JP5359279B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
本発明は、少なくとも電源電圧が可変であるターゲット回路と、前記ターゲット回路に電源電圧を供給する電圧供給回路と、前記電圧供給回路が供給する電源電圧を制御する制御回路とを備え、前記制御回路は、前記ターゲット回路における動作速度の遅延時間に応じた変化レートで、前記電圧供給回路が前記ターゲット回路に供給する前記電源電圧を増加又は減少させ、前記制御回路は、前記電圧供給回路が供給する電源電圧を増加又は減少させる際には、前記ターゲット回路における信号伝送路の遅延時間に応じた変化レートで、前記電源電圧を増加又は減少させ、前記制御回路は、前記ターゲット回路における信号伝送路の遅延時間が短いほど、前記電源電圧を増加又は減少させる際の電源電圧の変化レートを大きくする、ことを特徴とする半導体集積回路装置を提供する。
本発明は、少なくとも電源電圧が可変であるターゲット回路と、前記ターゲット回路に電源電圧を供給する電圧供給回路と、前記電圧供給回路が供給する電源電圧を制御する制御回路とを備え、前記制御回路は、前記ターゲット回路における動作速度の遅延時間に応じた変化レートで、前記電圧供給回路が前記ターゲット回路に供給する前記電源電圧を増加又は減少させ、前記制御回路は、前記電圧供給回路が供給する電源電圧を増加又は減少させる際には、前記ターゲット回路における信号伝送路の遅延時間に応じた変化レートで、前記電源電圧を増加又は減少させ、前記ターゲット回路における信号伝送路の遅延時間をモニターし、該信号伝送路の遅延時間に応じた遅延時間情報を出力する遅延モニターをさらに備えており、前記制御回路は、前記遅延時間情報に基づいて、前記電源電圧の変化レートを決定し、前記遅延モニターは、全体で前記ターゲット回路におけるクリティカルパスの遅延時間に相当する遅延時間を有する直列に接続されたN個(Nは2以上の整数)の遅延素子と、各遅延素子の出力ノードでデータをラッチするN個のフリップフロップとを備え、前記N個の遅延素子のうちの初段にデータを入力してから、前記ターゲット回路に要求される前記クリティカルパスの最短遅延時間に相当する時間後に、各フリップフロップにてデータラッチを行い、各フリップフロップがラッチしたデータを、前記遅延時間情報として出力することを特徴とする半導体集積回路装置を提供する。
本発明は、少なくとも電源電圧が可変であるターゲット回路と、前記ターゲット回路に電源電圧を供給する電圧供給回路と、前記電圧供給回路が供給する電源電圧を制御する制御回路とを備え、前記制御回路は、前記ターゲット回路における動作速度の遅延時間に応じた変化レートで、前記電圧供給回路が前記ターゲット回路に供給する前記電源電圧を増加又は減少させ、前記制御回路は、前記ターゲット回路に要求される基準動作速度と、前記ターゲット回路の動作速度との差に応じて、前記電圧供給回路が供給する電源電圧を増加又は減少させる際の前記電源電圧の変化レートを決定し、前記ターゲット回路における信号伝送路の遅延時間をモニターし、該信号伝送路の遅延時間に応じた速度情報を出力する速度モニターをさらに備えており、前記制御回路は、前記速度情報に基づいて、前記電源電圧の変化レートを決定し、前記速度モニターは、直列に接続されたN個(Nは2以上の整数)の遅延素子であって、前記N個の遅延素子のうちのC個(C<N)の遅延素子の遅延時間が、前記ターゲット回路におけるクリティカルパスの遅延時間と同等な遅延時間に設定された遅延素子と、各遅延素子の出力ノードでデータをラッチするN個のフリップフロップとを備え、前記N個の遅延素子のうちの初段の遅延素子にデータを入力してから、前記ターゲット回路に要求される動作速度に相当する時間後に、各フリップフロップにてデータラッチを行い、各フリップフロップがラッチしたデータを、前記速度情報として出力することを特徴とする半導体集積回路装置を提供する。
f=A(VDD−VTH) (1)
上記式1から、電源電圧を変化させたときの動作周波数変化率を求めると、
となる。従って、電源電圧制御速度を、
とすれば、時間当たりの動作周波数変化率は
本発明の半導体集積回路装置では、前記制御回路は、前記電源電圧を増加又は減少させる際には、前記ターゲット回路に供給される電源電圧と、前記ターゲット回路に応じて決まる特定の基準電圧との差に応じた変化レートで、前記電源電圧を増加又は減少させる構成を採用できる。この場合、特定の基準電圧としては、前記ターゲット回路におけるクリティカルパス遅延を律速するMOSトランジスタのしきい電圧、前記ターゲット回路のMOSトランジスタに所定の電流を流すために必要なMOSトランジスタのゲート−ソース間電圧、又は、前記ターゲット回路の所定の電源電圧範囲における動作速度の電源電圧依存性を外挿したときに動作速度が0となる電源電圧を採用できる。一般に、これら特定の基準電圧と、ターゲット回路の電源電圧との差は、半導体集積回路装置における動作速度に比例する関係にある。従って、この電圧差に応じた変化レートでターゲット回路に供給する電源電圧の変化させることで、動作速度に応じた変化レートでターゲット回路に供給する電源電圧を変化させることができる。
Claims (22)
- 少なくとも電源電圧が可変であるターゲット回路(60)と、
前記ターゲット回路に電源電圧を供給する電圧供給回路(50)と、
前記電圧供給回路が供給する電源電圧を制御する制御回路(40)とを備え、
前記制御回路は、前記ターゲット回路における動作速度の遅延時間に応じた変化レートで、前記電圧供給回路が前記ターゲット回路に供給する前記電源電圧を増加又は減少させ、
前記制御回路(40)は、前記電源電圧を増加又は減少させる際には、前記ターゲット回路(60)に供給される電源電圧と、前記ターゲット回路に応じて決まる特定の基準電圧との差に応じた変化レートで、前記電源電圧を増加又は減少させることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記特定の基準電圧が、前記ターゲット回路(60)におけるクリティカルパス遅延を律速するMOSトランジスタのしきい電圧である、請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記特定の基準電圧が、前記ターゲット回路(60)のMOSトランジスタに所定の電流を流すために必要なMOSトランジスタ(311A)のゲート−ソース間電圧である、請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記特定の基準電圧が、前記ターゲット回路(60)の所定の電源電圧範囲における動作速度の電源電圧依存性を外挿したときに動作速度が0となる電源電圧である、請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記ターゲット回路(60)に供給される電源電圧と前記特定の基準電圧との電圧差が大きいほど、前記電源電圧を増加又は減少させる際の電源電圧の変化レートを大きくする、請求項1〜4の何れか一に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記電源電圧の変化レートが、前記電源電圧と前記特定の基準電圧との差に比例するように、前記電源電圧の変化レートを決定する、請求項1〜5の何れか一に記載の半導体集積回路装置。
- 前記ターゲット回路(60)に供給される電源電圧と、前記特定の基準電圧との差を電圧差情報として出力する電圧差モニター(30)を備えており、前記制御回路(40)は、前記電源電圧を増加又は減少させる際には、前記電圧差情報に基づいて、前記電源電圧の変化レートを決定する、請求項1〜6の何れか一に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電圧供給回路(50)は、リファレンス電圧をV1、前記基準電圧よりも電圧が高い所定電圧をV2、前記特定の基準電圧をV3、固定抵抗の抵抗値をR1、可変抵抗の抵抗値をR2として、V1−V3=(R2/R1)×(V2−V3)の関係を満たすリファレンス電圧V1に応じた電源電圧を前記ターゲット回路(60)に供給し、前記制御回路(40)は、前記電源電圧を増加又は減少させる際には、前記可変抵抗R2の値を増加又は減少させることで、前記電源電圧を変化させる、請求項1〜6の何れか一に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記可変抵抗の抵抗値R2を増加又は減少させる際には、変化前の前記可変抵抗の抵抗値R2に比例した変化レートで、変化後の前記可変抵抗の抵抗値R2の値を決定する、請求項8に記載の半導体集積回路装置。
- 前記ターゲット回路(60)に要求される基準速度と、前記ターゲット回路の動作速度との関係をモニターする基準速度モニター回路(70)を更に有し、前記制御回路(40)は、前記基準速度モニター回路におけるモニター結果に基づいて、前記ターゲット回路の動作速度が、前記基準速度よりも速く、かつ、前記基準速度よりも所定の値以上速くならないように、前記電源電圧を制御する、請求項1〜9の何れか一に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記ターゲット回路(60)の動作速度が前記基準速度よりも遅いときは、前記電源電圧を上げると決定し、前記動作速度が前記基準速度よりも所定の値以上速いときは、前記電源電圧を下げると決定し、前記動作速度が、前記基準速度以上で、かつ、該基準速度よりも所定の値速い速度未満のときには、前記電源電圧を維持すると決定する、請求項10に記載の半導体集積回路装置。
- 前記基準速度モニター回路(70)は、前記ターゲット回路(60)におけるクリティカルパスの遅延時間と同等の信号遅延時間で信号を伝達するレプリカ(21)と、前記レプリカと直列に接続された遅延回路(22)と、前記レプリカと前記遅延回路との接続ノードでデータをラッチする第1のフリップフロップ(231)と、前記遅延回路の出力ノードでデータをラッチする第2のフリップフロップ(232)とを備え、前記レプリカにデータを出力してから、前記基準速度に相当する時間後に、前記第1及び第2のフリップフロップにてデータをラッチし、該第1及び第2のフリップフロップがラッチしたデータを、前記基準速度と動作速度とのモニター結果として出力する、請求項10又は11に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記第1のフリップフロップ(231)がラッチしたデータと前記レプリカ(21)に出力されたデータとが一致しないときには、前記電源電圧を増加させると決定し、前記第1のフリップフロップがラッチしたデータと前記レプリカに出力されたデータとが一致し、かつ、前記第2のフリップフロップ(232)がラッチしたデータと前記レプリカに出力されたデータとが一致しないときには、前記電源電圧を維持すると決定し、前記第1及び第2のフリップフロップがラッチしたデータと前記レプリカに出力されたデータとがそれぞれ一致するときには、前記電源電圧を減少させると決定する、請求項12に記載の半導体集積回路装置。
- 少なくとも電源電圧が可変であるターゲット回路(60)と、
前記ターゲット回路に電源電圧を供給する電圧供給回路(50)と、
前記電圧供給回路が供給する電源電圧を制御する制御回路(40)とを備え、
前記制御回路は、前記ターゲット回路における動作速度の遅延時間に応じた変化レートで、前記電圧供給回路が前記ターゲット回路に供給する前記電源電圧を増加又は減少させ、
前記制御回路(40)は、前記電圧供給回路(50)が供給する電源電圧を増加又は減少させる際には、前記ターゲット回路(60)における信号伝送路の遅延時間に応じた変化レートで、前記電源電圧を増加又は減少させ、
前記制御回路(40)は、前記ターゲット回路(60)における信号伝送路の遅延時間が短いほど、前記電源電圧を増加又は減少させる際の電源電圧の変化レートを大きくする、ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記ターゲット回路(60)における信号伝送路の遅延時間をモニターし、該信号伝送路の遅延時間に応じた遅延時間情報を出力する遅延モニター(80)を備えており、前記制御回路(40)は、前記遅延時間情報に基づいて、前記電源電圧の変化レートを決定する、請求項14に記載の半導体集積回路装置。
- 少なくとも電源電圧が可変であるターゲット回路(60)と、
前記ターゲット回路に電源電圧を供給する電圧供給回路(50)と、
前記電圧供給回路が供給する電源電圧を制御する制御回路(40)とを備え、
前記制御回路は、前記ターゲット回路における動作速度の遅延時間に応じた変化レートで、前記電圧供給回路が前記ターゲット回路に供給する前記電源電圧を増加又は減少させ、
前記制御回路(40)は、前記電圧供給回路(50)が供給する電源電圧を増加又は減少させる際には、前記ターゲット回路(60)における信号伝送路の遅延時間に応じた変化レートで、前記電源電圧を増加又は減少させ、
前記ターゲット回路(60)における信号伝送路の遅延時間をモニターし、該信号伝送路の遅延時間に応じた遅延時間情報を出力する遅延モニター(80)をさらに備えており、前記制御回路(40)は、前記遅延時間情報に基づいて、前記電源電圧の変化レートを決定し、
前記遅延モニター(80)は、全体で前記ターゲット回路(60)におけるクリティカルパスの遅延時間に相当する遅延時間を有する直列に接続されたN個(Nは2以上の整数)の遅延素子(801)と、各遅延素子の出力ノードでデータをラッチするN個のフリップフロップ(802)とを備え、前記N個の遅延素子のうちの初段にデータを入力してから、前記ターゲット回路に要求される前記クリティカルパスの最短遅延時間に相当する時間後に、各フリップフロップにてデータラッチを行い、各フリップフロップがラッチしたデータを、前記遅延時間情報として出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記制御回路(40)は、前記N個のフリップフロップ(802)のうちで、前記遅延素子の内で初段の遅延素子(801−1)に入力されたデータを正しくラッチできたフリップフロップの個数に応じて、前記電源電圧の変化レートを決定する、請求項16に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記電源電圧の変化レートが、前記データを正しくラッチできたフリップフロップ(802)の個数に比例するように、前記電源電圧の変化レートを決定する、請求項17に記載の半導体集積回路装置。
- 少なくとも電源電圧が可変であるターゲット回路(60)と、
前記ターゲット回路に電源電圧を供給する電圧供給回路(50)と、
前記電圧供給回路が供給する電源電圧を制御する制御回路(40)とを備え、
前記制御回路は、前記ターゲット回路における動作速度の遅延時間に応じた変化レートで、前記電圧供給回路が前記ターゲット回路に供給する前記電源電圧を増加又は減少させ、
前記制御回路(40)は、前記ターゲット回路(60)に要求される基準動作速度と、前記ターゲット回路の動作速度との差に応じて、前記電圧供給回路(50)が供給する電源電圧を増加又は減少させる際の前記電源電圧の変化レートを決定し、
前記ターゲット回路(60)における信号伝送路の遅延時間をモニターし、該信号伝送路の遅延時間に応じた速度情報を出力する速度モニター(70)をさらに備えており、前記制御回路(40)は、前記速度情報に基づいて、前記電源電圧の変化レートを決定し、
前記速度モニター(70)は、直列に接続されたN個(Nは2以上の整数)の遅延素子であって、前記N個の遅延素子のうちのC個(C<N)の遅延素子の遅延時間が、前記ターゲット回路(60)におけるクリティカルパスの遅延時間と同等な遅延時間に設定された遅延素子(701)と、各遅延素子の出力ノードでデータをラッチするN個のフリップフロップ(702)とを備え、前記N個の遅延素子のうちの初段の遅延素子(701−1)にデータを入力してから、前記ターゲット回路(60)に要求される動作速度に相当する時間後に、各フリップフロップにてデータラッチを行い、各フリップフロップがラッチしたデータを、前記速度情報として出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記制御回路(40)は、前記N個のフリップフロップ(702)のうちで、前記初段の遅延素子(701−1)に出力されたデータをラッチできたフリップフロップの個数をD個としたとき、D<Cのときには、C−Dに応じた変化レートで、前記電源電圧を増加させる、請求項19に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記N個のフリップフロップ(702)のうちで、前記初段の遅延素子(701−1)に出力されたデータをラッチできたフリップフロップの個数をD個としたとき、Mを所定の正の整数として、C<D<C+Mのときは、前記電源電圧を維持する、請求項19に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路(40)は、前記N個のフリップフロップ(702)のうちで、前記初段の遅延素子(701−1)に出力されたデータをラッチできたフリップフロップの個数をD個としたとき、Mを所定の正の整数として、D>C+Mのときには、D−(C+M)に応じた変化レートで、前記電源電圧を減少させる、請求項19に記載の半導体集積回路装置。
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