JP5333578B2 - 高周波スイッチモジュール - Google Patents

Description

この発明は、多層基板にスイッチＩＣを搭載した構成の高周波スイッチモジュールに関する。

携帯電話などのフロントエンド部に高周波スイッチモジュールが採用される。高周波スイッチモジュールは、多層基板にスイッチＩＣを搭載して構成される。スイッチＩＣは、複数のうちから選択した選択端子を共用端子に接続するものである。多層基板はスイッチＩＣの端子に接続される表面電極や、実装電極、内部電極を備える。

高周波スイッチモジュールでは、スイッチＩＣに電力を供給する内部配線（電源配線）に、外部やスイッチＩＣで発生した電源ノイズが重畳することがある。この電源ノイズは多層基板において電源配線の他の内部配線に漏れると問題となる。特に、スイッチＩＣのパワーオン時に送信信号を伝搬する内部配線（送信配線）に電源ノイズが漏れると、高調波歪等の特性劣化が起こる可能性があり問題が大きい。

そこで、この問題を解消するために、電源配線の上下を内部グランド電極で挟み込む構成が採用されることがある(例えば特許文献１参照。)。

特開２００１−５３４４９号公報

上記文献では、電源配線に重畳する電源ノイズが他の内部配線へ漏れることを防ぐ内部グランド電極を、多層基板内部の所定界面の全面に形成している。そのため、電源配線の他の内部配線や回路素子などがこの内部グランド電極に対面することで、所望のインピーダンスや電気特性を得られなくなることがあった。また、内部グランド電極を介して電源配線から他の内部配線へ電源ノイズが漏れることがあった。

そこで本発明は、電源配線の他の内部配線や回路素子などを所望のインピーダンスや電気特性に設定することが容易で、電源ノイズが内部グランド電極を介して電源配線の他の内部配線に漏れることを抑制できる高周波スイッチモジュールの提供を目的とする。

この発明はスイッチＩＣを絶縁体層と電極とを積層して構成した多層基板に搭載した高周波スイッチモジュールであって、電源配線と第１の信号配線と第１および第２の内部グランド電極とを備える。電源配線は、スイッチＩＣに電力を供給する内部配線である。第１の信号配線は、第１の高周波信号が伝搬する内部配線である。第１および第２の内部グランド電極は、多層基板の積層方向から見て互いに間隔を隔てて配置される。ここで、第１の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が第１の信号配線から分離されるとともに、その少なくとも一部が電源配線である。第２の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が電源配線から分離されるとともに、その少なくとも一部が第１の信号配線である。

この構成により、第１の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線と、第２の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線との間のアイソレーションを高められる。したがって、電源配線に重畳されるノイズが、第１および第２の内部グランド電極を介して第１の信号配線に漏れることを抑制できる。さらには、電源配線に対向する第１の内部グランド電極を個別化するので、電源配線の他の内部配線や回路素子のインピーダンスや電気特性を所望の設定にすることが容易である。

この発明の高周波スイッチモジュールは第２の信号配線と第３の内部グランド電極とを備えてもよい。第２の信号配線は、第２の高周波信号が伝搬する内部配線である。第３の内部グランド電極は、多層基板の積層方向から見て第１および第２の内部グランド電極に間隔を隔てて配置される。この場合、第１の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線、および、第２の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線は、それぞれ全体が第２の信号配線から分離されると好適である。さらには、第３の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が第１の信号配線および電源配線から分離されるとともに、その少なくとも一部が第２の信号配線であると好適である。

この構成により、第１の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線と、第２の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線と、第３の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線との間のアイソレーションを高められる。したがって、第１および第２の高周波信号と電源ノイズとが第１乃至第３の内部グランド電極を介して漏れることが無くなる。

この発明の高周波スイッチモジュールは第２の信号配線を備え、第１の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その少なくとも一部が第２の信号配線であると好適である。さらには、第２の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が第２の信号配線から分離されると好適である。

