JP2010160302A - Liquid crystal display device and electronic device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device for suppressing reduction in display quality. <P>SOLUTION: This liquid crystal display device 100 includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 1, a thin film transistor 30a formed on the TFT substrate 1 side, a pixel electrode 36 and common electrode 38 formed above the thin film transistor 30a on TFT substrate 1 side, a counter substrate 12 disposed above the pixel electrode 36 and common electrode 38 via a liquid crystal layer 11, a display region 2a that is disposed on the TFT substrate 1 and counter substrate 12 and includes a plurality of pixels 2c, light shielding films 14 formed in the boundaries between the plurality of pixels 2c on the surface on the liquid crystal layer 11 side of the counter substrate 12, and non-conductive black matrix films 15 that cover the surfaces of the light shielding films 14 and are formed in the boundaries between the plurality of pixels 2c. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、一対の基板のうちの一方の基板側の上方に形成された画素電極および共通電極を備える液晶表示装置および電子機器に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device and an electronic device, and more particularly, to a liquid crystal display device and an electronic device including a pixel electrode and a common electrode formed above one of a pair of substrates.

従来、一対の基板のうちの一方の基板（第１基板）側の上方に形成された画素電極および共通電極を備える液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示された液晶表示装置では、第１基板側の上方に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されており、ＴＦＴの上方には、画素電極が形成されている。この画素電極の表面上には、絶縁膜を介して共通電極が形成されている。これにより、絶縁膜の上下に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生させるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置が構成されている。   Conventionally, a liquid crystal display device including a pixel electrode and a common electrode formed above one substrate (first substrate) side of a pair of substrates is known (see, for example, Patent Document 1). In the liquid crystal display device disclosed in Patent Document 1, a thin film transistor (TFT) is formed above the first substrate side, and a pixel electrode is formed above the TFT. A common electrode is formed on the surface of the pixel electrode via an insulating film. As a result, an FFS (Fringe Field Switching) type liquid crystal display device that generates a horizontal electric field between the pixel electrode positioned above and below the insulating film and the common electrode is configured.

また、第１基板の上方には液晶層が設けられ、液晶層の上方には一対の基板のうちの他方の基板（第２基板）が設けられている。この第２基板の液晶層側の表面上には、マトリクス状のブラックマトリクスが形成されており、マトリクス状のブラックマトリクスの間には、カラーフィルターが形成されている。また、第２基板の液晶層とは反対側の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜からなるシールド電極が形成されている。このシールド電極は、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置の駆動に不具合が生じるのを抑制するためのシールド機能を有している。また、シールド電極は、第１基板および第２基板に設けられた複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように平坦面状に形成されている。   A liquid crystal layer is provided above the first substrate, and the other substrate (second substrate) of the pair of substrates is provided above the liquid crystal layer. A matrix-like black matrix is formed on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and a color filter is formed between the matrix-like black matrices. A shield electrode made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the surface of the second substrate opposite to the liquid crystal layer. The shield electrode has a shield function for suppressing a problem in driving the liquid crystal display device due to the application of a high potential such as static electricity. Further, the shield electrode is formed in a flat surface so as to cover substantially the entire display area including the plurality of pixels provided on the first substrate and the second substrate.

特開平１１−１４９０８５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-149085

しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、シールド電極を複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように形成しているため、表示領域では、第２基板とシールド電極との屈折率の違いなどにより、第２基板側の微細な凹凸などが見えやすくなるため、表示品位が低下するという問題点がある。   However, in the liquid crystal display device described in Patent Document 1, the shield electrode is formed so as to cover substantially the entire area of the display area including a plurality of pixels. Therefore, in the display area, the second substrate and the shield electrode are formed. Due to the difference in refractive index, fine irregularities on the second substrate side can be easily seen, and there is a problem that display quality is deteriorated.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、表示品位が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and an electronic apparatus capable of suppressing a reduction in display quality. That is.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における液晶表示装置は、第１基板と、第１基板側に形成された薄膜トランジスタと、第１基板側の薄膜トランジスタの上方に形成された画素電極および共通電極と、画素電極および共通電極の上方に液晶層を介して設けられた第２基板と、第１基板および第２基板に設けられ、複数の画素を含む表示領域と、第２基板の液晶層側の表面上の少なくとも複数の画素の境界部分に形成された導電層と、導電層の表面を覆うとともに、複数の画素の境界部分に形成された非導電性のブラックマトリクス膜とを備える。   In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to a first aspect of the present invention includes a first substrate, a thin film transistor formed on the first substrate side, and a pixel formed above the thin film transistor on the first substrate side. An electrode and a common electrode; a second substrate provided above the pixel electrode and the common electrode through a liquid crystal layer; a display region provided on the first substrate and the second substrate and including a plurality of pixels; and a second substrate A conductive layer formed on a boundary portion of at least a plurality of pixels on the liquid crystal layer side surface, and a non-conductive black matrix film formed on the boundary portion of the plurality of pixels while covering the surface of the conductive layer. Prepare.

この第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、第２基板の液晶層側の表面上の少なくとも複数の画素の境界部分に形成された導電層と、導電層の表面を覆うとともに、複数の画素の境界部分に形成された非導電性のブラックマトリクス膜とを備える。これにより、複数の画素を含む表示領域の略全領域を覆うように導電層が形成される場合と異なり、複数の画素の境界部分にのみ導電層が形成されるので、第２基板側の微細な凹凸などが見えやすくなるのを抑制することができる。その結果、表示品位が低下するのを抑制することができる。また、複数の画素の境界部分に形成された導電層により、複数の画素の静電気などに対するシールドを行うことができるので、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置の駆動に不具合が生じるのを抑制することができる。また、導電層の表面を覆うように非導電性のブラックマトリクス膜を形成することにより、導電層が遮光性を有しない場合にも、導電層が形成されている画素間の境界領域を確実に遮光することができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, as described above, the conductive layer formed on the boundary portion of at least a plurality of pixels on the surface on the liquid crystal layer side of the second substrate, and the surface of the conductive layer are covered. And a non-conductive black matrix film formed at a boundary portion of a plurality of pixels. Thus, unlike the case where the conductive layer is formed so as to cover substantially the entire display region including the plurality of pixels, the conductive layer is formed only at the boundary portion of the plurality of pixels. It is possible to suppress the appearance of unevenness. As a result, it is possible to suppress the display quality from deteriorating. In addition, since the conductive layer formed at the boundary between the plurality of pixels can shield the plurality of pixels from static electricity, the liquid crystal display device has a problem in driving due to the application of a high potential such as static electricity. Can be suppressed. In addition, by forming a non-conductive black matrix film so as to cover the surface of the conductive layer, even when the conductive layer does not have a light-shielding property, a boundary region between pixels on which the conductive layer is formed can be ensured. Can be shielded from light.

