JP5387451B2 - Soiウェーハの設計方法及び製造方法 - Google Patents
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Description
イオン注入層を形成し、その後1300℃程度の高温でアニール処理を行うことにより、
シリコンウェーハ中に埋め込み酸化膜(BOX層)を形成し、その表面側の層をSOI層
として使用する方法である。
このように、前記埋め込み絶縁層をシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜のいずれか、又はこれらを複数層積層した積層絶縁層と様々な絶縁層を適用しても、本発明により、SOIウェーハの位置制御を行う際にSOI層膜厚変動に伴う光の反射率の変動を抑制することができるSOIウェーハを設計できる。
このように、前記SOIウェーハに照射する光として、安価な可視光を用いれば、デバイス作製工程や検査工程のコストを削減できるので好ましい。
このように、前記埋め込み絶縁層をシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜のいずれか、又はこれらを複数層積層した積層絶縁層と様々な絶縁層を適用しても、本発明により、位置制御を行う際にSOI層膜厚変動に伴う光の反射率の変動を抑制することができるSOIウェーハを製造できる。
このように、前記SOIウェーハに照射する光として、安価な可視光を用いれば、デバイス作製工程や検査工程のコストを削減できるので好ましい。
従来、SOIウェーハを用いたデバイス作製工程や検査工程における反射光を用いたSOIウェーハの位置検出、位置合わせ、自動焦点によるZ軸合わせ等の位置制御を行う際、SOIウェーハ面内のSOI層膜厚の変動によって、照射する光の反射率が大きく変動することにより反射光の強度にバラツキが発生し、その結果、SOIウェーハの位置制御が正確に行えないなどといった影響を与えてしまう問題があった。また、バルクシリコンウェーハのデバイス作製工程や検査工程で使用している上記したような自動焦点合わせ機構や位置合わせ機構等を、SOIウェーハのデバイス作製工程や検査工程でそのまま用いることができず、別途用意する必要があった。
図1の埋め込み絶縁層厚及びSOI層膜厚と反射率との関係から分かるように、埋め込み絶縁層の厚さが217nm、434nm付近では、SOI層膜厚の変動に対して、反射率の変動がなくなっている(反射率を示す色の変化がなくなっている)。
また、この反射率は埋め込み絶縁層の厚さが0の状態、すなわちバルクシリコンの場合の反射率と同じである(図1の矢印参照)。
図2に示すように、SOI層膜厚の変動で反射率が大きく変化している。従って、SOIウェーハに対してHeNeレーザーを用いた位置制御を行う際、SOI層が面内で膜厚分布を有すると、埋め込み絶縁層の厚さによっては、SOI層の面内の位置によって反射光の強度が弱すぎる、或いは強すぎるといったバラツキが発生し、位置制御の誤差が大きくなってしまうなどの問題を引き起こしてしまう。
具体的には、埋め込み絶縁層の厚さをd、埋め込み絶縁層の屈折率をn、及びAを任意の正の整数とした時、d=(1/2)×(λ/n)×Aを満たすような厚さdに設計することができる。
また、このようにして設計したSOIウェーハであれば、反射率をバルクシリコン(あるいは、SOI表面に形成した膜と同一の膜を形成したバルクシリコン)に波長λの光を照射したときの反射率と同じにすることができる。その結果、バルクシリコンウェーハのデバイス作製工程や検査工程で使用している自動焦点合わせ機構や位置合わせ機構等の機構をそのままSOIウェーハの位置制御で使用することができ、SOIウェーハのデバイス作製工程や検査工程におけるコストを削減することができるSOIウェーハとなる。
このように、埋め込み絶縁層をシリコン酸化膜に限らず、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜としても、その屈折率を用いて埋め込み絶縁層の厚さを設計すれば良い。
また、埋め込み絶縁層が複数層積層した積層絶縁層の場合には、その積層絶縁層のそれぞれの層の埋め込み絶縁層の厚さと屈折率の積の値(d×n)を全ての層分足して求めた和の値が(1/2)×λ×Aを満たすように、それぞれの埋め込み絶縁層の厚さを設計すれば良い。例えば、積層絶縁層が2層の場合には、第1の埋め込み絶縁層の厚さをd1、屈折率をn1、第2の埋め込み絶縁層の厚さをd2、屈折率をn2とした時、
d1×n1+d2×n2=(1/2)×λ×Aを満たすようにすれば良い。
まず、上記した本発明のSOIウェーハの設計方法と同様にして、製造後のSOIウェーハに行われるSOIウェーハの位置制御で用いる光の波長λに応じて、SOI層膜厚の変動に伴う反射率の変動を抑制する様にSOIウェーハの埋め込み絶縁層の厚さを設計する。
そして、図6に示すような、支持基板となるベースウェーハ3上の埋め込み絶縁層2上にSOI層1が形成されたSOIウェーハ10を作製する。この際、埋め込み絶縁層2の厚さを設計した厚さにする。
そして、その後作製するSOIウェーハに応じて様々な熱処理を行っても良い。
また、このようにして製造したSOIウェーハであれば、反射率をバルクシリコンに波長λの光を照射したときの反射率と同じにすることができる。その結果、バルクシリコンウェーハのデバイス作製工程や検査工程で使用している自動焦点合わせ機構や位置合わせ機構等の機構をそのままSOIウェーハの位置制御で使用することができ、SOIウェーハのデバイス作製工程や検査工程におけるコストを削減することができるSOIウェーハとなる。
このように、埋め込み絶縁層をシリコン酸化膜に限らず、シリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜としても、その屈折率を用いて埋め込み絶縁層の厚さを設計すれば良い。
図5は、埋め込み絶縁層の厚さが145nmの場合における波長λ及びSOI層膜厚と反射率との関係のシミュレーション結果を示す図である。ここで、埋め込み絶縁層をシリコン酸化膜とし、その屈折率nを1.46としてシミュレーションした。図5に示すように、d=(1/2)×(λ/n)を満たす、波長λが426nmの付近でSOI層膜厚変動に伴う反射率の変動がなくなっていることが分かる。すなわち、埋め込み絶縁層の厚さが145nmのSOIウェーハの位置制御には波長λが426nmの光を用いれば良い。
デバイス作製工程において、フォトリソグラフィを行う際、露光前にSOIウェーハの位置合わせのため波長λの光を用いて自動焦点合わせを行うSOIウェーハを本発明のSOIウェーハの設計方法及び製造方法を用いて設計及び製造した。ここで、使用する光の波長λを633nmとした。そして、埋め込み酸化膜(BOX層)の厚さをd=(1/2)×(λ/n)×Aを満たす217nmとして設計及び製造し、製造後のSOIウェーハに波長λが633nmの光を照射した際の光の反射率について評価した。
このように、本発明のSOIウェーハの設計方法及び製造方法は、SOIウェーハの位置制御を行う際に、SOI層膜厚変動に伴う光の反射率の変動を抑えて位置制御の精度を向上することができ、また、バルクシリコンウェーハのデバイス作製工程で使用している位置制御のための機構と共用してコストを削減できるSOIウェーハを設計及び製造することができることが確認できた。
(比較例)
実施例のBOX層の厚さdを、d=(1/2)×(λ/n)×Aを満たさない厚さ144nmにしてSOIウェーハを製造し、実施例と同様の評価を行った。
結果を図3に示す。図3に示すように、SOI層膜厚が2000nmから4000nmの範囲で反射率が最大で0.12〜0.58まで変化していることが分かる。また、この反射率は、バルクシリコンの反射率0.35に対して±50%以上の差があった。
10…SOIウェーハ。
Claims (6)
- 埋め込み絶縁層上にSOI層が形成されたSOIウェーハに波長λの光を照射し、前記SOIウェーハからの反射光の強度に基づいて前記SOIウェーハの位置制御を行う工程を有するデバイス作製工程または検査工程で用いるSOIウェーハの設計方法であって、
前記位置制御を行う工程で用いる前記光の波長λに応じて、前記SOIウェーハの埋め込み絶縁層の厚さを設計し、該SOIウェーハの埋め込み絶縁層の厚さの設計を、前記埋め込み絶縁層の厚さをd、前記埋め込み絶縁層の屈折率をn、及びAを任意の正の整数とした時、d=(1/2)×(λ/n)×Aを満たすような厚さdに設計することを特徴とするSOIウェーハの設計方法。 - 前記埋め込み絶縁層をシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜のいずれか、又はこれらを複数層積層した積層絶縁層とすることを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの設計方法。
- 前記SOIウェーハに照射する光として、可視光を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のSOIウェーハの設計方法。
- 埋め込み絶縁層上にSOI層が形成されたSOIウェーハに波長λの光を照射し、前記SOIウェーハからの反射光の強度に基づいて前記SOIウェーハの位置制御を行う工程を有するデバイス作製工程または検査工程で用いるSOIウェーハの製造方法であって、
少なくとも、製造後のSOIウェーハに行われる前記位置制御を行う工程で用いる前記光の波長λに応じて、前記SOIウェーハの埋め込み絶縁層の厚さを設計し、該SOIウェーハの埋め込み絶縁層の厚さの設計を、前記埋め込み絶縁層の厚さをd、前記埋め込み絶縁層の屈折率をn、及びAを任意の正の整数とした時、d=(1/2)×(λ/n)×Aを満たすような厚さdに設計する工程と、前記設計した厚さの埋め込み絶縁層上にSOI層が形成されたSOIウェーハを作製する工程とを有することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。 - 前記埋め込み絶縁層をシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜のいずれか、又はこれらを複数層積層した積層絶縁層とすることを特徴とする請求項4に記載のSOIウェーハの製造方法。
- 前記SOIウェーハに照射する光として、可視光を用いることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のSOIウェーハの製造方法。
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