JP5364911B2 - 動的ecc符号化率調節方法、装置、およびシステム - Google Patents
動的ecc符号化率調節方法、装置、およびシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5364911B2 JP5364911B2 JP2012084226A JP2012084226A JP5364911B2 JP 5364911 B2 JP5364911 B2 JP 5364911B2 JP 2012084226 A JP2012084226 A JP 2012084226A JP 2012084226 A JP2012084226 A JP 2012084226A JP 5364911 B2 JP5364911 B2 JP 5364911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit error
- rate
- error rate
- ecc engine
- memory array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Error Detection And Correction (AREA)
- Detection And Prevention Of Errors In Transmission (AREA)
Description
(項目1)
ビット誤り率の変更に呼応して、誤り制御符号化の符号化率(ECC符号化率)を、第1の符号化率から第2の符号化率へ変更する段階を備える、方法。
(項目2)
ECC符号化率を第1の符号化率から第2の符号化率へ変更する段階は、コードワードを短くする段階を有する、項目1に記載の方法。
(項目3)
ビット誤り率は、出力誤り率である、項目1に記載の方法。
(項目4)
1から所定の整定数についての訂正不能コードワード信号が受信される前に読み取られたビットの数の合計で、所定の整定数を除算することにより、出力誤り率を決定する段階をさらに備える、項目3に記載の方法。
(項目5)
ビット誤り率は、入力ビット誤り率である、項目1に記載の方法。
(項目6)
ECC符号化率を変更する段階は、ビット誤り率が所定値より大きい場合にECC符号化率を低減する段階を有する、項目1に記載の方法。
(項目7)
ECC符号化率を変更する段階は、ビット誤り率が所定値より小さい場合にECC符号化率を増加する段階を有する、項目1に記載の方法。
(項目8)
メモリアレイ内に既に存在する複数のコードワードを第2の符号化率を利用してプログラミングしなおす段階をさらに備える、項目1に記載の方法。
(項目9)
プログラミングしなおす段階は、メモリアレイから複数のコードワードを読み取る段階と、第2の符号化率を利用して複数のコードワードを符号化する段階と、複数のコードワードをメモリアレイに書き戻す段階とを有する、項目8に記載の方法。
(項目10)
プログラミングしなおす段階は、少なくとも1つのアイドル期間に行われる、項目9に記載の方法。
Claims (13)
- 前記ECCエンジンは、さらに、訂正可能なコードワードのビット誤りを訂正し、各訂正可能なコードワードの訂正ビット数を決定し、各訂正可能なコードワードの前記訂正ビット数を前記ビット誤りモニタに提供する、請求項1に記載の装置。
- 前記ビット誤り率モニタは、入力ビット誤り率に基づいて前記ECCエンジンに対する符号化率変更をトリガする、請求項1または2に記載の装置。
- 前記メモリアレイ、前記ECCエンジン、および前記ビット誤りモニタは、メモリデバイスの一部である、請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記メモリデバイスは、NANDフラッシュメモリデバイスである、請求項4に記載の装置。
- 前記ECCエンジンおよび前記ビット誤りモニタは、メモリコントローラデバイスの一部であり、
前記メモリアレイは、フラッシュメモリデバイスの一部である、請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。 - インターコネクトと、
前記インターコネクトに連結されたコントローラと、
前記インターコネクトに連結された無線インタフェースと、
前記インターコネクトに連結されたメモリデバイスと
を備え、
前記メモリデバイスは、メモリアレイ、前記メモリアレイに連結された誤り制御符号化エンジン(ECCエンジン)、および前記ECCエンジンに連結されたビット誤りモニタを有し、
前記ECCエンジンは、各訂正不能なコードワードについて前記ビット誤りモニタに対して信号を提供し、
前記ビット誤りモニタは、下記数式により出力誤り率を決定し、決定した前記出力誤り率に基づいて前記ECCエンジンに対する符号化率変更をトリガする、システム。
- 前記メモリデバイスはNANDフラッシュメモリデバイスである、請求項7に記載のシステム。
- 前記メモリアレイは、複数のメモリセルを含み、
各メモリセルは、セル毎に少なくとも2ビットを記憶する機能を有する、請求項8に記載のシステム。 - 前記ビット誤り率モニタは、入力ビット誤り率に基づいて前記ECCエンジンに対する符号化率変更をトリガする、請求項7から9のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記メモリアレイから、前記第1の符号化率で符号化された複数のコードワードを読み取る段階と、
前記第2の符号化率を利用して前記複数のコードワードを符号化する段階と、
前記第2の符号化率で符号化された前記複数のコードワードを前記メモリアレイに書き戻す段階と
をさらに備える、請求項11に記載の方法。 - 前記メモリアレイは、NANDフラッシュメモリセルのアレイである、請求項11または12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/683,631 US8122323B2 (en) | 2007-03-08 | 2007-03-08 | Method, apparatus, and system for dynamic ECC code rate adjustment |
US11/683,631 | 2007-03-08 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009549309A Division JP2010518523A (ja) | 2007-03-08 | 2008-03-04 | 動的ecc符号化率調節方法、装置、およびシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012155737A JP2012155737A (ja) | 2012-08-16 |
JP5364911B2 true JP5364911B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=39738746
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009549309A Pending JP2010518523A (ja) | 2007-03-08 | 2008-03-04 | 動的ecc符号化率調節方法、装置、およびシステム |
JP2012084226A Active JP5364911B2 (ja) | 2007-03-08 | 2012-04-02 | 動的ecc符号化率調節方法、装置、およびシステム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009549309A Pending JP2010518523A (ja) | 2007-03-08 | 2008-03-04 | 動的ecc符号化率調節方法、装置、およびシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8122323B2 (ja) |
JP (2) | JP2010518523A (ja) |
CN (1) | CN101611385B (ja) |
WO (1) | WO2008109586A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10261857B2 (en) | 2016-09-14 | 2019-04-16 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and method for controlling code rate for data to be stored |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7837992B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-11-23 | Beth Israel Deaconess Medical Center | C-1 inhibitor prevents non-specific plasminogen activation by a prourokinase mutant without impeding fibrin-specific fibrinolysis |
JP4946249B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2012-06-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Eccのコード長が変更可能な半導体メモリ装置 |
CN101162449B (zh) * | 2007-10-08 | 2010-06-02 | 福州瑞芯微电子有限公司 | Nand flash控制器及其与nand flash芯片的数据交互方法 |
JP2009129070A (ja) | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリ記憶装置の制御方法、その方法を用いたフラッシュメモリ記憶装置及びストレージシステム |
US8327245B2 (en) * | 2007-11-21 | 2012-12-04 | Micron Technology, Inc. | Memory controller supporting rate-compatible punctured codes |
US8429492B2 (en) * | 2007-11-30 | 2013-04-23 | Marvell World Trade Ltd. | Error correcting code predication system and method |
US20090287969A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Bpm Microsystems | Electronic apparatus and bit error rate tolerance method for programming non-volatile memory devices |
KR20100104623A (ko) * | 2009-03-18 | 2010-09-29 | 삼성전자주식회사 | 데이터 처리 시스템 및 그것의 부호율 제어 스킴 |
JP2010237822A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | メモリコントローラおよび半導体記憶装置 |
US8321775B2 (en) | 2009-04-21 | 2012-11-27 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory with extended error correction protection |
FR2945393B1 (fr) * | 2009-05-07 | 2015-09-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de protection de circuits electroniques, dispositif et systeme mettant en oeuvre le procede |
FR2957214B1 (fr) * | 2010-03-08 | 2012-10-26 | Astrium Sas | Procede de transmission optique par signaux laser |
US20110252289A1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | Seagate Technology Llc | Adjusting storage device parameters based on reliability sensing |
JP5467270B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-04-09 | 国立大学法人 東京大学 | データ入出力制御装置および半導体記憶装置システム |
US8627183B1 (en) * | 2010-05-11 | 2014-01-07 | Marvell International Ltd. | Systems and methods for storing variable rate product codes |
WO2011159805A2 (en) * | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, system, and method for providing error correction |
US8533550B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-09-10 | Intel Corporation | Method and system to improve the performance and/or reliability of a solid-state drive |
CN101882467B (zh) * | 2010-07-02 | 2014-05-07 | 中颖电子股份有限公司 | Ecc参数可配置的存储器控制装置 |
JP2013542533A (ja) * | 2010-10-27 | 2013-11-21 | エルエスアイ コーポレーション | フラッシュメモリベースのデータ記憶のための順応ecc技術 |
EP2447842A1 (en) | 2010-10-28 | 2012-05-02 | Thomson Licensing | Method and system for error correction in a memory array |
JP5980798B2 (ja) | 2010-12-01 | 2016-08-31 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | 独立したシリコン素子の動的な上位レベルの冗長モード管理 |
JP5720210B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2015-05-20 | 富士通株式会社 | アクセス制御装置、誤り訂正制御方法およびストレージ装置 |
EP2666091A2 (en) | 2011-01-18 | 2013-11-27 | LSI Corporation | Higher-level redundancy information computation |
KR101854214B1 (ko) * | 2011-04-27 | 2018-05-03 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 라이트 방법 및 그 방법을 이용하는 저장 장치 |
WO2012151001A1 (en) * | 2011-04-30 | 2012-11-08 | Rambus Inc. | Configurable, error-tolerant memory control |
US9158634B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-10-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Error control coding |
JP5764392B2 (ja) | 2011-06-13 | 2015-08-19 | 株式会社メガチップス | メモリコントローラ |
US9698935B2 (en) * | 2011-09-01 | 2017-07-04 | Rambus Inc. | Variable code rate transmission |
US8793552B2 (en) * | 2012-11-14 | 2014-07-29 | International Business Machines Corporation | Reconstructive error recovery procedure (ERP) for multiple data sets using reserved buffer |
US9053748B2 (en) | 2012-11-14 | 2015-06-09 | International Business Machines Corporation | Reconstructive error recovery procedure (ERP) using reserved buffer |
US8996961B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-03-31 | Seagate Technology Llc | Error correction code rate management for nonvolatile memory |
US9214963B1 (en) * | 2012-12-21 | 2015-12-15 | Western Digital Technologies, Inc. | Method and system for monitoring data channel to enable use of dynamically adjustable LDPC coding parameters in a data storage system |
US8918700B2 (en) * | 2013-02-11 | 2014-12-23 | Arm Limited | Apparatus and method for controlling access to a memory device |
US8869009B2 (en) | 2013-02-11 | 2014-10-21 | Apple Inc. | Read commands specifying error performance |
KR102143517B1 (ko) * | 2013-02-26 | 2020-08-12 | 삼성전자 주식회사 | 에러 정정회로를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법 |
US9235468B2 (en) * | 2013-04-12 | 2016-01-12 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory |
US8810944B1 (en) | 2013-07-16 | 2014-08-19 | International Business Machines Corporation | Dynamic buffer size switching for burst errors encountered while reading a magnetic tape |
JP5733766B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-06-10 | 国立大学法人 東京大学 | データ入出力制御装置および半導体記憶装置システム |
US10073731B2 (en) * | 2013-11-27 | 2018-09-11 | Intel Corporation | Error correction in memory |
US9582360B2 (en) | 2014-01-07 | 2017-02-28 | International Business Machines Corporation | Single and multi-cut and paste (C/P) reconstructive error recovery procedure (ERP) using history of error correction |
US9141478B2 (en) | 2014-01-07 | 2015-09-22 | International Business Machines Corporation | Reconstructive error recovery procedure (ERP) using reserved buffer |
US9520901B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-12-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, memory system, and memory control method |
US9685242B2 (en) | 2014-03-11 | 2017-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP6200381B2 (ja) | 2014-06-11 | 2017-09-20 | ファナック株式会社 | 監視対象の稼働状況に応じた誤り訂正機能を有する制御装置 |
US10116336B2 (en) * | 2014-06-13 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Error correcting code adjustment for a data storage device |
US9924383B2 (en) * | 2014-08-07 | 2018-03-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and terminal for transmitting and receiving data according to a transmission speed of data |
US10067828B2 (en) | 2014-10-03 | 2018-09-04 | Hitachi, Ltd. | Memory controller and data control method |
US9595979B2 (en) * | 2015-01-20 | 2017-03-14 | International Business Machines Corporation | Multiple erasure codes for distributed storage |
JP6294251B2 (ja) | 2015-02-26 | 2018-03-14 | ファナック株式会社 | 誤り訂正機能による寿命予測を有する制御装置 |
US9792053B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-10-17 | Toshiba Memory Corporation | Controller for nonvolatile semiconductor memory |
US9727416B2 (en) * | 2015-07-01 | 2017-08-08 | Xilinx, Inc. | Variable code rate solid-state drive |
US10063261B1 (en) * | 2015-10-13 | 2018-08-28 | Sorenson Ip Holdings Llc | Communication endpoints and related methods for forward error correction of packetized data |
KR102529171B1 (ko) * | 2016-02-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 진단 시스템 |
US9904594B2 (en) | 2016-04-15 | 2018-02-27 | Micron Technology, Inc. | Monitoring error correction operations performed in memory |
US10545825B2 (en) * | 2016-04-29 | 2020-01-28 | Synamedia Limited | Fault-tolerant enterprise object storage system for small objects |
CN107643876A (zh) * | 2016-07-20 | 2018-01-30 | 大心电子股份有限公司 | 存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元 |
US10983865B2 (en) * | 2016-08-01 | 2021-04-20 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Adjusting memory parameters |
KR102479212B1 (ko) | 2016-08-17 | 2022-12-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
CN108255633B (zh) * | 2016-12-28 | 2021-07-30 | 旺宏电子股份有限公司 | 存储控制方法、存储装置 |
CN108388483A (zh) * | 2018-03-10 | 2018-08-10 | 北京联想核芯科技有限公司 | 配置码率的方法、装置及计算机可读存储介质 |
CN108683425B (zh) * | 2018-05-18 | 2022-08-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种bch译码器 |
CN108683426B (zh) * | 2018-05-18 | 2022-08-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于bch码的ecc系统及存储器 |
US10452472B1 (en) | 2018-06-04 | 2019-10-22 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Tunable and dynamically adjustable error correction for memristor crossbars |
CN109872764B (zh) * | 2019-01-18 | 2021-01-08 | 南京大学 | 一种多级存储单元闪存的ecc多码率编解码系统及方法 |
JP7353889B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-10-02 | キオクシア株式会社 | メモリシステムおよび方法 |
CN112929156B (zh) * | 2019-12-06 | 2022-07-05 | 北京中创为南京量子通信技术有限公司 | 一种用于量子密钥生成系统成码错误率的计算方法 |
US11042432B1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-22 | Western Digital Technologies, Inc. | Data storage device with dynamic stripe length manager |
KR20210092986A (ko) | 2020-01-17 | 2021-07-27 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 컨트롤러, 이를 포함하는 스토리지 시스템 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법 |
CN112256473A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-22 | 浪潮云信息技术股份公司 | 一种分布式存储系统自适应纠错方法 |
CN114116137B (zh) * | 2021-12-03 | 2023-03-14 | 北京得瑞领新科技有限公司 | 存储系统中纠错码的仿真方法及装置、存储介质、设备 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61338U (ja) * | 1984-06-06 | 1986-01-06 | クラリオン株式会社 | 復号装置 |
CA1235189A (en) * | 1985-01-14 | 1988-04-12 | Haruhiko Akiyama | Error correction encoding system |
US6477669B1 (en) * | 1997-07-15 | 2002-11-05 | Comsat Corporation | Method and apparatus for adaptive control of forward error correction codes |
JP2001266507A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | イレージャー位置検出方法、イレージャー位置検出機能を有する記録再生装置、及び記録媒体 |
US6473010B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-10-29 | Marvell International, Ltd. | Method and apparatus for determining error correction code failure rate for iterative decoding algorithms |
US6631488B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-10-07 | Agilent Technologies, Inc. | Configurable error detection and correction engine that has a specialized instruction set tailored for error detection and correction tasks |
EP1175034A2 (en) | 2000-07-18 | 2002-01-23 | Eastman Kodak Company | A packet data transmission system with adaptive packet size |
US6961890B2 (en) * | 2001-08-16 | 2005-11-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Dynamic variable-length error correction code |
JP2003092554A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Fujitsu Ltd | 伝送特性補償制御方法および伝送特性補償制御装置並びに伝送特性補償制御システム |
US7051264B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-23 | Monolithic System Technology, Inc. | Error correcting memory and method of operating same |
US6996766B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-02-07 | Sun Microsystems, Inc. | Error detection/correction code which detects and corrects a first failing component and optionally a second failing component |
KR20050097924A (ko) * | 2002-12-30 | 2005-10-10 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 코딩 시스템 |
US7210077B2 (en) * | 2004-01-29 | 2007-04-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for configuring a solid-state storage device with error correction coding |
JP2008508632A (ja) * | 2004-08-02 | 2008-03-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | データ記憶及び再生装置 |
US20070011513A1 (en) * | 2005-06-13 | 2007-01-11 | Intel Corporation | Selective activation of error mitigation based on bit level error count |
-
2007
- 2007-03-08 US US11/683,631 patent/US8122323B2/en active Active
-
2008
- 2008-03-04 CN CN2008800014948A patent/CN101611385B/zh active Active
- 2008-03-04 WO PCT/US2008/055763 patent/WO2008109586A1/en active Application Filing
- 2008-03-04 JP JP2009549309A patent/JP2010518523A/ja active Pending
-
2012
- 2012-04-02 JP JP2012084226A patent/JP5364911B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10261857B2 (en) | 2016-09-14 | 2019-04-16 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and method for controlling code rate for data to be stored |
US10789125B2 (en) | 2016-09-14 | 2020-09-29 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080222490A1 (en) | 2008-09-11 |
CN101611385A (zh) | 2009-12-23 |
JP2010518523A (ja) | 2010-05-27 |
CN101611385B (zh) | 2013-11-13 |
WO2008109586A1 (en) | 2008-09-12 |
US8122323B2 (en) | 2012-02-21 |
JP2012155737A (ja) | 2012-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5364911B2 (ja) | 動的ecc符号化率調節方法、装置、およびシステム | |
US10789124B2 (en) | Techniques to a set voltage level for a data access | |
US9367389B2 (en) | Recovery strategy that reduces errors misidentified as reliable | |
US8510636B2 (en) | Dynamic read channel calibration for non-volatile memory devices | |
US9582359B2 (en) | Write mapping to mitigate hard errors via soft-decision decoding | |
US10176041B2 (en) | Deterministic read retry method for soft LDPC decoding in flash memories | |
US10135464B2 (en) | Reliability-assisted bit-flipping decoding algorithm | |
US9817708B2 (en) | Device quality metrics using unsatisfied parity checks | |
US20160372161A1 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
US20100058146A1 (en) | Chien-search system employing a clock-gating scheme to save power for error correction decoder and other applications | |
US9405624B2 (en) | On-die error detection and correction during multi-step programming | |
US20120096328A1 (en) | Multi-write endurance and error control coding of non-volatile memories | |
US20170294217A1 (en) | Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit | |
KR20170039795A (ko) | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 | |
KR20190071485A (ko) | 에러 정정 장치, 에러 정정 장치의 동작 방법, 그리고 에러 정정 장치를 포함하는 제어기 | |
US20170134049A1 (en) | Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit | |
US9304851B2 (en) | Decoding with log likelihood ratios stored in a controller | |
US10804935B2 (en) | Techniques for reducing latency in the detection of uncorrectable codewords | |
US9680509B2 (en) | Errors and erasures decoding from multiple memory devices | |
CN112988453A (zh) | 用于闪存的数据恢复方法 | |
US10776053B2 (en) | Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit | |
US10700703B2 (en) | Dynamic reliability levels for storage devices | |
TWI607452B (zh) | 解碼方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元 | |
KR20160075001A (ko) | 플래시 메모리 시스템 동작 방법 | |
US9953722B2 (en) | Methods of system optimization by over-sampling read |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130813 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5364911 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |