JP5352915B2 - 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に係り、より詳細には、製造方法を単純化し、カラーフィルタの形成を容易にした薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。

液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置（フラットパネルディスプレイ）のうちの１つであって、２枚の表示板とその間に挟持された液晶層とからなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列することによって透過する光の量を調節する表示装置である。

前記液晶表示装置はまた、液晶層を透過した光を利用して色を表示するカラーフィルタを有し、このカラーフィルタは通常、共通電極が形成された表示板に取り付けられている。このようなカラーフィルタは通常、赤色、緑色、青色を含んでおり、２つの表示板を結合する際、各画素に対応する色が面するように整列する必要がある。しかし、２つの表示板の整列誤差を考慮して画素の間の遮光部材を広く形成しなければならないので、開口部が狭くなり、このため開口率が減少するという問題点がある。

このような問題点を解決するために、薄膜トランジスタが形成されている表示板にカラーフィルタを形成する技術と、カラーフィルタをインクジェット法を利用して形成する技術が提案された。カラーフィルタをインクジェット法で形成することにより露光器が不要となり、製造工程が単純化することができるという利点がある。

しかし、このような従来技術ではカラーフィルタがドレイン電極を覆っているため、画素電極とドレイン電極を接続するためにはカラーフィルタを覆っているカバー膜、カラーフィルタ及び保護膜にコンタクトホール（接触孔）を形成する必要があり、このため工程自体が非常に複雑になり、カラーフィルタのエッチング均一性が不良であり、また、カラーフィルタのエッチングの際に発生するパーティクルがチャンバーを汚染するという工程上の不具合がある。

そこで、本発明は上記従来の薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、カラーフィルタをインクジェット法によって形成し、カラーフィルタ用インクの積荷を連続的に行うことにより、カラーフィルタの形成を容易にする、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ表示板は、
基板と、前記基板上に第１方向に延在するゲート線と、前記基板上に形成され前記ゲート線と絶縁されて交差し第２方向に延在するデータ線と、制御端子、入力端子及び出力端子を有し、前記ゲート線及び前記データ線にそれぞれ前記制御端子と前記入力端子が接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、前記薄膜トランジスタ上に形成された複数のカラーフィルタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され前記複数のカラーフィルタを区画し、前記薄膜トランジスタの出力端子の少なくとも一部領域を取り囲む出力端子保護部を含む遮光部材と、前記遮光部材及び前記カラーフィルタの上面と、前記遮光部材の側面とを覆っているカバー膜と、前記遮光部材と前記カラーフィルタの上に形成され、前記出力端子の前記出力端子保護部で囲まれた部分と接触する画素電極を、有し、前記画素電極は前記遮光部材の前記出力端子保護部で囲まれている部分に位置しており、前記保護膜と前記カバー膜に形成されているコンタクトホールを介して前記出力端子と接触することを特徴とする。

前記遮光部材の高さは１．５μｍ〜４μｍであることが好ましい。
前記遮光部材は前記データ線に沿って延長している信号線部を有しており、前記カラーフィルタは前記信号線部によって分れる２つの領域において互いに異なる色を含むことが好ましい。

前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、前記遮光部材は、前記信号線部とともに前記維持電極の少なくとも一部を取り囲む維持電極保護部を有しており、前記維持電極上に前記カラーフィルタが形成されるのを防止することが好ましい。

前記遮光部材は前記薄膜トランジスタのチャンネル部を覆う部分を含むことが好ましい。

前記薄膜トランジスタの出力端子は少なくとも一部が前記維持電極と重畳し、前記遮光部材の出力端子保護部は前記出力端子の前記維持電極と重畳する部分を取り囲み、前記維持電極保護部の役割を兼ねていることが好ましい。

前記薄膜トランジスタは、第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタとを含み、前記画素電極は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子に接続された第１副画素電極と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子に接続された第２副画素電極とを含み、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記維持電極を中心に両側に形成された第１及び第２保護部と、前記第１保護部と前記第２保護部とを接続し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間隙と重畳する第３保護部とを含むことが好ましい。

また、前記遮光部材は前記データ線に沿って延長している信号線部を有しており、前記カラーフィルタは前記信号線部によって分れる２つの領域において互いに異なる色を含むことが好ましい。

前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、前記遮光部材は、前記信号線部とともに前記維持電極の少なくとも一部を取り囲む維持電極保護部を有しており、前記維持電極上に前記カラーフィルタが形成されるのを防止することことが好ましい。

前記遮光部材は、前記薄膜トランジスタのチャンネル部を覆う部分を含むことが好ましい。

前記薄膜トランジスタの出力端子は少なくとも一部が前記維持電極と重畳し、前記遮光部材の出力端子保護部は前記出力端子の前記維持電極と重畳する部分を取り囲み、前記維持電極保護部の役割を兼ねていることが好ましい。

前記薄膜トランジスタは、第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタとを含み、前記画素電極は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子に接続された第１副画素電極と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子に接続された第２副画素電極とを含み、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記維持電極を中心に両側に形成された第１及び第２保護部と、前記第１保護部と前記第２保護部との間を接続し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の間隙と重畳する第３保護部を含むことが好ましい。

また、前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、前記薄膜トランジスタの出力端子は少なくとも一部が前記維持電極と重畳し、前記遮光部材の出力端子保護部は前記出力端子の前記維持電極と重畳する部分を取り囲んでいることが好ましい。

