TWI472751B - 用於檢查與複檢光罩/晶圓缺陷的帶電粒子系統 - Google Patents

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Description

用於檢查與複檢光罩/晶圓缺陷的帶電粒子系統
本發明相關於用於光罩或半導體晶圓缺陷檢查與複檢的帶電粒子系統，特別是相關於一種用於光罩或半導體晶圓缺陷檢查與複檢而不會有氣態分子污染物(airborne molecularcontaminates；AMC)落下的電子束檢查裝置(E-beam inspection tool)。然而，必需瞭解的是本發明可以硬用於非常廣泛的領域。
在IC的製作過程中對半導體晶圓與光罩(reticles)的缺陷檢查(defect inspection)為一公認可以增加產率的製程。由一晶圓缺陷檢查裝置所獲得的資訊可以用來標示出有缺陷的晶粒(defective die)而進行修復，或改善晶圓製程的參數。既然一個光罩用來製作數以百計或甚至數以千計的晶圓，因此，在光罩上一個未被偵檢到的錯誤或缺陷會導致產率的大量降低。
光罩缺陷通常分成兩種不同的缺陷：堅固的缺陷(hard defect)與鬆軟的缺陷(soft defect)。如果一個缺陷無法藉由一清理程序(cleaning process)所移除，則此缺陷被稱為堅固的缺陷。鉻膜(chrome)的增加或缺失、相位移(phase shifter)、針點(pindots)、刮傷(scratches)、與氣泡(bubbles)等都和針孔(pinholes)一樣是屬於堅固的缺陷這一類缺陷。如果一個缺陷可以藉由清理程序所移除，則此缺陷被稱為鬆軟的缺陷。微塵(particles)、污點(stains)、污染物(contaminations)，例如結晶體(crystals)，以及殘留的物質(residual materials)等都是屬於鬆軟的缺陷。所有的堅固的缺陷都需要在製程中被定位、修理(fix)、與/或修正(correct)。雖然鬆軟的缺陷可以藉由一清理程序而被移除，但是，意外掉落於光罩上的微塵超過一定的尺寸會在晶圓著每一個晶粒(die)中造成無可挽回的缺陷，而導致零產率的發生。因此，在傳統的微影製程或是缺陷檢查製程中，光罩藉由在其背面的一護膜(pellicle)進行保護，以防止在製程中鬆軟的缺陷沈積於其上。
在超紫外光(Extreme Ultra-Violet；EUV)微影製程中，此微影技術的基礎是使用13.5奈米(nm)的波長。然而，因為此一波長的高材料吸收(material absorption)，使得超紫外光(EUV)光罩無法在接近表面的位置覆蓋一護膜來防止微塵意外地掉落於圖案區域，特別是在搬運與曝光的時候。因此，需要高標準以確保在進行曝光的時候幾乎沒有微塵存在。
在電子束檢查微塵的過程中，無論是檢查傳統的晶圓、光罩或是超紫外光(EUV)光罩，無法使用任何護膜。因此，如何在檢查微塵的過程中，防止鬆軟的缺陷污染檢查樣品的表面是應該被認真思考的。
本發明重整帶電微粒系統以避免微塵掉落樣品的檢查表面，因而符合對改良缺陷檢查與複檢的高標準要求。
本發明之一實施例揭露一種操作平台，此操作平台可以將被檢查物以檢查表面朝下的方式固持於其上，以避免在進行缺陷檢查時氣態分子污染物(AMC)掉落在檢查表面(inspected surface)上。
本發明之一實施例揭露一種具有上下顛倒的SORIL物鏡管柱(SORIL lens column)與新型操作平台的電子束檢查系統。主電子束向上瞄準檢查表面朝下的被檢查物，其中，被檢查物為一晶圓、一般微影製程使用的光罩、或超紫外光(EUV)光罩。
本發明之另一實施例揭露一種上下顛倒的多軸物鏡管柱(multi-axial lens column)與新型操作平台的電子束檢查系統。多軸物鏡管柱內的每一物鏡的電子源的主電子束都向上瞄準檢查表面朝下的被檢查物。
此裝配有多軸物鏡管柱的上下顛倒的檢查系統除了有防止氣態分子污染物(AMC)污染的優點之外，還可以增加產能(throughput)。
100‧‧‧傳統的電子束檢查系統
102‧‧‧電子源
104‧‧‧萃取器
105‧‧‧電子束
106‧‧‧陽極
108‧‧‧透鏡
110‧‧‧電子束狹縫
112‧‧‧偏轉器
114‧‧‧偵測器
116‧‧‧靜電物鏡
118‧‧‧磁物鏡
120‧‧‧樣品
200、200A、200B‧‧‧帶電粒子系統
202‧‧‧真空室
204‧‧‧管柱
206‧‧‧操作平台
208‧‧‧樣品
210‧‧‧物鏡
212‧‧‧偵測器
214‧‧‧透鏡
216‧‧‧電子源
218‧‧‧X方向滑軌
220‧‧‧Y方向滑軌
222‧‧‧支撐裝置
224‧‧‧移動平台
226‧‧‧開口
227‧‧‧固持裝置
228、228'‧‧‧夾環
230‧‧‧導線
232‧‧‧導針
234‧‧‧孔洞
236‧‧‧導電膠墊
240‧‧‧SORIL物鏡
242‧‧‧磁物鏡
244‧‧‧偏轉器
300‧‧‧帶電粒子系統
306‧‧‧操作平台
311A、311B、311C‧‧‧物鏡管柱
316‧‧‧電子源
第一圖為一傳統的電子束檢查系統的示意圖。
第二圖為本發明之一實施例之向上瞄準之帶電粒子系統的示意圖。
第三圖為第二圖所示之向上瞄準之帶電粒子系統中可以檢查表面朝下的方式固持光罩或晶圓的進行檢查的新型操作平台的俯視圖。
第四圖為本發明之另一實施例之向上瞄準之帶電粒子系統的示意圖。
第五圖為第四圖所示之向上瞄準之帶電粒子系統中可以檢查表面朝下的方式固持光罩或晶圓的進行檢查的新型操作平台的俯視圖。
第六圖為本發明之一實施例之向上瞄準之帶電粒子系統的示意圖，其裝備有一SORIL物鏡。
第七圖為本發明之一實施例之向上瞄準之帶電粒子系統的示意圖，其裝備有一多軸物鏡。
第八圖為本發明之一實施例之固持裝置的示意圖。
第九A圖為本發明之一實施例之設置於固持裝置上的夾環的示意圖。
第九B圖為本發明之另一實施例之設置於固持裝置上的夾環的示意圖。
將以本發明的一些實施例進行詳細描述以說明本發明之技術。這些實施例都伴隨圖示加以說明。雖然本發明的某些實施例詳細說明本發明，但是可以理解的是本發明並不限制於這些實施例。相反的，本發明是可以涵蓋本發明之申請專利範圍所定義的精神與範疇內的所有替代物、改良以及相似物。在下列描述中，許多詳細說明會被提出來，而提供一對本發明的通盤瞭解。本發明可以在缺乏部份或全部詳細 說明的狀況下實施。在其他例子裡，眾所熟知的製程操作於本文不詳加描述，以避免對本發明造成混淆。
參照第一圖，其為傳統的電子束檢查系統100的示意圖。此傳統的電子束檢查系統100包括一用以發射電子束105的電子源(或電子槍)102、一萃取器(extractor)104、一陽極106、一透鏡108、一電子束狹縫(beam aperture)110、一用以接收由樣品120的表面發射出的二次電子的偵測器114、以及一物鏡，其中物鏡包括偏轉器112、一磁物鏡118以及一靜電物鏡(或加速管)116設置於物鏡中。如第一圖所示，傳統的電子束檢查系統100藉由在傳統的電子束檢查系統100頂部的電子源102，以及位於操作平台尚且檢查表面朝上的被檢查物(或樣品)120，而進行檢查。
一向上的檢查物(或樣品)表面無法防止氣態分子污染物(AMC)意外地掉落於圖案化的表面上。但是，發現將檢查表面上下顛倒為一有效防止氣態分子污染物(AMC)掉落於檢查表面上的方法。因此，本發明提供一種新型的操作平台與一新型的電子束檢查系統，其可以將欲檢查的物品以檢查表面朝下的方式固持於操作平台上，而避免在進行缺陷檢查時氣態分子污染物(AMC)掉落於檢查表面上。
本發明之一實施例揭露一種新型的操作平台，其可以將欲檢查的物品以檢查表面朝下的方式固持於操作平台上，而避免在進行缺陷檢查時氣態分子污染物(AMC)掉落於檢查表面上。
參照第二圖，其為本發明之一實施例之向上瞄準之帶電粒子系統200的示意圖，例如一電子束檢查系統。向上瞄準之帶電粒 子系統200為一上下顛倒的帶電粒子系統，其具有一向上瞄準的帶電粒子束。向上瞄準之帶電粒子系統200包含一電子源216、一透鏡214、一偵測器212、一物鏡210、以及一操作平台206。電子源216設置於向上瞄準之帶電粒子系統200的底部，用以提供一向上瞄準的主電子束(或主粒子束)。操作平台206設置於向上瞄準之帶電粒子系統200的頂部，用以以上下顛倒的方式固持樣品208，例如一光罩或一晶圓，而使樣品208的檢查表面向下面對主電子束，因此，幾乎不會有微塵掉落於樣品208的檢查表面上。透鏡214裝設於電子源216上方，用以聚集主電子束。物鏡210裝設於透鏡214上方，用以將主電子束聚焦到樣品208的檢查表面上。透鏡214與物鏡210裝設於電子源216與操作平台206之間，而偵測器212則可以裝設於透鏡214與物鏡210之間，用以接收由樣品208的檢查表面發射出的二次電子。在向上瞄準之帶電粒子系統200中，電子源216座落於向上瞄準之帶電粒子系統200的底部，以向上發射帶電粒子束(例如電子束)，而樣品208則以樣品208的檢查表面向下面對電子源216的方式固持於向上瞄準之帶電粒子系統200的頂部。電子束由向上瞄準之帶電粒子系統200的底部射向其頂部。此一檢查表面向下的設計可以防止在進行檢查時氣態分子污染物(AMC)掉落於檢查表面上，因此，相較於傳統檢查表面向上的檢查系統會比較沒有氣態分子污染物的污染。
電子源216、透鏡214、偵測器212、以及物鏡210設置於一管柱204內，而電子源216、透鏡214、偵測器212、物鏡210、以及操作平台則設置於一真空室202內，用以減少向上瞄準之帶電粒子系統200內的微塵。換言之，管柱204設置於真空室202內，而管柱204與真空室202皆為一真空環境。因此，向上瞄準之帶電粒子系統200在進行檢 查時提供一真空環境，所以可以避免在檢查時有氣態分子污染物(AMC)掉落。
在向上瞄準之帶電粒子系統200中，操作平台206可以在X方向與Y方向移動樣品208，用以檢查樣品208的檢查表面上的不同區域。本發明提供兩種移動操作平台206的不同設計。第二-三圖與第四-五圖分別展示這兩種不同的設計。第三圖為本發明第二圖所示之向上瞄準之帶電粒子系統200中可以檢查表面朝下的方式固持光罩或晶圓的進行檢查的操作平台的俯視圖。參照第二圖與第三圖，在向上瞄準之帶電粒子系統200中，具有一對X方向滑軌218，用以在X方向移動操作平台206，以及一對Y方向滑軌220，用以在Y方向移動操作平台206。這四個滑軌218、220提供一在進行檢查時可以在X方向與Y方向自由移動的操作平台206。X方向滑軌218、Y方向滑軌220、以及操作平台206為一支撐裝置222所支撐，這些都藉由支撐裝置222而固持於向上瞄準之帶電粒子系統200的頂部。支撐裝置222固定於向上瞄準之帶電粒子系統200的固體基座上。雖然在第三圖所示之支撐裝置222包含四支支撐柱，但是並不以此為限。在本發明的其他實施例中，支撐裝置可以包含數個支撐柱(至少三個支撐柱)，例如三個支撐柱、四個支撐柱或更多支撐柱，或者，支撐裝置可以為一中空的圓柱體，而向上瞄準之帶電粒子系統200(包括真空室202與管柱204)設置於圓柱體內。
第四圖為本發明之另一實施例之向上瞄準之帶電粒子系統200A的示意圖。第五圖為本發明第四圖所示之向上瞄準之帶電粒子系統200A中可以檢查表面朝下的方式固持光罩或晶圓的進行檢查的操作平台的俯視圖。參照第四圖與第五圖，向上瞄準之帶電粒子系 統200A與200具有類似的架構，但是他們在移動操作平台的設計上有所不同。向上瞄準之帶電粒子系統200A包含有向上瞄準之帶電粒子系統200具有的所有元件，例如設置於向上瞄準之帶電粒子系統200A底部而用以提供一向上瞄準的主電子束的電子源216、透鏡214、偵測器212、物鏡210、以及設置於向上瞄準之帶電粒子系統200A頂部而用以樣品208的檢查表面向下面對主電子束的方式固持樣品208的操作平台206。操作平台206設置於向上瞄準之帶電粒子系統200A的頂部，用以以上下顛倒的方式固持樣品208，例如一光罩或一晶圓，而使樣品208的檢查表面向下面對主電子束，因此，幾乎不會有微塵掉落於樣品208的檢查表面上。一移動平台224設置於向上瞄準之帶電粒子系統200A的頂部底部，用以在X、Y、以及Z方向移動操作平台206。移動平台224具有一開口226，用以提供一圍繞向上瞄準之帶電粒子系統200A或管柱204的空間。此空間可以防止向上瞄準之帶電粒子系統200A或管柱204在移動平台224移動時與移動平台224發生碰撞。支撐裝置222固定於移動平台224上，而操作平台206為支撐裝置222所支撐。操作平台206藉由支撐裝置222設置於向上瞄準之帶電粒子系統200A的頂端以及移動平台224的上方。支撐裝置222可以包含數個支撐柱(至少三個支撐柱)，例如三個支撐柱、四個支撐柱或更多支撐柱，或者，支撐裝置可以為一中空的圓柱體，而向上瞄準之帶電粒子系統200A(包括真空室202與管柱204)設置於圓柱體內。移動平台224藉由一些裝置，例如X方向滑軌、Y方向滑軌、起重機或其他裝置，而在檢查時可以在X方向、Y方向、以及Z方向自由移動。因此，移動平台224可以帶動操作平台206在X方向、Y方向、以及Z方向自由移動。
此外，本發明提供一種具有SORIL物鏡管柱的向上瞄準之帶電粒子系統，例如具有SORIL物鏡管柱的掃瞄式電子顯微鏡(SEM)。參照第六圖，其為本發明之一實施例之裝設有SORIL物鏡的向上瞄準之帶電粒子系統200B的示意圖。向上瞄準之帶電粒子系統200B包含一電子源216、一透鏡214、一偵測器212、一SORIL物鏡240、以及一操作平台206。電子源216設置於向上瞄準之帶電粒子系統200B的底部，用以提供一向上瞄準的主電子束(或主粒子束)。操作平台206設置於向上瞄準之帶電粒子系統200B的頂部，用以以上下顛倒的方式固持樣品208，例如一光罩或一晶圓，而使樣品208的檢查表面向下面對主電子束，因此，幾乎不會有微塵掉落於樣品208的檢查表面上。此一檢查表面向下的設計可以防止在進行檢查時氣態分子污染物(AMC)掉落於檢查表面上，因此，相較於傳統檢查表面向上的檢查系統會比較沒有氣態分子污染物的污染。透鏡214、偵測器212、SORIL物鏡240設置於電子源216與操作平台206之間。SORIL物鏡240具有一磁物鏡242與一靜電物鏡。此外，SORIL物鏡240還具有一偏轉器244設置於SORIL物鏡240內。電子源216、透鏡214、偵測器212、以及SORIL物鏡240(包括磁物鏡242、靜電物鏡、以及偏轉器244)設置於一管柱204內，而形成所謂的SORIL物鏡管柱204。電子源216、透鏡214、偵測器212、SORIL物鏡240(包括磁物鏡242、靜電物鏡、以及偏轉器244)、以及操作平台206設置於一真空室202內，用以減少向上瞄準之帶電粒子系統200B內的微塵。管柱204設置於真空室202內，而管柱204與真空室202皆為一真空環境。因此，向上瞄準之帶電粒子系統200B在檢查時提供一個真空環境，所以可以避免在檢查時有氣態分子污染物(AMC)掉落。主電子束向上瞄準檢查表面向下的樣品(或被檢查 物)，其中，樣品(或被檢查物)為一晶圓、一般微影製程使用的光罩、或超紫外光(EUV)光罩。向上瞄準之帶電粒子系統200B可以採用第三圖或第五圖所示的在X方向與Y方向移動操作平台206的設計。
此外，本發明提供一種裝設有多軸物鏡(管柱)的向上瞄準之帶電粒子系統。參照第七圖，其為本發明之一實施例之裝設有多軸物鏡(管柱)的向上瞄準之帶電粒子系統300的示意圖。向上瞄準之帶電粒子系統300具有三個物鏡管柱311A、311B、311C。每一物鏡管柱311A、311B、311C皆包含管柱204(如第二圖與第四圖所示)具有的所有元件，例如提供一向上瞄準的主電子束的電子源、透鏡、偵測器、狹縫、偏轉器、以及物鏡(或SORIL物鏡)。由不同物鏡管柱311A、311B、311C內的不同電子源316射出的主電子束，向上瞄準而同時照射到檢查表面向下的樣品308的檢查表面上的不同區域。因此，向上瞄準之帶電粒子系統300可以同時檢查樣品308的檢查表面上的不同區域。樣品(或被檢查物)308為一晶圓、一般微影製程使用的光罩、或超紫外光(EUV)光罩。所有的物鏡管柱311A、311B、311C、以及操作平台306都設置於真空室302內，用以減少向上瞄準之帶電粒子系統300內的微塵。
在本發明中，展示於所有實施例中的向上瞄準之帶電粒子系統的操作平台都具有一固持裝置，其以上下顛倒的方式固持樣品208，而使樣品208的檢查表面向下面對主電子束。參照第八圖，其為本發明之一實施例之固持裝置227的示意圖。固持裝置227設置於操作平台上(如第二圖-第七圖所示之操作平台)，特別是在操作平台面對電子源的表面上。固持裝置227可以在檢查時以機械方式或靜電方式固持檢查 表面向下的光罩或晶圓。固持裝置227可以為機械式的固持裝置、或靜電式的固持裝置，例如靜電吸附盤(e-chuck)，或是其他可以在檢查時以機械方式或靜電方式固持檢查表面向下的樣品208(例如光罩或晶圓)的固持裝置。一夾環228設置於固持裝置227上，用以防止樣品208掉落。夾環228電性耦合至接地，以在檢查時移除累積於樣品208的檢查表面上的電荷。
參照第九A圖，其為本發明之一實施例之設置於固持裝置上的夾環228的示意圖。夾環228具有一導針232與一導線230設置於夾環228內部。導針232的尖端突出於夾環228的表面，用以在檢查時接觸樣品，而與樣品電性耦合。導線230將導針232電性耦合至接地。因此，樣品經由導針232與導線230電性耦合至接地，用以在檢查時移除累積於樣品208的檢查表面上的電荷。此外，本發明提供另一種形式的夾環。參照第九B圖，其本發明之另一實施例之設置於固持裝置上的夾環228'的示意圖。夾環228'與夾環228具有類似的結構，夾環228'具有一設置於夾環228'上的導電膠墊236。導電膠墊236與夾環228'具有一孔洞234，用以收納導針232於孔洞234內，因此，在固持裝置為固持樣品之前，導針232的尖端不會突出於夾環228'的表面，用以保護導針232。導電膠墊236為一彈性物質所組成。因此，當固持裝置拾取或固持一樣品時，導電膠墊236被壓縮，所以導針232會突出導電膠墊236而與樣品接觸。同時，導針232與導線230電性耦合樣品至接地，用以在檢查時移除累積於樣品208的檢查表面上的電荷。
在本發明中，固持裝置，甚至是整個操作平台，需要移出真空室，以進行樣品的裝載(load)與卸料(unload)。當裝載樣品的時 候，固持裝置或是操作平台藉由一機械手臂而被移動傳送出真空室，然後，放置於一樣品上，該樣品以檢查表面向下的方式放置於入料區，固持裝置或是操作平台會拾取放置於入料區內的樣品，並將其以檢查面朝下的方式固持於其上。當卸下樣品的時候，固持裝置或是操作平台藉由一機械手臂而被移動傳送出真空室，然後，放置於一出料區上，固持裝置或是操作平台會將樣品放置於出料區。
本發明上下顛倒的管柱配置與向上瞄準的主電子束的設計的其中一個優點，為使帶電粒子系統更為穩固。相較於傳統向下瞄準的帶電粒子系統的設計，本發明之向上瞄準之帶電粒子系統的重心較低且較接近地板。本發明上下顛倒的管柱配置與向上瞄準的主電子束的設計的另一個優點，為可以避免有在檢查時有氣態分子污染物(AMC)掉落於樣品的檢查表面上，因此，相較於傳統檢查表面向上的檢查系統會比較沒有氣態分子污染物的污染。
本發明的其他裝配有多軸物鏡管柱的上下顛倒的檢查系統(即向上瞄準之帶電粒子系統)的實施例，除了具有在檢查時有氣態分子污染物(AMC)掉落於樣品的檢查表面上的優點之外，還具有增加產能的優點。
雖然本發明是根據上述實施例進行詳細描述，但是本發明所屬領域中具有通常知識者可以知道這些實施例可以有許多變化，而這些變化都未超出本發明之精神與範疇。因此，在不背離本發明之申請專利範圍的精神與範疇的狀況下，本發明所屬領域中具有通常知識者是可以對本發明進行改變。
200‧‧‧帶電粒子系統
202‧‧‧真空室
204‧‧‧管柱
206‧‧‧操作平台
208‧‧‧樣品
210‧‧‧物鏡
212‧‧‧偵測器
214‧‧‧透鏡
216‧‧‧電子源

Claims (22)

  1. 一種向上瞄準之帶電粒子系統，包含：一電子源，用以提供一向上的主電子束；一透鏡，該透鏡設置於該電子源上方，用以聚集該主電子束；一物鏡，該物鏡設置於該透鏡上方，用以將該主電子束聚焦於一樣品的一表面上；以及一操作平台，該操作平台用以將該樣品以上下顛倒的方式以及該樣品的該表面向下面對該主電子束的方式，而該樣品固持於該操作平台上，因此，幾乎不會有微塵掉落於該樣品的該表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一偵測器設置於該物鏡與該透鏡之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該電子源、該透鏡、該偵測器、該物鏡、以及該操作平台皆設置於一真空室內。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該電子源、該透鏡、該偵測器、以及該物鏡皆設置於一管柱內。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該向上瞄準之帶電粒子系統為一SORIL物鏡掃瞄式電子顯微鏡(SORIL SEM)。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該物鏡包含一磁物鏡與一靜電物鏡。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該物鏡包含一設置於該物鏡內的偏轉器。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該偵測器接收由該樣品的該表面發射出來的二次電子。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該電子源裝設於該向上瞄準之帶電粒子系統的底部。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該操作平台裝設於該向上瞄準之帶電粒子系統的頂部。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一支撐裝置，用以將該操作平台之支撐於該向上瞄準之帶電粒子系統的頂部。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該支撐裝置包含至少三個支撐柱。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該支撐裝置為一圓柱體。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該電子源、該透鏡、該偵測器、以及該物鏡設置於一真空室或管柱內，而該真空室或該管柱設置於該圓柱體內。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一對X方向滑軌，該X方向滑軌設置於該向上瞄準之帶電粒子系統的頂部，用以在X方向移動該操作平台。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一對Y方向滑軌，該Y方向滑軌設置於該向上瞄準之帶電粒子系統的頂部，用以在Y方向移動該操作平台。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一移動平台，該移動平台設置於該向上瞄準之帶電粒子系統的底部，用以在X方向、Y方向以及Z方向移動該操作平台。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該操作平台藉由該支撐裝置而支撐於該移動平台上方。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一固持裝置，該固持裝置設置於該操作平台上，用以將該樣品以上下顛倒的方式以及該樣品的該表面向下面對該主電子束的方式，而該樣品固持於該操作平台上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一夾環設置於該固持裝置上，用以防止該樣品掉落。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中更包含一導針設置於該夾環中，用以在行檢查時將該樣品接地。
  22. 如申請專利範圍第3項所述之向上瞄準之帶電粒子系統，其中該向上瞄準之帶電粒子系統包含數個個管柱，每一該管柱包含一電子源、一透鏡、一偵測器、以及一物鏡設置於其中。
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