JP5365647B2 - 高周波モジュールの製造方法および高周波モジュール - Google Patents
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Description
グランド電位と導通するビア導体を備えた個基板の部品実装面に電子部品が実装され、前記部品実装面が前記電子部品とともに絶縁性材料からなる封止層により封止され、かつ、前記封止層を覆うとともに上記ビア導体と導通するようにシールド導電層が配設された構造を有する高周波モジュールの製造方法であって、
それぞれが周縁部にグランド電位と導通するビア導体を備えた複数の個基板がマトリックス状に連設された集合基板を準備する工程と、
前記集合基板の部品実装面上に所定の電子部品を実装する工程と、
前記集合基板の前記部品実装面と前記電子部品を、絶縁性材料からなる封止層により封止する工程と、
前記封止層が配設された前記集合基板を、前記封止層が形成された面側から切削することにより、前記封止層を貫通して分断し、さらに、前記集合基板の厚み方向の途中にまで達するハーフカット溝を形成して、前記ハーフカット溝の底面のみに、前記ビア導体を露出させる工程と、
前記封止層を覆うとともに、前記ハーフカット溝の底面に露出した前記ビア導体と導通するようにシールド導電層を形成する工程と、
前記集合基板をカットすることにより、それぞれが、前記ビア導体を備え、前記シールド導電層が前記ビア導体を介してグランド電位と導通する個々の個基板であって、前記ビア導体が該個基板の側面から露出していない個基板に分割する工程と
を備えていることを特徴としている。
部品実装面に電子部品が実装され、周縁部が前記部品実装面より標高の低い段差部とされた基板と、
前記基板の底面に配設され、グランド電位にある外部電極と、
絶縁性材料からなり、前記電子部品を前記部品実装面とともに封止する封止層と、
前記封止層を覆うシールド導電層と、
前記シールド導電層と前記外部電極とが導通するように、前記基板の周縁部の前記段差部を貫通し、かつ、前記基板の側面から露出しないように形成されたビア導体と
を備え、
前記ビア導体は、前記基板の前記段差部の表面に露出している端面のみで前記シールド導電層と接続されていること
を特徴としている。
また、集合基板を貫通してビア導体を形成することにより、ビア導体を個基板に強固に固定することが可能になる。
さらに、個基板の底面に、ビア導体と接続する外部電極を形成することにより、この外部電極をグランド電位にすることが可能になり、構成の自由度を向上させることができる。
なお、この高周波モジュールは、本発明の請求項2の方法を適用することにより製造することができる。
(1)まず、図2(a),(b)に示すように、それぞれが周縁部にビア導体1、すなわち、グランド電位(グランド電極G)と導通するビア導体1、外部電極13を備えた複数の個基板10がマトリックス状に連設された集合基板20を準備する。なお、図2(a)は、図1の高周波モジュールの製造に用いられる集合基板20に電子部品11,12を実装した状態を示す図であり、(b)は(a)の集合基板の部品実装面を封止層により封止した状態を示す正面断面図である。
ただし、本発明においては、ビア導体1を、各個基板10に分割される集合基板20を貫通しないような態様で、集合基板20の内部に配設することも可能である。
なお、本発明において、実装する電子部品の種類に特別の制約はなく、高周波モジュールを構成するのに必要な種々の電子部品を実装することができる。
(a)電子部品11,12の実装、
(b)集合基板20の部品実装面と該部品実装面上に実装された電子部品11,12を封止する封止層30の形成、
(c)封止層30が形成された面側からハーフカットを行うことによる、底面にビア導体1aが露出したハーフカット溝40の形成(図7参照)、
(d)シールド導電層50の形成(図8参照)、
(e)集合基板20をカットすることによる個々の個基板10への分割(図9参照)
の各工程を経て、1つのビア導体1aが前記(e)の工程で分割されることにより、図10に示すように、隣り合う一対の個基板10のそれぞれに位置するビア導体1となり、シールド導電層50が、このビア導体1を介してグランド電極Gと導通した構造を有する高周波モジュールMを得た。
なお、ハーフカット溝40を形成した後に、シールド導電層50を形成し、その後に集合基板20をカットするようにしているので、集合基板20をカットする工程で一つのビア導体1aを2つに分割する際にも、分割されたビア導体1が脱落するおそれはない。
この高周波モジュールMは、上述の外部電極13を、特に図示しないグランド電極と接続される電極とし、この外部電極13をビア導体1の下端面に直接接続するように配設した構造を有している。その他の構成は、上述の実施例1の方法で製造した、図1に示す高周波モジュールMと同一であり、図15において、図1と同一符号を付した部分は同一部分を示している。
なお、この実施例5の高周波モジュールは、例えば、上記実施例1の方法を適用し、外部電極の配設位置を調整することにより、効率よく製造することができる。
1a 分割される前のビア導体
10 個基板
11,12 電子部品
13 外部電極
20 集合基板
30 封止層
40 ハーフカット溝
40a ハーフカット溝の底面
50 シールド導電層
G グランド電位(グランド電極)
M 高周波モジュール
S カットライン(基準位置)
Claims (3)
- グランド電位と導通するビア導体を備えた個基板の部品実装面に電子部品が実装され、前記部品実装面が前記電子部品とともに絶縁性材料からなる封止層により封止され、かつ、前記封止層を覆うとともに上記ビア導体と導通するようにシールド導電層が配設された構造を有する高周波モジュールの製造方法であって、
それぞれが周縁部にグランド電位と導通するビア導体を備えた複数の個基板がマトリックス状に連設された集合基板を準備する工程と、
前記集合基板の部品実装面上に所定の電子部品を実装する工程と、
前記集合基板の前記部品実装面と前記電子部品を、絶縁性材料からなる封止層により封止する工程と、
前記封止層が配設された前記集合基板を、前記封止層が形成された面側から切削することにより、前記封止層を貫通して分断し、さらに、前記集合基板の厚み方向の途中にまで達するハーフカット溝を形成して、前記ハーフカット溝の底面のみに、前記ビア導体を露出させる工程と、
前記封止層を覆うとともに、前記ハーフカット溝の底面に露出した前記ビア導体と導通するようにシールド導電層を形成する工程と、
前記集合基板をカットすることにより、それぞれが、前記ビア導体を備え、前記シールド導電層が前記ビア導体を介してグランド電位と導通する個々の個基板であって、前記ビア導体が該個基板の側面から露出していない個基板に分割する工程と、
を備えていることを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 - 前記ビア導体が、前記集合基板を貫通して形成されていることを特徴とする請求項1記載の高周波モジュールの製造方法。
- 部品実装面に電子部品が実装され、周縁部が前記部品実装面より標高の低い段差部とされた基板と、
前記基板の底面に配設され、グランド電位にある外部電極と、
絶縁性材料からなり、前記電子部品を前記部品実装面とともに封止する封止層と、
前記封止層を覆うシールド導電層と、
前記シールド導電層と前記外部電極とが導通するように、前記基板の周縁部の前記段差部を貫通し、かつ、前記基板の側面から露出しないように形成されたビア導体と
を備え、
前記ビア導体は、前記基板の前記段差部の表面に露出している端面のみで前記シールド導電層と接続されていること
を特徴とする高周波モジュール。
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