上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、導電層は、遮光性を有する。このように構成すれば、ブラックマトリクス膜のみによって遮光する場合と異なり、より遮光性を高くすることができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, preferably, the conductive layer has a light shielding property. If comprised in this way, unlike the case where it shields with only a black matrix film | membrane, light-shielding property can be made higher.

上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、導電層は、複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成されている。このように構成すれば、導電層が網目状に形成されているので、複数の画素が設けられた表示領域の略全領域において、静電気に対するシールドを行うことができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, preferably, the conductive layer is formed in a mesh shape so as to extend along a boundary portion between each pixel in a display region provided with a plurality of pixels. According to this configuration, since the conductive layer is formed in a mesh shape, it is possible to shield against static electricity in almost the entire display area where a plurality of pixels are provided.

この場合、好ましくは、ブラックマトリクス膜は、平面的に見て、複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるとともに、網目状に形成された導電層にオーバラップするように網目状に形成されている。このように構成すれば、網目状に形成された導電層により、表示領域の略全領域において静電気に対するシールドを行いながら、ブラックマトリクス膜により、導電層が形成されている領域を確実に遮光することができる。   In this case, the black matrix film preferably extends along a boundary portion between the pixels in the display area in which the plurality of pixels are provided in a plan view, and overlaps the conductive layer formed in a mesh shape. It is formed like a mesh. With this configuration, the black matrix film reliably shields the area where the conductive layer is formed, while shielding the static electricity in substantially the entire display area by the conductive layer formed in a mesh shape. Can do.

上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、ブラックマトリクス膜は、導電層の表面および側面を覆うように形成されており、導電層の幅は、平面的に見て、ブラックマトリクス膜の幅よりも小さく形成されている。このように構成すれば、遮光性の導電層を設けたとしても、ブラックマトリクス膜により遮光領域を正確に規定することができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, preferably, the black matrix film is formed so as to cover the surface and the side surface of the conductive layer, and the width of the conductive layer is as viewed in a plan view. It is formed smaller than the width. With this configuration, even if a light-shielding conductive layer is provided, the light-shielding region can be accurately defined by the black matrix film.

上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、導電層の厚みは、ブラックマトリクス膜の厚みよりも小さく形成されている。このように構成すれば、導電層の厚みがブラックマトリクス膜の厚みよりも小さく形成されている分、確実に、導電層の表面をブラックマトリクス膜により覆うことができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, preferably, the thickness of the conductive layer is smaller than the thickness of the black matrix film. If comprised in this way, since the thickness of a conductive layer is formed smaller than the thickness of a black matrix film, the surface of a conductive layer can be reliably covered with a black matrix film.

上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、複数の画素が設けられた表示領域には、ブラックマトリクス膜および導電層が形成されており、複数の画素が設けられた表示領域の周りの非表示領域には、ブラックマトリクス膜は形成されておらず、導電層が形成されている。このように構成すれば、非表示領域にブラックマトリクス膜が形成されていないので、非表示領域にオーバーコート層などの保護膜を形成する必要がない分、非表示領域の構造を簡素化させることができる。また、非表示領域に、導電層が形成されていることにより、静電気などに対するシールド性能をより向上させることができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, preferably, a black matrix film and a conductive layer are formed in a display region provided with a plurality of pixels, and the periphery of the display region provided with the plurality of pixels is provided. In the non-display area, no black matrix film is formed, and a conductive layer is formed. With this configuration, since the black matrix film is not formed in the non-display area, it is not necessary to form a protective film such as an overcoat layer in the non-display area, thereby simplifying the structure of the non-display area. Can do. In addition, since the conductive layer is formed in the non-display area, the shielding performance against static electricity and the like can be further improved.

この場合、好ましくは、導電層は、遮光性を有するとともに、非表示領域を覆うように形成されている。このように構成すれば、非表示領域にブラックマトリクス膜を形成することなく、遮光性を有する導電層により、非表示領域を遮光することができる。   In this case, preferably, the conductive layer has a light shielding property and is formed so as to cover the non-display area. With this configuration, the non-display area can be shielded from light by the conductive layer having a light-shielding property without forming a black matrix film in the non-display area.

上記導電層が遮光性を有する液晶表示装置において、好ましくは、液晶層を封入するように第１基板側と第２基板側とをシールするシール材をさらに備え、シール材は、導電粒子が混入された導通部分を含み、導電層は、第２基板の非表示領域の端部近傍まで形成されており、第２基板側の導電層の端部は、シール材の導通部分により、第１基板側と導通されている。このように構成すれば、導電層と第１基板側とが電気的に接続されるので、第２基板側の導電層に帯電した静電気を、シール材の導通部分を介して、第１基板側に逃がすことができる。   In the liquid crystal display device in which the conductive layer has a light shielding property, preferably, the liquid crystal layer further includes a sealing material for sealing the first substrate side and the second substrate side so as to enclose the liquid crystal layer, and the sealing material is mixed with conductive particles. The conductive layer is formed up to the vicinity of the end of the non-display area of the second substrate, and the end of the conductive layer on the second substrate side is formed by the conductive portion of the sealing material. Is connected to the side. With this configuration, since the conductive layer and the first substrate side are electrically connected, static electricity charged in the conductive layer on the second substrate side is transferred to the first substrate side via the conductive portion of the sealing material. Can escape.

上記シール材を備える液晶表示装置において、好ましくは、第１基板側に接続される配線基板と、第１基板側に設けられ、シール材の導通部分を介して導通された第１基板側の部分と配線基板とを電気的に接続するための配線層とをさらに備える。このように構成すれば、導電層の端部と配線基板とが電気的に接続されるので、第２基板側の導電層に帯電した静電気を、第１基板側から配線層を介して配線基板に逃がすことができる。   In the liquid crystal display device including the sealing material, preferably, a wiring substrate connected to the first substrate side and a portion on the first substrate side provided on the first substrate side and conducted through the conducting portion of the sealing material. And a wiring layer for electrically connecting the wiring board and the wiring board. If comprised in this way, since the edge part of a conductive layer and a wiring board will be electrically connected, the static electricity electrified by the conductive layer by the side of a 2nd board | substrate will be connected to a wiring board via a wiring layer from the 1st board | substrate side. Can escape.

