JP2898627B2 - 銅合金箔 - Google Patents

銅合金箔

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、強度、耐熱性及び
生産性に優れた銅合金箔に関するものである。本銅合金
箔は、フレキシブルプリント基板やICテープキャリア
などの用途に好適である。
【0002】
【従来の技術】フレキシブルプリント配線板は、可撓性
を持つことが特徴であり、電子機器内に曲げたり捻じっ
たりして収納することが可能であるため、電子機器の小
型化に際して、スペースを有効に使うことができるほ
か、可動部への配線にも使用される。また、集積回路の
分野では、パッケージの極薄短小化に伴って、狭ピッチ
化に対応可能な銅箔のテープキャリアを用いたパッケー
ジが従来より用いられている。フレキシブルプリント配
線板およびICテープキャリアはポリイミド等の樹脂に
銅箔をラミネートし、接着剤や加熱加圧により一体化し
て形成されたものである。上記の回路基板は、エッチン
グによりピッチが50〜100μm程度にまでファイン
化された配線パターンを形成することが可能である。
【0003】銅は導電性に優れた金属であり、高い導電
性が重視される上記分野においては純度99.99%程
度の純銅が用いられるのが一般的である。しかしなが
ら、銅は純度を上げると強度及び耐熱性の低下が著しく
なるため、ポリイミド等の可撓性樹脂基板にラミネート
する際の加熱によって変形、断線という問題が発生し、
信頼性が低下するという欠陥があった。また、上記のよ
うな製造時の熱履歴の他にも、たとえば自動車のエンジ
ンルームのようなところで使用される場合には、100
℃前後の環境下におかれるため、耐熱性や耐ヒートショ
ック性が必要とされるようになっている。
【0004】一方、製造工程においては、箔の厚さが上
記のラミネート箔まで薄くなると、歩留よく圧延するこ
とが困難となってくる。特に、介在物等の内部欠陥は圧
延時に破断、ピンホールの生じる原因となるため、生産
性を低下させ、ひいては製造コストの増大を招く。従っ
て、素材には介在物の少ないことが望まれる。
【0005】ところで、近年、電子機器用銅合金のよう
な高い強度と導電性を要求される用途には、析出型銅合
金が使われるケースが多い。Cu−Cr−Zr系合金は
高強度と高導電率とを併せ持つ代表的な析出型銅合金で
あり、電子機器用材料としての実用化が試みられてい
る。この合金における研究結果によると、時効析出過程
において銅マトリックス中に微細なCrとCu3 Zr析
出粒子が生じることにより強度と導電率が上昇するとさ
れており、強度上昇に寄与する析出粒子の大きさは0.
5μm以下であるとされている。
【0006】例えば、特許番号第2501275号(登
録日:平成8年3月13日)の特許公報は、クロム0.
01〜2wt%、ジルコニウム0.005〜1wt%の
いずれか又は双方を選択し、酸素60ppm以下、残部
実質的に銅よりなり、析出物の大きさが50μm以下で
あり、かつ0.5〜50μmの析出物が100〜100
000個/mm2 存在することを特徴とする導電性およ
び強度を兼備した銅合金を記載している。この合金に、
指定量のNi、Sn、Fe、Co、Zn、Tiその他多
数の添加元素を添加することも記載している。しかし、
50μmにも及ぶ大きなの析出物が100〜10000
0個/mm2 も存在するのでは、圧延箔として応用でき
ない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】Cu−Cr−Zr系合
金において銅マトリックス中に微細なCrとCu3 Zr
析出粒子が生じることにより強度と導電率が上昇すると
いう性質は、添加元素のCrおよびZrがマトリックス
の銅と固溶しにくいという性質があるため実現できるこ
とであるが、半面、強度の向上に寄与しない粗大な晶出
物あるいは析出物がマトリックス中に残存しやすく、ま
た、これら添加元素の活性が高いために、酸化物、硫化
物、珪化物等が発生しやすいため、マトリックス中にこ
れらの比較的大きな粒子が分散した組織となりやすいと
いう結果を生むことになっている。事実、上記特許番号
第2501275号は、0.5〜50μmの析出物が1
00〜100000個/mm2 にも及んで存在すること
を記載している。
【0008】Cu−Cr−Zr系合金は基本的に高強度
と高導電率とを併せ持つ優れた銅合金であり、これを圧
延銅箔にも用いることが期待される。しかしながら、C
u−Cr−Zr系合金を銅合金箔材料として実用化する
に当って、これらの粗大な粒子が存在すると、圧延時に
破断、ピンホールの生じる原因となるため、生産性を低
下させ、ひいては製造コストの増大を招く。
【0009】従って、フレキシブルプリント基板やIC
テープキャリア用などに好適に用いることができる、優
れた強度、導電性及び耐熱性を有すると共に、生産性に
も優れたCu−Cr−Zr系銅合金箔の開発が要望され
ている。また、そうした銅合金箔において、フレキシブ
ルプリント基板等での使用において半田接合部が動作中
の熱により剥離を生じることを防ぐことも必要である。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Cu−C
r−Zr系合金の研究を重ねた結果、Cr、ZrにZn
を添加することにより合金成分を調整すると共に、製造
条件を厳密に制御・選定して、マトリックス中の析出
物、晶出物、酸化物、硫化物、珪化物等の介在物の分布
の制御を行うことにより、強度、導電率及び耐熱性並び
に生産性を高いレベルでバランスさせることが可能であ
り、これにFeおよびTi、並びにNi、Sn、In、
Mn、P、Mg、Al、B、As、Cd、Co、Te、
AgおよびHfの1種以上を添加することにより強度特
性の更なる改良が可能となることがわかった。前記特許
番号第2501275号の開示とは異なり、介在物の大
きさが10μm以下であり、かつ0.5〜10μmの大
きさの介在物の個数が100個/mm2 未満とすること
ができ、これにより始めてフレキシブルプリント基板や
ICテープキャリアなどに好適に用いることができる銅
合金圧延箔が得られたのである。
【0011】こうした知見に基づいて、本発明は、C
r:0.02〜0.4%、Zr:0.01〜0.25
%、Zn:0.02〜2.0%を含有し、必要によりF
e:0.05〜1.8%、Ti:0.05〜0.8%、
更に必要によりNi、Sn、In、Mn、P、Mg、A
l、B、As、Cd、Co、Te、AgおよびHfの1
種以上:総量で0.005〜1.5重量%をも含有し、
残部が銅及び不可避不純物からなり、介在物の大きさが
10μm以下であり、かつ0.5〜10μmの大きさの
介在物の個数が100個/mm2 未満であることを特徴
とし、強度、耐熱性を従来の銅箔よりも格段に向上し、
さらに生産性も良好な銅合金箔を提供する。
【0012】本発明において、用語「介在物」とは、鋳
造時の凝固過程以降、すなわち凝固後の冷却過程、熱間
圧延後の冷却過程、時効焼鈍時等に固相のマトリックス
中に析出反応で生じる析出物(粒子)、鋳造時の凝固過
程の偏析により生じ、一般に粗大である晶出物(粒子)
並びに溶解時の溶湯内での反応により生じる不純物であ
る酸化物、硫化物、珪化物など、本銅合金の顕微鏡観察
によりマトリックス中に観察される粒子を包括するもの
として使用する。「介在物の大きさ」は介在物を顕微鏡
観察下で、その介在物を包む最小円の直径を云う。「介
在物の個数」とは、顕微鏡観察下で、多数箇所において
実際に数えた単位平方mm当りの介在物の平均個数であ
る。すなわち、試料の表面を鏡面研磨した後、EPMA
にて5000倍の倍率で、単位平方mm当りの0.5〜
50μmの大きさの介在物の数を測定したものである。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明において合金組成並びに介
在物寸法を上記のように限定した理由について述べる。 (Cr)Crは、合金を溶体化処理後、時効させること
により母相中に析出して強度を向上させる作用をする
が、その含有量が0.02重量%未満では、この作用に
よる所望の効果が得られず、一方、0.4%を超えて含
有させると、粗大なCrが母相中に残留する。この結
果、圧延時の破断、ピンホール発生等により生産性の低
下を招くことになる。こうした理由で、Cr含有量は
0.02〜0.4重量%の範囲と定めた。
【0014】(Zr)Zrには、時効処理によりCuと
化合物を形成して母相中に析出しこれを強化する作用が
あるが、その含有量が0.01重量%未満では、前記作
用による所望の効果が得られず、一方、0.25重量%
を超えてZrを含有させると、溶体化処理後に粗大な未
固溶Zrが含有するようになり、生産性の低下を招くこ
とから、Zr含有量は0.01〜0.25%と定めた。
【0015】(Zn)Znは、半田接合部が動作中の熱
により剥離を生じることを防ぐために添加される成分で
あるが、その含有量が0.02%未満では前記作用によ
る所望の効果が得られず、一方、2.0を超えてZnを
含有させると導電率の低下が著しくなることから、Zn
含有量を0.02〜2.0%と定めた。
【0016】(Ti及びFe)Ti及びFeは合金を時
効処理したときに母相中にTiとFeの金属間化合物を
形成し、その結果として合金強度をさらに向上させる作
用を発揮するために必要に応じて添加されるが、これら
の含有量がそれぞれ0.05%未満では上記作用による
所望の強度が得られない。一方、Ti含有量が0.8%
を超えたり、Fe含有量が1.8%を超える場合には、
TiとFeを主成分とする粗大な介在物が含まれるよう
になり、生産性を著しく阻害する。
【0017】(Ni、Sn、In、Mn、P、Mg、A
l、B、As、Cd、Co、Te、Ag、Hf)これら
はいずれも、合金の導電率を低下させずに、主として固
溶強化により強度を向上させる作用を有しており、した
がって必要により1種または2種以上の添加がなされる
が、その含有量が総量で0.005%未満であると前記
作用による所望の効果が得られず、一方で総量で1.5
%を超える場合には導電性を著しく劣化させ、生産性も
低下する。このため、単独添加あるいは2種以上の複合
添加がなされるNi、Sn、In、Mn、P、Mg、A
l、B、As、Cd、Co、Te、Ag、Hfの含有量
は、総量で0.005〜1.5%と定めた。
【0018】(介在物)この合金系ではマトリックス中
に介在物の粒子が存在することがある。この合金に必要
な強度を得るための介在物は小さいが、0.5μmを超
える粗大な介在物は強度上昇に寄与しないばかりか、圧
延工程において破断やピンホールを発生し、生産性低下
の原因となる。このような不具合を起こさないために
は、この粗大な介在物の大きさの上限を10μmとし、
0.5〜10μmの大きさの介在物の個数を100個/
mm2 /mm2 未満とすれば良い。
【0019】次に、この合金を得るための製造方法につ
いて説明する。 (溶解・鋳造)溶解工程では、粗大な酸化物、硫化物、
珪化物等の介在物の生成を防ぐことが重要である。ま
ず、るつぼの材質としてはカーボンが望ましく、マグネ
シア、アルミナ、シリカ等の酸化物を含むものを使用す
る場合、溶湯がこれらを侵食して溶湯中に巻き込んだ
り、炉材がZrにより還元され、Zr酸化物を生成する
ため、その使用は適当でない。また、使用する溶解原料
に油分の付着があると、溶湯中で硫化物を形成する可能
性があるため好ましくない。従ってリターン材を使う場
合には脱脂を行うか、またはリターン材の使用を避ける
べきである。溶解原料の溶落後は、溶湯表面をCO等の
還元性ガスで被覆したり、真空雰囲気とすることにより
酸素濃度を低減する必要がある。これにより酸素濃度を
20ppm以下とすることが望ましい。
【0020】(均質化熱処理)次に、均質化熱処理条件
について述べる。インゴット中には、Cr、Zrをはじ
めとする添加元素が鋳造時に偏析したことによって形成
された晶出物が存在している。製品までの工程において
これらを小さくするためには、均質化熱処理を熱間圧延
前に十分行うことによって、この段階で晶出物を小さく
しておく必要がある。具体的には、熱間圧延開始時点で
の温度を800℃以上、好ましくは850℃以上とする
必要がある。
【0021】(熱間圧延)次に、熱間圧延条件について
述べる。圧延中に温度が低下すると、析出反応が進むこ
とによって粒子の粗大化が起こる。このような場合には
製品段階でも大きい粒子が残存することになる。従っ
て、熱間圧延中、材料の温度が下がらないことが必要で
あり、終了温度を700℃以上、好ましくは750℃以
上であることが望ましい。熱間圧延後の冷却過程におい
て、冷却速度を遅くするほど析出反応が進むことによっ
て、粒子の粗大化が起こる。このような場合には製品段
階でも大きい粒子が残存することになる。従って、熱間
圧延中、材料の温度が下がらないことが必要であり、終
了温度を700℃以上、好ましくは750℃以上である
ことが望ましい。
【0022】(溶体化処理)液体化処理を行うのは、後
の時効処理で高強度の材料を得るためである。処理温度
が高い方がCr、Zrのマトリックス中への固溶量が増
し、時効後の強度が高くなる。このような効果を得るた
めには処理温度が高い程よく、700℃以上とするのが
望ましい。また、溶体化処理の際、冷却速度は速い方が
高強度が得られやすく、具体的には水冷を行うことが望
ましい。
【0023】(冷間圧延)溶体化処理後に冷間圧延を行
うと時効工程での析出が促進され、高強度が得られる。
また、この効果を得るためには冷間圧延の加工度を40
%以上とするのが望ましい。
【0024】(時効処理)時効処理は、強度、導電性を
向上させるために必要であり、300〜700℃で行わ
れる。時効処理温度を300〜700℃とする理由は、
300℃未満では時効処理に時間がかかり経済的でな
く、700℃を超えるとCr及びZrが固溶してしま
い、時効硬化による強度及び導電性の向上が生じないた
めである。この後、最終の冷間圧延および歪取焼鈍が行
われる。
【0025】
【実施例】実施例及び比較例に基づいて本発明を説明す
る。まず、電気銅あるいは無酸素銅を主原料とし、そし
て銅クロム母合金、銅ジルコニウム母合金、亜鉛、チタ
ン、ニッケル、スズ、インジウム、マンガン、マグネシ
ウム軟鋼、シリコン、銅リン母合金、アルミニウム、硼
素、ひ素、カドミウム、コバルト、テルル、銀を副原料
とし、カーボン製ルツボを用いて、高周波溶解炉にて表
1に示す各種成分組成の銅合金を真空中またはAr雰囲
気溶解中で溶製し、厚さ30mmのインゴットに鋳造し
た。次に、上述した工程に従い、これらの各インゴット
から厚さ0.035mmの箔を作成し、「強度」、「導
電性」及び「耐熱性」について評価した。「強度」につ
いては引張試験機において引張強さを測定した。「導電
性」は導電率によって示した。「耐熱性」は1時間加熱
において引張り強さが加熱前から半減する温度を軟化温
度として求めた。なお、「介在物数」については、試料
の表面を鏡面研磨した後、EPMAにて5000倍の倍
率で、単位平方mm当りの0.5〜50μmの大きさの
介在物の数を測定した。
【0026】また、厚さ:0.035mm、幅:450
mm、長さ:5000mの箔を作成し、「生産性」の評
価も行った。「生産性」は、圧延工程中の破断発生状況
及び製品段階でのピンホール発生状況で評価した。「破
断」については、破断が発生しなかった場合を○、発生
した場合を×とした。「ピンホール」については100
0m当たりの直径0.5mm以上のピンホールの発生個
数を計測することによって行った。
【0027】
【表1】
【0028】
【表2】
【0029】表2に特性評価結果を示す。表2からわか
るように、本発明合金箔は優れた強度、導電性、耐熱性
及び生産性を有している。これに対し、比較例11はZ
rを含有しないために強度及び耐熱性が劣る例である。
また、比較例13はZnが、そして比較例14は副成分
の合計量が指定範囲を超えたため、導電率が低下した例
である。また、比較例12、14、15は介在物数が多
いために製造工程中で破断が発生し、ピンホールの個数
が増加した例である。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来の圧延銅箔に比べて強度及び耐熱性に優れまた生産
性にも優れた銅合金箔が得られ、信頼性の高いフレキシ
ブル回路基板、ICテープキャリア用基材等の広範な用
途に適したものである。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 重量割合にて、Cr:0.02〜0.4
    %、Zr:0.01〜0.25%、Zn:0.02〜
    2.0%を含有し、残部が銅及び不可避不純物からな
    り、そして介在物の大きさが10μm以下であり、かつ
    0.5〜10μmの大きさの介在物の個数が100個/
    mm2 未満であることを特徴とする銅合金箔。
  2. 【請求項2】 重量割合にて、Cr:0.02〜0.4
    %、Zr:0.01〜0.25%、Zn:0.02〜
    2.0%を含有し、更にNi、Sn、In、Mn、P、
    Mg、Al、B、As、Cd、Co、Te、Agおよび
    Hfの1種以上:総量で0.005〜1.5重量%をも
    含有し、残部が銅及び不可避不純物からなり、そして介
    在物の大きさが10μm以下であり、かつ0.5〜10
    μmの大きさの介在物の個数が100個/mm2 未満で
    あることを特徴とする銅合金箔。
  3. 【請求項3】 重量割合にて、Cr:0.02〜0.4
    %、Zr:0.01〜0.25%、Zn:0.02〜
    2.0%、を含有し、更にFe:0.05〜1.8%、
    Ti:0.05〜0.8%をも含有し、残部が銅及び不
    可避不純物からなり、介在物の大きさが10μm以下で
    あり、かつ0.5〜10μmの大きさの介在物の個数が
    100個/mm2 未満であることを特徴とする銅合金
    箔。
  4. 【請求項4】 重量割合にて、Cr:0.02〜0.4
    %、Zr:0.01〜0.25%、Zn:0.02〜
    2.0%、を含有し、更にFe:0.05〜1.8%、
    Ti:0.05〜0.8%を含有し、加えてNi、S
    n、In、Mn、P、Mg、Al、B、As、Cd、C
    o、Te、AgおよびHfの1種以上:総量で0.00
    5〜1.5重量%をも含有し、残部が銅及び不可避不純
    物からなり、介在物の大きさが10μm以下であり、か
    つ0.5〜10μmの大きさの介在物の個数が100個
    /mm2 未満であることを特徴とする銅合金箔。
JP10096960A 1997-03-27 1998-03-26 銅合金箔 Expired - Lifetime JP2898627B2 (ja)

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JP9133797 1997-03-27
JP9-91337 1997-03-27
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