JP5342712B1 - 圧延銅箔 - Google Patents

Abstract

銅または銅合金の結晶粒子で構成された圧延銅箔であって、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径が０．２μｍ以上６μｍ以下であり、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下であり、且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が０．５％以上１０％以下である圧延銅箔。
式（１） 粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００
（上記式（１）において、（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）

Description

本発明は、銅または銅合金の結晶粒子で構成された圧延銅箔に係り、特に自動車用部品等において繰返して屈曲運動が行われるフレキシブルフラットケーブル等に用いられる圧延銅箔に関する。

フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）は、厚みが薄く可撓性に優れる特長から、電子機器等への実装形態における自由度が高く、様々な用途に用いられている。例えば、自動車におけるエアバックシステムの構成部品であるステアリング・ロール・コネクタ（ＳＲＣ）、折り畳み式携帯電話の折り曲げ部、デジタルカメラ、プリンターヘッドなどの可動部、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＣＤ（Compact Disk）など、ディスク関連機器の可動部の配線等に広く用いられている。
尚、フレキシブルフラットケーブルの導体部分には、従来から広く圧延銅箔が用いられている。

ここで、特開２００９−０４８８１９号公報には、導体が導電率９５％以上のＣｕ濃度９９．９％以上の純銅からなり、その引張強さが３５０ＭＰａ以上４００ＭＰａ以下の範囲である平角導体が開示されている。この平角導体は８５℃もしくはそれ以上の高温環境になりうる自動車などに使用され、価格低減および導体強度の維持が達成される。

また、特開２０１０−１５０５７８号公報には、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔であって、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定による銅結晶の｛２２０｝Ｃｕ面回折の正極点図結果で、α角度が４０〜５０°の範囲において、β角度の少なくとも９０±５°毎に存在して４回対称性を示す結晶粒群に起因する回折ピークが存在し、さらに、前記β角度の９０±１０°毎に存在して４回対称性を示す別の結晶粒群に起因する回折ピークが存在する圧延銅箔が開示されている。この特開２０１０−１５０５７８号は、フレキシブルプリント配線板等の可撓性配線部材に対する更なる高屈曲特性の要求に対応するために、優れた屈曲特性を有する圧延銅箔を提供するものである。

特開２００１−２６２２９６号公報には、タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返して、最後に冷間圧延で厚さを０．００５０ｍｍ以下に仕上げる圧延銅箔において、（１）加工度９０％以上の冷間圧延、（２）１５０〜２５０℃の炉温での１〜１０時間の再結晶焼鈍、または、５００℃〜８００℃の炉温での５〜６０秒間の再結晶焼鈍、（３）加工度５〜４０％の冷間圧延を順次行ない、再結晶焼鈍を行ったときに立方体集合組識が極度に発達する圧延銅箔の製造方法が開示されている。この特開２００１−２６２２９６号も、フレキシブルプリント回路基板等の可撓性配線用部材の用途として好適な銅箔を提供するものである。

しかし、特開２００９−０４８８１９号のような導体は結晶粒内に軽度の加工歪が加わっているために、高温環境下の屈曲疲労時に早期に破断しやすい問題がある。
また、特開２０１０−１５０５７８号は、最終の平角導体を得るまでに、条を連続して圧延させて製造することから、線引き加工された丸線を最終段階で圧延する製法に比べて高コストとなる問題を抱えている。
さらに、特開２００１−２６２２９６号は、条圧延による高コスト化、冷間加工と焼鈍を繰り返すことによる高コスト化のほか、平均粒径が５μｍ〜３０μｍであり粒径が大きすぎて、ＦＦＣ用として必要な強度ならびに屈曲特性を満足しないとの問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生が抑制される圧延銅箔の提供を目的とする。

本発明の上記課題は下記の手段によって解決された。
＜１＞ 銅または銅合金の結晶粒子で構成された圧延銅箔であって、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径が０．２μｍ以上６μｍ以下であり、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下であり、且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が０．５％以上１０％以下である圧延銅箔。
式（１） 粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００
（上記式（１）において、（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）

＜２＞ 前記圧延銅箔の厚みに対する、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が１％以上２％以下である前記＜１＞に記載の圧延銅箔。

＜３＞ 前記圧延銅箔の厚みに対する、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が２％を超え３％未満である前記＜１＞に記載の圧延銅箔。

＜４＞ 前記圧延銅箔の厚みに対する、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が３％以上６％以下である前記＜１＞に記載の圧延銅箔。

＜５＞ 丸線型の銅材を圧延して箔状に成形することで作製された前記＜１＞〜＜４＞の何れか１項に記載の圧延銅箔。

＜６＞ 前記圧延銅箔の厚みが０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である前記＜１＞〜＜５＞の何れか１項に記載の圧延銅箔。

本発明によれば、繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生が抑制される圧延銅箔が提供される。

圧延銅箔のＥＢＳＤ解析をもとに、横軸に隣り合う領域の方位差を、縦軸にその方位差を有する領域の割合をプロットした図の一例である。 圧延銅箔のＥＢＳＤ解析をもとに、横軸に隣り合う領域の方位差を、縦軸にその方位差を有する領域の割合をプロットした図の一例である。 本発明の実施形態に係る圧延銅箔の作製方法を説明するための概略図である。 本発明の実施形態に係る圧延銅箔を示す概略斜視図である。 実施例での耐屈曲性試験に用いる屈曲試験機に圧延銅箔を固定した状態を示す概略図である。

本発明に係る圧延銅箔は、銅または銅合金の結晶粒子で構成され、且つ以下の要件を満たす。
・最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径が０．２μｍ以上６μｍ以下
・最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下
・前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が０．５％以上１０％以下
式（１） 粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００
（上記式（１）において、（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）

上記の通り本発明に係る圧延銅箔は、粒内歪み率が０．５％以上１０％以下である。この粒内歪み率は、前記式（１）に示す通り、方位差０度以上１５度以下の領域の面積に対する方位差１度以上１５度以下の領域の面積の比率であり、粒内歪みとして認識される方位差０度以上１５度以下の領域のうち、方位差０度以上１度未満のものがその大半を占め、方位差が１度以上１５度以下の比率が非常に小さいことを表している。つまり、圧延銅箔を構成する結晶が粒内歪みをほとんど有していないことを表している。
また上記の通り、最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径が０．２μｍ以上６μｍ以下であり、且つ最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径が圧延銅箔の厚みに対する比率で１％以上６％以下であり、最表面の結晶粒子の粒子径が非常に小さい。

上記の構成を満たす本発明に係る圧延銅箔は、繰返して屈曲変形が加えられた場合であってもクラックの発生が抑制され、その結果長寿命化が達成される。

−粒内歪み率−
本発明においては、圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における前記式（１）により求められる粒内歪み率が０．５％以上１０％以下である。粒内歪み率が１０％を超える場合、繰返して屈曲変形が加えられた際に結晶粒子の粗大化による早期破断が問題となる。一方、０．５％未満である場合、熱処理の制御が困難であるため生産性に劣る。

上記粒内歪み率は、以下の方法により測定される。
圧延銅箔を長手方向に直行する方向に切断しその断面についてＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析を行う。ＥＢＳＤ解析によって、隣り合う測定領域の方位差が１５度を超える部分は結晶粒界と識別し、且つ、方位差が１５度までのものを粒内歪みと認定する。ただし、０度以上１度未満と測定される方位差については、問題とならない程度の粒内歪みと捉える。その理由は、この範囲の歪みは、通常、焼鈍処理等を行っても消失することが少ないためである。そこで、０度から１５度までの方位差を有する領域のうち、１度以上１５度以下の領域を計算することによって圧延銅箔の歪み状態を評価する。

そこで、方位差が０度から１５度までの部分を抽出して、前記断面における方位差１度以上１５度以下の領域の面積と、方位差０度以上１５度以下の領域の面積を測定し、前記式（１）により粒内歪み率を求める。この粒内歪み率の値が小さいほど、圧延銅箔に存在する粒内歪みは小さいと言える。

図１は、隣り合う測定領域の方位差とその存在割合の一例を示したものである。この図１において、領域Ｉが、方位差０度以上１度未満の存在割合であり、領域IIが方位差１度以上１５度以下の存在割合を示す。したがって、上記（１）式との関係においては、（Ａ）が領域IIに対応し、（Ｂ）が領域Ｉと領域IIとを足しあわせた領域に対応している。すなわち、（Ａ）で示す領域IIが小さければ小さいほど、粒内歪み率は小さいと解する。図２も隣り合う測定領域の方位差とその存在割合の一例を示したものであるが、この図２の例では、領域IIが図１の例よりも広くなっている。すなわち、このような状態の圧延銅箔は、上記（１）式における（Ａ）が大きいので、図１の例よりも粒内歪み率が高い。

本発明者らはこのような検討により、粒内歪み率が所定の値を満たすと、繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生が抑制される圧延銅箔が提供されることを見出したのである。

−平均粒子径−
本発明においては、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径が０．２μｍ以上６μｍ以下であり、且つ最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率が１％以上６％以下である。前記平均粒子径が６μｍを超える場合や該平均粒子径の比率が６％を超える場合、繰返して屈曲変形が加えられた際にクラックの発生が問題となる。一方、前記平均粒子径が０．２μｍ未満の場合や前記平均粒子径の比率が１％未満である場合、圧延銅箔は柔軟性に劣り容易に配索できない問題が生じる。

尚、良好な屈曲性という視点では、繰返して屈曲変形が加えられた際のクラックの発生がより効果的に抑制される観点から、前述の平均粒子径の比率がより小さい以下の範囲の順（１％以上２％以下、２％を超え３％未満、３％以上６％以下）に優れる。
一方、良好な柔軟性という視点では、前述の平均粒子径の比率が大きいほど耐力が低く柔軟であるという観点から、平均粒子径の比率が大きい以下の範囲の順（３％以上６％以下、２％を超え３％未満、１％以上２％以下）に優れる。

上記平均粒子径および上記平均粒子径の比率は、以下の方法により測定される。
圧延銅箔を長手方向に直行する方向に切断しその断面についてＥＢＳＤ解析を行う。ＥＢＳＤ解析によって、方位差が１５度を超える部分を粒界と識別し、結晶粒子の画像を得る。この画像において、特定の幅方向長さ（Ｈ）（少なくとも４０μｍ以上）内における最表面を構成する結晶粒子の数（Ｋ）を求め、前記幅方向長さ（Ｈ）を前記結晶粒子の数（Ｋ）で割ることで、最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径を求める。更にこの平均粒子径の値を圧延銅箔の厚みで割ることで、圧延銅箔の厚みに対する最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径の比率が求められる。

−圧延銅箔の作製方法−
本発明に係る圧延銅箔の作製においては、まず丸線型の銅材を圧延によって所定の銅箔状に成形し（圧延工程）、その後、熱処理（焼鈍）および冷却を行う（焼鈍工程）ことで作製することができる。
尚、前記所定の銅箔状に成形するまでの工程では、前記圧延は多段階で行なってもよく、また圧延以外の方法を併用して成形を行なってもよい。また、前記所定の銅箔状に成形する前（最終的な形状に成形する前）の工程で熱処理を施してもよい。

また、前記銅材としては、銅からなる材料に加え銅合金からなる材料を用いることができる。前記銅からなる材料および銅合金からなる材料における銅としては、例えばタフピッチ銅、無酸素銅、銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）などを微量添加した銅合金などが挙げられる。

尚、ここで重要となるのが焼鈍の際の加熱温度と加熱時間である。
本発明の圧延銅箔は、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率、および粒内歪み率が前述の範囲である。上記粒内歪み率を前記範囲に制御する方法としては、例えば前記焼鈍工程での加熱温度および加熱時間を調整する方法が挙げられる。加熱温度を高くすることや、加熱時間を長くすることで粒内歪みをより除去することができ、つまり粒内歪み率を低減し得る傾向にある。但し、加熱温度が高すぎたり、加熱時間が長すぎる場合には、結晶粒子の粒子径が所望より大きくなりすぎ屈曲性に悪影響を及ぼすため、圧延前の投入線径の調質、線径、圧延後の板厚等に応じた適切な条件設定が必要である。

また、上記結晶粒子の平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率を前記範囲に制御する方法としては、例えば前記焼鈍工程での加熱温度および加熱時間を調整する方法が挙げられる。加熱温度を低くすることや、加熱時間を短くすることで結晶粒子の平均粒子径を小さく保持でき、つまり結晶粒子の平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率を前記範囲とし得る傾向にある。但し、加熱温度が低すぎたり、加熱時間が短すぎる場合には、粒内歪みが残ってしまい屈曲性に悪影響を及ぼすため、圧延前の投入線径の調質、線径、圧延後の板厚等に応じた適切な条件設定が必要である。

ここで、一例を挙げて、本発明に係る圧延銅箔の作製について図を用いて詳述する。
図３は、本発明に係る圧延銅箔の作製方法を説明するための概略図である。なお、製造途中の圧延銅箔の形状は、模式的に示したものである。従って、図示された形状に限定されるものではない。

・圧延工程
図３の工程（ａ）に示すように、まず所定の径（例えばΦ０．３０ｍｍ）を有する硬銅線または軟銅線（丸線型）を準備する。例えば上記Φ０．３０ｍｍの硬銅線は、それよりも径の大きい軟銅線（例えばΦ２．６ｍｍ）を伸線することで形成することができる。また上記Φ０．３０ｍｍの軟銅線は、それよりも径の大きい軟銅線（例えばΦ２．６ｍｍ）を伸線した後、更に熱処理を施す（例えば３００℃２時間）ことで形成することができる。

次いで図３の工程（ｂ）に示すように、前記所定の径（例えばΦ０．３０ｍｍ）の硬銅線または軟銅線に圧延を施して、最終的な銅箔状（例えば厚さ０．０８０ｍｍ×幅０．８ｍｍの箔状）に成形する。
圧延の方法としては、２つあるいは複数の回転するロールの間に前記銅線を通すことで加工する方法が挙げられる。尚、ロールの径や、パス数、潤滑剤の有無等は適宜調整される。
尚、最終的な銅箔状に成形するための圧延は２段階以上に分けて行なってもよく、更にこれら２段階以上の圧延と圧延との間に熱処理を施してもよい。

・焼鈍工程
次いで図３の工程（ｃ）に示すように、最終的な銅箔状に成形されたものに熱処理（焼鈍）を施す。熱処理の条件としては、加熱温度２００℃以上１０００℃以下の範囲で、加熱時間０．０１秒以上１００秒以下の範囲が好ましい（例えば、加熱温度４００℃で加熱時間５秒の条件で行われる）。
尚、熱処理（焼鈍）を行う方法としては、ソルトバスを用いた熱処理や、バッチ炉による熱処理、その他インライン中の電流焼鈍等の方法が挙げられる。但し、熱処理の方法は上記の方法に限定されるものではない。
その後、冷却（工程（ｄ））することで図４に示すような圧延銅箔２が作製される。尚、冷却の方法としては水冷等の急冷却の方法が好ましい。この水冷等の急冷却を施すことで、結晶粒径の粗大化を防ぐことができる。

尚、本発明に係る圧延銅箔の厚みとしては、特に限定されるものではないが、０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の範囲が好ましい。

−用途−
本発明に係る圧延銅箔は、可撓性に優れ且つ耐屈曲性に優れることから、電子機器等への実装形態における自由度が高く、フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）として好適に用いられる。例えば、自動車におけるエアバックシステムの構成部品であるステアリング・ロール・コネクタ（ＳＲＣ）、ルーフハーネス、ドアハーネス、フロアハーネス等として好適に用いられる。

なお、日本出願２０１１−２４８０９７の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

以下に、本発明に係る圧延銅箔について、実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。

〔実施例１−１〕
図３に示すように、Φ２．６ｍｍの軟銅線を伸線することで、Φ０．３０ｍｍの硬銅線（丸線型）を準備した。この硬銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０８０ｍｍ×幅０．８ｍｍの箔状に成形した。次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて４００℃５ｓｅｃの条件で熱処理（焼鈍）を施し、更に熱処理（焼鈍）の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。

前述の方法により、最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径、該平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率、および圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ解析した際における前述の式（１）により求められる粒内歪み率を求めた。結果を表１に示す。

〔実施例１−２〕
前記実施例１−１において、Φ２．６ｍｍの軟銅線を伸線した後、更に３００℃２ｈの熱処理を施すことでΦ０．３０ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備し、前記Φ０．３０ｍｍの硬銅線（丸線型）に代えて前記軟銅線を用いたこと以外は、実施例１−１に記載の方法により圧延銅箔を得た。

〔比較例１−１〕
前記実施例１−１において、ソルトバスを用いた熱処理（焼鈍）の際の温度を４００℃から８００℃に変更した以外は、実施例１−１に記載の方法により圧延銅箔を得た。

〔比較例１−２〕
前記実施例１−２において、ソルトバスを用いた熱処理（焼鈍）およびその後の水冷を一切行わなかった以外は、実施例１−１に記載の方法により圧延銅箔を得た。

−評価：耐屈曲性試験−
図５に示す上島製作所製ＦＰＣ屈曲試験機（ＦＴ−２１３０）を用い、試料固定板４および稼動板６に圧延銅箔２を固定し、モーター８により稼動板６を稼働させて屈曲試験を行った。尚、屈曲Ｒ：１２．５ｍｍ、ストロークＳ：±１３ｍｍ、環境温度：８５℃、回転速度：９００ｒｐｍ、断線定義：初期抵抗値＋５００Ωとし、断線が確認されるまで屈曲試験を繰返した。
５００万回以上を評価：Ａと、５００万回未満を評価：Ｂとした。

−評価：折り曲げやすさ（柔軟性）−
圧延銅箔に引張試験を行い耐力を測定し、耐力が低いほうが柔軟性に優れる（評価：Ａ）と判断し、耐力が高い場合を（評価：Ｂ）とした。下記表１に示す通り、実施例１−１，１−２，比較例１−１では、最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率が小さ過ぎず、柔軟性に優れる結果になったものと考えられる。

〔実施例２−１〕
図３に示すように、Φ２．６ｍｍの軟銅線を伸線することで、Φ０．２０ｍｍの硬銅線（丸線型）を準備した。この硬銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８ｍｍの箔状に成形した。次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて３００℃、１ｓｅｃの条件で熱処理（焼鈍）を施し、更に熱処理（焼鈍）の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。

前述の方法により、最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径、該平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率、および圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ解析した際における前述の式（１）により求められる粒内歪み率を求めた。結果を表２に示す。

〔実施例２−２〕〜〔実施例２−４〕
前記実施例２−１において、ソルトバスを用いた熱処理（焼鈍）の際の温度および時間を表２に記載された条件に変更した以外は、実施例２−１に記載の方法により圧延銅箔を得た。

〔比較例２−１〕
前記実施例２−１において、ソルトバスを用いた熱処理（焼鈍）およびその後の水冷を一切行わなかった（つまり中間焼鈍のみとした）以外は、実施例２−１に記載の方法により圧延銅箔を得た。

−評価：耐屈曲性試験−
図５に示す上島製作所製ＦＰＣ屈曲試験機（ＦＴ−２１３０）を用い、試料固定板４および稼動板６に圧延銅箔２を固定し、モーター８により稼動板６を稼働させて屈曲試験を行った。尚、屈曲Ｒ：７．５ｍｍ、ストロークＳ：±１３ｍｍ、環境温度：条件１＝８５℃、条件２＝２０℃、回転速度：９００ｒｐｍ、断線定義：初期抵抗値＋５００Ωとし、断線が確認されるまで屈曲試験を繰返した。尚、条件１，条件２とは耐屈曲性試験を行う試験槽内の温度条件である。温度の高い条件１は加速試験であり、条件２は室温条件での試験を示す。
５００万回以上を評価：Ａと、５００万回未満を評価：Ｂとした。

−評価：折り曲げやすさ（柔軟性）−
圧延銅箔に引張試験を行い耐力を測定し、耐力が低いほうが柔軟性に優れると判断し、耐力が２００ＭＰａ以下を評価：Ａと、２００ＭＰａ超えを評価：Ｂとした。
下記表２に示す通り、実施例２−１〜２−４では、最表面を構成する結晶粒子の平均粒子径の圧延銅箔の厚みに対する比率が小さ過ぎず、柔軟性に優れる結果になったものと考えられる。

−評価：引張強度、伸び−
圧延銅箔の引張試験で引張強度および伸びを測定した。

（測定条件）
上記、耐力、引張強度、および伸びを測定した引張試験は、試験片に表２の平角導体を用い、試験方法はＪＩＳ−Ｚ２２４１（１９９８年）に準拠して行った。

２ 圧延銅箔
４ 試料固定板
６ 稼動板
８ モーター

Claims (6)

1. 銅または銅合金の結晶粒子で構成された圧延銅箔であって、
   最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径が０．２μｍ以上６μｍ以下であり、
   最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下であり、
   且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が０．５％以上１０％以下である圧延銅箔。
   式（１） 粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００
   （上記式（１）において、（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）
2. 前記圧延銅箔の厚みに対する、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が１％以上２％以下である請求項１に記載の圧延銅箔。
3. 前記圧延銅箔の厚みに対する、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が２％を超え３％未満である請求項１に記載の圧延銅箔。
4. 前記圧延銅箔の厚みに対する、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が３％以上６％以下である請求項１に記載の圧延銅箔。
5. 丸線型の銅材を圧延して箔状に成形することで作製された請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の圧延銅箔。
6. 前記圧延銅箔の厚みが０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の圧延銅箔。