなるゲート絶縁膜31aを含む絶縁膜31が形成されている。このゲート絶縁膜31aを介してゲート電極8aと平面的に見て重なるように下層のa−Si層と、上層のn型の導電性を有するn+Si層との2層構造からなる半導体層32が形成されている。
Next, as a detailed cross-sectional structure of the TFT /
また、半導体層32の表面上には、ゲート電極8aおよび半導体層32と平面的に見て重なるようにソース電極9aおよびドレイン電極33が形成されている。また、平面的に見て、ソース電極9aとドレイン電極33とに挟まれる半導体層32の領域には、上層のn+Si層が除去されて下層のa−Si層によりチャネル領域32aが形成されている。
A
また、薄膜トランジスタ30aは、ゲート電極8a、ゲート絶縁膜31a、半導体層32、ソース電極9aおよびドレイン電極33から構成されている。この薄膜トランジスタ30aのソース電極9aは、ソース線9(図3参照)に電気的に接続されている。
The
また、ソース電極9a、ドレイン電極33および絶縁膜31を覆うように、SiN膜からなる層間絶縁膜34が形成されている。この層間絶縁膜34には、コンタクトホール34aが形成されている。また、層間絶縁膜34の表面上には、有機膜からなる平坦化膜35が形成されている。この平坦化膜35には、コンタクトホール35aが形成されている。また、平坦化膜35の表面上には、画素電極36が形成されている。この画素電極36は、各画素2c毎に設けられており、画素電極36は、コンタクトホール35aおよび34aを介して、コンタクト部33aにおいて、ドレイン電極33と電気的に接続されている。
An interlayer insulating
また、画素電極36および平坦化膜35のそれぞれの表面上には、SiN膜からなる絶縁膜37が形成されている。この絶縁膜37の表面上には、共通電極38が形成されている。この共通電極38には、複数のスリット38a(開口部)が形成されている。このように、絶縁膜37の上下に位置する画素電極36と共通電極38との間で横電界を発生させるFFS方式によって、液晶表示装置100が駆動されるように構成されている。
An insulating
また、共通電極38の表面上には、ポリイミド(PI)などの有機膜からなる配向膜39が形成されている。また、オーバーコート層17の液晶層11側(矢印Z1方向側)の表面上には、配向膜40が形成されている。
An
本実施形態では、上記のように、対向基板12の液晶層11側の表面上の複数の画素2cの境界部分に形成された遮光膜14と、遮光膜14の表面を覆うとともに、複数の画素2cの境界部分に形成された非導電性のブラックマトリクス膜15とを備える。これにより、複数の画素2cを含む表示領域2aの略全領域を覆うように遮光膜14を形成する場合と異なり、複数の画素2cの境界部分にのみ遮光膜14が形成されるので、対向基板12側の微細な凹凸などが見えやすくなるのを抑制することができる。その結果、表示品位が低下するのを抑制することができる。また、複数の画素2cの境界部分に形成された遮光膜14により、複数の画素2cの静電気などに対するシールドを行うことができるので、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置100の駆動に不具合が生じるのを抑制することができる。また、遮光膜14の表面を覆うように非導電性のブラックマトリクス膜15を形成することにより、遮光膜14が遮光性を有しない場合にも、遮光膜14が形成されている画素2c間の境界領域を確実に遮光することができる。ただし、表示領域2aに遮光性を有しない遮光膜を用いる場合には、非表示領域2bの遮光膜は、遮光性を有する別の遮光膜を形成する必要がある。
In the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、遮光膜14が、遮光性を有することによって、ブラックマトリクス膜15のみによって遮光する場合と異なり、より遮光性を高くすることができる。
Further, in the present embodiment, as described above, since the
また、本実施形態では、上記のように、遮光膜14を、平面的に見て、複数の画素2cが設けられた表示領域2aの各画素2c間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成することによって、遮光膜14が網目状に形成されているので、複数の画素2cが設けられた表示領域2aの略全領域において、静電気に対するシールドを行うことができる。
In the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、ブラックマトリクス膜15を、平面的に見て、複数の画素2cが設けられた表示領域2aの各画素2c間の境界部分に沿って延びるとともに、網目状に形成された遮光膜14にオーバラップするように網目状に形成することによって、網目状に形成された遮光膜14により、表示領域2aの略全領域において静電気に対するシールドを行いながら、ブラックマトリクス膜15により、遮光膜14が形成されている領域を確実に遮光することができる。
In the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、遮光膜14の幅W1を、平面的に見て、ブラックマトリクス膜15の幅W2よりも小さく形成することによって、遮光性の遮光膜14を設けたとしても、ブラックマトリクス膜15により遮光領域を正確に規定することができる。
In the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、遮光膜14の厚みt1を、ブラックマトリクス膜15の厚みt2よりも小さく形成することによって、クロム遮光膜14の厚みt1がブラックマトリクス膜15の厚みt2よりも小さく形成されている分、確実に、遮光膜14の表面をブラックマトリクス膜15により覆うことができる。
In the present embodiment, as described above, the thickness t1 of the
また、本実施形態では、上記のように、複数の画素2cが設けられた表示領域2aの周りの非表示領域2bには、ブラックマトリクス膜15を形成せず、遮光膜14を形成することによって、非表示領域2bにブラックマトリクス膜15が形成されていないので、非表示領域2bにオーバーコート層17などの保護膜を形成する必要がない分、非表示領域2bの構造を簡素化させることができ、液晶表示装置100を薄型化することができる。また、非表示領域2bに、遮光膜14が形成されていることにより、静電気などに対するシールド性能をより向上させることができる。
In the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、遮光性を有する遮光膜14により非表示領域2bを覆うように形成することによって、非表示領域2bにブラックマトリクス膜15を形成することなく、非表示領域2bを遮光することができる。
Further, in the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、対向基板12側の遮光膜14の端部14aが、シール材18の導通部分22により、TFT基板1側と導通することによって、遮光膜14とTFT基板1側とが電気的に接続されるので、対向基板12側の遮光膜14に帯電した静電気を、シール材18の導通部分22を介して、TFT基板1側に逃がすことができる。
In the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、FPC4と配線5とを備えることによって、遮光膜14の端部14aとFPC4とが電気的に接続されるので、対向基板12側の遮光膜14に帯電した静電気を、TFT基板1側から配線5を介してFPC4に逃がすことができる。
Further, in the present embodiment, as described above, by providing the FPC 4 and the
また、本実施形態では、上記のように、遮光膜14が、金属からなり、ブラックマトリクス膜15が、樹脂からなることによって、金属の遮光膜14により、静電気などに対するシールドを行いながら遮光することができるとともに、樹脂のブラックマトリクス膜15により、遮光をすることができる。
In the present embodiment, as described above, the
また、本実施形態では、上記のように、TFT基板1側に配置された画素電極36と共通電極38とを絶縁膜37を介して互いに対向するように配置することによって、絶縁膜37の上下に位置する画素電極36と共通電極38との間で横電界を発生するFFS方式の液晶表示装置100を構成することができる。
In the present embodiment, as described above, the
図9および図10は、それぞれ、本発明の一実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明した図である。図9および図10を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置100を用いた電子機器について説明する。
FIG. 9 and FIG. 10 are diagrams illustrating examples of electronic devices using the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. With reference to FIG. 9 and FIG. 10, an electronic apparatus using the liquid
本発明の一実施形態による液晶表示装置100は、図9および図10に示すように、携帯電話400およびPC(Personal Computer)500などに用いることが可能である。なお、携帯電話400およびPC500は、それぞれ、本発明の「電子機器」の一例である。また、図9の携帯電話400においては、表示画面400aに本発明の一実施形態による液晶表示装置100が用いられる。図10のPC500においては、キーボード500aなどの入力部および表示画面500bなどに本発明の一実施形態による液晶表示装置100を用いることが可能である。
The liquid
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。 The embodiment disclosed this time is illustrative in all points and is not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.
たとえば、上記実施形態では、本発明をFFS方式の液晶表示装置に適用する例について説明したが、本発明はこれに限らず、FFS方式以外の横電界方式の液晶表示装置に本発明を適用してもよい。たとえば、IPS(In Plane Switching)方式の液晶表示装置に適用してもよい。 For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to an FFS liquid crystal display device has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is applied to a horizontal electric field liquid crystal display device other than the FFS method. May be. For example, the present invention may be applied to an IPS (In Plane Switching) type liquid crystal display device.
