JP5389852B2 - 光情報記録媒体の保護膜 - Google Patents
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上記の相変化は数百nm〜数μm程度の径に絞ったレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例えば1μmのレーザービームが10m/sの線速度で通過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間は100nsであり、この時間内で上記相変化と反射率の検出を行う必要がある。
このようなことから相変化光ディスクは、Ge−Sb−Te系等の記録薄膜層の両側を硫化亜鉛−ケイ酸化物(ZnS・SiO2)系の高融点誘電体の保護層で挟み、さらにアルミニウム合金反射膜を設けた四層構造となっている。
このように、高融点誘電体の保護層は昇温と冷却による熱の繰返しストレスに対して耐性をもち、さらにこれらの熱影響が反射膜や他の箇所に影響を及ぼさないようにし、かつそれ自体も薄く、低反射率でかつ変質しない強靭さが必要である。この意味において誘電体保護層は重要な役割を有する。
そして、このようなZnS−SiO2等のセラミックスターゲットを使用して、従来は数百〜数千Å程度の薄膜が形成されている。
しかし、これらの材料は、ターゲットのバルク抵抗値が高いため、直流スパッタリング装置により成膜することができず、通常高周波スパッタリング(RF)装置が使用されている。
ところが、この高周波スパッタリング(RF)装置は、装置自体が高価であるばかりでなく、スパッタリング効率が悪く、電力消費量が大きく、制御が複雑であり、成膜速度も遅いという多くの欠点がある。
Blue−Rayに代表される書き換え型のDVDは、レーザー波長の短波長化に加え書き換え回数の増加、大容量化、高速記録化が強く求められているが、上記ZnS−SiO2材料には他にも問題がある。
それは、光情報記録媒体の書き換え回数等が劣化することである。その原因の一つとして、保護層であるZnS−SiO2に挟まれるように配置された記録層材への、ZnS−SiO2からの硫黄成分の拡散が上げられる。
これら硫黄成分の拡散防止のため、反射層と保護層、記録層と保護層の間に、窒化物や炭化物を主成分とした中間層を設けた構成にしているが、積層数増加によるスループット低下、コスト増加が問題となった。
このようなことから、ZnSの使用すなわち硫黄成分を含有しない透明導電材料が提案されている(特許文献1及び2参照)。しかし、特許文献1は、光学特性及び非晶質性が劣る領域を含む問題があり、また特許文献2は、十分な成膜速度が得られず、非晶質性に劣る領域を含むという問題がある。
また、Sn以外の3価以上の元素をMとした場合、Sn/(Sn+Zn+M)が0.4未満、又はZn/(Sn+Zn+M)が0.6を超えると、十分な成膜速度が得られず、Sn/(Sn+Zn+M)が0.9を超え、又はZn/(Sn+Zn+M)が0.1未満の場合は、透過率が低下する。
望ましくは、Sn/(Sn+Zn+M)=0.5〜0.8、Zn/(Sn+Zn+M)=0.25〜0.4の範囲が良い。
さらに非晶質安定化を強化するために、M/(Zn+M)=0.1〜0.67に調整すると良い。望ましくは、M/(Zn+M)=0.15〜0.4が良い。
3価以上の元素Mとしては、特にAl、In 、Ga、Sbから選択した1種以上の元素を用いる。
DCスパッタリングはRFスパッタリングに比べ、成膜速度が速く、スパッタリング効率が良いという点で優れている。
また、DCスパッタリング装置は価格が安く、制御が容易であり、電力の消費量も少なくて済むという利点がある。保護膜自体の膜厚を薄くすることも可能となるため、生産性向上、基板加熱防止効果を発揮できる。
これによって、均一な成膜が可能であり、また特性に優れた光情報記録媒体用薄膜(保護膜)を形成することができる。
また、大容量化、高速記録化のため、高反射率で高熱伝導特性を有する純AgまたはAg合金が反射層材に使用されるようになったが、この隣接する反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、同様に反射層材が腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
この場合、焼結前に酸化亜鉛を主成分とした酸化物粉末を、800〜1300°Cで仮焼することが望ましい。この仮焼後、3μm以下に粉砕して焼結用の原料とする。
本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、空孔を減少させ結晶粒を微細化し、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができるという著しい効果を有し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。