上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、導電層は、金属からなり、ブラックマトリクス膜は、樹脂からなる。このように構成すれば、金属の導電層により、静電気などに対するシールドを行いながら遮光することができるとともに、樹脂のブラックマトリクス膜により、遮光をすることができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, preferably, the conductive layer is made of metal, and the black matrix film is made of resin. If comprised in this way, while being shielded against static electricity etc. by the metal conductive layer, it can shield light, and it can shield light by the resin black matrix film.

上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第１基板側に配置された画素電極と共通電極とは、絶縁膜を介して互いに対向するように配置されている。このように構成すれば、絶縁膜の上下に位置する画素電極と共通電極との間で横電界を発生するＦＦＳ方式の液晶表示装置を構成することができる。   In the liquid crystal display device according to the first aspect, preferably, the pixel electrode and the common electrode arranged on the first substrate side are arranged to face each other with an insulating film interposed therebetween. With this configuration, an FFS mode liquid crystal display device that generates a horizontal electric field between the pixel electrode and the common electrode positioned above and below the insulating film can be configured.

この第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を備える電子機器を得ることができる。   The electronic apparatus according to the second aspect includes a liquid crystal display device having any one of the above-described configurations. If comprised in this way, an electronic device provided with the liquid crystal display device which can suppress the fall of display quality can be obtained.

本発明の一実施形態による液晶表示装置の平面図である。1 is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の拡大図である。It is an enlarged view of a pixel of a liquid crystal display device by one embodiment of the present invention. 図６の１５０−１５０線から見た画素の拡大図である。It is the enlarged view of the pixel seen from the 150-150 line | wire of FIG. 図６の２００−２００線から見た画素の拡大図である。It is the enlarged view of the pixel seen from the 200-200 line | wire of FIG. 図１の２５０−２５０線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the 250-250 line | wire of FIG. 図１の３００−３００線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the 300-300 line | wire of FIG. 図４の３５０−３５０線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the 350-350 line of FIG. 本発明の一実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明した図である。It is a figure explaining an example of the electronic device using the liquid crystal display device by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明した図である。It is a figure explaining an example of the electronic device using the liquid crystal display device by one Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の平面図である。図２は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。図３〜図５は、それぞれ、本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の拡大図である。図６は、図１の２５０−２５０線に沿った断面図である。図７は、図１の３００−３００線に沿った断面図である。図８は、図４の３５０−３５０線に沿った断面図である。図１〜図８を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。なお、本実施形態では、横電界方式の一例であるＦＦＳ方式の液晶表示装置１００に本発明を適用した例について説明する。   FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. 3 to 5 are enlarged views of pixels of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view taken along line 250-250 in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line 300-300 in FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line 350-350 in FIG. With reference to FIGS. 1-8, the structure of the liquid crystal display device 100 by one Embodiment of this invention is demonstrated. In the present embodiment, an example in which the present invention is applied to an FFS mode liquid crystal display device 100 which is an example of a horizontal electric field mode will be described.

本発明の一実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、ガラス等の透明材料からなるＴＦＴ基板１には、表示領域２ａと、非表示領域２ｂが設けられている。また、ＴＦＴ基板１上には、表示領域２ａに接続される駆動ＩＣ３と、ＦＰＣ４（フレキシブルプリント基板：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）とが配設されている。尚、ＴＦＴ基板1は、本発明の「第１基板」の一例であり、ＦＰＣ４は、本発明の「配線基板」の一例である。また、表示領域２ａには、複数の画素２ｃが設けられている。また、非表示領域２ｂは、表示領域２ａをとり囲むように設けられている。   In a liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, a TFT substrate 1 made of a transparent material such as glass is provided with a display region 2a and a non-display region 2b. Further, on the TFT substrate 1, a driving IC 3 connected to the display area 2a and an FPC 4 (flexible printed circuit) are disposed. The TFT substrate 1 is an example of the “first substrate” in the present invention, and the FPC 4 is an example of the “wiring substrate” in the present invention. The display area 2a is provided with a plurality of pixels 2c. The non-display area 2b is provided so as to surround the display area 2a.

また、ＴＦＴ基板１側の非表示領域２ｂには、Ａｌ（アルミニウム）からなる配線５が形成されている。この配線５は、ＦＰＣ４と接続されている。なお、配線５は、本発明の「配線層」の一例である。また、配線５は、抵抗６を介して接地されている。また、図２に示すように、液晶表示装置１００は、液晶パネル１００ａを含んでいる。この液晶パネル１００ａの矢印Ｚ１方向側には、バックライト７が設けられている。   A wiring 5 made of Al (aluminum) is formed in the non-display area 2b on the TFT substrate 1 side. This wiring 5 is connected to the FPC 4. The wiring 5 is an example of the “wiring layer” in the present invention. The wiring 5 is grounded via a resistor 6. As shown in FIG. 2, the liquid crystal display device 100 includes a liquid crystal panel 100a. A backlight 7 is provided on the liquid crystal panel 100a on the arrow Z1 direction side.

また、図３に示すように、複数の画素２ｃは、Ｘ方向に延びるゲート線８と、Ｙ方向に延びるソース線９とが交差する位置にそれぞれ設けられており、複数の画素２ｃは、全て同じ矩形形状を有している。また、ゲート線８には、平面的に見て、ゲート線８から矢印Ｙ１方向側（ソース線９が延びる方向）に突出するとともに、Ｙ方向に延びる矩形形状のゲート電極８ａが形成されている。   Further, as shown in FIG. 3, the plurality of pixels 2c are provided at positions where the gate lines 8 extending in the X direction and the source lines 9 extending in the Y direction intersect with each other. Have the same rectangular shape. Further, the gate line 8 is formed with a rectangular gate electrode 8a that protrudes from the gate line 8 in the direction of the arrow Y1 (the direction in which the source line 9 extends) and extends in the Y direction when viewed in a plan view. .

また、図６に示すように、ＴＦＴ基板１の矢印Ｚ１方向側の表面上には、偏光板１０が形成されている。また、ＴＦＴ基板１の矢印Ｚ２方向側の表面上には、後述するＴＦＴ・電極形成部３０が形成されている。このＴＦＴ・電極形成部３０の矢印Ｚ２方向側には、液晶層１１を介して、対向基板１２が設けられている。なお、対向基板１２は、本発明の「第２基板」の一例である。この対向基板１２の矢印Ｚ２方向側の表面上には、偏光板１３が形成されている。   Further, as shown in FIG. 6, a polarizing plate 10 is formed on the surface of the TFT substrate 1 on the arrow Z1 direction side. On the surface of the TFT substrate 1 on the arrow Z2 direction side, a TFT / electrode forming portion 30 to be described later is formed. A counter substrate 12 is provided on the side of the TFT / electrode forming portion 30 in the direction of the arrow Z2 with the liquid crystal layer 11 interposed therebetween. The counter substrate 12 is an example of the “second substrate” in the present invention. A polarizing plate 13 is formed on the surface of the counter substrate 12 on the arrow Z2 direction side.

