JP5371964B2 - 水反応性Ａｌ膜の製造方法及び成膜室用構成部材 - Google Patents
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Description
本発明は、水反応性Ａｌ膜の製造方法及び成膜室用構成部材に関し、特にフレーム溶射による水反応性Ａｌ膜の製造方法及びこのＡｌ膜で覆われた成膜室用構成部材に関する。
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等により薄膜を形成するための成膜装置において、その装置内に設けられる成膜室用構成部材には、成膜プロセス中に成膜材料からなる金属又は金属化合物の膜が不可避的に付着する。この成膜室用構成部材としては、例えば、基板以外の真空容器内部に膜が付着するのを防止するための防着板や、シャッターや、基板の所定の場所だけに成膜するために用いるマスクや、基板搬送用トレイ等を挙げることができる。成膜プロセス中に、これらの部材にも目的とする薄膜（基板上に形成すべき薄膜）と同組成の膜が付着する。これらの部材は、付着膜の除去後、繰返し使用されるのが通常である。
これら成膜室用構成部材に不可避的に付着する膜は、成膜プロセスの作業時間に応じて厚くなる。このような付着膜は、その内部応力や繰返しの熱履歴による応力によって成膜室用構成部材からパーティクルとなって剥離し、基板に付着し、膜欠陥の生じる原因となる。そのために、成膜室用構成部材は、付着膜の剥離が生じない段階で、成膜装置から取り外され、洗浄して付着膜を除去し、その後に表面仕上げして、再使用するというサイクルが定期的に行われている。
成膜材料として、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ａｇ等の有価金属を用いる場合、基板上への膜形成に与らずに、基板以外の構成部材に付着した金属を回収すると共に、構成部材をリサイクルするための処理技術の確立が求められている。
例えば、成膜装置において基板以外の装置内壁や各成膜室用構成部材表面等への成膜材料の付着を防止するために用いる防着板の場合、成膜時についた付着物を剥離して再利用しているのが現状である。この付着物の剥離法としては、サンドブラスト法や、酸やアルカリによるウェットエッチング法や、過酸化水素等による水素脆性を利用した剥離法や、さらには電気分解を利用した剥離法が一般的に行われている。この場合、付着物の剥離処理を実施する際に、防着板も少なからず溶解して損傷を受けるので、再利用回数には限りがある。そのため、防着板の損傷を出来るだけ少なくするような膜剥離法の開発が望まれている。
上記サンドブラスト法において発生するブラスト屑や、酸やアルカリ処理等の薬液処理において生じる廃液中の剥離された付着膜の濃度が低いと、有価金属の回収費用は高くなり、採算がとれない。このような場合には、廃棄物として処理されているのが現状である。
上記薬液処理ではまた、薬液自体の費用が高いだけでなく、使用済み薬液の処理費用も高いことから、また、環境汚染を防止する面からも、薬液の使用量をできるだけ少なくしたいという要望がある。さらに、上記のような薬液処理を行うと、防着板から剥離した成膜材料は新たな化学物質に変質するので、剥離された付着物から成膜材料のみを回収するにはさらに費用が加算される。従って、回収コストに見合った単価の成膜材料のみが回収対象になっているのが現状である。
上記したような付着膜の剥離法以外に、水分の存在する雰囲気中で反応して溶解し得る性質を有する水反応性Ａｌ複合材料からなるＡｌ膜で被覆した構成部材を備えた装置内で成膜プロセスを実施し、成膜中に付着した膜をＡｌ膜の反応・溶解により剥離・分離せしめ、この剥離された付着膜から成膜材料の有価金属を回収する技術が知られている(例えば、特許文献１参照)。この水反応性Ａｌ複合材料は、Ａｌ結晶粒から構成される小塊の表面が、Ｉｎ及び／又はＳｎの皮膜で覆われているものである。
本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、水分の存在する雰囲気中で反応して溶解し得るＡｌ膜の製造方法、及びこのＡｌ膜で覆われた成膜室用構成部材を提供することにある。
本発明の水反応性Ａｌ膜の製造方法は、４ＮＡｌ又は５ＮＡｌに、Ａｌ基準で、２〜５ｗｔ％のＩｎを添加した材料を組成が均一になるように溶融し、この溶融材料を、フレーム溶射法により基材表面に対して溶射して急冷凝固させることにより、Ａｌ結晶粒中にＩｎが均一に分散してなるＡｌ膜であって、このＡｌ膜に、成膜装置内で実施される成膜プロセスによる上限温度が３００〜３５０℃の熱履歴を受けさせた後、４０〜１３０℃の温水に浸漬して溶解した際の溶解電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２以上であるＡｌ膜を形成することを特徴とする。
Ｉｎが２ｗｔ％未満であると、水との反応性が低下し、５ｗｔ％を超えると、水との反応性が非常に高くなり、大気中の水分と反応してしまう場合がある。
かくして得られたＡｌ溶射膜は、Ａｌ結晶粒中にＩｎ結晶粒が均一に高度に分散した状態で存在しているので、水分の存在する雰囲気中で容易に反応し水素を発生して溶解する。
本発明の水反応性Ａｌ膜の製造方法はまた、４ＮＡｌ又は５ＮＡｌに、Ａｌ基準で、２〜５ｗｔ％のＩｎ、及びＡｌ中の不純物Ｓｉ量を勘案して、不純物Ｓｉ量との合計で０．０４〜０．６ｗｔ％、好ましくは０．０４〜０．２ｗｔ％となる量のＳｉを添加した材料を組成が均一になるように溶融し、この溶融材料を、フレーム溶射法により基材表面に対して溶射し、急冷凝固させることにより、Ａｌ結晶粒中にＩｎが均一に分散してなるＡｌ膜を形成することを特徴とする。
Ｉｎが２ｗｔ％未満であり、また、５ｗｔ％を超えると、上記のような問題がある。Ｓｉが０．０４ｗｔ％未満であると、水との反応性の制御効果が低下し、０．２ｗｔ％を超えると、水との反応性が低下しはじめ、さらに、Ｓｉが０．６ｗｔ％を超えると、水との反応性そのものが低下する。
本発明の成膜装置の成膜室用構成部材は、表面に上記水反応性Ａｌ膜を備えたことを特徴とする。
上記構成部材は、防着板、シャッター又はマスクであることを特徴とする。
本発明のフレーム溶射法により得られたＡｌ溶射膜は、簡単なプロセスで安いコストで容易に製造できる。また、３００〜３５０℃程度の成膜プロセスからの熱履歴を経た後でも、水分の存在する雰囲気中で反応して溶解し得る性質を有するという効果を奏する。
このＡｌ溶射膜は、水分の存在下で反応して水素を発生しながら効率的に溶解するので、この水反応性Ａｌ膜で覆われた成膜室用構成部材（例えば、防着板、シャッター及びマスク等）を備えた成膜装置を用いて成膜すれば、成膜プロセス中に防着板等の表面に付着する成膜材料からなる不可避的な付着膜を、このＡｌ溶射膜の反応・溶解により成膜室用構成部材から剥離・分離せしめ、この剥離された付着膜から成膜材料の有価金属を容易に回収することができ、また、構成部材の再使用回数が増えるという効果を奏する。
成膜装置を用いてスパッタリング法等の各種成膜方法により薄膜を製造する場合、成膜室内は繰り返しの熱履歴を経る。そのため、本発明のＡｌ膜でコーティングされた防着板等の成膜室内に設けられた構成部材の表面も繰り返しの熱履歴を経る。従って、熱履歴を受ける前の溶射成膜時のＡｌ膜が、安定で取り取り扱いやすいと共に、成膜プロセスにおける熱履歴を経た後の不可避的な付着膜の付着したＡｌ溶射膜が、構成部材の基材から付着膜ごと容易に剥離できるような溶解性（活性）を有し、かつ安定であることが必要である。本発明に従って得られた水反応性Ａｌ膜の場合、そのような溶解性を十分に満足するものである。
上記成膜室内での熱履歴の上限温度は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等による成膜の場合、３００〜３５０℃程度であるので、一般に３００℃までの熱履歴を経たＡｌ膜が水反応性を有するものであれば実用上十分であり、好ましくは３５０℃までの熱履歴を経たＡｌ膜が水反応性を有するものであればさらに良い。以下説明するように、本発明における水反応性Ａｌ膜の場合、そのような溶解性を十分に満足するものである。
上記溶解性については、Ａｌ膜で覆われた基材を所定の温度（４０〜１３０℃、好ましくは８０〜１００℃）の温水に浸漬した際の液中の電流密度（本発明では、溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）と称す）で評価する。この測定方法は、サンプルの処理液浸漬前後の質量減少を測定し、表面積、浸漬処理時間等から電流密度の値に換算する方法である。この方法により測定された溶解電流密度が、５０ｍＡ／ｃｍ２以上あれば、成膜プロセスにおける熱履歴を経た後の不可避的な付着膜の付着したＡｌ膜が基材から付着膜ごと容易に剥離できる溶解性（活性）を有するものといえる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の製造方法により得られるＡｌ溶射膜は、Ａｌ中にＩｎが均一に高度に分散しているので、水、水蒸気、水溶液等のような水分の存在する雰囲気中で容易に反応して溶解する。本発明で用いるＡｌは、純度４Ｎ（９９．９９％）及び５Ｎ（９９．９９９％）である。４ＮＡｌ及び５ＮＡｌは、例えば電解法により得られた２Ｎ（９９％）Ａｌ、３Ｎ（９９．９％）Ａｌをさらに３層電解法によって、又は部分凝固法（偏析法）による凝固時の固相と液相との温度差を利用する方法等によって得られる。４ＮＡｌ及び５ＮＡｌ中の主な不純物は、Ｆｅ、Ｓｉであり、その他にＣｕ、Ｎｉ、Ｃ等が含まれている。
一般に、Ａｌ−Ｉｎ系においては、ＡｌとＩｎとの間の電気化学的電位差が非常に大きいが、Ａｌの自然酸化膜が存在すると、Ａｌのイオン化が進まない。しかし、一度自然酸化膜が破れ、Ｉｎと直接結合すると、その電位差がＡｌのイオン化を急激に促進させる。その際、Ｉｎは、化学的に変化することなく、そのままの状態でＡｌ結晶粒中に高度に分散して存在している。Ｉｎは、低融点（１５７℃）で、かつＡｌとは固溶体化しないので、ＡｌとＩｎとの密度差に注意を払いつつ、ＡｌとＩｎとを組成が均一になるように溶融せしめた材料をフレーム溶射法に従って基材に対して溶射すると、急冷凝固とその圧縮効果により所望の膜が得られる。
添加されたＩｎはフレーム溶射プロセスによってＡｌ結晶粒中に高度に分散し、Ａｌと直接接触した状態を保っている。ＩｎはＡｌと安定層を作らないので、Ａｌ／Ｉｎ界面は高いエネルギーを保持しており、水分の存在する雰囲気中では水分との接触面で激しく反応する。また、添加元素であるＩｎが高度な分散状態にあることに加えて、発生するＨ２気泡の膨張による機械的作用により、ＡｌＯＯＨを主体とする反応生成物は表面で皮膜化することなく微粉化して液中へ散り、溶解反応は次々に更新される反応界面で持続的、爆発的に進む。
上記のようなＡｌ−Ｉｎ系の挙動は、Ａｌ純度が高い程、すなわち、２Ｎ及び３Ｎの場合よりも４Ｎ及び５Ｎの場合に特に顕著である。
本発明によれば、Ａｌ溶射膜は、Ａｌ−Ｉｎからなる複合材料を用いて、フレーム溶射法に従って、所定の雰囲気中で被処理基材の表面に成膜することにより製造される。すなわち、４ＮＡｌ及びＩｎを用意し、このＡｌに対して、２〜５ｗｔ％のＩｎを配合し、Ａｌ中にＩｎを均一に溶解させて、ロッド又はワイヤ形状に加工し、これを溶射材料として用い、フレーム溶射法により、吹き付けガスとしてＡｒ又はＮ２を用いて、成膜装置の防着板等の成膜室用構成部材となる基材の表面に吹き付けて急冷凝固させ、被覆することにより所望の水反応性Ａｌ溶射膜を備えた基材を製造することができる。かくして得られた溶射膜は、Ａｌ結晶粒中にＩｎ結晶粒（粒径１０ｎｍ以下）が均一に高度に分散した状態で存在している膜である。
この場合、フレーム溶射プロセスは、好ましくは、ワイヤ送り速度１．５〜３．５ｃｍ／ｓｅｃ、また、吹き付けガス（Ａｒ又はＮ２）流量５００〜１１２０Ｌ／ｍｉｎで行われる。ワイヤ送り速度が遅いと（１．５ｃｍ／ｓｅｃ未満の速度）、液滴が小さくなるために酸化されやすくなり、また、ワイヤ送り速度が速いと（３．５ｃｍ／ｓｅｃを超える速度）、液滴が大きくなり、酸化され難くなり、得られたＡｌ溶射膜は完全には溶解され難くなる。吹き付けガス量が少ないと（５００Ｌ／ｍｉｎ未満の量）、溶射粒子速度が低下して酸化されやすくなり、また、吹き付けガス流量が多いと（１１２０Ｌ／ｍｉｎを超える量）、得られたＡｌ溶射膜の熱履歴温度が高い程溶解性が劣る。
上記４ＮＡｌ−Ｉｎ複合材料からなるＡｌ溶射膜は、フレーム溶射プロセスを経て形成された状態で活性が高く、水分が存在する雰囲気中での溶解性が良過ぎて取り取り扱い難い。しかし、この材料に所定量のＳｉを添加すると、得られるＡｌ溶射膜は活性が低下し、取り取り扱いが容易になると共に、熱履歴を経た後の膜は非常に活性になり、水分が存在する雰囲気中で高い溶解性（活性）を発現する。そのため、Ｉｎ及びＳｉの組成割合によっては、大気中、常温で粉化することがあり、その場合には、大気中の水分との反応を防止するために乾燥雰囲気中（真空雰囲気中でも良い）に保管することが好ましい。
以下、４ＮＡｌ−Ｉｎ−Ｓｉからなる水反応性Ａｌ膜を例にとり説明する。上記した本発明のフレーム溶射による水反応性Ａｌ膜の製造方法は、４ＮＡｌ−Ｉｎ−ＳｉからなるＡｌ溶射膜の製造にも適用できる。
