JP5338523B2 - 新規なチオエーテル基含有シロキサンポリイミド及び配線基板 - Google Patents
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Description
1H−NMR(DMSO−d6): δ8.65ppm(トリメリット酸3位の芳香族プロトンHa、s、2H)、δ8.63〜8.62ppm(トリメリット酸6位の芳香族プロトンHb、d、2H)、相対積分強度(Ha+Hb、4H):3.96、δ8.29〜8.27ppm(トリメリット酸5位の芳香族プロトンHc、d、2H、相対積分強度2.00)、δ7.53〜7.44ppm(ビフェニルチオエーテル基上芳香族プロトンHe+Hd、dd、8H、相対積分強度8.00)
DSC: 融点232.0℃
窒素気流下、ディーンスタークトラップを付与した三ロセパラブルフラスコ50mLに、シロキサンジアミン(x−22−9409、信越化学工業株式会社)16.3433g(12.20mmol)とγ−ブチロラクトン20.00gとを投入して溶解させ、その溶液に3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)6.130g(17.11mmol)とビス(P−トリメリットオキシフェニル)チオエーテル酸二無水物(TADPS)1.077g(1.901mmol)とを加えて分散状態になるまで攪拌した後、室温にて1時間攪拌した。その後、共沸剤であるトルエンを10g添加し、内温を185℃まで昇温させ、イミド化水および添加したトルエンを回収し、185℃にて1時間攪拌保持した後、室温まで冷却し、均一で透明な酸無水物末端イミドオリゴマーを得た。その溶液へγ−ブチロラクトン17.5gで溶解した3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BS−DA)1.8464g (6.587mmol)を加え、更に1時間室温で攪拌した。その後、内温を185℃まで昇温させ、その温度で1時間攪拌し、室温まで冷却し、以下の式で表される重合単位を有するシロキサンポリイミドを得た。シロキサンポリイミド中の式(1)に対応する重合単位は、65モル%であった。また、Xの数値は0.35であった。
窒素気流下、ディーンスタークトラップを付与した三ロセパラブルフラスコ50mLに、シロキサンジアミン(x−22−9409、信越化学工業株式会社)16.3433g(12.20mmol)とγ−ブチロラクトン20.00gとを投入して溶解させ、その溶液に3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)5.449g(15.21mol)とビス(P−トリメリットオキシフェニル)チオエーテル酸二無水物(TADPS)2.154g(3.802mmol)とを加えて分散状態になるまで攪拌した後、室温にて1時間攪拌した。その後、共沸剤であるトルエンを10g添加し、内温を185℃まで昇温させ、イミド化水および添加したトルエンを回収し、185℃にて1時間攪拌保持した後、室温まで冷却し、均一で透明な酸無水物末端イミドオリゴマーを得た。その溶液へγ−ブチロラクトン17.5gで溶解した3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BS−DA)1.8464g (6.587mmol)を加え、更に1時間室温で攪拌した。その後、内温を185℃まで昇温させ、その温度で1時間攪拌し、室温まで冷却し、前段落記載の式で表される重合単位(即ち、実施例1のシロキサンポリイミドと同じ重合単位)を有するシロキサンポリイミドを得た。シロキサンポリイミド中の式(1)に対応する重合単位は、65モル%であった。また、Xの数値は0.35であった。
窒素気流下、ディーンスタークトラップを付与した三ロセパラブルフラスコ50mLに、シロキサンジアミン(x−22−9409、信越化学工業株式会社)16.3433g(12.20mmol)とγ−ブチロラクトン20.00gとを投入して溶解させ、その溶液に3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)6.8104g(19.01mol)を加えて分散状態になるまで攪拌した後、室温にて1時間攪拌した。その後、共沸剤であるトルエンを10g添加し、内温を185℃まで昇温させ、イミド化水および添加したトルエンを回収し、185℃にて1時間攪拌保持した後、室温まで冷却し、均一で透明な酸無水物末端イミドオリゴマーを得た。その溶液へγ−ブチロラクトン17.5gで溶解した3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BS−DA)1.8464g (6.587mmol)を加え、更に1時間室温で攪拌した。その後、内温を185℃まで昇温させ、その温度で1時間攪拌し、室温まで冷却し、以下の式で表される重合単位を有するシロキサンポリイミドを得た。シロキサンポリイミド中に式(1)に対応する重合単位は存在しないものであった。また、X及びYの数値は、それぞれ0.35及び0.65であった。
窒素気流下、ディーンスタークトラップを付与した三ロセパラブルフラスコ50mLに、シロキサンジアミン(x−22−9409、信越化学工業株式会社)13.826g(10.32mmol)とγ−ブチロラクトン20.00gとを投入して溶解させ、その溶液に3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)6.8104g(19.01mol)を加えて分散状態になるまで攪拌した後、室温にて1時間攪拌した。その後、共沸剤であるトルエンを10g添加し、内温を185℃まで昇温させ、イミド化水および添加したトルエンを回収し、185℃にて1時間攪拌保持した後、室温まで冷却し、均一で透明な酸無水物末端イミドオリゴマーを得た。その溶液へγ−ブチロラクトン17.5gで溶解した3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BS−DA)1.8464g (6.587mmol)とベンゾグアナミン(BG)0.3517g(1.879mmol)とを加え、更に1時間室温で攪拌した。その後、内温を185℃まで昇温させ、その温度で1時間攪拌し、室温まで冷却し、以下の式で表される重合単位を有するシロキサンポリイミドを得た。シロキサンポリイミド中に式(1)に対応する重合単位は存在しないものであった。また、X、Y及びZの数値は、それぞれ0.35、0.55及び0.10であった。
実施例及び比較例で得られたシロキサンポリイミドについて、以下に説明するように「固有粘度」、「5%質量減少温度(Td5)」、「ガラス転移温度(Tg)」、「弾性率」、「最大伸び」及び「ピール強度」を測定し、得られた結果を表1に示す。
0.5質量%のシロキサンポリイミドのγ−ブチロラクトン溶液を調製し、オストワルド粘度計を用いて30℃で測定した。固有粘度は、成膜後の膜靱性を得るために0.1dL/g以上であることが望まれる。
シロキサンポリイミドをγ−ブチロラクトンに溶解させたポリイミド溶液(35〜50質量%)をガラス基板上へ適下し、100℃1時間で乾燥後、減圧下200℃1時間でアニールしてポリイミド膜を得た。得られたポリイミド膜の熱質量変化を、熱質量分析装置(TG−DTA2000、Bruker−AXS社)を用い、昇温速度10℃/分の条件で測定し、質量が5%減少した温度を求めた。この温度は、FPCへの部品実装にかかる鉛フリー半田リフロー温度を考慮すると、260℃以上でであることが望まれる。
「5%質量減少温度(Td5)」試験の場合と同様に作成したポリイミド膜の試験片(30mm×3mm)のガラス転移温度を、熱機械分析装置(TMA4000、Bruker−AXS社)を用い、荷重0.5g/膜厚1μm、昇温速度5℃/分という条件で、試験片の伸びより求めた。ガラス転移温度は、FPCの使用環境を考慮すると100℃以上であることが望まれる。
「5%質量減少温度(Td5)」試験の場合と同様に作成したポリイミド膜の試験片(30mm×3mm)の弾性率、最大伸びを、引っ張り試験機(テンシロン、東洋ボールドウィン社製)を用い、8mm/分の引張速度で引張試験を実施して求めた。弾性率は、基材の反りを抑制するために、0.05〜0.9GPaであることが望まれる。また、最大伸びは、膜の耐屈曲性を維持するために、30%以上であることが望まれる。
シロキサンポリイミドをγ−ブチロラクトンに溶解させたポリイミド溶液(35〜50質量%)を、電解銅箔S面ヘコーティングし、100℃10分で乾燥させた。続いて、減圧下200℃のオーブンで1時間アニールすることにより銅/ポリイミドの積層体を得た。得られた積層体のポリイミド面へエポキシ接着剤(ボンドクイック5、小西社)を塗布し、ガラスエポキシ基板へ貼り付けた。接着を確認した後、銅箔面ヘマスキングテープを貼り、塩化第二鉄にて3mm幅にエッチングした。このようにして得られた試験片を、引っ張り試験機(テンシロン、東洋ボールドウィン社製)を用い、8mm/分の引張速度で180°剥離試験を行ってピール強度を求めた。ピール強度は、FPCの製造工程、実装工程、使用条件による層間剥離を回避するために、0.50kgf/cm以上であることが望まれる。
Claims (7)
- mが1〜20であり、nが1〜20である請求項1記載のチオエーテル基含有シロキサンポリイミド。
- 全ジアミン成分中、シロキサンジアミン成分のモル分率が、30〜90モル%であり、全酸二無水物中のチオエーテル基含有酸二無水物のモル分率が、1〜100モル%である請求項1又は2記載のチオエーテル基含有シロキサンポリイミド。
- R1及びR2が、トリメチレン基である請求項1〜4のいずれかに記載のチオエーテル基含有シロキサンポリイミド。
- ポリイミド樹脂組成物層を有する配線基板において、ポリイミド樹脂組成物層が請求項1〜6のいずれかに記載のチオエーテル基含有シロキサンポリイミドを含有することを特徴とする配線基板。
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