ここで、本実施形態では、対向基板１２の矢印Ｚ１方向側の表面上の各画素２ｃの境界部分には、遮光性を有し、金属のクロム（Ｃｒ）からなる遮光膜１４が形成されている。なお、遮光膜１４は、本発明の「導電層」の一例である。具体的には、図１に示すように、表示領域２ａでは、遮光膜１４は、複数の画素２ｃが設けられた各画素２ｃ間の境界部分に沿って、Ｘ方向およびＹ方向に延びるように網目状に形成されている。また、非表示領域２ｂでは、遮光膜１４は、網目状には形成されておらず、穴部を有しない平板状に形成されている。また、図３および図４に示すように、遮光膜１４は、平面的に見て、ゲート線８およびソース線９にオーバラップするように網目状に形成されている。   Here, in the present embodiment, a light shielding film 14 made of metal chromium (Cr) is formed on the boundary portion of each pixel 2c on the surface of the counter substrate 12 on the arrow Z1 direction side. Yes. The light shielding film 14 is an example of the “conductive layer” in the present invention. Specifically, as shown in FIG. 1, in the display region 2a, the light shielding film 14 extends in the X direction and the Y direction along the boundary portion between the pixels 2c provided with the plurality of pixels 2c. It is formed in a mesh shape. In the non-display area 2b, the light shielding film 14 is not formed in a mesh shape, but is formed in a flat plate shape having no hole. As shown in FIGS. 3 and 4, the light shielding film 14 is formed in a mesh shape so as to overlap the gate line 8 and the source line 9 when viewed in plan.

また、本実施形態では、図６に示すように、遮光膜１４の表面（矢印Ｚ１方向側）および側面を覆うように、非導電性であるとともに樹脂製のブラックマトリクス膜１５が形成されている。また、図５に示すように、ブラックマトリクス膜１５は、平面的に見て、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの各画素２ｃ間の境界部分に沿って延びるとともに、網目状に形成された遮光膜１４にオーバラップするように網目状に形成されている。なお、ブラックマトリクス膜１５は、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの周りの非表示領域２ｂには、形成されていない。   Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 6, a non-conductive black matrix film 15 made of resin is formed so as to cover the surface (arrow Z1 direction side) and the side surface of the light shielding film 14. . Further, as shown in FIG. 5, the black matrix film 15 is formed in a mesh shape while extending along the boundary portion between the pixels 2c of the display area 2a in which the plurality of pixels 2c are provided in plan view. The light shielding film 14 is formed in a mesh shape so as to overlap. The black matrix film 15 is not formed in the non-display area 2b around the display area 2a provided with the plurality of pixels 2c.

また、本実施形態では、図６に示すように、遮光膜１４のＸ方向の幅Ｗ１は、平面的に見て、ブラックマトリクス膜１５のＸ方向の幅Ｗ２よりも小さく形成されている。例えば、遮光膜１４のＸ方向の幅Ｗ１は、約３μｍに形成される場合、ブラックマトリクス膜１５のＸ方向の幅Ｗ２は、約６μｍに形成される。   Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 6, the width W1 in the X direction of the light shielding film 14 is formed smaller than the width W2 in the X direction of the black matrix film 15 in plan view. For example, when the width W1 in the X direction of the light shielding film 14 is formed to about 3 μm, the width W2 in the X direction of the black matrix film 15 is formed to about 6 μm.

また、本実施形態では、遮光膜１４のＺ方向の厚みｔ１は、平面的に見て、ブラックマトリクス膜１５の遮光膜１４とオーバラップしていない部分のＺ方向の厚みｔ２よりも小さく形成されている。例えば、遮光膜１４のＺ方向の厚みｔ１は、約０．１５μｍに形成される場合、ブラックマトリクス膜１５のＺ方向の厚みｔ２は、約１．０μｍ以上約１．３μｍ以下に形成される。   In the present embodiment, the thickness t1 of the light shielding film 14 in the Z direction is smaller than the thickness t2 in the Z direction of the portion of the black matrix film 15 that does not overlap with the light shielding film 14 in plan view. ing. For example, when the thickness t1 of the light shielding film 14 in the Z direction is about 0.15 μm, the thickness t2 of the black matrix film 15 in the Z direction is about 1.0 μm or more and about 1.3 μm or less.

また、ブラックマトリクス膜１５とブラックマトリクス膜１５との間の各画素２ｃに対応する領域には、それぞれ、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）およびＢ（青色）に対応するカラーフィルター１６が形成されている。また、カラーフィルター１６およびブラックマトリクス膜１５の表面を覆うように、アクリル系の樹脂材料からなるオーバーコート層１７が形成されている。なお、非表示領域２ｂに形成されている遮光膜１４の表面上には、オーバーコート層１７は形成されていない。また、オーバーコート層１７とＴＦＴ・電極形成部３０との間には液晶層１１が設けられている。また、液晶層１１は、シール材１８によってＴＦＴ基板１と対向基板１２とがシールされることにより封入される。   Further, color filters 16 corresponding to R (red), G (green), and B (blue) are formed in regions corresponding to the respective pixels 2 c between the black matrix film 15 and the black matrix film 15. ing. An overcoat layer 17 made of an acrylic resin material is formed so as to cover the surfaces of the color filter 16 and the black matrix film 15. Note that the overcoat layer 17 is not formed on the surface of the light shielding film 14 formed in the non-display region 2b. The liquid crystal layer 11 is provided between the overcoat layer 17 and the TFT / electrode forming portion 30. The liquid crystal layer 11 is sealed by sealing the TFT substrate 1 and the counter substrate 12 with a sealing material 18.