例えば、４ＮＡｌ、Ｉｎ及びＳｉを用意し、このＡｌに対して、２〜５ｗｔ％のＩｎ、及び４ＮＡｌ中の不純物Ｓｉ量を勘案して、不純物Ｓｉ量との合計で０．０４〜０．６ｗｔ％、好ましくは０．０４〜０．２ｗｔ％となるような量のＳｉを配合し、Ａｌ中にＩｎ及びＳｉを均一溶解させて、ロッド又はワイヤ形状に加工した物を溶射材料として用い、フレーム溶射法により、吹き付けガスとしてＡｒやＮ２を用いて、成膜装置の防着板等の成膜室用構成部材となる基材の表面に吹き付けて急冷凝固させ、被覆することにより所望の水反応性Ａｌ溶射膜を備えた基材を製造することができる。かくして得られた溶射膜は、上記したように、Ａｌ結晶粒中にＩｎが均一に高度に分散した状態で存在している膜である。
上記のようにしてＡｌ−Ｉｎ系に所定量のＳｉを添加して得られたＡｌ溶射膜の場合、溶射により形成したままで活性度、すなわち溶解性をコントロールすることが出来るので、雰囲気中の水分との反応によるＡｌ溶射膜の溶解を防止することが可能となり、取り取り扱いやすくなる。また、成膜室内の熱履歴による温度の上限が３００℃程度である場合には、０．０４〜０．６ｗｔ％、好ましくは０．０５〜０．５ｗｔ％のＳｉを添加したＡｌ複合材料を用いてＡｌ膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られ、熱履歴による温度の上限が３５０℃程度と高い場合には、０．０４〜０．２ｗｔ％、好ましくは０．０５〜０．１ｗｔ％のＳｉを添加したＡｌ複合材料を用いてＡｌ膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られる。
また、上記４ＮＡｌ−Ｉｎにおいて、Ｉｎの代わりにＢｉを添加した場合、４ＮＡｌ−Ｂｉ複合材料からなるＡｌ溶射膜は、溶射プロセスを経て形成された状態で活性が非常に高く、水分が存在する雰囲気中での溶解性が良過ぎて取り扱い難い。しかも、熱履歴を経た後の膜の反応性（溶解性）の低下は少ない。しかし、この４ＮＡｌ−Ｂｉ複合材料に所定量のＳｉを添加すると、得られるＡｌ溶射膜は活性が低下し、取り扱いが容易になると共に、熱履歴を経た後の溶射膜は非常に活性になり、水分が存在する雰囲気中で高い溶解性（活性）を発現する。
上記した本発明のＡｒ、Ｎ２雰囲気中でのフレーム溶射による水反応性Ａｌ膜の製造方法は、４ＮＡｌ−Ｂｉ−ＳｉからなるＡｌ溶射膜にも適用できる。かくして得られた溶射膜は、上記したように、Ａｌ結晶粒中にＢｉが均一に高度に分散した状態で存在している膜である。
例えば、４ＮＡｌ、Ｂｉ及びＳｉを用意し、このＡｌに対して、０．８〜１．４ｗｔ％のＢｉ、及び４ＮＡｌ中の不純物Ｓｉ量を勘案して、不純物Ｓｉ量との合計で０．２５〜０．７ｗｔ％となる量のＳｉを配合し、Ａｌ中にＢｉ及びＳｉを均一に溶解させて、ロッド又はワイヤ形状に加工した物を溶射材料として用い、フレーム溶射法により、吹き付けガスとしてＡｒやＮ２を用い、成膜装置の防着板等の成膜室用構成部材となる基材の表面に吹き付けて急冷凝固させ、被覆することにより所望の水反応性Ａｌ溶射膜を備えた基材を製造することができる。かくして得られた溶射膜は、Ａｌ結晶粒中にＢｉが均一に高度に分散した状態で存在している膜である。
上記したように、Ａｌ−Ｂｉ系に所定量のＳｉを添加してなるＡｌ複合材料からなるＡｌ溶射膜の場合、溶射により形成したままで溶解性をコントロールすることが出来るので、大気雰囲気中の水分との反応による溶射膜の溶解を防止することが可能となり、取り扱いやすくなる。また、このＡｌ溶射膜は、熱履歴を経るとＳｉ添加量の増加及び熱履歴による温度の上昇と共に活性度が上昇し、溶解性が高くなり、特に２５０℃以上の熱履歴を受けると、大気中に２〜３時間放置するだけで粉化する。ただし、０．８ｗｔ％以上のＳｉを添加すると、溶解性はなくなる。
また、Ａｌ中に存在する不純物Ｃｕの量は、熱履歴を経た後のＡｌ溶射膜の溶解性に与える影響が大きい。Ｃｕ含量が多いと、すなわち４０ｐｐｍを超えると、高温の熱履歴を経た後のＡｌ溶射膜の溶解性は劣り、付着膜の剥離処理の際に水の温度を高くしても剥離し難くなる。また、Ｃｕ含量が３０〜４０ｐｐｍの範囲だと、付着膜の剥離処理のための水の温度を高くする必要があり（例えば、１００℃以上）、３０ｐｐｍ以下であれば、低温（例えば、８０℃以下）の水でＡｌ膜は十分に溶解でき、付着膜を剥離できる。さらに、Ｃｕ含量が１０ｐｐｍ以下であれば、高温（３００〜３５０℃程度）の熱履歴を経たＡｌ溶射膜の溶解性はさらに優れている。
上記した本発明のフレーム溶射による水反応性Ａｌ膜の製造方法は、所定の不純物Ｃｕ量を有する４ＮＡｌ又は５ＮＡｌを用いるＡｌ−Ｉｎ（及び／又はＢｉ）、及びＡｌ−Ｉｎ（及び／又はＢｉ）−ＳｉからなるＡｌ溶射膜の製造にも適用できる。これらのＡｌ溶射膜は、例えば次のようにして製造される。
すなわち、Ａｌ中に存在する不純物Ｃｕ量が４０ｐｐｍ以下、好ましくは３０ｐｐｍ、より好ましくは１０ｐｐｍ以下である４ＮＡｌ又は５ＮＡｌに、Ａｌ基準で、２〜５ｗｔ％のＩｎ及び０．７〜１．４ｗｔ％のＢｉから選ばれた少なくとも一種の金属を添加した材料を組成が均一になるように溶解させて、ロッド又はワイヤ形状に加工した物を溶射材料として用い、フレーム溶射法により、吹き付けガスとしてＡｒやＮ２を用いて、成膜装置の防着板等の成膜室用構成部材となる基材の表面に吹き付けて急冷凝固させ、被覆することにより所望の水反応性Ａｌ溶射膜を備えた基材を製造することができる。かくして得られた溶射膜は、上記したように、Ａｌ結晶粒中にＩｎ（及び／又はＢｉ）が高度に分散した状態で存在している溶射膜である。この場合、材料として、さらに、Ａｌ中に存在する不純物Ｓｉ量との合計でＡｌ−Ｉｎの場合０．０４〜０．６ｗｔ％、Ａｌ−Ｂｉの場合０．２５〜０．７ｗｔ％となる量のＳｉを添加してなる材料を用いても良い。
Ｉｎ及びＢｉから選ばれた少なくとも一種の金属の添加量がそれぞれの下限未満であると、水との反応性が低下し、上限を超えると、水との反応性が非常に高くなり、大気中の水分と反応してしまう場合がある。また、Ｓｉが下限未満であると、水との反応性の制御効果が低下し、上限を超えると、水との反応性そのものが低下する。
上記したように、Ａｌ溶射膜で被覆された基材を温水中に浸漬し、又は水蒸気を吹きつけると、例えば所定の温度の温水中に浸漬した場合、浸漬直後から反応が始まって、水素ガスが発生し、さらに反応が進むと析出したＩｎ等により水が黒色化し、最終的に、溶射膜は全て溶解し、温水中にはＡｌとＩｎ等が沈殿として残る。この反応は、水温が高いほど激しく進行する。
上記したように、成膜装置の成膜室内に設けられる防着板やシャッター等の成膜室用構成部材として、その表面を上記水反応性Ａｌ膜で覆ったものを使用すれば、所定の回数の成膜プロセス後に、成膜材料が不可避的に付着した成膜室用構成部材からこの付着膜を簡単に剥離し、有価金属を容易に回収することができる。
この場合、剥離液として、化学薬品を用いることなく、単に純水等の水や水蒸気や水溶液を用いるため、防着板等の成膜室用構成部材の溶解による損傷を回避することができ、これらの再利用回数が薬品を使用する場合と比べて飛躍的に増加する。また、薬品を使用しないため、処理コストの大幅削減や環境保全にもつながる。さらに、防着板等の成膜室用構成部材に付着する多くの成膜材料は水に溶解しないので、成膜材料と同じ組成のものが同じ形態のままの固体として回収できるというメリットもある。さらにまた、回収コストが劇的に下がるのみならず、回収工程も簡素化されるので、回収可能材料の範囲が広がるというメリットもある。例えば、成膜材料が貴金属やレアメタルのように高価な金属である場合、本発明の水反応性Ａｌ複合材料からなる溶射膜を防着板等の成膜室用構成部材に適用しておけば、成膜中に不可避的に付着した膜を有する成膜室用構成部材を水中に浸漬し或いは水蒸気を吹き付けることによって、成膜材料からなる付着膜を剥離できるので、汚染を伴わずに、貴金属やレアメタル等の回収が可能である。回収コストが安価であると共に、成膜材料を高品質のまま回収できる。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
Ａｌとして３ＮＡｌ、４ＮＡｌ及び５ＮＡｌを用い、以下のＡｌ−Ｉｎ組成におけるＡｌ純度とＩｎ濃度と得られた溶射膜の溶解性との関係を比較検討した。Ｉｎの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・３ＮＡｌ−２ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ−４ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ−２ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ−４ｗｔ％Ｉｎ
・５ＮＡｌ−１．５ｗｔ％Ｉｎ
・５ＮＡｌ−２．５ｗｔ％Ｉｎ
・５ＮＡｌ−３．５ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ−４ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ−２ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ−４ｗｔ％Ｉｎ
・５ＮＡｌ−１．５ｗｔ％Ｉｎ
・５ＮＡｌ−２．５ｗｔ％Ｉｎ
・５ＮＡｌ−３．５ｗｔ％Ｉｎ
ＡｌとＩｎとを、上記の割合で配合し、Ａｌ中にＩｎを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射（熱源：Ｃ２Ｈ２−Ｏ２ガス、約３０００℃、ワイヤ送り速度：２ｃｍ／ｓｅｃ、）によって、吹き付けガスとしてＡｒ（吹き付けガス流量：８００Ｌ／ｍｉｎ）を用い、アルミニウムからなる基材の表面に吹き付けて溶射膜を形成した。かくして得られた各溶射膜に対して、成膜プロセスから受ける熱履歴の代わりに０〜３５０℃の熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後の溶射膜付基材を８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、図１に示す。図１において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図１から明らかなように、純度４Ｎ及び５ＮのＡｌを用いた場合、３ＮＡｌを用いた場合よりも高い溶解性を示すと共に、各純度のＡｌにおいてＩｎ濃度が高い方（２ｗｔ％以上）が高い溶解性を示す傾向が見られた。このため、純度４Ｎ以上のＡｌを用い、Ｉｎ添加量２ｗｔ％以上のＡｌ−Ｉｎの場合に、Ａｌ溶射膜の溶解性は良好であった。しかしながら、５ＮＡｌを用いた場合、得られた溶射膜の活性が高過ぎ、溶解性は良好であるが、取り扱いにくい。
Ａｌとして３ＮＡｌ及び４ＮＡｌを用い、以下のＡｌ−Ｉｎ組成におけるフレーム溶射法での吹き付けガス種と得られた溶射膜の溶解性との関係を比較検討した。Ｉｎの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・３ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ａｒ）
・３ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ｎ２）
・３ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ａｉｒ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ｎ２）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ａｉｒ）
・３ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ｎ２）
・３ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ａｉｒ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ｎ２）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ａｉｒ）
ＡｌとＩｎとを、上記の割合で配合し、Ａｌ中にＩｎを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射（熱源：Ｃ２Ｈ２−Ｏ２ガス、約３０００℃、ワイヤ送り速度：１．５〜３．５ｃｍ／ｓｅｃ、）によって、アルミニウムからなる基材の表面に上記各種ガス（吹き付けガス流量：５００〜１１２０Ｌ／ｍｉｎ）を用いて吹き付けて溶射膜を形成した。かくして得られた各溶射膜に対して、成膜プロセスから受ける熱履歴の代わりに０〜３５０℃の熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後の溶射膜付基材を６０℃又は８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、図２に示す。図２において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図２から明らかなように、４ＮＡｌを用いた場合と３ＮＡｌを用いた場合とを比較すると、いずれの吹き付けガス種においても、４ＮＡｌを用いた方がより高い溶解性を示すことが分かった。吹き付けガス種としてＡｒ及びＮ２を用いた場合は、ほぼ同程度の溶解性を示し、また、熱処理温度３００〜３５０℃においては、吹き付けガス種としてＡｉｒを用いた場合よりは高い溶解性を示した。