この構成により、少なくとも、第２の高周波信号が第１および第２の内部グランド電極を介して第１の信号配線に漏れることを抑制できる。また、第１の高周波信号が第２および第１の内部グランド電極を介して第２の信号配線に漏れることを抑制できる。

この発明の第１の高周波信号は送信信号であり、第２の高周波信号は受信信号であると好適である。送信信号は受信信号に比べて電流振幅が大きく、送信信号が第２の信号配線に漏れることで高調波歪み等の問題を招来する。そこで、送信信号が伝搬する第１の信号配線と受信信号が伝搬する第２の信号配線とに対向する内部グランド電極を分離することにより、送信信号と受信信号とのアイソレーションを高められ、高調波歪み等の問題を抑制できる。

この発明の高周波スイッチモジュールは第４の内部グランド電極を備えると好適である。第４の内部グランド電極は、第１の内部グランド電極のスイッチＩＣ側に配置される内部配線のさらにスイッチＩＣ側に、多層基板の積層方向から見て第１の内部グランド電極に重なって配置される。この構成により、電源配線に重畳されるノイズの漏れが低減できる。

この発明の高周波スイッチモジュールは、多層基板の積層方向から見て第１の内部グランド電極に重なってスイッチＩＣが配置されると好適である。この構成により、電源配線を短縮でき、電源配線にノイズが重畳する危険性を抑制できる。

この発明の高周波スイッチモジュールは、第１の内部グランド電極と第２の内部グランド電極とが多層基板の異なる層に形成されると好適である。この構成により、第１および第２の内部グランド電極を介したノイズの漏れが低減できる。

この発明の、前記第１の内部配線は、前記第１の内部グランド電極との間隔、および、前記第４の内部グランド電極との間隔、それぞれが、前記第２の内部配線との間隔よりも短いと好適である。この構成により、各配線からのノイズの漏れが低減できる。

この発明によれば、第１の内部電極と第２の内部電極とは分離して形成されるので、電源配線と第１の信号配線との間のアイソレーションを高められる。したがって、電源配線に重畳されるノイズが第１および第２の内部グランド電極を介して第１の信号配線に漏れることを抑制できる。さらには、電源配線に対向する第１の内部グランド電極を個別化するので、電源配線の他の内部配線や回路素子のインピーダンスや電気特性を所望の設定にすることが容易である。

本発明の第１の実施形態に係る高周波スイッチモジュールの構成例を説明する図である。 本発明の効果を検証する実験を説明する図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波スイッチモジュールの構成例を説明する図である。 本発明の第３の実施形態に係る高周波スイッチモジュールの構成例を説明する図である。 本発明の第４の実施形態に係る高周波スイッチモジュールの構成例を説明する図である。 本発明の第５の実施形態に係る高周波スイッチモジュールの構成例を説明する図である。 本発明の電極配置例を説明する図である。

以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波スイッチモジュールの構成例を説明する。

図１（Ａ）は本実施形態に係る高周波スイッチモジュールの部分断面図であり、図１（Ｂ）は本実施形態に係る高周波スイッチモジュールを所定の基板界面からみた部分平面図である。

高周波スイッチモジュール１は、スイッチＩＣ２と多層基板３とを備える。

多層基板３は、複数の内部配線４Ａ，４Ｂ，５および内部グランド電極６Ａ，６Ｂ，７を備える。多層基板３の天面は、スイッチＩＣ２を含む複数のチップ素子を搭載する表面電極（不図示）が形成される。多層基板３の底面は、実装電極（不図示）が形成される。

内部グランド電極６Ａ，６Ｂは、多層基板３内の同一の基板界面にスリット８を隔てて設けられる。内部グランド電極７は、多層基板３内の底面に隣接する基板界面に設けられる。

内部配線４Ａは配線領域３Ａに設けられる。配線領域３Ａは、多層基板３における内部グランド電極６Ａよりも天面側の領域である。内部配線４Ａは、表面電極や内部グランド電極６Ａに接続される。

内部配線４Ｂは配線領域３Ｂに設けられる。配線領域３Ｂは、多層基板３における内部グランド電極６Ｂよりも天面側の領域である。内部配線４Ｂは、表面電極や内部グランド電極６Ｂに接続される。

内部配線５は素子領域３Ｃ内に設けられる。素子領域３Ｃは、多層基板３における内部グランド電極６Ａ，６Ｂよりも底面側で、内部グランド電極７よりも天面側の領域である。素子領域３Ｃでは内部配線５が部分的に回路素子を構成する。内部配線５の一部は、内部配線４Ａや内部配線４Ｂに接続されるとともに、実装電極に接続される。また、内部配線５の他の一部は、内部グランド電極６Ａや内部グランド電極６Ｂに接続されるとともに、内部グランド電極７に接続される。

スイッチＩＣ２は、底面に複数の端子（不図示）を備える。これらの端子は、多層基板３の表面電極に搭載され、内部配線４Ａ，４Ｂに接続される。本実施形態では、スイッチＩＣ２の複数の端子のうちのＤＣ系端子は、内部配線４Ａのいずれかに接続する。ＤＣ系端子は、スイッチＩＣ内部の電源ラインに直接またはインピーダンス素子を介して接続される端子であり、スイッチＩＣ２の電源端子を含む。したがって、内部配線４Ａのうちのいずれかは、スイッチＩＣ２の電源端子に接続され、スイッチＩＣ２に電力を供給する本発明の電源配線として利用される。そして、内部グランド電極６Ａは、本発明の第１の内部グランド電極として利用される。

また、スイッチＩＣ２の複数の端子のうちのＲＦ系端子は、内部配線４Ｂのいずれかに接続する。ＲＦ系端子は、スイッチＩＣ内部のＲＦラインに直接またはインピーダンス素子を介して接続される端子であり、スイッチＩＣ２の信号端子を含む。したがって、内部配線４Ｂのうちのいずれかは、スイッチＩＣ２の信号端子に接続され、ＲＦ信号が伝搬する本発明の第１の信号配線として利用される。そして、内部グランド電極６Ｂは、本発明の第２の内部グランド電極として利用される。

スイッチＩＣ２の複数の端子のうちのＤＣ系端子およびＲＦ系端子の他の端子は、内部配線４Ａ，４Ｂのいずれに接続してもよく、配線領域３Ａ，３Ｂの外に設ける内部配線に接続してもよい。本実施形態ではそれらの端子のうちの制御系端子は、内部配線４Ａのいずれかに接続する。制御系端子は、スイッチＩＣ内部の制御ラインに直接またはインピーダンス素子を介して接続される端子である。

以上の構成では、内部グランド電極６Ａと内部グランド電極６Ｂとが、スリット８によって分断されている。そして内部配線４Ａは全て、配線領域３Ｂに跨がることなく配線領域３Ａに設けられ、スイッチＩＣ２のＲＦ系端子から分離されている。内部配線４Ｂは全て、配線領域３Ａに跨がることなく配線領域３Ｂに設けられ、スイッチＩＣ２のＤＣ系端子から分離されている。これにより、内部グランド電極６Ａに対向する内部配線４Ａと、内部グランド電極６Ｂに対向する内部配線４Ｂと、の間でのアイソレーションを高められる。

したがって、内部配線４ＡにＤＣ系端子から電源ノイズが重畳しても、電源ノイズが内部グランド電極６Ａから内部グランド電極６Ｂに伝搬することが殆ど無くなる。このため内部配線４Ａから内部配線４Ｂへの電源ノイズの漏れを抑制できる。なお、本実施形態ではＤＣ系端子の全てを内部配線４Ａに接続するとしたが、少なくとも電源端子を内部配線４Ａに接続することで、電源配線からの電源ノイズの漏れを低減できる。電源端子以外のＤＣ系端子をノイズが経由する虞もあるので、電源端子以外のＤＣ系端子も内部配線４Ａに接続することで、電源ノイズの漏れをより一層抑制できる。

また、ノイズが内部グランド電極６Ｂから内部グランド電極６Ａに伝搬することも殆ど無くなり、例えば、ＲＦ信号自体がノイズとして内部配線４Ｂから内部配線４Ａに漏れることが殆ど無くなる。なお、本実施形態ではＲＦ系端子の全てを内部配線４Ｂに接続したが、少なくとも第１の信号端子を内部配線４Ｂに接続していれば、この信号端子への電源ノイズの漏れや、この信号端子から電源配線へのノイズの漏れを低減できる。この信号端子以外のＲＦ系端子をノイズが経由する虞もあるので、この信号端子以外のＲＦ系端子も内部配線４Ｂに接続することで、ノイズの漏れをより一層抑制できる。

また、仮にスイッチＩＣの内部で制御ラインに電源ノイズが漏れたとしても、制御系端子に重畳したノイズが内部グランド電極６Ａから内部グランド電極６Ｂに伝搬することが殆ど無くなる。したがって、制御系端子によるノイズについても漏れを抑制できる。

図２は、本発明の効果を検証する実験を説明する図である。

ここでは２本の伝送線路間でのアイソレーションをシミュレーションした結果を示す。図２（Ａ）に示す構成は、２本の伝送線路におけるグランド電極を一体に構成したものであり、両伝送線路間のアイソレーションは４０ｄＢであった。一方、図２（Ｂ）に示す構成は、２本の伝送線路におけるグランド電極を別体に構成したものであり、両伝送線路間のアイソレーションは５２ｄＢであった。このように、２本の伝送線路では、グランド電極を別体にすることでアイソレーションを改善できる。したがって、高周波スイッチモジュールにおいても同様に、内部グランド電極を分割して電源配線と信号配線とを分離することで、両配線間のアイソレーションを高めることが可能である。

次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波スイッチモジュールを説明する。以下の説明では、第１の実施形態と同様な構成に同じ符号を付し、説明を省く。

図３は、本実施形態に係る高周波スイッチモジュールを所定の基板界面からみた部分平面図である。

高周波スイッチモジュール１１は多層基板１３を備える。

多層基板１３は、複数の内部配線４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃおよび内部グランド電極６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを備える。内部グランド電極６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、多層基板１３内の同一の基板界面にスリットを隔てて設けられる。内部配線１４Ｂは、多層基板１３における内部グランド電極１６Ｂよりも天面側の領域に設けられる。内部配線１４Ｃは、多層基板１３における内部グランド電極１６Ｃよりも天面側の領域に設けられる。

スイッチＩＣ２の複数の端子のうちの送信系端子は、内部配線１４Ｂのいずれかに接続する。送信系端子は、スイッチＩＣ内部の送信ラインに直接またはインピーダンス素子を介して接続される端子であり、スイッチＩＣ２の送信端子を含む。したがって、内部配線１４Ｂのうちのいずれかは、送信信号が伝搬する本発明の第１の信号配線として利用される。そして、内部グランド電極１６Ｂは、本発明の第２の内部グランド電極として利用される。

スイッチＩＣ２の複数の端子のうちの受信系端子は、内部配線１４Ｃのいずれかに接続する。受信系端子は、スイッチＩＣ内部の受信ラインに直接またはインピーダンス素子を介して接続される端子であり、スイッチＩＣ２の受信端子を含む。したがって、内部配線１４Ｃのうちのいずれかは、受信信号が伝搬する本発明の第２の信号配線として利用される。そして、内部グランド電極１６Ｃは、本発明の第３の内部グランド電極として利用される。

以上の構成では、内部グランド電極６Ａと内部グランド電極１６Ｂと内部グランド電極１６Ｃとが、スリットによって分断されている。そして内部配線４Ａは全て、内部グランド電極１６Ｂ，１６Ｃに対向する領域に跨がることなく設けられ、スイッチＩＣ２の送信系端子および受信系端子から分離されている。内部配線１４Ｂは全て、内部グランド電極６Ａ，１６Ｃに対向する領域に跨がることなく設けられ、スイッチＩＣ２のＤＣ系端子および受信系端子から分離されている。内部配線１４Ｃは全て、内部グランド電極６Ａ，１６Ｂに対向する領域に跨がることなく設けられ、スイッチＩＣ２のＤＣ系端子および送信系端子から分離されている。これにより、内部配線４Ａと内部配線１４Ｂと内部配線１４Ｃとの間でのアイソレーションを高められる。

したがって、内部配線４Ａに電源ノイズが重畳しても、電源ノイズが内部グランド電極６Ａから内部グランド電極１６Ｂや内部グランド電極１６Ｃに伝搬することが殆ど無くなる。このため、内部配線１４Ｂや内部配線１４Ｃへの電源ノイズの漏れを抑制できる。

また、ノイズが内部グランド電極１６Ｂから内部グランド電極６Ａや内部グランド電極１６Ｃに伝搬することも殆ど無くなり、例えば、送信信号自体がノイズとして内部配線１４Ｂから内部配線４Ａや内部配線１４Ｃに漏れることが殆ど無くなる。

なお、本実施形態では送信系端子や受信系端子をそれぞれ全て内部配線１４Ｂ，１４Ｃに接続するとしたが、少なくとも送信端子を内部配線１４Ｂに接続し、少なくとも受信端子を内部配線１４Ｃに接続していれば、これらの信号端子への電源ノイズの漏れを抑制できる。また、これらの信号端子以外の送信系端子や受信系端子を経由してノイズが漏れる虞があるので、信号端子以外の送信系端子や受信系端子も内部配線１４Ｂ，１４Ｃに接続することで、ノイズの漏れをより一層抑制できる。

次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波スイッチモジュールを説明する。

図４は本実施形態に係る高周波スイッチモジュールの部分積み図であり、図４（Ａ）乃至図４（Ｆ）は順に、基板Ａ〜Ｆを上面視した分解平面図である。

本実施形態の高周波スイッチモジュールは基板Ａ〜Ｆを積層した構成の多層基板を備える。

基板Ａは上面が多層基板の天面であり、スイッチＩＣの搭載面である。基板Ａの上面にはスイッチＩＣを含む複数のチップ素子を搭載する複数の表面電極を備える。基板Ｂ乃至基板Ｅは、基板Ａから２〜５層目に設けられ、内部配線を構成する複数のパターン電極と複数のビア電極とを備える。基板Ｆは、スイッチＩＣの搭載面から６層目に設けられ、上面に内部グランド電極２６Ａ，２６Ｂを備える。

基板Ａに設けられた表面電極のうちの表面電極２１Ａは、内部グランド電極２６Ａに対向する配線領域２３Ａと、内部グランド電極２６Ｂに対向する配線領域２３Ｂとの間に配置され、スイッチＩＣの送信系端子を搭載する。表面電極２１Ｂは、配線領域２３Ｂに配置されスイッチＩＣの受信系端子を搭載する。表面電極２１Ｃは、配線領域２３Ｂに配置されスイッチＩＣのＤＣ系端子を搭載する。

表面電極２１Ａに導通する内部配線は、本発明の第１の信号配線に相当する内部配線を含み、基板Ｂ乃至基板Ｅにおいて配線領域２３Ａ内で主に引き回される。これらの内部電極の一部は内部グランド電極２６Ａに接続され、他の一部は内部グランド電極２６Ａの内側に設けた開口部を通過して実装電極に接続され、他の一部は表面電極間に接続される。表面電極２１Ｂに導通する内部配線は、本発明の第２の信号配線に相当する内部配線を含み、基板Ｂ乃至基板Ｅにおいて配線領域２３Ｂで主に引き回される。これらの内部電極の一部は内部グランド電極２６Ｂに接続され、他の一部は実装電極に接続され、他の一部は表面電極間に接続される。表面電極２１Ｃに導通する内部配線は、本発明の電源配線に相当する内部配線を含み、基板Ｂ乃至基板Ｅにおいて配線領域２３Ｂで主に引き回される。これらの内部電極の一部は内部グランド電極２６Ｂに接続され、他の一部は実装電極に接続され、他の一部は表面電極間に接続される。

以上の構成では、内部グランド電極２６Ａと内部グランド電極２６Ｂとは、スリットによって分断されている。そして、配線領域２３Ａに設けられる内部配線は全て、配線領域２３Ｂに跨がることがなく、スイッチＩＣ２の受信系端子およびＤＣ系端子から分離されている。配線領域２３Ｂに設けられる内部配線は全て、配線領域２３Ａに跨がることなく、スイッチＩＣ２の送信系端子から分離されている。これにより、配線領域２３Ａに設けられる内部配線と、配線領域２３Ｂに設けられる内部配線との間でのアイソレーションを高められる。

したがって、配線領域２３Ｂに設けられる内部配線に電源ノイズが重畳しても、電源ノイズが内部グランド電極２６Ｂから内部グランド電極２６Ａに伝搬することが殆ど無くなり、スイッチＩＣの送信系端子への電源ノイズの漏れを抑制できる。

また、ノイズが内部グランド電極２６Ｂから内部グランド電極２６Ａに伝搬することも殆ど無くなり、例えば、送信信号自体がノイズとして配線領域２３Ｂに設けられる内部配線から配線領域２３Ａに設けられる内部配線に漏れることが殆ど無くなる。

なお、多層基板はセラミックとAgあるいはCuなどの電極を交互に積層して焼結した低温焼結セラミック基板や、液晶ポリマなどの樹脂を用いた多層基板等を使用できる。

次に、本発明の第４の実施形態に係る高周波スイッチモジュールを説明する。以下の説明では、第１の実施形態と同様な構成に同じ符号を付し、説明を省く。

図５は本実施形態に係る高周波スイッチモジュールの部分断面図である。本実施形態の高周波スイッチモジュール３１は、内部グランド電極６Ｂを設けないで、多層基板３３における内部グランド電極６Ａが形成される基板界面とは別の基板界面に、内部グランド電極３６Ｂを備える点で第１の実施形態の高周波スイッチモジュールと相違する。この構成により、内部グランド電極３６Ｂと内部グランド電極６Ａとの間隔が広がり、内部グランド電極３６Ｂと内部グランド電極６Ａとの間でのアイソレーションを高められる。

次に、本発明の第５の実施形態に係る高周波スイッチモジュールを説明する。以下の説明では、第１の実施形態と同様な構成に同じ符号を付し、説明を省く。

図６は本実施形態に係る高周波スイッチモジュールの部分断面図である。本実施形態の高周波スイッチモジュール４１は、多層基板４３に内部グランド電極４６を備える点で第１の実施形態の高周波スイッチモジュールと相違する。内部グランド電極４６は、多層基板４３内の天面に隣接する基板界面における、配線領域３Ａに設けられ、本発明の第４の内部グランド電極に相当する。したがって、内部配線４Ａは上下を内部グランド電極４６および内部グランド電極６Ａで挟まれる。これにより、内部配線４Ａからのノイズ漏れを低減できる。

図７は、本実施形態における電極配置例を説明する図である。

図７（Ａ）に示すように、内部配線４Ｂに最も近接する内部配線４Ａは、間隔ＬＡ，ＬＢよりも間隔ＬＣが大きくなるように配置される。間隔ＬＣは、基板界面における、この内部配線４Ａに最も近接する内部配線４Ｂまでの間隔である。間隔ＬＢは、基板界面に垂直な軸における、この内部配線４Ａから内部グランド電極６Ａまでの間隔である。間隔ＬＡは、基板界面に垂直な軸における、この内部配線４Ａから内部グランド電極４６までの間隔である。

このように、間隔ＬＡ，ＬＢよりも間隔ＬＣを広げた電極配置により、図７（Ｂ）に示すように、この内部配線４Ａの周囲に生じる電磁波が、内部グランド電極６Ａ，４６との間に集中し、内部配線４Ｂまで達することが殆ど無くなる。したがって、この内部配線４Ａに電源ノイズが重畳しても、その電源ノイズにより生じる不要電磁波が内部配線４Ｂまで達することが無い。これにより、この内部配線４Ａから内部配線４Ｂへの電源ノイズの漏れを効果的に抑制できる。

以上の各実施形態で示す以外の構成であっても本発明は多様な形態で好適に実施できる。例えば、単一の通信システムの送信信号と受信信号とを分離するデュプレクサとして本発明の高周波スイッチモジュールを構成してもよく、ＧＳＭやＵＭＴＳなどの複数の通信システムの高周波信号を分離するマルチプレクサとして本発明の高周波スイッチモジュールを構成してもよい。少なくとも、内部グランド電極を複数に分割し、電源配線と信号配線の少なくとも一つとを別々の内部グランド電極に対応させることで、本発明は好適に実施できる。

１，１１，３１，４１…高周波スイッチモジュール
２…スイッチＩＣ
３，１３，３３，４３…多層基板
３Ａ，３Ｂ，２３Ａ，２３Ｂ…配線領域
３Ｃ…素子領域
４Ａ，４Ｂ，５，１４Ｂ，１４Ｃ…内部配線
６Ａ，６Ｂ，７，１６Ｂ，１６Ｃ，２６Ａ，２６Ｂ，３６Ｂ，４６…内部グランド電極
８…スリット
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ…表面電極

Claims (8)

1. スイッチＩＣを絶縁体層と電極とを積層して構成した多層基板に搭載した高周波スイッチモジュールであって、
   前記スイッチＩＣに電力を供給する内部配線である電源配線と、第１の高周波信号が伝搬する内部配線である第１の信号配線と、前記多層基板の積層方向から見て互いに間隔を隔てて配置される第１および第２の内部グランド電極と、を備え、
   前記第１の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が前記第１の信号配線から分離されるとともに、その少なくとも一部が前記電源配線であり、
   前記第２の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が前記電源配線から分離されるとともに、その少なくとも一部が前記第１の信号配線である、
   高周波スイッチモジュール。
2. 第２の高周波信号が伝搬する内部配線である第２の信号配線と、前記多層基板の積層方向から見て前記第１の内部グランド電極および前記第２の内部グランド電極に間隔を隔てて配置される第３の内部グランド電極と、を備え、
   前記第１の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が前記第２の信号配線から分離され、
   前記第２の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が前記第２の信号配線から分離され、
   前記第３の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が前記第１の信号配線および前記電源配線から分離されるとともに、その少なくとも一部が前記第２の信号配線である、請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
3. 前記第１の内部グランド電極と前記第２の内部グランド電極とが前記多層基板の異なる層に形成される、請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
4. 第２の高周波信号が伝搬する内部配線である第２の信号配線を備え、
   前記第１の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その少なくとも一部が前記第２の信号配線であり、
   前記第２の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線は、その全体が前記第２の信号配線から分離される、請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
5. 前記第１の高周波信号は送信信号であり、前記第２の高周波信号は受信信号である、請求項２に記載の高周波スイッチモジュール。
6. 前記多層基板の積層方向から見て前記第１の内部グランド電極に重なって前記スイッチＩＣが配置される、請求項１〜５のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
7. 前記第１の内部グランド電極の前記スイッチＩＣ側に配置される内部配線のさらに前記スイッチＩＣ側に、前記多層基板の積層方向から見て前記第１の内部グランド電極に重なって配置される第４の内部グランド電極を備える、請求項１〜６のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
8. 前記第１の内部配線は、前記第１の内部グランド電極との間隔、および、前記第４の内部グランド電極との間隔、それぞれが、前記第２の内部配線との間隔よりも短い、請求項７に記載の高周波スイッチモジュール。

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