また、本実施形態では、図７に示すように、遮光膜１４は、対向基板１２の非表示領域２ｂの端部近傍にまで形成されている。また、ＴＦＴ基板１の表面上には、Ａｌからなる配線５が形成されている。この配線５の表面上には、ＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）からなり、コンタクトホール１９ａが形成された絶縁膜１９が形成されている。絶縁膜１９および配線５の表面上には、ＩＴＯからなる透明電極２０が形成されており、透明電極２０と配線５とは電気的に接続されている。また、遮光膜１４の端部１４ａと、透明電極２０とは、Ａｕなどの導電粒子２１が混入されたシール材１８の導通部分２２により導通されている。これにより、製造時や使用時において、対向基板１２側に帯電した静電気が、遮光膜１４、導通部分２２、透明電極２０、配線５およびＦＰＣ４（図１参照）を介して接地されることにより、静電気不良を軽減することが可能である。   In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the light shielding film 14 is formed up to the vicinity of the end of the non-display area 2 b of the counter substrate 12. Further, on the surface of the TFT substrate 1, a wiring 5 made of Al is formed. On the surface of the wiring 5, an insulating film 19 made of a SiN film (silicon nitride film) and having a contact hole 19a is formed. A transparent electrode 20 made of ITO is formed on the surfaces of the insulating film 19 and the wiring 5, and the transparent electrode 20 and the wiring 5 are electrically connected. Further, the end portion 14a of the light shielding film 14 and the transparent electrode 20 are electrically connected by a conductive portion 22 of the sealing material 18 mixed with conductive particles 21 such as Au. As a result, the static electricity charged on the counter substrate 12 side at the time of manufacture and use is grounded via the light shielding film 14, the conductive portion 22, the transparent electrode 20, the wiring 5 and the FPC 4 (see FIG. 1). It is possible to reduce static electricity defects.

次に、ＴＦＴ・電極形成部３０の詳細な断面構造としては、図８に示すように、ＴＦＴ基板１の表面上には、ゲート電極８ａが形成されている。このゲート電極８ａおよびＴＦＴ基板１の表面上は、ＳｉＮ膜またはＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁膜３１ａを含む絶縁膜３１が形成されている。このゲート絶縁膜３１ａを介してゲート電極８ａと平面的に見て重なるように下層のａ−Ｓｉ層と、上層のｎ型の導電性を有するｎ＋Ｓｉ層との２層構造からなる半導体層３２が形成されている。 Next, as a detailed cross-sectional structure of the TFT / electrode forming portion 30, a gate electrode 8a is formed on the surface of the TFT substrate 1, as shown in FIG. On the surface of the gate electrode 8a and the TFT substrate 1, an insulating film 31 including a gate insulating film 31a made of a SiN film or a SiO 2 film is formed. A semiconductor layer having a two-layer structure of a lower a-Si layer and an upper n + Si layer having n-type conductivity so as to overlap with the gate electrode 8a in plan view through the gate insulating film 31a 32 is formed.

また、半導体層３２の表面上には、ゲート電極８ａおよび半導体層３２と平面的に見て重なるようにソース電極９ａおよびドレイン電極３３が形成されている。また、平面的に見て、ソース電極９ａとドレイン電極３３とに挟まれる半導体層３２の領域には、上層のｎ＋Ｓｉ層が除去されて下層のａ−Ｓｉ層によりチャネル領域３２ａが形成されている。 A source electrode 9 a and a drain electrode 33 are formed on the surface of the semiconductor layer 32 so as to overlap the gate electrode 8 a and the semiconductor layer 32 in plan view. In addition, in plan view, in the region of the semiconductor layer 32 sandwiched between the source electrode 9a and the drain electrode 33, the upper n + Si layer is removed and a channel region 32a is formed by the lower a-Si layer. ing.

また、薄膜トランジスタ３０ａは、ゲート電極８ａ、ゲート絶縁膜３１ａ、半導体層３２、ソース電極９ａおよびドレイン電極３３から構成されている。この薄膜トランジスタ３０ａのソース電極９ａは、ソース線９（図３参照）に電気的に接続されている。   The thin film transistor 30a includes a gate electrode 8a, a gate insulating film 31a, a semiconductor layer 32, a source electrode 9a, and a drain electrode 33. The source electrode 9a of the thin film transistor 30a is electrically connected to the source line 9 (see FIG. 3).

また、ソース電極９ａ、ドレイン電極３３および絶縁膜３１を覆うように、ＳｉＮ膜からなる層間絶縁膜３４が形成されている。この層間絶縁膜３４には、コンタクトホール３４ａが形成されている。また、層間絶縁膜３４の表面上には、有機膜からなる平坦化膜３５が形成されている。この平坦化膜３５には、コンタクトホール３５ａが形成されている。また、平坦化膜３５の表面上には、画素電極３６が形成されている。この画素電極３６は、各画素２ｃ毎に設けられており、画素電極３６は、コンタクトホール３５ａおよび３４ａを介して、コンタクト部３３ａにおいて、ドレイン電極３３と電気的に接続されている。   An interlayer insulating film 34 made of a SiN film is formed so as to cover the source electrode 9a, the drain electrode 33, and the insulating film 31. A contact hole 34 a is formed in the interlayer insulating film 34. A planarizing film 35 made of an organic film is formed on the surface of the interlayer insulating film 34. A contact hole 35 a is formed in the planarizing film 35. A pixel electrode 36 is formed on the surface of the planarizing film 35. The pixel electrode 36 is provided for each pixel 2c, and the pixel electrode 36 is electrically connected to the drain electrode 33 at the contact portion 33a via the contact holes 35a and 34a.

また、画素電極３６および平坦化膜３５のそれぞれの表面上には、ＳｉＮ膜からなる絶縁膜３７が形成されている。この絶縁膜３７の表面上には、共通電極３８が形成されている。この共通電極３８には、複数のスリット３８ａ（開口部）が形成されている。このように、絶縁膜３７の上下に位置する画素電極３６と共通電極３８との間で横電界を発生させるＦＦＳ方式によって、液晶表示装置１００が駆動されるように構成されている。   An insulating film 37 made of a SiN film is formed on the surface of each of the pixel electrode 36 and the planarization film 35. A common electrode 38 is formed on the surface of the insulating film 37. The common electrode 38 has a plurality of slits 38a (openings). As described above, the liquid crystal display device 100 is driven by the FFS method in which a horizontal electric field is generated between the pixel electrode 36 and the common electrode 38 positioned above and below the insulating film 37.

また、共通電極３８の表面上には、ポリイミド（ＰＩ）などの有機膜からなる配向膜３９が形成されている。また、オーバーコート層１７の液晶層１１側（矢印Ｚ１方向側）の表面上には、配向膜４０が形成されている。   An alignment film 39 made of an organic film such as polyimide (PI) is formed on the surface of the common electrode 38. An alignment film 40 is formed on the surface of the overcoat layer 17 on the liquid crystal layer 11 side (arrow Z1 direction side).