また、上記したガス流量、ワイヤ送り速度及びＡｌ溶射膜の熱処理温度がＡｌ溶射膜の溶解性に及ぼす影響を検討し、図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す。図３（ａ）において、横軸はワイヤ送り速度（ｃｍ／ｓｅｃ）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）であり、図３（ｂ）において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）であり、そして図３（ｃ）において、横軸はガス（エア）流量（Ｌ／ｍｉｎ）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
上記熱処理を経た後の、溶解性の良好な溶射膜（４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ｎ２））で被覆された基材を８０℃の温水中に浸漬した場合、浸漬直後から反応が始まって、水素ガスが激しく発生し、さらに反応が進むと析出したＩｎなどにより水が黒色化し、最終的にこの溶射膜は、水との反応により基材に付着していることができなくなって、溶解しながら剥離してくることが分かった。また、処理液温度６０℃での溶解性は良くなかった。
実施例１で得られた４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ（吹き付けガス：Ｎ２）溶射膜（膜厚２００μｍ）で表面が被覆された防着板を設けたスパッタリング装置を用いて白金（Ｐｔ）成膜を３０サイクル実施した後、このＰｔの付着した防着板を取り外し、８０℃の温水により処理したところ、３０分で溶射膜が溶解し、図４に示すように、Ｐｔの付着膜が防着板から剥離した。このため、成膜材料であるＰｔを容易に回収できた。この際、温水中にはＩｎの他にＡｌＯＯＨが沈殿していた。
本実施例では、得られたＡｌ溶射膜の活性（溶解性）をコントロールするためにＳｉを添加した例を示す。
４ＮＡｌを用い、Ｉｎ及びＳｉを添加（不純物Ｓｉ量との合計量）したＡｌ−Ｉｎ−Ｓｉ組成におけるＡｌ純度と、Ｓｉ添加量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｉｎ及びＳｉの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・４ＮＡｌ（不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．０５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：９０ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．２ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−２．６ｗｔ％Ｉｎ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．０５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：９０ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．２ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−２．６ｗｔ％Ｉｎ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
Ａｌ、Ｉｎ及びＳｉを上記の割合で配合し、Ａｌ中にＩｎ及びＳｉを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射（熱源：Ｃ２Ｈ２−Ｏ２ガス、約３０００℃、ワイヤ送り速度：２ｃｍ／ｓｅｃ、）によって、アルミニウムからなる基材の表面にＡｒガスを吹き付けて（吹き付けガス流量：８００Ｌ／ｍｉｎ）、溶射膜を形成した。かくして得られた各溶射膜に対して、成膜プロセスから受ける熱履歴の代わりに０〜４００℃の熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後（熱履歴を経た後）の溶射膜付基材を８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、図５示す。図５において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図５から明らかなように、所定量のＳｉを添加することにより、溶射により形成したままで、熱処理を受ける前の溶射膜の活性度、すなわち溶解性をコントロールすることが出来るので、雰囲気中の水分との反応による溶射膜の溶解を防止することが可能となる。また、成膜室内の熱履歴による温度の上限が３００℃程度である場合には、０．０４〜０．６ｗｔ％、好ましくは０．０５〜０．５ｗｔ％のＳｉを添加したＡｌ複合材料を用いてＡｌ溶射膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られ、熱履歴による温度の上限が３５０℃程度と高い場合には、０．０４〜０．２ｗｔ％、好ましくは０．０５〜０．１ｗｔ％のＳｉを添加したＡｌ複合材料を用いてＡｌ溶射膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られる。
上記熱処理を経た後の、溶解性の良好な溶射膜（４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ）で被覆された基材を８０℃の温水中に浸漬した場合、浸漬直後から反応が始まって、水素ガスが激しく発生し、さらに反応が進むと析出したＩｎなどにより水が黒色化し、最終的にこの溶射膜は、水との反応により基材に付着していることができなくなって、溶解しながら剥離してくることが分かった。
４ＮＡｌ及び５ＮＡｌを用い、Ｉｎ及びＳｉを添加（不純物Ｓｉ量との合計量）したＡｌ−Ｉｎ−Ｓｉ組成におけるＡｌ純度と、Ｓｉ添加量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｉｎ及びＳｉの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・４ＮＡｌ−２ｗｔ％Ｉｎ−０．０５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：９０ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−４ｗｔ％Ｉｎ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・５ＮＡｌ−１．５ｗｔ％Ｉｎ−０．０５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・５ＮＡｌ−２．６ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・５ＮＡｌ−３．５ｗｔ％Ｉｎ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−４ｗｔ％Ｉｎ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・５ＮＡｌ−１．５ｗｔ％Ｉｎ−０．０５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・５ＮＡｌ−２．６ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・５ＮＡｌ−３．５ｗｔ％Ｉｎ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
Ａｌ、Ｉｎ及びＳｉを上記の割合で配合し、実施例４と同様にして溶射膜を形成した（吹き付けガス：Ａｒ）。かくして得られた各溶射膜に対して、実施例４と同様に熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後（熱履歴を経た後）の溶射膜付基材を８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。
その結果、実施例４と同様の傾向が得られた。所定量のＳｉを添加することにより、溶射により形成したままで、熱処理を受ける前の溶射膜の活性度、すなわち溶解性をコントロールすることが出来た。また、熱処理温度の上限が３００℃程度である場合、Ｉｎ添加量が２ｗｔ％以上で、０．０４〜０．６ｗｔ％のＳｉを添加したＡｌ複合材料を用いてＡｌ溶射膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られ、熱処理温度の上限が３５０℃程度と高い場合、Ｉｎ添加量が２ｗｔ％以上で、０．０４〜０．２ｗｔ％のＳｉを添加したＡｌ複合材料を用いてＡｌ溶射膜を形成すれば、実用的な溶解性が得られることがわかった。
実施例４で得られた４ＮＡｌ−３ｗｔ％Ｉｎ−０．１ｗｔ％Ｓｉ溶射膜（膜厚２００μｍ）で表面が被覆された防着板を設けたスパッタリング装置を用いて、実施例３の記載に従って成膜プロセスを実施し、付着膜の剥離試験を行った。実施例３と同様に、溶射膜が溶解し、Ｐｔの付着膜が防着板から剥離した。
（参考例１）
Ａｌとして２ＮＡｌ及び４ＮＡｌを用い、以下のＡｌ−Ｂｉ組成におけるＡｌ純度とＢｉ濃度と得られた溶射膜の溶解性との関係を比較検討した。Ｂｉの添加量は、Ａｌ重量基準である。
Ａｌとして２ＮＡｌ及び４ＮＡｌを用い、以下のＡｌ−Ｂｉ組成におけるＡｌ純度とＢｉ濃度と得られた溶射膜の溶解性との関係を比較検討した。Ｂｉの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・ ２ＮＡｌ−０．２ｗｔ％Ｂｉ
・ ２ＮＡｌ−０．５ｗｔ％Ｂｉ
・ ２ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ
・ ４ＮＡｌ−０．２ｗｔ％Ｂｉ
・ ４ＮＡｌ−０．５ｗｔ％Ｂｉ
・ ４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ
・ ２ＮＡｌ−０．５ｗｔ％Ｂｉ
・ ２ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ
・ ４ＮＡｌ−０．２ｗｔ％Ｂｉ
・ ４ＮＡｌ−０．５ｗｔ％Ｂｉ
・ ４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ
ＡｌとＢｉとを、上記の割合で配合し、Ａｌ中にＢｉを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射（熱源：Ｃ２Ｈ２−Ｏ２ガス、約３０００℃、ワイヤ送り速度：２ｃｍ／ｓｅｃ）によって、吹き付けガスとしてＡｒ（吹き付けガス流量：８００Ｌ／ｍｉｎ）を用い、アルミニウムからなる基材の表面に吹き付けて溶射膜を形成した。かくして得られた各溶射膜に対して、０〜４００℃の熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後の溶射膜付基材を８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、図６に示す。図６において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図６から明らかなように、２ＮＡｌを用いた場合には溶解性はほとんど無く、４ＮＡｌを用いた場合には極めて高い溶解性を示した。各純度のＡｌにおいてＢｉ濃度が高い方が高い溶解性を示す傾向が見られた。このため、純度４Ｎ以上のＡｌを用いた場合に、Ａｌ溶射膜の溶解性は良好であった。しかしながら、４ＮＡｌを用いた場合、得られた膜の活性が高過ぎ、大気中に常温で２〜３時間放置するとＡｌ溶射膜の粉化現象が起こるため、熱処理を経た後のＡｌ溶射膜付の基材は乾燥雰囲気（真空雰囲気でも良い）中に保管することが必要であった。そのために、実用上、その活性（溶解性）をコントロールして取り扱いやすくすることが必要であった。
また、上記４ＮＡｌ−１ｗｔ％ＢｉからなるＡｌ溶射膜の溶解性について、浸漬する水の温度を、４０℃、６０℃及び８０℃に変えて、上記と同様にＡｌ膜の溶解性を検討した。その結果を図７に示す。図７において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図７から明らかなように、処理液温度が高いほど、溶解性は高く、３００℃以上の熱処理を経ても、溶解性はほとんど低下しないことが分かる。
（参考例２）
参考例１の結果に鑑み、４ＮＡｌを用い、Ｂｉ及びＳｉを添加（不純物Ｓｉ量との合計量）したＡｌ−Ｂｉ−Ｓｉ組成におけるＢｉ添加量と、Ｓｉ添加量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｂｉ及びＳｉの添加量は、Ａｌ重量基準である。
参考例１の結果に鑑み、４ＮＡｌを用い、Ｂｉ及びＳｉを添加（不純物Ｓｉ量との合計量）したＡｌ−Ｂｉ−Ｓｉ組成におけるＢｉ添加量と、Ｓｉ添加量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｂｉ及びＳｉの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ（不純物Ｓｉ：９０ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．２５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：９０ｐｍ）
・４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−１．４ｗｔ％Ｂｉ−０．７ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．８５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．２５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：９０ｐｍ）
・４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−１．４ｗｔ％Ｂｉ−０．７ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
・４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．８５ｗｔ％Ｓｉ（このうち、不純物Ｓｉ：１００ｐｐｍ）
Ａｌ、Ｂｉ及びＳｉを上記の割合で配合し、Ａｌ中にＢｉ及びＳｉを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射（熱源：Ｃ２Ｈ２−Ｏ２ガス、約３０００℃、ワイヤ送り速度：２ｃｍ／ｓｅｃ）によって、吹き付けガスとしてＮ２（吹き付けガス流量：８００Ｌ／ｍｉｎ）を用い、アルミニウム製基材の表面に吹き付けて溶射膜を形成した。かくして得られた各溶射膜に対して、０〜３５０℃の熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後（熱履歴を経た後）の溶射膜付基材を８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、図８に示す。図８において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図８から明らかなように、所定量（０．２５〜０．７ｗｔ％）のＳｉを添加することにより、溶射により形成したままで、熱処理を受ける前のＡｌ溶射膜の活性度、すなわち溶解性をコントロールすることが出来るので、雰囲気中の水分との反応によるＡｌ溶射膜の溶解を防止することが可能となる。また、熱処理を経たＡｌ溶射膜は、Ｓｉ添加量の増加及び熱処理温度の増加と共に、活性度が上昇し、溶解性は高くなる傾向があるが、０．８５ｗｔ％のＳｉを添加すると、溶解性はなくなる。なお、０．２５〜０．７ｗｔ％のＳｉを添加したＡｌ溶射膜の場合、２５０℃での熱処理を経たＡｌ溶射膜は大気中に常温で放置すると２〜３時間で粉化した。
Ａｌ−Ｂｉ−Ｓｉ複合材料からなるＡｌ溶射膜の場合、熱処理温度が３５０℃を超えた場合でも、溶解性は低下することなく上昇する傾向が見られた。
上記熱処理を経た後の、溶解性の良好な溶射膜（４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．５ｗｔ％Ｓｉ）で被覆された基材を８０℃の温水中に浸漬した場合、浸漬直後から反応が始まって、水素ガスが激しく発生し、さらに反応が進むと析出したＢｉなどにより水が黒色化し、最終的にこの溶射膜は、水との反応によって基材に付着していることができなくなって、溶解しながら剥離してくることが分かった。
（参考例３）
参考例２で得られた４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．５ｗｔ％Ｓｉ溶射膜（膜厚２００μｍ）で表面が被覆された防着板を設けたスパッタリング装置を用いて白金（Ｐｔ）成膜を３０サイクル実施した後、このＰｔの付着した防着板を取り外し、８０℃の温水により処理したところ、２０分で溶射膜が溶解し、Ｐｔの付着膜が防着板から剥離した。このため、成膜材料であるＰｔを容易に回収できた。この際、温水中にはＢｉの他にＡｌＯＯＨが沈殿していた。
参考例２で得られた４ＮＡｌ−１ｗｔ％Ｂｉ−０．５ｗｔ％Ｓｉ溶射膜（膜厚２００μｍ）で表面が被覆された防着板を設けたスパッタリング装置を用いて白金（Ｐｔ）成膜を３０サイクル実施した後、このＰｔの付着した防着板を取り外し、８０℃の温水により処理したところ、２０分で溶射膜が溶解し、Ｐｔの付着膜が防着板から剥離した。このため、成膜材料であるＰｔを容易に回収できた。この際、温水中にはＢｉの他にＡｌＯＯＨが沈殿していた。
（参考例４）
２ＮＡｌ、３ＮＡｌ及び４ＮＡｌを用い、Ｉｎを添加したＡｌ−Ｉｎ組成におけるＡｌ純度と、Ａｌ中の不純物Ｃｕ量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｉｎの添加量は、Ａｌ重量基準である。
２ＮＡｌ、３ＮＡｌ及び４ＮＡｌを用い、Ｉｎを添加したＡｌ−Ｉｎ組成におけるＡｌ純度と、Ａｌ中の不純物Ｃｕ量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｉｎの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・２ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：＜４００ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：７０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：検出限界以下）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：検出限界以下）−３ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：７０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・３ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：検出限界以下）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：検出限界以下）−３ｗｔ％Ｉｎ
Ａｌ及びＩｎを上記の割合で配合し、Ａｌ中にＩｎを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射（熱源：Ｃ２Ｈ２−Ｏ２ガス、約３０００℃、ワイヤ送り速度：２ｃｍ／ｓｅｃ）によって、吹き付けガスとしてＡｒ（吹き付けガス流量：８００Ｌ／ｍｉｎ）を用い、アルミニウム製基材の表面に溶射膜を形成した。かくして得られた各溶射膜に対して、０〜３５０℃の熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後（熱履歴を経た後）の溶射膜付基材を８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を、図９に示す。図９において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図９から明らかなように、２ＮＡｌ〜４ＮＡｌのＡｌ溶射膜の溶解性は、良好な範囲に入っている。４ＮＡｌであって不純物Ｃｕの量が検出限界以下である場合のＡｌ溶射膜に対する溶解度は、２ＮＡｌ及び３ＮＡｌの場合と比べて高い。３ＮＡｌ及び４ＮＡｌであって、不純物Ｃｕの量が検出限界以下である場合には、熱処理温度３５０℃で溶解電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２以上あり、溶解可能である。しかし、２ＮＡｌ及び３ＮＡｌであって不純物Ｃｕの量が７０ｐｐｍ以上である場合には、３５０℃の熱処理を経た溶射膜は十分な溶解性がなかった。この場合、処理液温度を１００℃にしても溶解できなかった。
（参考例５）
本参考例では、４ＮＡｌを用い、Ｉｎを添加したＡｌ−Ｉｎ組成における不純物Ｃｕの量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｉｎの添加量は、Ａｌ重量基準である。
本参考例では、４ＮＡｌを用い、Ｉｎを添加したＡｌ−Ｉｎ組成における不純物Ｃｕの量と、得られた溶射膜の溶解性との関係を検討した。Ｉｎの添加量は、Ａｌ重量基準である。
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：検出限界以下）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：＜１０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：４０ｐｐｍ）−２．５ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：４０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：１０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：２０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：３０ｐｐｍ）−２．５ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：＜１０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：４０ｐｐｍ）−２．５ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：４０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：１０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：２０ｐｐｍ）−３ｗｔ％Ｉｎ
・４ＮＡｌ（不純物Ｃｕ：３０ｐｐｍ）−２．５ｗｔ％Ｉｎ
Ａｌ及びＩｎを上記の割合で配合し、Ａｌ中にＩｎを均一に溶解させてロッド形状に加工した溶射材料を用い、溶棒式フレーム溶射（熱源：Ｃ２Ｈ２−Ｏ２ガス、約３０００℃℃、ワイヤ送り速度：２ｃｍ／ｓｅｃ）によって、吹き付けガスとしてＡｒ（吹き付けガス流量：８００Ｌ／ｍｉｎ）を用い、アルミニウム製基材の表面に吹き付けて溶射膜を形成した。かくして得られた各溶射膜に対して、０〜３５０℃の熱処理（大気中、１時間、炉冷）を施した。熱処理を受ける前の状態（０℃）の溶射膜付基材及び熱処理を経た後（熱履歴を経た後）の溶射膜付基材を８０℃の純水３００ｍｌ中に浸漬し、各溶射膜の溶解性を浸漬液の電流密度を測定して検討した。得られた結果を図１０に示す。図１０において、横軸は熱処理温度（℃）であり、縦軸は溶解電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）である。
図１０から明らかなように、４ＮＡｌのＡｌ溶射膜の溶解性は、溶解電流密度が十分高く、溶解可能な範囲に入っている。不純物Ｃｕの量が４０ｐｐｍ未満の場合は、熱処理温度３００〜３５０℃で溶解電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２以上あり、溶解可能である。不純物Ｃｕの量が４０ｐｐｍである場合のＡｌ溶射膜では、３５０℃の熱処理を経た膜は十分に溶解出来なかったが、３００℃の熱処理を経た膜は、その溶解電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２以上あり、十分に溶解出来た。なお、処理液温度を１００℃にして処理した場合には、３５０℃の熱処理を経た膜も溶解できた。
本発明によれば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等で金属又は金属化合物の薄膜を形成するための真空成膜装置内の成膜室用構成部材の表面が水反応性Ａｌ膜で被覆されるので、成膜プロセス中にこの成膜室用構成部材の表面上に付着した不可避的付着膜を、水分の存在する雰囲気中で剥離し、回収することができる。従って、本発明は、これらの成膜装置を使用する分野、例えば半導体素子や電子関連機器等の技術分野において、成膜室用構成部材の再利用回数を増加させ、有価金属を含んでいる成膜材料を回収するために利用可能である。
Claims (4)
- ４ＮＡｌ又は５ＮＡｌに、Ａｌ基準で、２〜５ｗｔ％のＩｎを添加した材料を組成が均一になるように溶融し、この溶融材料を、フレーム溶射法により基材表面に対して溶射して急冷凝固させることにより、Ａｌ結晶粒中にＩｎが均一に分散してなるＡｌ膜であって、このＡｌ膜に、成膜装置内で実施される成膜プロセスによる上限温度が３００〜３５０℃の熱履歴を受けさせた後、４０〜１３０℃の温水に浸漬して溶解した際の溶解電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２以上であるＡｌ膜を形成することを特徴とする水反応性Ａｌ膜の製造方法。
- ４ＮＡｌ又は５ＮＡｌに、Ａｌ基準で、２〜５ｗｔ％のＩｎ、及びＡｌ中の不純物Ｓｉ量を勘案して、不純物Ｓｉ量との合計で０．０４〜０．６ｗｔ％となる量のＳｉを添加した材料を組成が均一になるように溶融し、この溶融材料を、フレーム溶射法により基材表面に対して溶射し、急冷凝固させることにより、Ａｌ結晶粒中にＩｎが均一に分散してなるＡｌ膜を形成することを特徴とする水反応性Ａｌ膜の製造方法。
- 請求項１又は２記載の方法により製造された水反応性Ａｌ膜を表面に備えたことを特徴とする成膜装置の成膜室用構成部材。
- 前記構成部材が、防着板、シャッター又はマスクであることを特徴とする請求項３記載の成膜室用構成部材。
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