4N相当で5μm以下のIn2O3粉、Ga2O3粉、Sb2O3粉、Al2O3粉、4N相当で平均粒径5μm以下のZnO粉及び4N相当で平均粒径5μm以下のSnO2粉を準備し、表1に示す組成となるように調合して、湿式混合し、乾燥後、1100°Cで仮焼した。
さらに、この仮焼粉を平均粒径1μm相当まで湿式微粉砕した後、バインダーを添加してスプレードライヤーで造粒した。この造粒粉を冷間で加圧成形し、酸素雰囲気、1300°Cで常圧焼結し、この焼結材を機械加工でターゲット形状に仕上げた。
このターゲットの組成(Mol%)、結晶相比、Sn/(Sn+Zn+M)、Zn/(Sn+Zn+M)、M/(Sn+Zn+M)、M/(Zn+M)、ターゲットの相対密度、バルク抵抗値はそれぞれ、表1に示すとおりである。
ターゲットの組成(Mol%)、成膜サンプルの透過率(波長633nm)、屈折率(波長633nm)、非晶質性(成膜サンプルのアニール処理(600°C×30min、Arフロー)前後のXRD(Cu−Kα、40kV、30mA)による測定)、スパッタ方式及び成膜速度(Å/sec)を測定した結果をまとめて表2に示す。
スパッタ膜の透過率は、SnO2の量が増加すると低下する傾向にあるが、88〜95%(633μm)に達し、屈折率は2.2〜2.4であり、また特定の結晶ピークは見られず、安定した非晶質性(1.1〜1.5)を有していた。
本実施例のターゲットは、ZnSを使用していないので、硫黄の拡散・汚染による光情報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプルの透過率、屈折率、非晶質の安定性、ターゲット密度、バルク低効率、成膜速度がいずれも良好な値を示し、DCスパッタが可能であった。
表1に示すように、本願発明の条件とは異なる原料粉の成分及び組成比の材料、特に比較例5においてはZnS原料粉を準備し、これを実施例と同様の条件で、ターゲットを作製し、かつこのターゲットを用いてスパッタ膜を形成した。
この結果を、同様に表1に示す。
比較例1、3は、成膜速度がそれぞれ3.9Å/sec、1.3Å/secであり、成膜速度が低く、スパッタリング効率を向上させることができなかった。また、比較例3はターゲット密度が低く、バルク抵抗値が100Ωcmを超えるという問題があった。
比較例2は透過率が低く、バルク抵抗値も高かった。比較例4は非晶質性が4.5であり、安定性に欠けていた。
さらに、非晶質性が安定化するとともにターゲットに導電性が付与され、相対密度を90%以上の高密度化によって安定したDCスパッタを可能とする。
そして、このDCスパッタリングの特徴である、スパッタの制御性を容易にし、成膜速度を上げ、スパッタリング効率を向上させることができるという著しい効果がある。さらにまた、成膜の際にスパッタ時に発生するパーティクル(発塵)やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。
Claims (6)
- 酸化錫と酸化亜鉛と3価以上の元素の酸化物を主成分とし、硫化物を含まず、前記3価以上の元素をMとした場合、Sn/(Sn+Zn+M)=0.4〜0.9、Zn/(Sn+Zn+M)=0.1〜0.6、M/(Sn+Zn+M)=0.01〜0.5であり、MはAl、In、Ga、Sbから選択した1種以上の元素である光情報記録媒体の保護膜であって、当該保護膜は、屈折率が2.2〜2.4の範囲にあり、非晶質性(Cu−Kα、40kV、30mAでのXRD測定における2θ=20−60°の範囲の未成膜ガラス基板に対する最大ピーク強度比で表した)が1.1〜1.5であることを特徴とする光情報記録媒体の保護膜。
- 前記保護膜は、透過率(膜厚1500Å、波長633nmにおける)が88〜95%にあることを特徴とする請求項1記載の光情報記録媒体の保護膜。
- Sn/(Sn+Zn+M)=0.5〜0.8、Zn/(Sn+Zn+M)=0.25〜0.4、M/(Sn+Zn+M)=0.01〜0.3であることを特徴とする請求項1又は2記載の光情報記録媒体の保護膜。
- M/(Zn+M)=0.1〜0.67であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光情報記録媒体の保護膜。
- M/(Zn+M)=0.15〜0.4であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光情報記録媒体の保護膜。
- 前記保護膜は、記録層又は反射層と隣接して配置されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の光情報記録媒体の保護膜。
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