本実施形態では、上記のように、対向基板１２の液晶層１１側の表面上の複数の画素２ｃの境界部分に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４の表面を覆うとともに、複数の画素２ｃの境界部分に形成された非導電性のブラックマトリクス膜１５とを備える。これにより、複数の画素２ｃを含む表示領域２ａの略全領域を覆うように遮光膜１４を形成する場合と異なり、複数の画素２ｃの境界部分にのみ遮光膜１４が形成されるので、対向基板１２側の微細な凹凸などが見えやすくなるのを抑制することができる。その結果、表示品位が低下するのを抑制することができる。また、複数の画素２ｃの境界部分に形成された遮光膜１４により、複数の画素２ｃの静電気などに対するシールドを行うことができるので、静電気などの高い電位が加わることに起因して液晶表示装置１００の駆動に不具合が生じるのを抑制することができる。また、遮光膜１４の表面を覆うように非導電性のブラックマトリクス膜１５を形成することにより、遮光膜１４が遮光性を有しない場合にも、遮光膜１４が形成されている画素２ｃ間の境界領域を確実に遮光することができる。ただし、表示領域２ａに遮光性を有しない遮光膜を用いる場合には、非表示領域２ｂの遮光膜は、遮光性を有する別の遮光膜を形成する必要がある。   In the present embodiment, as described above, the light shielding film 14 formed on the boundary portion of the plurality of pixels 2c on the surface of the counter substrate 12 on the liquid crystal layer 11 side, and the surface of the light shielding film 14 are covered, and the plurality of pixels And a non-conductive black matrix film 15 formed at the boundary portion 2c. Thus, unlike the case where the light shielding film 14 is formed so as to cover substantially the entire region of the display region 2a including the plurality of pixels 2c, the light shielding film 14 is formed only at the boundary portion between the plurality of pixels 2c. It can suppress that the fine unevenness | corrugation of 12 side becomes easy to see. As a result, it is possible to suppress the display quality from deteriorating. Further, since the light shielding film 14 formed at the boundary portion between the plurality of pixels 2c can shield the plurality of pixels 2c from static electricity and the like, the liquid crystal display device 100 is caused by application of a high potential such as static electricity. It is possible to suppress the occurrence of problems in driving. Further, by forming the non-conductive black matrix film 15 so as to cover the surface of the light shielding film 14, even when the light shielding film 14 does not have the light shielding property, the pixels 2c between which the light shielding film 14 is formed are formed. The boundary region can be reliably shielded from light. However, when a light shielding film having no light shielding property is used for the display region 2a, it is necessary to form another light shielding film having a light shielding property as the light shielding film in the non-display region 2b.

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４が、遮光性を有することによって、ブラックマトリクス膜１５のみによって遮光する場合と異なり、より遮光性を高くすることができる。   Further, in the present embodiment, as described above, since the light shielding film 14 has light shielding properties, the light shielding properties can be further enhanced unlike the case where light shielding is performed only by the black matrix film 15.

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４を、平面的に見て、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの各画素２ｃ間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成することによって、遮光膜１４が網目状に形成されているので、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの略全領域において、静電気に対するシールドを行うことができる。   In the present embodiment, as described above, the light shielding film 14 has a mesh shape so as to extend along the boundary between the pixels 2c of the display region 2a in which the plurality of pixels 2c are provided in plan view. Since the light shielding film 14 is formed in a mesh shape, it is possible to shield against static electricity in almost the entire area of the display area 2a provided with the plurality of pixels 2c.

また、本実施形態では、上記のように、ブラックマトリクス膜１５を、平面的に見て、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの各画素２ｃ間の境界部分に沿って延びるとともに、網目状に形成された遮光膜１４にオーバラップするように網目状に形成することによって、網目状に形成された遮光膜１４により、表示領域２ａの略全領域において静電気に対するシールドを行いながら、ブラックマトリクス膜１５により、遮光膜１４が形成されている領域を確実に遮光することができる。   In the present embodiment, as described above, the black matrix film 15 extends along the boundary between the pixels 2c of the display region 2a in which the plurality of pixels 2c are provided in a plan view, and has a mesh. The black matrix is formed by forming a mesh so as to overlap the light shielding film 14 formed in the shape of the black matrix while shielding the static electricity in substantially the entire display area 2a by the light shielding film 14 formed in a mesh. The film 15 can reliably shield the region where the light shielding film 14 is formed.

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４の幅Ｗ１を、平面的に見て、ブラックマトリクス膜１５の幅Ｗ２よりも小さく形成することによって、遮光性の遮光膜１４を設けたとしても、ブラックマトリクス膜１５により遮光領域を正確に規定することができる。   In the present embodiment, as described above, the light shielding film 14 is provided by forming the width W1 of the light shielding film 14 smaller than the width W2 of the black matrix film 15 in plan view. However, the black matrix film 15 can accurately define the light shielding region.

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４の厚みｔ１を、ブラックマトリクス膜１５の厚みｔ２よりも小さく形成することによって、クロム遮光膜１４の厚みｔ１がブラックマトリクス膜１５の厚みｔ２よりも小さく形成されている分、確実に、遮光膜１４の表面をブラックマトリクス膜１５により覆うことができる。   In the present embodiment, as described above, the thickness t1 of the light shielding film 14 is formed to be smaller than the thickness t2 of the black matrix film 15, so that the thickness t1 of the chromium light shielding film 14 is equal to the thickness t2 of the black matrix film 15. The surface of the light-shielding film 14 can be surely covered with the black matrix film 15 by the amount formed smaller than that.

また、本実施形態では、上記のように、複数の画素２ｃが設けられた表示領域２ａの周りの非表示領域２ｂには、ブラックマトリクス膜１５を形成せず、遮光膜１４を形成することによって、非表示領域２ｂにブラックマトリクス膜１５が形成されていないので、非表示領域２ｂにオーバーコート層１７などの保護膜を形成する必要がない分、非表示領域２ｂの構造を簡素化させることができ、液晶表示装置１００を薄型化することができる。また、非表示領域２ｂに、遮光膜１４が形成されていることにより、静電気などに対するシールド性能をより向上させることができる。   In the present embodiment, as described above, the black matrix film 15 is not formed in the non-display area 2b around the display area 2a provided with the plurality of pixels 2c, and the light shielding film 14 is formed. Since the black matrix film 15 is not formed in the non-display area 2b, it is not necessary to form a protective film such as the overcoat layer 17 in the non-display area 2b, so that the structure of the non-display area 2b can be simplified. In addition, the liquid crystal display device 100 can be thinned. Further, since the light shielding film 14 is formed in the non-display area 2b, the shielding performance against static electricity and the like can be further improved.

また、本実施形態では、上記のように、遮光性を有する遮光膜１４により非表示領域２ｂを覆うように形成することによって、非表示領域２ｂにブラックマトリクス膜１５を形成することなく、非表示領域２ｂを遮光することができる。   Further, in the present embodiment, as described above, the non-display area 2b is covered with the light-shielding film 14 having a light-shielding property, so that the black matrix film 15 is not formed in the non-display area 2b and the non-display area 2b is not displayed. The region 2b can be shielded from light.

また、本実施形態では、上記のように、対向基板１２側の遮光膜１４の端部１４ａが、シール材１８の導通部分２２により、ＴＦＴ基板１側と導通することによって、遮光膜１４とＴＦＴ基板１側とが電気的に接続されるので、対向基板１２側の遮光膜１４に帯電した静電気を、シール材１８の導通部分２２を介して、ＴＦＴ基板１側に逃がすことができる。   In the present embodiment, as described above, the end portion 14a of the light shielding film 14 on the counter substrate 12 side is electrically connected to the TFT substrate 1 side by the conductive portion 22 of the sealing material 18, whereby the light shielding film 14 and the TFT are connected. Since the substrate 1 side is electrically connected, static electricity charged on the light shielding film 14 on the counter substrate 12 side can be released to the TFT substrate 1 side through the conductive portion 22 of the sealing material 18.

また、本実施形態では、上記のように、ＦＰＣ４と配線５とを備えることによって、遮光膜１４の端部１４ａとＦＰＣ４とが電気的に接続されるので、対向基板１２側の遮光膜１４に帯電した静電気を、ＴＦＴ基板１側から配線５を介してＦＰＣ４に逃がすことができる。   Further, in the present embodiment, as described above, by providing the FPC 4 and the wiring 5, the end portion 14 a of the light shielding film 14 and the FPC 4 are electrically connected, so that the light shielding film 14 on the counter substrate 12 side is connected to the light shielding film 14. The charged static electricity can escape from the TFT substrate 1 side to the FPC 4 via the wiring 5.

また、本実施形態では、上記のように、遮光膜１４が、金属からなり、ブラックマトリクス膜１５が、樹脂からなることによって、金属の遮光膜１４により、静電気などに対するシールドを行いながら遮光することができるとともに、樹脂のブラックマトリクス膜１５により、遮光をすることができる。   In the present embodiment, as described above, the light shielding film 14 is made of metal, and the black matrix film 15 is made of resin, so that the metal light shielding film 14 shields light while shielding against static electricity. In addition, the black matrix film 15 made of resin can be shielded from light.

また、本実施形態では、上記のように、ＴＦＴ基板１側に配置された画素電極３６と共通電極３８とを絶縁膜３７を介して互いに対向するように配置することによって、絶縁膜３７の上下に位置する画素電極３６と共通電極３８との間で横電界を発生するＦＦＳ方式の液晶表示装置１００を構成することができる。   In the present embodiment, as described above, the pixel electrode 36 and the common electrode 38 disposed on the TFT substrate 1 side are disposed so as to face each other with the insulating film 37 interposed therebetween, so The FFS mode liquid crystal display device 100 that generates a horizontal electric field between the pixel electrode 36 and the common electrode 38 positioned at the same position can be configured.

図９および図１０は、それぞれ、本発明の一実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明した図である。図９および図１０を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００を用いた電子機器について説明する。   FIG. 9 and FIG. 10 are diagrams illustrating examples of electronic devices using the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. With reference to FIG. 9 and FIG. 10, an electronic apparatus using the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention will be described.

本発明の一実施形態による液晶表示装置１００は、図９および図１０に示すように、携帯電話４００およびＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）５００などに用いることが可能である。なお、携帯電話４００およびＰＣ５００は、それぞれ、本発明の「電子機器」の一例である。また、図９の携帯電話４００においては、表示画面４００ａに本発明の一実施形態による液晶表示装置１００が用いられる。図１０のＰＣ５００においては、キーボード５００ａなどの入力部および表示画面５００ｂなどに本発明の一実施形態による液晶表示装置１００を用いることが可能である。   The liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention can be used in a mobile phone 400, a PC (Personal Computer) 500, and the like, as shown in FIGS. The mobile phone 400 and the PC 500 are examples of the “electronic device” of the present invention. In the mobile phone 400 of FIG. 9, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention is used for the display screen 400a. In the PC 500 of FIG. 10, the liquid crystal display device 100 according to an embodiment of the present invention can be used for an input unit such as a keyboard 500a and a display screen 500b.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time is illustrative in all points and is not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記実施形態では、本発明をＦＦＳ方式の液晶表示装置に適用する例について説明したが、本発明はこれに限らず、ＦＦＳ方式以外の横電界方式の液晶表示装置に本発明を適用してもよい。たとえば、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置に適用してもよい。   For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to an FFS liquid crystal display device has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is applied to a horizontal electric field liquid crystal display device other than the FFS method. May be. For example, the present invention may be applied to an IPS (In Plane Switching) type liquid crystal display device.

また、上記実施形態では、導電層の一例としてクロムにより導電層を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、クロム以外の導電性を有する金属により導電層を形成してもよい。   Moreover, although the example which forms a conductive layer with chromium as an example of a conductive layer was shown in the said embodiment, this invention is not limited to this, You may form a conductive layer with the metal which has electroconductivity other than chromium. .

また、上記実施形態では、表示領域に遮光性を有する遮光膜を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、表示領域に遮光性を有さない導電層を形成してもよい。たとえば、導電層をＩＴＯなどの透明電極により形成してもよい。この場合、非表示領域には、別途、遮光性を有する導電層を形成し、表示領域の遮光性を有さない導電層と、非表示領域の遮光性を有する導電層とを電気的に接続する必要がある。   In the above embodiment, an example in which a light shielding film having a light shielding property is formed in the display region has been described. However, the present invention is not limited thereto, and a conductive layer having no light shielding property may be formed in the display region. . For example, the conductive layer may be formed of a transparent electrode such as ITO. In this case, a conductive layer having a light shielding property is separately formed in the non-display region, and the conductive layer having no light shielding property in the display region is electrically connected to the conductive layer having the light shielding property in the non-display region. There is a need to.

また、上記実施形態では、遮光膜１４の幅Ｗ１を、約３μｍに形成するとともに、ブラックマトリクス膜１５の幅Ｗ２を、約６μｍに形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、遮光膜の幅がブラックマトリクスの幅よりも小さければ、上記以外の幅に形成してもよい。   In the above embodiment, the example in which the width W1 of the light shielding film 14 is formed to about 3 μm and the width W2 of the black matrix film 15 is formed to about 6 μm is shown, but the present invention is not limited to this. If the width of the light shielding film is smaller than the width of the black matrix, it may be formed in a width other than the above.

また、上記実施形態では、遮光膜１４の厚みｔ１を、約０．１５μｍに形成するとともに、ブラックマトリクス膜１５の厚みｔ２を、約１．０μｍ以上約１．３μｍ以下に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、遮光膜の厚みがブラックマトリクスの厚みよりも小さければ、上記以外の厚みに形成してもよい。   In the above embodiment, the thickness t1 of the light shielding film 14 is formed to about 0.15 μm, and the thickness t2 of the black matrix film 15 is formed to about 1.0 μm or more and about 1.3 μm or less. However, the present invention is not limited to this, and may be formed to a thickness other than the above as long as the thickness of the light shielding film is smaller than the thickness of the black matrix.

１ ＴＦＴ基板（第１基板） ２ａ 表示領域 ２ｂ 非表示領域 ２ｃ 画素 ４ ＦＰＣ（配線基板） ５ 配線（配線層） １１ 液晶層 １２ 対向基板（第２基板） １４ 遮光膜（導電層） １５ ブラックマトリクス膜 １８ シール材 ２１ 導電粒子 ２２ 導通部分 ３０ａ 薄膜トランジスタ ３６ 画素電極 ３８ 共通電極 １００ 液晶表示装置 ４００ 携帯電話（電子機器） ５００ ＰＣ（電子機器） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TFT substrate (1st board | substrate) 2a Display area 2b Non-display area | region 2c Pixel 4 FPC (wiring board) 5 Wiring (wiring layer) 11 Liquid crystal layer 12 Opposite board | substrate (2nd board | substrate) 14 Light-shielding film (conductive layer) 15 Black matrix Film 18 Sealing material 21 Conductive particle 22 Conductive portion 30a Thin film transistor 36 Pixel electrode 38 Common electrode 100 Liquid crystal display device 400 Mobile phone (electronic device) 500 PC (electronic device)

Claims (13)

第１基板と、
前記第１基板側に形成された薄膜トランジスタと、
前記第１基板側の前記薄膜トランジスタの上方に形成された画素電極および共通電極と、
前記画素電極および前記共通電極の上方に液晶層を介して設けられた第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板に設けられ、複数の画素を含む表示領域と、
前記第２基板の前記液晶層側の表面上の少なくとも前記複数の画素の境界部分に形成された導電層と、
前記導電層の表面を覆うとともに、前記複数の画素の境界部分に形成された非導電性のブラックマトリクス膜とを備える、液晶表示装置。 A first substrate;
A thin film transistor formed on the first substrate side;
A pixel electrode and a common electrode formed above the thin film transistor on the first substrate side;
A second substrate provided via a liquid crystal layer above the pixel electrode and the common electrode;
A display region provided on the first substrate and the second substrate and including a plurality of pixels;
A conductive layer formed on at least a boundary portion of the plurality of pixels on the liquid crystal layer side surface of the second substrate;
A liquid crystal display device comprising: a non-conductive black matrix film which covers a surface of the conductive layer and is formed at a boundary portion of the plurality of pixels. 前記導電層は、遮光性を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive layer has a light shielding property. 前記導電層は、平面的に見て、前記複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるように網目状に形成されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。   3. The conductive layer according to claim 1, wherein the conductive layer is formed in a mesh shape so as to extend along a boundary portion between each pixel of a display region in which the plurality of pixels are provided in a plan view. Liquid crystal display device. 前記ブラックマトリクス膜は、平面的に見て、前記複数の画素が設けられた表示領域の各画素間の境界部分に沿って延びるとともに、前記網目状に形成された前記導電層にオーバラップするように網目状に形成されている、請求項３に記載の液晶表示装置。   The black matrix film extends along a boundary portion between the pixels of the display area in which the plurality of pixels are provided in a plan view, and overlaps the conductive layer formed in a mesh shape. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the liquid crystal display device is formed in a mesh shape. 前記ブラックマトリクス膜は、前記導電層の表面および側面を覆うように形成されており、
前記導電層の幅は、平面的に見て、前記ブラックマトリクス膜の幅よりも小さく形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。 The black matrix film is formed so as to cover the surface and side surfaces of the conductive layer,
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a width of the conductive layer is formed to be smaller than a width of the black matrix film in a plan view. 前記導電層の厚みは、前記ブラックマトリクス膜の厚みよりも小さく形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a thickness of the conductive layer is smaller than a thickness of the black matrix film. 前記複数の画素が設けられた表示領域には、前記ブラックマトリクス膜および前記導電層が形成されており、
前記複数の画素が設けられた表示領域の周りの非表示領域には、前記ブラックマトリクス膜は形成されておらず、前記導電層が形成されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。 In the display area provided with the plurality of pixels, the black matrix film and the conductive layer are formed,
The black matrix film is not formed in the non-display area around the display area provided with the plurality of pixels, and the conductive layer is formed. The liquid crystal display device described. 前記導電層は、遮光性を有するとともに、前記非表示領域を覆うように形成されている、請求項７に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the conductive layer has a light shielding property and is formed so as to cover the non-display area. 前記液晶層を封入するように前記第１基板側と前記第２基板側とをシールするシール材をさらに備え、
前記シール材は、導電粒子が混入された導通部分を含み、
前記導電層は、前記第２基板の前記非表示領域の端部近傍まで形成されており、
前記第２基板側の前記導電層の端部は、前記シール材の導通部分により、前記第１基板側と導通されている、請求項８に記載の液晶表示装置。 A sealant for sealing the first substrate side and the second substrate side so as to enclose the liquid crystal layer;
The sealing material includes a conductive portion mixed with conductive particles,
The conductive layer is formed up to the vicinity of the end of the non-display area of the second substrate,
The liquid crystal display device according to claim 8, wherein an end portion of the conductive layer on the second substrate side is electrically connected to the first substrate side by a conductive portion of the sealing material. 前記第１基板側に接続される配線基板と、
前記第１基板側に設けられ、前記シール材の導通部分を介して導通された前記第１基板側の部分と前記配線基板とを電気的に接続するための配線層とをさらに備える、請求項９に記載の液晶表示装置。 A wiring substrate connected to the first substrate side;
The wiring board for electrically connecting the part by the side of the 1st substrate which was provided in the 1st substrate side, and was conducted through the conduction part of the sealing material, and the wiring board. 9. A liquid crystal display device according to 9. 前記導電層は、金属からなり、
前記ブラックマトリクス膜は、樹脂からなる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。 The conductive layer is made of metal,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the black matrix film is made of a resin. 前記第１基板側に配置された前記画素電極と前記共通電極とは、絶縁膜を介して互いに対向するように配置されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode and the common electrode disposed on the first substrate side are disposed so as to face each other via an insulating film. . 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。   An electronic apparatus comprising the liquid crystal display device according to claim 1.
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