前記薄膜トランジスタと前記遮光部材及びカラーフィルタとの間に形成された保護膜と前記遮光部材及びカラーフィルタと前記画素電極の間に形成されているカバー膜をさらに有し、前記画素電極は、前記保護膜と前記カバー膜が含むコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタの出力端子と接触するこことが好ましい。

前記データ線は第１データ線と第２データ線を含み、前記薄膜トランジスタは、入力端子が前記第１データ線に接続された第１薄膜トランジスタと、入力端子が前記第２データ線に接続された第２薄膜トランジスタを含み、前記画素電極は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子に接続された第１副画素電極と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子に接続された第２副画素電極を含むことが好ましい。

前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子を囲む第１出力端子保護部と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子を囲む第２出力端子保護部を含み、前記遮光部材の第１出力端子保護部と第２出力端子保護部は前記維持電極と重畳することが好ましい。

前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記維持電極を中心に両側に形成された第１及び第２保護部と、前記第１保護部と前記第２保護部との間を接続し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の間の間隙と重畳する第３保護部を含むことが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ表示板製造方法は、
第１方向に延在するゲート線を形成し、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体を形成し、前記第１方向と交差する第２方向に延在するデータ線とドレイン電極を形成し、前記データ線とドレイン電極上に保護膜を形成し、
前記保護膜上に前記第２方向に形成されて保存空間を区画する第１部分と、前記ドレイン電極端部の周辺を囲む第２部分を含む遮光部材を形成し、前記保存空間内にインクジェット方法でカラーフィルタを形成し、前記遮光部材と前記カラーフィルタの上にカバー膜を形成し、前記第２部分で囲まれた部分に位置する前記カバー膜と前記保護膜に前記ドレイン電極の端部を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続される画素電極を形成すること、を特徴とする。

前記コンタクトホールを形成する際に、前記カバー膜と前記保護膜を共にフォトエッチングすることが好ましい。

前記遮光部材を形成する際に、黒色顔料を含む感光物質を塗布して感光膜を形成し、
前記感光膜の露光し、前記感光膜の現像を行うことが好ましい。

工程自体が非常に複雑になり、カラーフィルタのエッチング均一性が不良であり、また、カラーフィルタのエッチングの際に発生するパーティクルがチャンバーを汚染するという工程上の不具合がある従来の薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法にかわって、
本発明によれば、遮光部材がデータ線に沿って形成され、ストライプ状に保存空間を区画するため、カラーフィルタをインクジェット法により形成することが容易となる。
また、本発明ではコンタクトホールが遮光部材で囲まれており、インクジェット法でカラーフィルタを形成しても、コンタクトホールでカラーフィルタが覆われるのを防止することができる。
また、本発明ではカラーフィルタが形成される保存空間がストライプ配列となっており、カラーフィルタ用インクの積荷を連続的に行うことが可能である。
また、本発明によれば、液晶表示装置の製造方法を単純化し、カラーフィルタの形成を容易にするという効果がある。

次に、本発明に係る薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら、説明する。

図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

以下、本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板を詳細に説明する。図１は本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板を示した配置図である。図２〜図４は各々図１のＩＩ−ＩＩ線、ＩＩＩ−ＩＩＩ線、及びＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した断面図である。

本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板は透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０の上にゲート線１２１と維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１は横方向に延在してゲート信号を伝達する。ゲート線１２１は、ゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）を構成する複数の突出部と、他の層又は外部駆動回路との接続のための広い面積の端部１２９を含む。そして維持電極線１３１は隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、ゲート線１２１と平行に横方向に延在しており、共通電極に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）など所定の電圧が印加される。維持電極線１３１は維持電極１３７を構成する突出部と、維持電極の面積を大きくするとともに光漏れを防止する分枝部（１３３ａ、１３３ｂ）を含む。

ゲート線１２１と維持電極線１３１は物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。１つの導電膜はゲート線１２１と維持電極線１３１の信号遅延や電圧降下を減らすため、低い抵抗率の金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なり、もう１つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなる。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜が挙げられる。さらに、ゲート線１２１及び維持電極線１３１はこの他にも様々な金属、導電体で形成することができる。

またゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は、基板１１０表面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０〜８０度であることが好ましい。ゲート線１２１及び維持電極線１３１の上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０の上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉと略称する）又は多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）等からなる複数の線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）が形成されている。線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）はそれぞれ左側と右側に位置する１対からなる。線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）は主に縦方向に延在し、それぞれゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）に向かって延在した突出部（１５４ａ、１５４ｂ）を含む。

線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）の上には複数の線状及び島状オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）（１６１ｌ、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ）が形成されている。オーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ）は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなる。線状オーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ）はそれぞれ複数の突出部（１６３ａ、１６３ｂ）を有しており、この突出部１６３ａ、１６３ｂ）と島状オーミックコンタクト部材（１６５ａ、１６５ｂ）はペアをなして線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）の突出部（１５４ａ、１５４ｂ）上に配置されている。

半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）とオーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ）の側面もまた、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０〜８０度であることが好ましい。

オーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ）の上には左側及び右側データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）と、第１及び第２ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）が形成されている。ここで、左側データ線１７１ｌと右側データ線１７１ｒの下にはそれぞれ線状オーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ）及び線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）が配置されている。

データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）はデータ電圧を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）はゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）に向かってＵ字状に曲折されたソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）と、他の層又は外部駆動回路との接続のための広い端部（１７９ｌ、１７９ｒ）を含む。

ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）とそれぞれ分離されており、ゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）を中心にソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）と対向する。ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）は副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と接続される広い一端部と、棒状の他端部を含む。ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の棒状端部はそれぞれＵ字状に曲折されたソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）で囲まれている。

ゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）、ソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）及びドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）は、半導体の突出部（１５４ａ、１５４ｂ）とともに薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）との間の半導体の突出部（１５４ａ、１５４ｂ）に形成されている。データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）は耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造である。多重膜構造の例としては、クロム又はモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）下部膜の三重膜がある。しかしデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）はこの他にも様々な金属又は導電体で形成することができる。

データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）及びドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）もゲート線１２１及び維持電極線１３１と同様にその側面が約３０〜８０度各々傾斜している。

データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）及びドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなる。保護膜１８０の上には遮光部材２２０が形成されている。図１８を参照すれば、遮光部材２２０はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）上で縦方向に長く延在する第１部分２２１、維持電極線１３１の上下に形成された第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）、ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）端部の周囲に位置する第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）、及び薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャンネル部を覆う第４部分（２２７ａ、２２７ｂ）を含む。

第１部分２２１はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）を覆い、データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）に沿って縦方向に長く延在してダムを形成する。全体的に第１部分２２１はストライプ状に配置され、カラーフィルタ２３０が保存される空間を縦方向に区画している。その結果、保存空間が縦方向に長く形成される。また、第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）は維持電極１３７の上下で維持電極１３７と平行に横方向に形成され、第１部分２２１の間を接続している。第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）はドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部の上に配置され、平面的にはドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部を囲む囲い状に形成されている。第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）の形状は、図１に示したように、四角形リング、８角形リング、円形リングなど様々な形態をとることができる。

このように、第１部分２２１は縦方向に延在してダムを形成しているので、インクジェット法により保存空間に液状のカラーフィルタ形成用物質（以下、インク）を注入してカラーフィルタ２３０を形成することができる。この際、維持電極１３７の隣には第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）が形成されており、カラーフィルタ２３０が維持電極１３７上に形成されるのを防止する。また、ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）と画素電極が接続されるコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が配置される部分には第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）が形成されており、インクジェット法においてインクがコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成される部分に流入するのを防止し、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成される部分をカラーフィルタ２３０が覆うのを防止する。

このように形成されるカラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、青色の色相からなる。例えば、１つの保存空間に赤色のカラーフィルタが形成される場合、第１部分２２１を介在して横方向に隣接した保存空間にはそれぞれ緑色と青色のカラーフィルタが形成される。このため、全体的にカラーフィルタ２３０は緑色、赤色、青色の順にストライプ配列をなす。ここでカラーフィルタ２３０の高さは１〜３μｍ程度である。

遮光部材２２０は、薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）の上に配置されている第４部分（２２７ａ、２２７ｂ）をさらに含む。この第４部分（２２７ａ、２２７ｂ）は光が薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャンネルに入射するのを防止する。図では第４部分（２２７ａ、２２７ｂ）が第１部分２２１から離れて島状に形成されているが、第１部分２２１と接続することも可能である。

ここで遮光部材２２０の高さは、カラーフィルタ用インクが流れてあふれるのを防止するため、１．５〜４μｍ範囲で形成し、遮光部材２２０の幅は必要に応じて多様に変更可能である。カラーフィルタ２３０は最終的に１〜３μｍの高さで形成されるが、カラーフィルタ用インクにはカラーフィルタ固形分の他に液状にするための溶剤が含まれており、インクジェット工程におけるインクの高さは１０μｍ程度に達する。このため、遮光部材２２０の高さが１．５μｍ未満である場合、インクが遮光部材２２０を越えてコンタクトホールが形成される部分まで流入する。また、遮光部材２２０の高さが１．５μｍ以下である場合は、光を遮断する機能が低下し、遮光部材としての機能を失ってしまう。ここで、インクの高さが１０μｍ程度に達すると、遮光部材２２０の高さより数倍以上高くなるが、インクの表面張力により遮光部材２２０を越えてあふれることはない。遮光部材２２０の高さが４μｍを超える場合は、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０との高さの差が大きくなり、後に形成される薄膜の平坦度が低下し、液晶セルギャップの均一性にも悪影響をおよぼす。

遮光部材２２０とカラーフィルタ２３０の上にはカバー膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。カバー膜２５０は第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）の間の維持電極線１３１を覆う保護膜１８０の上と、第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）が保護しているドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部を覆う保護膜１８０の上にも形成されている。カバー膜２５０は無機絶縁物質又は有機絶縁物質からなる。

カバー膜２５０と保護膜１８０にはデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）の端部（１７９ｌ、１７９ｒ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部をそれぞれ露出させるコンタクトホール（１８２ｌ、１８２ｒ、１８５ａ、１８５ｂ）が形成されている。また、カバー膜２５０、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させるコンタクトホール１８１が形成されている。コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）は第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）内側に形成されており、カバー膜２５０と保護膜１８０を同時にエッチングして形成される。ここで、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成される部分は、インクジェット工程において第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）によりインクの流入を遮断した部分である。このため、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成される部分にはカラーフィルタ２３０が存在せず、カバー膜２５０と保護膜１８０を同時にエッチングすることによってドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）が露出される。このため、インクジェット工程によりカラーフィルタ２３０を形成する場合でもコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）を簡単に形成することができ、カラーフィルタ２３０をエッチングする際に発生するチャンバー汚染問題やエッチング不均一問題も解決することができる。

カバー膜２５０の上には第１及び第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と接触補助部材（８１、８２ｌ、８２ｒ）が形成されている。これらはＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電物質やアルミニウム、銀又はその合金などの反射性金属により形成される。

第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂはそれぞれコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）を介してドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）と物理的、電気的に接続され、ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）からデータ電圧の印加を受ける。

データ電圧が印加された２つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）は共通電極と共に電場を生成することによって液晶分子の配列を決定する。この場合、第１副画素電極１９１ａは左側データ線１７１ｌからデータ電圧の印加を受け、第２副画素電極１９１ｂは右側データ線１７１ｒからデータ電圧の印加を受けるので互いに異なる電圧の印加を受ける。このように、互いに異なる電圧が印加されれば、該領域の液晶の配列状態も互いに異なるようになる。これを適切に調節すれば、側面から見る画像を正面から見る画像に最大に近づけることができる。すなわち、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。ここで、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂのうち面積の広い第１副画素電極１９１ａに印加される電圧の絶対値が、第２副画素電極１９１ｂに印加される電圧の絶対値より高い値を示すことが視認性向上に好ましい。

第１副画素電極１９１ａは切開部を有し、この切開部と第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの間の間隙９４は、薄膜トランジスタ表示板と対向する表示板（図示せず）に形成された共通電極（図示せず）の切開部や共通電極上に形成された有機膜突起（図示せず）とともに、電場の水平成分を誘発して、液晶の配向動作を制御するための手段として使用される。また、副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と共通電極は液晶キャパシタを構成して、薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。電圧維持能力を強化するため、液晶キャパシタと並列に接続されたストレージキャパシタは第１及び第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と維持電極線１３１の重畳で形成される。この際、維持電極１３７と第１及び第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の間にはカラーフィルタ２３０が存在しないのでストレージキャパシタの容量が増加する。ここでストレージキャパシタの容量が小さくて済む場合には、維持電極１３７上にカラーフィルタ２３０が形成されるのを防止する遮光部材２２０の第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）は不要である。この場合は、維持電極１３７の上にもカラーフィルタ２３０が形成されており、第１及び第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と維持電極１３７の間にもカラーフィルタ２３０が存在するので保持容量が減少する。保持容量の減少に伴ってキックバック電圧が増加するなどの問題が発生し得るが、これは薄膜トランジスタの大きさを小さくすることにより、ゲート電極とドレイン電極との間の寄生容量を減少させるか、誘電率の大きな液晶物質を用いて液晶容量を増加させるなどの方法で解消することができる。

１つの画素電極を構成する１対の第１及び第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）は間隙（ｇａｐ）９４を介在して係合している。このような画素電極１９１は、様々な形態をとることができる。

以下、このような構成の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について説明する。
図５〜図７はゲート線と維持電極線を、図８〜図１０はデータ線及びドレイン電極を、図１１〜図１３は遮光部材を、図１４〜図１５はカラーフィルタを、図１６〜図１７はカバー膜をそれぞれ形成する態様を説明するものである。

まず、図５〜図７に示したように、絶縁基板１１０の上にアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属膜を蒸着し、フォトエッチングして、ゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）と端部１２９を含むゲート線１２１、分枝部（１３３ａ、１３３ｂ）と維持電極１３７を含む維持電極線１３１を形成する。

図８〜図１０に示したように、ゲート線１２１及び維持電極線１３１の上にゲート絶縁膜１４０を形成した後、半導体層、オーミックコンタクト層、データ用金属層、感光膜を順次に積層し、感光膜に対してハーフトーンマスクを用いてフォト工程を行うことにより、位置によって厚さが異なる感光膜パターンを形成する。この際、感光膜パターンはデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）及びドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）が形成される部分に対応する部分はその厚さが厚く、ソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の間に対応する部分は厚さが薄い。このような感光膜パターンをマスクとしてデータ用金属層、オーミックコンタクト層及び半導体層をエッチングして、予備データ線、予備オーミックコンタクト部材及び半導体（１５１ｌ、１５ｌｒ）を形成し、感光膜パターンをアッシングして、ソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の間に対応する薄い部分を除去する。アッシングされた感光膜パターンをマスクとして、露出した予備データ線と予備オーミックコンタクト部材をエッチングすることにより、データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）及びその下にオーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ）を完成する。

図１１〜図１３に示したように、黒色顔料が分散している感光剤を塗布、露光及び現像して、第１部分２２１、第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）、第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）、及び第４部分（２２７ａ、２２７ｂ）を含む遮光部材２２０を形成することによってインクが提供される保存空間を区画する。ここで、遮光部材２２０は１．５〜４μｍ程度の高さで、耐熱性に優れた有機物質で形成することができる。カラーフィルタのインクジェット工程においてインクの高さが１０μｍ程度に達するので、遮光部材２２０の高さを１．５μｍ未満とする場合、インクが遮光部材２２０を越えてコンタクトホールが形成される部分まで流入してしまう。ところがインクの高さが１０μｍ程度に達し、遮光部材２２０の高さより数倍以上高いが、インクの表面張力により遮光部材２２０の上に流入しない。遮光部材２２０の高さが４μｍ以上である場合、遮光部材２２０とカラーフィルタ２３０との高さの差が大きくなり、後に形成される薄膜の平坦度が低下し、液晶セルギャップの均一性にも悪影響をおよぼす。
遮光部材２２０を感光性がない有機物質で形成する場合には、フォトエッチング方法でパターニングする。

図１１、図１４〜図１５に示したように、インクジェット工程により保存空間にカラーフィルタ２３０を形成する。インクは、ノズル（図示せず）が移動する矢印方向に落下点（Ｄｐ）に沿って保存空間に供給され、四方に流れて保存空間を満たす。この過程で第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）は維持電極１３７を介在して位置しており、第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）はコンタクトホールが形成されるドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部を囲んでいるので、インクは、維持電極１３７の上部と第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）の内側、すなわち、コンタクトホールが形成される部分には流入しない。一方、インクジェット工程により保存空間に提供されるインクは液状で、第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）又は第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）に流入するので、インクの物性（例；粘度や表面張力）や量を調節したり、第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）又は第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）の高さと厚さを適切に調節したりして、インクがあふれるのを防止しなければならない。

図１６及び図１７に示したように、カラーフィルタ２３０の上にカバー膜２５０を形成し、カバー膜２５０と保護膜１８０を同時にフォトエッチングして、第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）が囲んでいる部分にコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）を形成する。このように、第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）の内側は、インクジェット工程において第３部分（２２５ａ、２２５ｂ）の保護を受けてカラーフィルタ２３０が形成されていないので、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）は１回のエッチング工程により簡単に形成できるようになる。次いで、カバー膜２５０上に第１及び第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と接触補助部材（８１、８２ｌ、８２ｒ）を形成する。

以下、添付した図面を参照して本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタ表示板について説明する。第２実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、第１実施形態と比較して、遮光部材の形状、維持電極の形状、ソース及びドレイン電極の形状、画素電極の形状、画素電極と薄膜トランジスタの接続などにおいて差がある。以下、このような差異を中心に添付図を用いて第２実施形態を詳しく説明する。図１９は１つの画素に対する薄膜トランジスタ表示板を示した配置図である。図２０及び図２１は図１９のＸＸ−ＸＸ線とＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断した断面図である。図２２は図２０の薄膜トランジスタ表示板の有機遮光部材のみを示した配置図である。

本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板１１０の上にゲート線（１２１ｕ、１２１ｄ）と維持電極１３７を含む維持電極線１３１が形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０が形成されている。維持電極線１３１は隣接した２つのゲート線（１２１ｕ、１２１ｄ）から等距離に配置されている。ゲート線（１２１ｕ、１２１ｄ）は同一線が反復的に形成されているが、図１９では説明上、画素の上側ゲート線１２１ｕと下側ゲート線１２１ｄにそれぞれ異なる符号を付して区分した。ゲート線（１２１ｕ、１２１ｄ）はそれぞれ広い端部（１２９ｕ、１２９ｄ）を含む。

ゲート絶縁膜１４０の上には線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）が形成されている。線状半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）の上には複数の線状及び島状オーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ａ、１６７ｂ）が形成されている。線状オーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ）は複数の突出部（１６３ａ、１６３ｂ）を有しており、この突出部（１６３ａ、１６３ｂ）と島状オーミックコンタクト部材（１６５ａ、１６５ｂ）はペアをなして半導体（１５１ｌ、１５１ｒ）の突出部（１５４ａ、１５４ｂ）上に配置されている。島状オーミックコンタクト部材（１６７ａ、１６７ｂ）は島状オーミックコンタクト部材（１６５ａ、１６５ｂ）が延在した部分である。

オーミックコンタクト部材（１６１ｌ、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ）の上には左側及び右側データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）、第１及び第２ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）が形成されている。第１及び第２ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）のそれぞれは広い一端部（１７７ａ、１７７ｂ）と棒状の他端部を含む。広い端部（１７７ａ、１７７ｂ）は右側及び左側データ線（１７１ｒ、１７１ｌ）にそれぞれ隣接して維持電極１３７と重畳し、棒状端部はＵ字上に曲折されたソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）で囲まれている。

ここで第１ドレイン電極１７５ａは、画素の下側ゲート線１２１ｄ上部から始まり、上側（画素内部）に延びて斜線方向に曲がって、維持電極１３７の上部で右側データ線１７１ｒと隣接する位置に広い端部１７７ａを形成する。第２ドレイン電極１７５ｂは画素の上側ゲート線１２１ｕ上部から始まり、下側（画素内部）に延びて維持電極１３７上部で左側データ線１７１ｌと隣接する位置に広い端部１７７ｂを形成する。

データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）及びドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の上には保護膜１８０が形成されている。

保護膜の上には遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）の上で縦方向に長く延在した第１部分２２１、第１部分２２１で左右に突出している突出部（２２８ａ、２２８ｂ）、及び薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャンネル部を覆う第２部分（２２７ａ、２２７ｂ）を含む。第１部分２２１はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）上でデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）に沿って縦方向に長く延在してダムを形成している。図２２を参照すれば、全体的に遮光部材２２０はストライプ状に配置されて、カラーフィルタ２３０が保存される空間を縦方向に区画し、このため、カラーフィルタ２３０が保存される保存空間を縦方向に長く形成する。

なお、遮光部材２２０の突出部（２２８ａ、２２８ｂ）は開口（２２９ａ、２２９ｂ）を含んでいる。突出部（２２８ａ、２２８ｂ）は第１部分２２１から維持電極１３７に向かって延在して形成される。このように、突出部（２２８ａ、２２８ｂ）は開口（２２９ａ、２２９ｂ）を含み、開口（２２９ａ、２２９ｂ）にはコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が位置している。ここで遮光部材２２０の高さは、カラーフィルタ用インクがあふれるのを防ぐため１．５〜４μｍ程度に形成し、遮光部材２２０の幅は必要に応じて多様に変更可能である。

このように、遮光部材２２０が縦方向に延在してダムを形成しているため、インクジェット工程により保存空間にインクを注入することでカラーフィルタ２３０を形成することができる。この際、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成される部分に突出部（２２８ａ、２２８ｂ）が形成されており、カラーフィルタ２３０が形成されるのを防止することができる。

遮光部材２２０とカラーフィルタ２３０の上にはカバー膜２５０が形成されている。また、カバー膜２５０は遮光部材２２０の突出部（２２８ａ、２２８ｂ）で囲まれた部分にも形成されている。

カバー膜２５０と保護膜１８０にはデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）の端部（１７９ｌ、１７９ｒ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部（１７７ａ、１７７ｂ）をそれぞれ露出させるコンタクトホール（１８２ｌ、１８２ｒ、１８５ａ、１８５ｂ）が形成されている。さらに、カバー膜２５０、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線（１２１ｕ、１２１ｄ）の端部（１２９ｕ、１２９ｄ）を露出させるコンタクトホール（１８１ｕ、１８１ｄ）が形成されている。

コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）は突出部（２２８ａ、２２８ｂ）の開口（２２９ａ、２２９ｂ）に形成されており、カバー膜２５０と保護膜１８０を同時にエッチングして形成する。ここで、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成された部分は、インクジェット工程において突出部（２２８ａ、２２８ｂ）によりインクの流入が遮断されている。このため、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成された部分にはカラーフィルタ２３０が存在せず、保護膜１８０とカバー膜２５０を同時にエッチングすることによりドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）を簡単に露出させることができる。

カバー膜２５０の上には第１及び第２副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と接触補助部材（８１ｕ、８１ｄ、８２ｌ、８２ｒ）が形成されている。第２副画素電極１９１ｂは複数の切開部（９１、９２ａ、９２ｂ、９３ａ、９３ｂ）を含む。これらはＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電物質やアルミニウム、銀又はその合金などの反射性金属で形成することができる。

一方、ストレージキャパシタはドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部（１７７ａ、１７７ｂ）と維持電極１３７の重畳により形成される。これと比較して、第１実施形態におけるストレージキャパシタは、副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）と維持電極１３７の重畳により形成される。このため、第１実施形態ではストレージキャパシタを形成するため維持電極１３７の上にカラーフィルタ２３０が形成されないようにする第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）が必要であるが、第２実施形態では、第１実施形態のような遮光部材が不要である。また、第２実施形態ではコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が維持電極１３７上でデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）に隣接して形成されており、第２実施形態は第１実施形態に比べて、開口率の損失を減らすことができる。また、図２２から分かるように、カラーフィルタ２３０が保存される保存空間が画素列全体において１つに接続されている。このため、インクの積荷や拡散が容易となる。

第３実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、第１及び第２実施形態と比較すると、薄膜の層構造は同一であるが、ドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）を始めとした薄膜トランジスタの配置、副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の形状、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）の位置、遮光部材２２０の形状などに差がある。以下、このような差異点を中心に添付図を参照して、第３実施形態を詳細に説明する。図２３は本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタ表示板を示した配置図である。図２４は図２３の薄膜トランジスタ表示板の有機遮光部材のみを示した配置図である。

絶縁基板上にゲート線１２１と維持電極線１３１が形成されている。ゲート線１２１は複数のゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）を有し、維持電極線１３１は縦方向に延在した分枝部（１３３ａ、１３３ｂ）と維持電極１３７を含む。維持電極線１３１は隣接する２つのゲート線１２１から等距離地点を通過する。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差して、左側及び右側データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）が形成されている。ここで、２つのゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）は左側と右側データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）とそれぞれ隣接して位置し、ゲート電極（１２４ａ、１２４ｂ）の上に線状半導体の２つの突出部（１５４ａ、１５４ｂ）が形成されており、左側と右側データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）の分枝である２つのソース電極（１７３ａ、１７３ｂ）と２つのドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）がそれぞれ対向している。

図２３のドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の形状が左側画素と右側画素とにおいてわずかに異なる。まず左側画素は、２つのドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）のうち第１ドレイン電極１７５ａはデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）と並んで延在して斜線方向に曲折された後、維持電極１３７上に達して面積が広い端部を形成する。第２ドレイン電極１７５ｂは、データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）と並んで延在して少し屈折して右側データ線１７１ｒ側にさらに接近した後、再びデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）に並んで延在して維持電極線１３１と交差した後、直角に２回曲折されて第１ドレイン電極１７５ａの広い端部の周囲を回って、維持電極１３７の上で面積が広い端部を形成する。よって、第１ドレイン電極１７５ａの広い端部が第２ドレイン電極１７５ｂの広い端部に比べて、右側データ線１７１ｒに近く配置される。次に、右側画素では第１ドレイン電極１７５ａが維持電極１３７に達する前にもう一度屈折し、データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）に並んで延在して維持電極１３７に達して広い端部を形成し、第２ドレイン電極１７５ｂは維持電極線１３１と交差した後、直角に二度曲折して維持電極１３７上に面積の広い端部を形成する。これにより、第１ドレイン電極１７５ａの広い端部が第２ドレイン電極１７５ｂの広い端部に比べて、右側データ線１７１ｒから遠く配置される。

データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）とドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の上には保護膜（図示せず）が形成されており、保護膜の上には遮光部材２２０が形成されている。図２４を参照すれば、遮光部材２２０はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）上で縦方向に長く延在する第１部分２２１、維持電極線１３１の上下に形成される第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）、この第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）の間を接続する第３部分２２３ｃ及び薄膜トランジスタのチャンネル部を覆う第４部分（２２７ａ、２２７ｂ）を含む。

第１部分２２１はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）を覆い、データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）に沿って縦方向に長く延在してダムを形成している。全体的に第１部分２２１はストライプ状に配置されてカラーフィルタ２３０が保存される空間を縦方向で区画しており、結果的に保存空間を縦方向に長く形成している。ここで第１部分２２１はデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）を完全に覆わず、二つのデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）の間にかけて形成されており、二つのデータ線（１７１ｌ、１７１ｒ）の近い側の辺のみを覆っている。そして、第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）は維持電極１３７の上下で維持電極１３７と並んで横方向に形成され、第１部分２２１の間を接続している。第３部分２２３ｃは第１ドレイン電極１７５ａの広い端部と、第２ドレイン電極１７５ｂの広い端部の間に配置され、第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）の間を接続する。第４部分（２２７ａ、２２７ｂ）は第１部分２２１から突出して薄膜トランジスタを覆い、光が薄膜トランジスタ（Ｑａ、Ｑｂ）のチャンネルに入射することを防止する。ここで遮光部材２２０の高さは、カラーフィルタ用インクが溢れるのを防止するため１．５〜４μｍ程度に形成し、遮光部材２２０の幅は必要に応じて様々に変更可能である。

このように、第１部分２２１は縦方向に延在してダムを形成しているので、インクジェット工程により保存空間に液状のカラーフィルタ形成用物質（以下、インク）を注入することによってカラーフィルタ（図示せず）を形成することができる。このとき、維持電極１３７に隣接して第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）が形成されており、カラーフィルタが維持電極１３７の上に形成されるのを防止でき、これによってカラーフィルタがコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）が形成される部分を覆うのを防ぐ。

遮光部材２２０とカラーフィルタの上にはカバー膜（図示せず）が形成されており、カバー膜の上には二つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）が形成されている。二つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）はカバー膜と保護膜を貫通するコンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）を介してドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）と接続されている。第１副画素電極１９１ａは、データ線（１７１ｌ、１７１ｒ）とゲート線１２１の上にまで広く拡張されて開口率を高める。このとき、隣接する二つの画素の第１副画素電極１９１ａの境界が、遮光部材２２０の第１部分２２１上に形成されており、これらを形成するためのエッチング処理時にエッチング均一性を確保できるようにして、隣接する二つの第１副画素電極１９１ａが互いに短絡するのを防止する。また、二つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）の間の間隙が形成された部分に遮光部材２２０の第３部分２２３ｃを形成することで、第２部分（２２３ａ、２２３ｂ）によって段差が発生するのを防止する。これによってエッチング均一性を確保でき、二つの副画素電極（１９１ａ、１９１ｂ）が短絡するのを防止できる。

第３実施例ではドレイン電極（１７５ａ、１７５ｂ）の端部を維持電極１３７の上に配置し、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）も維持電極１３７の上に配置した後、維持電極１３７の上下に遮光部材２２０を配置してカラーフィルタが維持電極１３７上に形成されるのを防止することによって、十分な保持容量を確保すると同時に、コンタクトホール（１８５ａ、１８５ｂ）を容易に形成することができる。

尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した断面図である。 図１に示した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。 図５のＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。 図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図１に示した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断した断面図である。 図８のＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図である。 図１に示した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示した配置図である。 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切断した断面図においてカラーフィルタを形成する態様を示した断面図である。 図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図においてカラーフィルタを形成する態様を示した断面図である。 図１４のカラーフィルタ上にカバー膜を形成する態様を示した断面図である。 図１５のカラーフィルタ上にカバー膜を形成する態様を示した断面図である。 図１の薄膜トランジスタ表示板の有機遮光部材のみ示した配置図である。 本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタ表示板を示した配置図である。 図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿って切断した断面図である。 図１９のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断した断面図である。 図２０の薄膜トランジスタ表示板の有機遮光部材のみ示した配置図である。 本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタ表示板を示した配置図である。 図２３の薄膜トランジスタ表示板の有機遮光部材のみ示した配置図である。

符号の説明

９４…間隙
１１０…基板
１２１…ゲート線
１２４ａ、１２４ｂ…ゲート電極
１３１…維持電極線
１３７…維持電極
１４０…ゲート絶縁膜
１５１１、１５１ｒ…半導体
１５４ａ、１５４ｂ、１６３ａ、１６３ｂ、２２８ａ、２２８ｂ…突出部
１６１１、１６１ｒ、１６５ａ、１６５ｂ、１６７ａ、１６７ｂ…オーミックコンタクト部材
１７１ｌ、１７１ｒ…データ線
１７３ａ、１７３ｂ…ソース電極
１７５ａ、１７５ｂ…ドレイン電極
１８０…保護膜
２２０…遮光部材
２３０…カラーフィルタ
２５０…カバー膜

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板上に第１方向に延在するゲート線と、
   前記基板上に形成され前記ゲート線と絶縁されて交差し第２方向に延在するデータ線と、
   制御端子、入力端子及び出力端子を有し、前記ゲート線及び前記データ線にそれぞれ前記制御端子と前記入力端子が接続されている薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、
   前記薄膜トランジスタ上に形成された複数のカラーフィルタと、
   前記薄膜トランジスタ上に形成され前記複数のカラーフィルタを区画し、前記薄膜トランジスタの出力端子の少なくとも一部領域を取り囲む出力端子保護部を含む遮光部材と、
   前記遮光部材及び前記カラーフィルタの上面と、前記遮光部材の側面とを覆っているカバー膜と、
   前記遮光部材及び前記カラーフィルタの上に形成され、前記出力端子の前記出力端子保護部で囲まれた部分と接触する画素電極を、
   有し、
   前記画素電極は前記遮光部材の前記出力端子保護部で囲まれている部分に位置しており、前記保護膜と前記カバー膜に形成されているコンタクトホールを介して前記出力端子と接触することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
2. 前記遮光部材の高さは１．５μｍ〜４μｍであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
3. 前記遮光部材は前記データ線に沿って延長している信号線部を有しており、前記カラーフィルタは前記信号線部によって分れる２つの領域において互いに異なる色を含むことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
4. 前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、
   前記遮光部材は、前記信号線部とともに前記維持電極の少なくとも一部を取り囲む維持電極保護部を有しており、前記維持電極上に前記カラーフィルタが形成されるのを防止することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
5. 前記遮光部材は前記薄膜トランジスタのチャンネル部を覆う部分を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
6. 前記薄膜トランジスタの出力端子は少なくとも一部が前記維持電極と重畳し、前記遮光部材の出力端子保護部は前記出力端子の前記維持電極と重畳する部分を取り囲み、前記維持電極保護部の役割を兼ねていることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
7. 前記薄膜トランジスタは、第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタとを含み、前記画素電極は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子に接続された第１副画素電極と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子に接続された第２副画素電極とを含み、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記維持電極を中心に両側に形成された第１及び第２保護部と、前記第１保護部と前記第２保護部とを接続し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間隙と重畳する第３保護部とを含むことを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
8. 前記遮光部材は前記データ線に沿って延長している信号線部を有しており、前記カラーフィルタは前記信号線部によって分れる２つの領域において互いに異なる色を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
9. 前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、
   前記遮光部材は、前記信号線部とともに前記維持電極の少なくとも一部を取り囲む維持電極保護部を有しており、前記維持電極上に前記カラーフィルタが形成されるのを防止することを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
10. 前記遮光部材は、前記薄膜トランジスタのチャンネル部を覆う部分を含むことを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
11. 前記薄膜トランジスタの出力端子は少なくとも一部が前記維持電極と重畳し、前記遮光部材の出力端子保護部は前記出力端子の前記維持電極と重畳する部分を取り囲み、前記維持電極保護部の役割を兼ねていることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
12. 前記薄膜トランジスタは、第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタとを含み、前記画素電極は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子に接続された第１副画素電極と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子に接続された第２副画素電極とを含み、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記維持電極を中心に両側に形成された第１及び第２保護部と、前記第１保護部と前記第２保護部との間を接続し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の間隙と重畳する第３保護部を含むことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
13. 前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、
    前記薄膜トランジスタの出力端子は少なくとも一部が前記維持電極と重畳し、前記遮光部材の出力端子保護部は前記出力端子の前記維持電極と重畳する部分を取り囲んでいることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
14. 前記薄膜トランジスタと前記遮光部材及びカラーフィルタとの間に形成された保護膜と前記遮光部材及びカラーフィルタと前記画素電極の間に形成されているカバー膜をさらに有し、
    前記画素電極は、前記保護膜と前記カバー膜が含むコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタの出力端子と接触することを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
15. 前記データ線は第１データ線と第２データ線を含み、
    前記薄膜トランジスタは、入力端子が前記第１データ線に接続された第１薄膜トランジスタと、入力端子が前記第２データ線に接続された第２薄膜トランジスタを含み、
    前記画素電極は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子に接続された第１副画素電極と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子に接続された第２副画素電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
16. 前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記第１薄膜トランジスタの出力端子を囲む第１出力端子保護部と、前記第２薄膜トランジスタの出力端子を囲む第２出力端子保護部を含み、前記遮光部材の第１出力端子保護部と第２出力端子保護部は前記維持電極と重畳することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
17. 前記第１方向に延在し維持電極を含む維持電極線をさらに有し、前記遮光部材の出力端子保護部は、前記維持電極を中心に両側に形成された第１及び第２保護部と、前記第１保護部と前記第２保護部との間を接続し、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の間の間隙と重畳する第３保護部を含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
18. 第１方向に延在するゲート線を形成し、
    前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜上に半導体を形成し、
    前記第１方向と交差する第２方向に延在するデータ線とドレイン電極を形成し、
    前記データ線とドレイン電極上に保護膜を形成し、
    前記保護膜上に前記第２方向に形成されて保存空間を区画する第１部分と、前記ドレイン電極端部の周辺を囲む第２部分を含む遮光部材を形成し、
    前記保存空間内にインクジェット方法でカラーフィルタを形成し、
    前記遮光部材と前記カラーフィルタの上にカバー膜を形成し、
    前記第２部分で囲まれた部分に位置する前記カバー膜と前記保護膜に前記ドレイン電極の端部を露出させるコンタクトホールを形成し、
    前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続される画素電極を形成すること、
    を特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
19. 前記コンタクトホールを形成する際に、前記カバー膜と前記保護膜を共にフォトエッチングすることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
20. 前記遮光部材を形成する際に、黒色顔料を含む感光物質を塗布して感光膜を形成し、
    前記感光膜の露光し、
    前記感光膜の現像を行うことを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
    
    

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