また、上記実施形態では、導電層の一例としてクロムにより導電層を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、クロム以外の導電性を有する金属により導電層を形成してもよい。 Moreover, although the example which forms a conductive layer with chromium as an example of a conductive layer was shown in the said embodiment, this invention is not limited to this, You may form a conductive layer with the metal which has electroconductivity other than chromium. .
また、上記実施形態では、表示領域に遮光性を有する遮光膜を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、表示領域に遮光性を有さない導電層を形成してもよい。たとえば、導電層をITOなどの透明電極により形成してもよい。この場合、非表示領域には、別途、遮光性を有する導電層を形成し、表示領域の遮光性を有さない導電層と、非表示領域の遮光性を有する導電層とを電気的に接続する必要がある。 In the above embodiment, an example in which a light shielding film having a light shielding property is formed in the display region has been described. However, the present invention is not limited thereto, and a conductive layer having no light shielding property may be formed in the display region. . For example, the conductive layer may be formed of a transparent electrode such as ITO. In this case, a conductive layer having a light shielding property is separately formed in the non-display region, and the conductive layer having no light shielding property in the display region is electrically connected to the conductive layer having the light shielding property in the non-display region. There is a need to.
また、上記実施形態では、遮光膜14の幅W1を、約3μmに形成するとともに、ブラックマトリクス膜15の幅W2を、約6μmに形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、遮光膜の幅がブラックマトリクスの幅よりも小さければ、上記以外の幅に形成してもよい。
In the above embodiment, the example in which the width W1 of the
また、上記実施形態では、遮光膜14の厚みt1を、約0.15μmに形成するとともに、ブラックマトリクス膜15の厚みt2を、約1.0μm以上約1.3μm以下に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、遮光膜の厚みがブラックマトリクスの厚みよりも小さければ、上記以外の厚みに形成してもよい。
In the above embodiment, the thickness t1 of the
1 TFT基板(第1基板) 2a 表示領域 2b 非表示領域 2c 画素 4 FPC(配線基板) 5 配線(配線層) 11 液晶層 12 対向基板(第2基板) 14 遮光膜(導電層) 15 ブラックマトリクス膜 18 シール材 21 導電粒子 22 導通部分 30a 薄膜トランジスタ 36 画素電極 38 共通電極 100 液晶表示装置 400 携帯電話(電子機器) 500 PC(電子機器)
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記第1基板側に形成された薄膜トランジスタと、
前記第1基板側の前記薄膜トランジスタの上方に形成された画素電極および共通電極と、
前記画素電極および前記共通電極の上方に液晶層を介して設けられた第2基板と、
前記第1基板および前記第2基板に設けられ、複数の画素を含む表示領域と、
前記第2基板の前記液晶層側の表面上に、平面的に見て、前記複数の画素を含む表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成された導電層と、
平面的に見て、前記複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びて、前記網目状に形成された前記導電層の表面および側面を覆うように形成された非導電性のブラックマトリクス膜と、
を備え、
前記導電層は、平面的に見て、幅は前記第1基板上の各画素間の境界部分に形成されるゲート線およびソース線に重なるとともに、前記ブラックマトリクス膜の幅よりも小さく形成され、厚みは前記ブラックマトリクス膜のみが形成される領域の厚みよりも小さく形成される、
液晶表示装置。 A first substrate;
A thin film transistor formed on the first substrate side;
A pixel electrode and a common electrode formed above the thin film transistor on the first substrate side;
A second substrate provided via a liquid crystal layer above the pixel electrode and the common electrode;
A display region provided on the first substrate and the second substrate and including a plurality of pixels;
A conductive layer formed in a mesh shape on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side so as to extend along a boundary portion between the pixels of the display region including the plurality of pixels in a plan view ; ,
As viewed in a plan view, it extends along the boundary between the pixels of the display area in which the plurality of pixels are provided, and is formed so as to cover the surface and side surfaces of the conductive layer formed in the mesh shape . A non-conductive black matrix film ;
Equipped with a,
The conductive layer has a width that overlaps a gate line and a source line formed at a boundary portion between each pixel on the first substrate and is smaller than a width of the black matrix film when viewed in a plane. The thickness is formed smaller than the thickness of the region where only the black matrix film is formed,
Liquid crystal display device.
請求項1に記載の液晶表示装置。 The conductive layer has a light shielding property,
The liquid crystal display device according to claim 1.
請求項1または2に記載の液晶表示装置。The liquid crystal display device according to claim 1.
前記シール材は、導電粒子が混入された導通部分を含み、The sealing material includes a conductive portion mixed with conductive particles,
前記導電層は、前記第2基板の前記非表示領域の端部近傍まで形成されており、The conductive layer is formed up to the vicinity of the end of the non-display area of the second substrate,
前記第2基板側の前記導電層の端部は、前記シール材の導通部分により、前記第1基板側と導通されている、An end portion of the conductive layer on the second substrate side is electrically connected to the first substrate side by a conductive portion of the sealing material.
請求項3に記載の液晶表示装置。The liquid crystal display device according to claim 3.
前記第1基板側に設けられ、前記シール材の導通部分を介して導通された前記第1基板側の部分と前記配線基板とを電気的に接続するための配線層とをさらに備える、A wiring layer for electrically connecting the wiring board and the portion on the first substrate, which is provided on the first substrate side and conducted through the conduction portion of the sealing material;
請求項4に記載の液晶表示装置。The liquid crystal display device according to claim 4.
前記ブラックマトリクス膜は、樹脂からなる、The black matrix film is made of resin.
請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。The liquid crystal display device according to claim 1.
請求項1〜6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。The liquid crystal display device according to claim 1.
電子機器。Electronics.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009002224A JP5392702B2 (en) | 2009-01-08 | 2009-01-08 | Liquid crystal display device and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009002224A JP5392702B2 (en) | 2009-01-08 | 2009-01-08 | Liquid crystal display device and electronic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010160302A JP2010160302A (en) | 2010-07-22 |
JP5392702B2 true JP5392702B2 (en) | 2014-01-22 |
Family
ID=42577505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009002224A Expired - Fee Related JP5392702B2 (en) | 2009-01-08 | 2009-01-08 | Liquid crystal display device and electronic device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5392702B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012020966A (en) | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Method for producing oxime |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03274502A (en) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter |
JPH05127187A (en) * | 1991-11-06 | 1993-05-25 | Casio Comput Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH07146407A (en) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Sony Corp | Manufacture of color filter |
JP3956630B2 (en) * | 2000-03-13 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and projection display device |
JP2005062760A (en) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device and electronic device |
JP5051690B2 (en) * | 2007-01-30 | 2012-10-17 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | Display device with input function |
-
2009
- 2009-01-08 JP JP2009002224A patent/JP5392702B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010160302A (en) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200241347A1 (en) | Display device | |
US10134906B2 (en) | Display device | |
JP5567855B2 (en) | Display device and electronic device | |
US10001676B2 (en) | Display device | |
JP5523864B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP5275861B2 (en) | Liquid crystal display device and electronic device | |
KR20130067443A (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating thereof | |
JP6315892B2 (en) | LCD panel | |
US20130127696A1 (en) | Display panel | |
EP2821845B1 (en) | Liquid crystal display device | |
US20180314098A1 (en) | Display board and display device | |
JP5736895B2 (en) | Horizontal electric field type liquid crystal display device | |
JP2017111396A (en) | Display device | |
KR101866263B1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2010243522A (en) | Liquid crystal display device and electronic device | |
JP5078176B2 (en) | Liquid crystal display | |
US20130016315A1 (en) | Liquid crystal display panel | |
JP5879384B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP5392702B2 (en) | Liquid crystal display device and electronic device | |
JP2008096475A (en) | Liquid crystal display | |
JP2013134317A (en) | Liquid crystal display device | |
KR101878481B1 (en) | High light transmittance thin film transistor substrate having color filter layer and manufacturing the same | |
JP5939755B2 (en) | Liquid crystal display | |
US20200387024A1 (en) | Display panel and display device | |
JP2009020421A (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100702 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111110 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130924 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |