JP5374167B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5374167B2 JP5374167B2 JP2009009798A JP2009009798A JP5374167B2 JP 5374167 B2 JP5374167 B2 JP 5374167B2 JP 2009009798 A JP2009009798 A JP 2009009798A JP 2009009798 A JP2009009798 A JP 2009009798A JP 5374167 B2 JP5374167 B2 JP 5374167B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electric field
- stage
- field control
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 188
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 55
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 17
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 2
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 abstract description 37
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0455—Diaphragms with variable aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2008—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated specially adapted for studying electrical or magnetical properties of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
以下、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。
Claims (20)
- 荷電粒子線を観察対象試料に照射する照射光学系と、
前記試料から放出もしくは反射した荷電粒子線を結像させる結像光学系と、
前記試料に電圧を印加する機構と、
前記試料を移動させるベースステージと、
前記ベースステージ上において前記試料を回転させる回転ステージと、
前記回転ステージの周囲に該回転ステージから独立して設置され、前記試料上の等電位面を変化させる試料電界制御機構とを具備する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記ベースステージは、前記試料を並進移動させる並進ステージと、試料の高さ位置を変えるZステージを備えており、
前記ベースステージ上に前記試料電界制御機構の全体若しくは一部が設置されている
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記回転ステージは、前記ベースステージ上において無限回転可能なθステージである
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記回転ステージ上に、絶縁体を介してホルダ受けが設置され、該ホルダ受け上に試料ホルダが設置されており、
前記試料に電圧を印加する機構は、前記回転ステージの回転中心にて前記ホルダ受けに接触する電極を有する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4において、
前記電極は、導電性グリースを介して前記回転ステージの回転中心にて前記ホルダ受けに接触する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記試料電界制御機構は、前記ベースステージ上に設置され前記試料の外側に位置する電界制御電極を有し、
該電界制御電極に、電源ユニットから前記試料に印加する電圧とは別の電圧が印加される
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項6において、
前記電界制御電極は、前記試料の周囲の一部または全周にわたり設置されている
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を観察対象試料に照射する照射光学系と、
前記試料から放出もしくは反射した荷電粒子線を結像させる結像光学系と、
前記試料に電圧を印加する機構と、
前記試料を移動させるベースステージと、
前記ベースステージ上において前記試料を回転させる回転ステージと、
前記試料上の等電位面を変化させる試料電界制御機構とを具備し、
前記試料電界制御機構は、
前記試料の外周を囲み、該試料を保持する試料ホルダとの間に絶縁体を挟んで前記回転ステージ上に配置された電界制御板と、
前記ベースステージ上に設置され、前記試料の回転時にも回転せず、前記電界制御板内の電荷を移動させるため前記電界制御板と非接触の電界制御電極とを有し、
前記電界制御電極への印加電圧を制御することで、前記試料上の等電位面を変化させる
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を観察対象試料に照射する照射光学系と、
前記試料から放出もしくは反射した荷電粒子線を結像させる結像光学系と、
前記試料に電圧を印加する機構と、
前記試料を移動させるベースステージと、
前記ベースステージ上において前記試料を回転させる回転ステージと、
前記試料上の等電位面を変化させる試料電界制御機構とを具備し、
前記試料電界制御機構は、
前記試料の外周を囲み、該試料を保持する試料ホルダとの間に絶縁体を挟んで前記回転ステージ上に配置された電界制御板と、
該電界制御板に電子線を照射し帯電させるための帯電制御電子銃と、
前記電界制御板に紫外線を当て該電界制御板を除電するための紫外光源とを有し、
前記帯電制御電子銃による電子線照射と前記紫外光源による紫外線照射とで前記電界制御板の電圧を制御する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
装置制御ユニットと、
前記結像光学系で得られた画像を処理する画像処理ユニットと、
前記画像処理ユニットに接続されGUI機能を有するモニタとを備えており、
前記モニタの表示画面は、観察画像を表示する画像表示部と、前記回転ステージの位置および前記試料電界制御機構への印加電圧を操作するステージ・電圧操作部とを備えている
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項10において、
前記モニタの画像表示部に、前記ベースステージを移動させたときの、取得画像のイメージシフトの状態を表示する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を観察対象試料に照射する照射光学系と、
前記試料から放出もしくは反射した荷電粒子線を結像させる結像光学系と、
前記試料を移動させるベースステージと、
前記ベースステージ上において前記試料を回転させる回転ステージと、
前記回転ステージ上に、絶縁体を介して設置されたホルダ受けと、
該ホルダ受けの上に設置された試料ホルダと、
前記回転ステージの回転中心にて前記ホルダ受けに接触する電極を有し、前記試料に電圧を印加する機構と、
前記回転ステージ上若しくはその周囲に設置され、前記試料上の等電位面を変化させる試料電界制御機構とを具備する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項12において、
前記ベースステージは、前記試料を並進移動させる並進ステージであり、
前記回転ステージは、前記並進ステージ上において前記試料を回転させるθステージであり、
前記試料電界制御機構は、前記θステージの周囲でかつ前記ベースステージの上に設置され、電源ユニットから第一の配線を通じて所定の電圧が供給される
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項12において、
前記試料電界制御機構は、
前記試料の外周を囲み、該試料を保持する前記試料ホルダとの間に絶縁体を挟んで前記回転ステージ上に配置された電界制御板と、
前記ベースステージ上に設置され、前記試料の回転時にも回転せず、前記電界制御板内の電荷を移動させるため前記電界制御板と非接触の電界制御電極とを有し、
前記電界制御電極への印加電圧を制御することで、前記試料上の等電位面を変化させる
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項12において、
前記試料電界制御機構は、
前記試料の外周を囲み、該試料を保持する前記試料ホルダとの間に絶縁体を挟んで前記回転ステージ上に配置された電界制御板と、
該電界制御板に電子線を照射し帯電させるための帯電制御電子銃と、
前記電界制御板に紫外線を当て該電界制御板を除電するための紫外光源とを有し、
前記帯電制御電子銃による電子線照射と前記紫外光源による紫外線照射とで前記電界制御板の電圧を制御する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を検査対象の試料に照射する照射光学系と、
前記試料から放出もしくは反射した荷電粒子線を結像させる結像光学系と、
前記試料に電圧を印加する機構と、
前記試料を移動させるベースステージと、
前記ベースステージ上において前記試料を回転させる回転ステージと、
前記回転ステージの周囲に該回転ステージから独立して設置され、前記試料上の等電位面を変化させる試料電界制御機構と、
装置制御ユニットと、
前記結像光学系で得られた画像を処理する画像処理ユニットと、
前記回転ステージの離散的な測定回転角と、前記試料の回転角ごとの前記試料電界制御機構への印加電圧との関係を与えるデータを保持した記憶装置とを備えており、
前記装置制御ユニットは、前記データから補間計算により、前記回転ステージの任意の回転角に対する設定電圧を求め、前記試料電界制御機構の電圧を制御する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項16において、
前記回転ステージは無限回転可能である
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項17において
前記回転ステージ上に、絶縁体を介してホルダ受けが設置され、該ホルダ受け上に試料ホルダが設置されており、
前記試料に電圧を印加する機構は、前記回転ステージの回転中心にて前記ホルダ受けに接触する電極を有する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項17において、
前記回転ステージを1回転させながら前記試料を検査した後、前記試料面上の前記荷電粒子線の照射位置を半径方向にΔRだけ移動させ、さら前記回転ステージを同じ方向に回転させながら前記試料の検査を行う操作を順次繰り返すことにより、前記試料面上における複数の同心円状上で、前記試料面の検査を行う
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項17において、
前記回転ステージを一方向に回転させつつ前記荷電粒子線の照射位置を半径方向にΔRだけ移動させながら、前記試料の検査を連続的に行うことにより、前記試料面上で連続した1本の螺旋状の曲線に沿って、前記試料面の検査を行う
ことを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009009798A JP5374167B2 (ja) | 2009-01-20 | 2009-01-20 | 荷電粒子線装置 |
US12/688,095 US8766185B2 (en) | 2009-01-20 | 2010-01-15 | Charged particle beam device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009009798A JP5374167B2 (ja) | 2009-01-20 | 2009-01-20 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010170712A JP2010170712A (ja) | 2010-08-05 |
JP5374167B2 true JP5374167B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=42336174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009009798A Active JP5374167B2 (ja) | 2009-01-20 | 2009-01-20 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8766185B2 (ja) |
JP (1) | JP5374167B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5374167B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2013-12-25 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
JP5676617B2 (ja) * | 2010-08-18 | 2015-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線装置 |
TWI472751B (zh) * | 2011-05-03 | 2015-02-11 | Hermes Microvision Inc | 用於檢查與複檢光罩/晶圓缺陷的帶電粒子系統 |
WO2013192608A1 (en) | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Edax, Inc. | Method and apparatus for electron pattern imaging |
KR20170041986A (ko) * | 2015-10-08 | 2017-04-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 측정 장치 |
CN108603850B (zh) * | 2016-03-16 | 2020-10-13 | 株式会社日立高新技术 | 缺陷检查方法以及缺陷检查装置 |
EP3532830B1 (en) * | 2016-10-31 | 2021-12-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Adaption for a turntable of a ct system |
US10872742B2 (en) * | 2016-11-24 | 2020-12-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
CN110337707B (zh) * | 2017-02-13 | 2021-09-28 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子线装置 |
WO2019058440A1 (ja) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US20210313138A1 (en) * | 2018-09-12 | 2021-10-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Mirror electronic inspection device |
JP2021077492A (ja) * | 2019-11-07 | 2021-05-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法 |
WO2021117226A1 (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子銃、荷電粒子線装置 |
JP2022047193A (ja) | 2020-09-11 | 2022-03-24 | キオクシア株式会社 | 電子ビーム装置および画像取得方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4237445A (en) * | 1979-07-30 | 1980-12-02 | Goodyear Aerospace Corporation | Tire pressure communication devices |
US20060060781A1 (en) * | 1997-08-11 | 2006-03-23 | Masahiro Watanabe | Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection |
JP3534582B2 (ja) | 1997-10-02 | 2004-06-07 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検査方法および検査装置 |
JP2000100366A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP4218093B2 (ja) | 1998-11-17 | 2009-02-04 | 株式会社日立製作所 | 試料の保持方法,試料の保持装置、および荷電粒子線装置 |
EP1296351A4 (en) * | 2000-06-27 | 2009-09-23 | Ebara Corp | INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE |
JP3996774B2 (ja) * | 2002-01-09 | 2007-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 |
JP2003282016A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Instruments Inc | 周辺装置を備えた荷電粒子顕微鏡における試料ステージ傾斜機構 |
JP4150535B2 (ja) | 2002-06-06 | 2008-09-17 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
US20040040663A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Ryujiro Udo | Plasma processing apparatus |
US6903338B2 (en) * | 2003-01-30 | 2005-06-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for reducing substrate edge effects in electron lenses |
US7138629B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
CN1981243A (zh) * | 2004-06-21 | 2007-06-13 | 日本先锋公司 | 电子束绘制装置 |
JP4519567B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法 |
US7317606B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-01-08 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Particle trap for electrostatic chuck |
JP3906866B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2007-04-18 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子ビーム検査装置 |
JP5164317B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線による検査・計測方法および検査・計測装置 |
JP4825530B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2011-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査方法および装置 |
US7988814B2 (en) * | 2006-03-17 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component |
JP4216857B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2009-01-28 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP4988444B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2012-08-01 | 株式会社日立製作所 | 検査方法および装置 |
WO2009157182A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置 |
JP5374167B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2013-12-25 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
JP5227264B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置,プラズマ処理方法,プログラム |
US8294094B1 (en) * | 2011-08-16 | 2012-10-23 | Hermes Microvision Inc. | Method and apparatus for reducing substrate edge effect during inspection |
-
2009
- 2009-01-20 JP JP2009009798A patent/JP5374167B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-15 US US12/688,095 patent/US8766185B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8766185B2 (en) | 2014-07-01 |
JP2010170712A (ja) | 2010-08-05 |
US20100181480A1 (en) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5374167B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP6668408B2 (ja) | Semオーバーレイ計測のシステムおよび方法 | |
TWI754599B (zh) | 用於晶圓邊緣檢測及查核之方法及系統 | |
JP4248382B2 (ja) | 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置 | |
JP5164317B2 (ja) | 電子線による検査・計測方法および検査・計測装置 | |
US8134125B2 (en) | Method and apparatus of an inspection system using an electron beam | |
JP4790324B2 (ja) | パターン欠陥検査方法および装置 | |
JP2018026369A (ja) | 特殊な絞り板を備える荷電粒子顕微鏡 | |
US8324594B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
TW201618149A (zh) | 帶電粒子束樣本檢查系統及用於其中操作之方法 | |
JP5606791B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US8086022B2 (en) | Electron beam inspection system and an image generation method for an electron beam inspection system | |
JP2014238962A (ja) | 電子線装置 | |
JP2016024900A (ja) | 放射線分析装置 | |
JP2020017415A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2008210702A (ja) | 荷電粒子ビーム装置及び印加電圧制御方法 | |
JP2009170150A (ja) | 検査計測装置および検査計測方法 | |
JP4216857B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP6214903B2 (ja) | 検査装置 | |
KR20210088720A (ko) | 기판에 대한 임계 치수 측정을 위한 방법, 및 기판 상의 전자 디바이스를 검사하고 절단하기 위한 장치 | |
JP5228080B2 (ja) | パターン欠陥検査方法および装置 | |
JP2002251975A (ja) | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 | |
WO2011007517A1 (ja) | 試料電位測定方法、及び荷電粒子線装置 | |
JP5548244B2 (ja) | 検査計測装置および検査計測方法 | |
JP4221817B2 (ja) | 投射型イオンビーム加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5374167 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |