JP5330924B2 - フラット基板と接続端子との接続構造及びその接続方法 - Google Patents

Description

この発明は、例えば、クリンプ片で片平型導体を貫通させて平型導体と接続端子とを接続する接続構造及び接続方法に関する。

近年、自動車の電装部品における電気接続について、電気構造の複雑化に伴って配線数が増加している。また、昨今の省エネ指向より電気配線等の接続部品の小型化、軽量化が望まれており、並列配置した複数本の導体の間隔を狭くした狭ピッチなフラットケーブル（ＦＦＣ）やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）が多用されている。
このようなＦＦＣやＦＰＣと電装部品とを接続するためには、ＦＦＣやＦＰＣの平型導体にコネクタ端子等の端子導体を接続し、コネクタ接続することが多い。

これまでにも、このようなフラットケーブル等の平角導体に電子部品を接続するための接続端子の接続方法が提案されている（特許文献１参照）。
この接続方法は、接続端子のクリンプ片を平角導体に突き刺して貫通させ、上記クリンプ片の突き抜けた部分を曲成して加締めて固定する方法である。

しかし、この接続方法ではクリンプ片の突き抜けた部分を曲成して加締めるため、導体間ピッチＰが狭ピッチ化されたＦＦＣやＦＰＣに用いる場合、隣接する平型導体を貫通したクリンプ片の曲成部分同士が接触して短絡されるおそれがある。
したがって、この接続方法では、ＦＦＣやＦＰＣの狭ピッチ化が、曲成して加締めるクリンプ片によって制限されるため、満足できる接続方法ではなかった。

特開２００３−１３４６３０号公報

この発明は、狭ピッチ化されたフラット基板であっても、平角導体に対して接続端子のクリンプ片を貫通させて確実に接続できるフラット基板と接続端子との接続構造及び接続方法を提供することを目的とする。

この発明は、接続端子に備えたクリンプ片で、フラット基板において厚み方向の両側から絶縁被覆で挟み込んで被覆した平型導体を貫通して、前記平型導体と前記接続端子とを電気的に接続するフラット基板と接続端子との接続構造であって、前記クリンプ片は、その幅方向が平型導体の幅方向に沿う平坦な突片状に形成されており、前記接続端子は、平型導体の幅方向中央部を貫通可能なクリンプ片を幅方向において１本備え、前記平型導体を貫通した前記クリンプ片と前記平型導体との接触上端部分を、高エネルギ密度熱源によって溶融接合し、合金層を構成したことを特徴とする。

この発明の態様として、前記接続端子は台座プレートを有しており、該台座プレートに略U字状の切欠きを設け、該切欠きに沿って前記クリンプ片を切り起こし形成することができる。

この発明の態様として、第１フラット基板の平型導体と第２フラット基板の平型導体とが交差する向きで、前記第１フラット基板と前記第２フラット基板とを厚さ方向に重ね合わせ、前記平型導体同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所を前記クリンプ片で貫通させることができる。

また、この発明の態様として、前記高エネルギ密度熱源を、レーザ、電子ビーム、あるいはプラズマの何れかによって構成することができる。

また、この発明は、フラット基板において厚み方向の両側から絶縁被覆で挟み込んで被覆した平型導体と、接続端子に備えたクリンプ片とを接続するフラット基板と接続端子との接続方法であって、前記クリンプ片は、その幅方向が平型導体の幅方向に沿う平坦な突片状に形成されており、前記接続端子は、平型導体の幅方向中央部を貫通可能なクリンプ片を幅方向において１本備え、前記平型導体をクリンプ片で貫通し、前記平型導体を貫通した前記クリンプ片と前記平型導体との接触上端部分を、高エネルギ密度熱源によって溶融接合して、合金層を構成するフラット基板と接続端子との接続方法であることを特徴とする。

この発明の態様として、前記クリンプ片を、前記平型導体の導体幅より幅が狭い幅狭クリンプ片で構成し、第１フラット基板の平型導体と第２フラット基板の平型導体とが交差する向きで、前記第１フラット基板と前記第２フラット基板とを厚さ方向に重ね合わせるとともに、前記幅狭クリンプ片の幅方向を、第１フラット基板及び第２フラット基板のうちいずれかの平型導体の前記導体幅方向に合せ、前記平型導体同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所を前記幅狭クリンプ片で貫通させることができる。

上記接続端子は、複数のクリンプ片を備えたピアス端子とすることができる。詳しくは、雌型コネクタ部を有する雌型ピアス端子、あるいは雄型コネクタ部を有する雄型ピアス端子とすることができる。

上記平型導体は、導電性に優れる銅、銅合金で構成する放熱性に優れる帯状の導電体とすることができる。
上記絶縁被覆は、例えばＰＥＴ樹脂等の可撓性及び絶縁性を有する肉厚の薄い不導電性合成樹脂製のフィルムとすることができる。

上記フラット基板は、平型導体を、厚み方向の両側から絶縁被覆で挟み込んで被覆して構成した基板であり、平面上に並列配置された複数本の平型導体を一対の絶縁被覆で被覆して、導体が挟み込まれていない部分の絶縁被覆同士を一体的に接着したフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ：Flexible Flat Cable）や、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ：Flexible Print Circuit）等とすることができる。なお、ＦＰＣは、平型導体が単層である片面ＦＰＣ、平型導体が２層である両面ＦＰＣ、あるいは平型導体が３層以上で構成されている多層ＦＰＣとすることができる。

上記高エネルギ密度熱源による溶融接合は、レーザ、電子ビーム、あるいはプラズマを、平型導体を貫通したクリンプ片と平型導体との接触部分に照射して溶融し、接合する溶接とすることができる。

この発明によれば、狭ピッチ化されたフラット基板であっても、平角導体に対して接続端子のクリンプ片を貫通させて確実に接続できるフラット基板と接続端子との接続構造及び接続方法を提供することができる。

ピアス端子を装着した狭ピッチＦＦＣの斜視図。 狭ピッチＦＦＣにおける図１中のＡ−Ａ断面図。 ピアス端子についての説明図。 ピアス端子を狭ピッチＦＦＣに接続する接続方法についての説明図。 別の実施形態のピアス端子についての説明図。 さらに別の実施形態のピアス端子についての説明図。 ピアス端子を装着した狭ピッチＦＰＣの斜視図。 ２枚の狭ピッチＦＦＣをピアス接続子で接続した状態の斜視図。 ２枚の狭ピッチＦＦＣをピアス接続子で接続した状態の図８中のＢ−Ｂ断面図。 ２枚の狭ピッチＦＦＣをピアス接続子で接続する接続方法について説明する斜視図。 ２枚の狭ピッチＦＦＣをピアス接続子で接続する接続方法についての説明図。 ２枚の狭ピッチＦＦＣを接続する別の実施形態のピアス接続子についての説明図。

この発明の一実施形態を以下図面と共に説明する。

ピアス端子１０を装着した狭ピッチＦＦＣ２０の斜視図を示す図１、狭ピッチＦＦＣ２０における図１中のＡ−Ａ断面図を示す図２、ピアス端子１０についての説明図を示す図３、及びピアス端子１０を狭ピッチＦＦＣ２０に接続する接続方法についての説明図を示す図４とともに、ピアス端子１０と狭ピッチＦＦＣ２０との接続構造について説明する。

本発明は、ピアス端子１０に備えたクリンプ片１４で、狭ピッチフレキシブルフラットケーブル２０（狭ピッチＦＦＣ）において上下方向Ｈの両側から絶縁シート２１で挟み込んで被覆したフラット配線導体２２を貫通して、前記フラット配線導体２２と前記ピアス端子１０とを電気的に接続する狭ピッチＦＦＣ２０とピアス端子１０との接続構造である。

詳しくは、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片１４とフラット配線導体２２との接触上端部分Ａを、レーザＲを用いた高エネルギ密度熱源によって溶融接合している（図２参照）。
なお、クリンプ片１４は、フラット配線導体２２の導体幅ｗ１よりクリンプ片幅ｗ２が狭く形成されている。
また、クリンプ片１４は、クリンプ片幅ｗ２の方向をフラット配線導体２２の導体幅ｗ１の方向に合せて、フラット配線導体２２を貫通している。

また、上記接続構造は、まず、狭ピッチＦＦＣ２０において上下方向Ｈの両側から絶縁シート２１で挟み込んで被覆したフラット配線導体２２を、ピアス端子１０に備えたクリンプ片１４で貫通し、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片１４とフラット配線導体２２との接触上端部分Ａを、レーザＲを用いた高エネルギ密度熱源によって溶融接合する方法で行うことができる。

上記構成及び方法について詳述すると、ピアス端子１０を接続する狭ピッチＦＦＣ２０は、同一平面上に所定間隔を隔てて配列配置した複数本のフラット配線導体２２と、フラット配線導体２２を厚み方向（上下方向Ｈ）の両側から挟み込む、ＰＥＴ樹脂製の絶縁シート２１とで構成している。なお、フラット配線導体２２の幅を導体幅ｗ１としている。また、本実施例では、６本のフラット配線導体２２を絶縁シート２１で被覆して狭ピッチＦＦＣ２０を構成している。

ピアス端子１０は、導電性の金属製部材によって構成するとともに、図３に示すように、オス型端子（図示省略）が挿着される雌型挿着凹部１１と、接続部１２とで構成している。
なお、型押し成形によって形成される接続部１２は、雌型挿着凹部１１の底面から連続する台座プレート１３と、該台座プレート１３から直立する３枚のクリンプ片１４とで構成している。３枚のクリンプ片１４は、長手方向Ｌに所定間隔を隔てて配置され、台座プレート１３の幅方向と同方向の平坦な突片状に形成している。

ここでクリンプ片１４の幅をクリンプ片幅ｗ２とし、図２に示すように、クリンプ片幅ｗ２は導体幅ｗ１より幅狭形状で形成されている。また、クリンプ片１４は、下側から狭ピッチＦＦＣ２０を貫通して、上部に突出する高さで形成している。

なお、オス型端子（図示省略）が挿着される雌型挿着凹部１１を備えたピアス端子１０について説明しているが、オス型端子の雄型挿入部を備えたピアス端子１０であってもよく、雌型挿着凹部１１の形状に限定されるものではない。

また、型押し成形によって形成される接続部１２を有するピアス端子１０について説明したが、図５に示すように、台座プレート１３に略Ｕ字状の切欠きを設けて、該切欠きに沿って起こすことでクリンプ片１４を形成してもよい。これにより、台座プレート１３に空洞部分が形成されるため軽量化することができる。

このように構成したピアス端子１０と狭ピッチＦＦＣ２０との接続は、まず狭ピッチＦＦＣ２０の端部付近でフラット配線導体２２をクリンプ片１４で貫通する。そして、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片１４と、クリンプ片１４によって貫通されたフラット配線導体２２との接触部分のうち上端部付近である接触上端部分ＡをレーザＲで溶接する。

このレーザＲによる溶接により接触上端部分Ａにはクリンプ片１４とフラット配線導体２２とが溶融して構成した合金層２３が構成され、安定した接続状態を確保している。

ピアス端子１０と狭ピッチＦＦＣ２０との接続方法について詳しく説明すると、図４（ａ）に示すように、まず狭ピッチＦＦＣ２０の下方の所定位置にピアス端子１０を配置し、下方からピアス端子１０を押し上げる、あるいは狭ピッチＦＦＣ２０を押し下げて、ピアス端子１０のクリンプ片１４で狭ピッチＦＦＣ２０のフラット配線導体２２を貫通させる。

このとき、クリンプ片１４は、貫通した狭ピッチＦＦＣ２０の上面側まで突き抜けて突出する（図４（ｂ）参照）。ここで、図４（ｂ）のｂ部拡大図に示すように、上面側に露出したクリンプ片１４の上部１４ａの側部をめがけて、レーザ溶接装置（図示省略）でレーザＲを照射する。

高エネルギ密度熱源であるレーザＲが照射されたクリンプ片１４のクリンプ片上部１４ａの側部の絶縁シート２１は溶出し、レーザＲはクリンプ片１４とフラット配線導体２２の上面との接触上端部分Ａを溶融し、クリンプ片１４とフラット配線導体２２とを溶接することができる。

このような接続方法で溶接されたクリンプ片１４とフラット配線導体２２によるピアス端子１０と狭ピッチＦＦＣ２０の接続構造では、クリンプ片１４とフラット配線導体２２との接触による電気的接続状態を補完して、クリンプ片１４とフラット配線導体２２とを確実に接続することができる。

また、上記接続構造では、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片１４を曲成して加締めることなく確実に接続できるため、クリンプ片１４を曲成するスペースを要さない。したがって、クリンプ片１４で接続するフラット配線導体２２の導体間ピッチＰを狭ピッチ化することができる。

よって、高機能化、環境保護、価格競争力等より、電機部品の小型化、軽量化、或いはコストダウンのニーズに対応し、狭ピッチＦＦＣ２０の導体間ピッチＰをさらに狭めて、狭ピッチＦＦＣ２０の小型化及び狭ピッチＦＦＣ２０に接続する部品や狭ピッチＦＦＣ２０を収容するケース等部品の小型化、軽量化、或いはコストダウンすることができる。

また、クリンプ片１４を、クリンプ片幅ｗ２がフラット配線導体２２の導体幅ｗ１より幅狭く形成している。さらに、クリンプ片１４とフラット配線導体２２とを同じ向きとなるように合せて配置し、クリンプ片１４でフラット配線導体２２を貫通している。さらにまた、クリンプ片１４とフラット配線導体２２の接触上端部分ＡをレーザＲで溶接している。これらの構成により、通常のフラット配線導体より幅狭の細線化されたフラット配線導体であっても、電気接続性を確保した安定した接続状態を確保することができる。

また、例えば、クリンプ片１４を曲成して加締めた場合、絶縁シート２１を巻き込んで電気接続性を低減する要因となるおそれがあるが、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片１４を曲成して加締めることなく、レーザＲで接触上端部分Ａを露出してから溶接している。したがって、絶縁シート２１がクリンプ片１４とフラット配線導体２２との電気接続性を低減することなく、確実な接続を実現することができる。
さらにまた、クリンプ片１４とフラット配線導体２２の上面との接触上端部分ＡをレーザＲで溶接して合金層２３を構成しているため、確実な導通性と安定した接続状態を確保することができる。

なお、上記説明では、長手方向Ｌに対して直角方向のクリンプ片１４を備えたピアス端子１０について説明したが、図６に示すように、長手方向Ｌに平行なクリンプ片１４’を有するピアス端子１０’であってもよい。このようなピアス端子１０’は、導電性の金属製部材によって構成するとともに、図６（ａ），（ｂ）に示すように、平面状に形成されていたクリンプ片１４’を台座プレート１３’に対して折り曲げて形成することができる。

また、長手方向Ｌに平行なクリンプ片１４’の場合、貫通接続部分の縮小断面図である図６（ｃ）に示すように、クリンプ片１４’とフラット配線導体２２の接触上端部分Ａ及び接触下端部分ＢをレーザＲで溶接して合金層２３を構成するとともに、固定できるため電気接続性を確保した安定した接続状態を確保することができる。

また、上記説明では、同一平面上に所定間隔を隔てて配列配置した６本のフラット配線導体２２と、フラット配線導体２２を厚み方向（上下方向Ｈ）から両側から挟み込む、ＰＥＴ樹脂製の絶縁シート２１とで構成する狭ピッチＦＦＣ２０に、ピアス端子１０を接続したが、図７に示すように、同一平面上に配置した複数本のフラット配線導体３２をＰＥＴ樹脂製の絶縁シート３１で被覆した狭ピッチフレキシブルプリントサーキット（狭ピッチＦＰＣ）にピアス端子１０を接続してもよい。

この場合も、ピアス端子１０と狭ピッチＦＦＣ２０との接続と同様に、狭ピッチＦＰＣ３０の端部付近において所定のフラット配線導体３２をクリンプ片１４で貫通して接続することができる。また、フラット配線導体３２を貫通したクリンプ片１４と、クリンプ片１４によって貫通されたフラット配線導体３２の上面との接触上端部分ＡをレーザＲで溶接する。このレーザＲによる溶接により接触上端部分Ａにはクリンプ片１４とフラット配線導体３２とが溶融して構成した合金層が構成され、安定した接続状態を確保することができる。
なお、ピアス端子１０の接続部１２を、例えば、狭ピッチＦＰＣ３０のフラット配線導体３２の形状に合わせた曲線形状で形成してもよい。

２枚の狭ピッチＦＦＣ２０をピアス接続子４０で接続した状態の斜視図を示す図８、２枚の狭ピッチＦＦＣ２０をピアス接続子４０で接続した状態の図８中のＢ−Ｂ断面図を示す図９、２枚の狭ピッチＦＦＣ２０をピアス接続子４０で接続する接続方法について説明する斜視図を示す図１０とともに、２枚の狭ピッチＦＦＣ２０とピアス接続子４０との接続構造について説明する。

第２の実施例の本発明は、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａの上側フラット配線導体２２ａと下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂの下側フラット配線導体２２ｂとが交差する向きで、前記上側狭ピッチＦＦＣ２０ａと下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂとを上下方向Ｈに重ね合わせ、前記フラット配線導体２２同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所Ｃｒを前記クリンプ片４２で貫通させた接続構造である。

また、上記接続構造は、まず、前記クリンプ片４２を、前記フラット配線導体２２の導体幅より幅の狭いクリンプ片で構成し、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａの上側フラット配線導体２２ａと下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂの下側フラット配線導体２２ｂとが交差する向きで、前記上側狭ピッチＦＦＣ２０ａと下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂとを上下方向Ｈに重ね合わせる。

前記クリンプ片４２のクリンプ片幅ｗ２の方向を、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａ及び下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂのうちいずれかのフラット配線導体２２の導体幅ｗ１の方向に合せ、前記フラット配線導体２２同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所Ｃｒをクリンプ片４２で貫通させる。

ここで、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片４２とフラット配線導体２２との接触上端部分Ａを、レーザＲを用いた高エネルギ密度熱源によって溶融接合する方法で行うことができる。

上記構成及び方法について詳述する。まず上側狭ピッチＦＦＣ２０ａ及び下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂともに上記実施例１の狭ピッチＦＦＣ２０と同じＦＦＣであり、フラット配線導体２２の配置方向が交差する方向で上側狭ピッチＦＦＣ２０ａ及び下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂを重ね合せている。

ピアス接続子４０は、導電性の金属製部材によって構成するとともに、図１０に示すように、ベースプレート４１に２本のクリンプ片４２を所定間隔を隔てて直立状態で備えている。
なお、クリンプ片４２は、重ね合わせた２枚の狭ピッチＦＦＣ２０を下方から貫通させて上面から突出する高さに形成している。

また、クリンプ片４２は、フラット配線導体２２の導体幅ｗ１よりクリンプ片幅ｗ２が狭く形成されている。そして、クリンプ片４２のクリンプ片幅ｗ２の方向を、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａの上側フラット配線導体２２ａの導体幅ｗ１の方向に合せている。

このように構成したピアス接続子４０は、上下方向Ｈに重ね合わせた上側狭ピッチＦＦＣ２０ａと下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂとの狭ピッチＦＦＣ２０同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所Ｃｒを前記クリンプ片４２で貫通させて接続している。

そして、両フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片４２と、クリンプ片４２によって貫通された上側狭ピッチＦＦＣ２０ａの上側フラット配線導体２２ａの上面との接触上端部分ＡをレーザＲで溶接している。そして、このレーザＲによる溶接により接触上端部分Ａにはクリンプ片４２と上側フラット配線導体２２ａとが溶融して構成した合金層２３が構成され、安定した接続状態を確保している（図９参照）。

ピアス接続子４０と狭ピッチＦＦＣ２０との接続方法について詳しく説明すると、図１０に示すように、まず上側フラット配線導体２２ａと下側フラット配線導体２２ｂとが交差する方向で上側狭ピッチＦＦＣ２０ａと下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂとを重ね合わせる。

そして、フラット配線導体２２同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所Ｃｒの下方にピアス接続子４０を配置し、下方からピアス接続子４０を押し上げる、あるいは狭ピッチＦＦＣ２０を押し下げて、ピアス接続子４０のクリンプ片４２で上側狭ピッチＦＦＣ２０ａ及び下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂのフラット配線導体２２を串刺し状態で貫通させる。

さらに、上述の実施例１におけるレーザ溶接と同様に、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａの上側フラット配線導体２２ａの上面側に露出したクリンプ片４２の上部４２ａの側部をめがけて、レーザ溶接装置（図示省略）でレーザＲを照射してクリンプ片４２とフラット配線導体２２とを溶接する。

このような接続方法で溶接されたクリンプ片４２と、上側フラット配線導体２２ａおよび下側フラット配線導体２２ｂによるピアス接続子４０と狭ピッチＦＦＣ２０の接続構造では、クリンプ片４２と、上側フラット配線導体２２ａ及び下側フラット配線導体２２ｂとを確実に接続することができる。

また、上記接続構造では、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片４２を曲成して加締めることなく確実に接続できるため、クリンプ片４２を曲成するスペースを要さない。したがって、クリンプ片４２で接続するフラット配線導体２２の導体間ピッチＰを狭ピッチ化することができる。

よって、高機能化、環境保護、価格競争力等より、電機部品の小型化、軽量化、或いはコストダウンのニーズに対応し、狭ピッチＦＦＣ２０の導体間ピッチＰをさらに狭めて、狭ピッチＦＦＣ２０の小型化及び狭ピッチＦＦＣ２０に接続する部品や狭ピッチＦＦＣ２０を収容するケース等部品の小型化、軽量化、或いはコストダウンすることができる。

また、クリンプ片４２を、クリンプ片幅ｗ２がフラット配線導体２２の導体幅ｗ１より幅狭く形成している。さらに、クリンプ片４２と上側フラット配線導体２２ａとを同じ向きとなるように合せて配置し、クリンプ片４２で上側フラット配線導体２２ａを貫通している。

さらにまた、クリンプ片４２と上側フラット配線導体２２ａの接触上端部分ＡをレーザＲで溶接したため、通常のフラット配線導体より幅狭の細線化されたフラット配線導体であっても、電気接続性を確保した安定した接続状態を確保することができる。

また、例えば、クリンプ片４２を曲成して加締めた場合、絶縁シート２１を巻き込んで電気接続性を低減する要因となるおそれがあるが、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片４２を曲成して加締めることなく、レーザＲで接触上端部分Ａを露出してから溶接したため、絶縁シート２１がクリンプ片４２とフラット配線導体２２との電気接続性を低減することなく、確実な接続を実現することができる。

さらにまた、クリンプ片４２とフラット配線導体２２の上面との接触上端部分ＡをレーザＲで溶接して合金層を構成しているため、確実な導通性と安定した接続状態を確保することができる。

なお、下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂの下側フラット配線導体２２ｂとクリンプ片４２との接触下端部分にレーザＲを照射してクリンプ片４２と下側フラット配線導体２２ｂとを溶接してもよい。

さらになお、上記説明では、フラット配線導体２２０同士が交差する接続交差箇所Ｃｒに対してピアス接続子４０をそれぞれ配置し、各ピアス接続子４０のクリンプ片４２でフラット配線導体２２を串刺し状態で貫通させたが、同じフラット配線導体２２に複数の接続交差箇所Ｃｒを有する場合、同一フラット配線導体２２上における接続交差箇所Ｃｒの箇所数に応じたクリンプ片４２を備えるとともに、金属製部材によって構成したピアス接続子４０ａで、一体的に接続してもよい。

詳しくは、図１１（ａ）に示すように、例えば、手前側の上側フラット配線導体２２ａａは奥側の４本の下側フラット配線導体２２ｂｃ，２２ｂｄ，２２ｂｅ，２２ｂｆとの接続交差箇所Ｃｒを接続し、手前側から２本目の上側フラット配線導体２２ａｂは手前側の３本の下側フラット配線導体２２ｂａ，２２ｂｂ，２２ｂｃとの接続交差箇所Ｃｒを接続するように、各上側フラット配線導体２２ａにおいて複数の下側フラット配線導体２２ｂとの接続交差箇所Ｃｒで接続するとする。

この場合、上側フラット配線導体２２ａａを貫通するピアス接続子４０ａａは奥側４本の下側フラット配線導体２２ｂに対応する位置にクリンプ片４２を有しており、上側フラット配線導体２２ａｂを貫通するピアス接続子４０ａｂは手前側３本の下側フラット配線導体２２ｂに対応する位置にクリンプ片４２を有している。このように、各ピアス接続子４０ａは、対応する上側狭ピッチＦＦＣ２０ａにおける接続交差箇所Ｃｒに対応するクリンプ片４２を備えている。

このように、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａにおける接続交差箇所Ｃｒに対応するクリンプ片４２を備えたピアス接続子４０ａを用いることで、確実に、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａと下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂとを所望の接続交差箇所Ｃｒで接続することができる。

さらに、各接続交差箇所Ｃｒにピアス接続子４０で接続する場合と比較して、接続工程を低減できる。また、同じ上側狭ピッチＦＦＣ２０ａにおいて複数の接続交差箇所Ｃｒで接続されているため、狭ピッチＦＦＣ２０とピアス接続子４０との接続状態が安定し、信頼性の高い接続状態を確保することができる。

なお、上記説明では、図１０に示すように、狭ピッチＦＦＣ２０（２０ａ，２０ｂ）同士を上下方向Ｈに重ね合わせてピアス接続子４０で貫通接続する構成であったが、狭ピッチＦＦＣ２０と狭ピッチＦＰＣ３０、あるいは狭ピッチＦＰＣ３０同士を上下方向Ｈに重ね合わせて構成してもよい。

さらにまた、図１０や図１１で示すピアス接続子４０，４０ａは、型押し成形によって形成されるクリンプ片４２を有する構成であったが、図１２（ａ）に示すように、ベースプレート４１に略Ｕ字状の切欠きを設けて、該切欠きに沿って起こすことでクリンプ片４２を形成してもよい。これにより、ベースプレート４１に空洞部分が形成されるため軽量化することができる。

また、長手方向Ｌに対して平行なクリンプ片４２を有するピアス接続子４０ａ’であってもよい。このようなピアス接続子４０ａ’は、図１２（ｂ），（ｃ）に示すように、平面状に形成されていたクリンプ片４２’をベースプレート４１’に対して折り曲げて形成することができる。

また、長手方向Ｌに平行なクリンプ片４２’の場合、貫通接続部分の縮小断面図である図１２（ｄ）に示すように、クリンプ片４２’と上側フラット配線導体２２ａの接触上端部分Ａ及び下側フラット配線導体２２ｂとの接触下端部分ＢをレーザＲで溶接して合金層２３を構成するとともに、固定できるため電気接続性を確保した安定した接続状態を確保することができる。

この発明の構成と、上述の実施形態との対応において、
この発明の接続端子は、ピアス端子１０、またはピアス接続子４０，４０ａに対応し、
以下同様に、
クリンプ片あるいは幅狭クリンプ片は、クリンプ片１４，４２に対応し、
フラット基板は、狭ピッチＦＦＣ２０、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａ、下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂまたは狭ピッチＦＰＣ３０に対応し、
厚み方向は、上下方向Ｈに対応し、
絶縁被覆は、絶縁シート２１，３１に対応し、
平型導体は、フラット配線導体２２、上側フラット配線導体２２ａ、下側フラット配線導体２２ｂまたはフラット配線導体３２に対応し、
接触部分は、接触上端部分Ａに対応し、
高エネルギ密度熱源は、レーザＲに対応し、
第１フラット基板は、上側狭ピッチＦＦＣ２０ａに対応し、
第２フラット基板は、下側狭ピッチＦＦＣ２０ｂに対応し、
幅方向は、クリンプ片幅ｗ２の方向に対応するも、
この発明は、上述の実施形態の構成のみに限定されるものではなく、多くの実施の形態を得ることができる。

なお、上記説明においては、貫通したクリンプ片１４のクリンプ片上部１４ａの周辺の絶縁シート２１，３１をレーザＲで溶出させてクリンプ片１４とフラット配線導体２２との接触上端部分Ａを露出させて溶接したが、フラット配線導体２２を貫通したクリンプ片１４のクリンプ片上部１４ａが露出する部分の絶縁シート２１を予めレーザＲで切り取っておき、クリンプ片１４とフラット配線導体２２の接触上端部分ＡをレーザＲで溶接してもよい。

また、ピアス端子１０の台座プレート１３に３本のクリンプ片１４を形成したが、この本数に限定するものではなく、２本や４本等のその他の本数のクリンプ片１４を備えたピアス端子１０であってもよい。

さらにまた、クリンプ片１４と狭ピッチＦＦＣ２０とを溶接する高エネルギ密度熱源としてレーザＲを用いたが、電子ビームあるいはプラズマを高エネルギ密度熱源として用いた溶接装置を用いてもよい。

１０…ピアス端子
１４…クリンプ片
２０…狭ピッチＦＦＣ
２０ａ…上側狭ピッチＦＦＣ
２０ｂ…下側狭ピッチＦＦＣ
２１…絶縁シート
２２…フラット配線導体
２２ａ…上側フラット配線導体
２２ｂ…下側フラット配線導体
３０…狭ピッチＦＰＣ
３１…絶縁シート
３２…フラット配線導体
４０，４０ａ…ピアス接続子
４２…クリンプ片
Ａ…接触上端部分
Ｂ…接触下端部分
Ｈ…上下方向
Ｒ…レーザ
Ｃｒ…接続交差箇所
ｗ１…導体幅
ｗ２…クリンプ片幅

Claims (6)

1. 接続端子に備えたクリンプ片で、フラット基板において厚み方向の両側から絶縁被覆で挟み込んで被覆した平型導体を貫通して、前記平型導体と前記接続端子とを電気的に接続するフラット基板と接続端子との接続構造であって、
   前記クリンプ片は、その幅方向が平型導体の幅方向に沿う平坦な突片状に形成されており、
   前記接続端子は、平型導体の幅方向中央部を貫通可能なクリンプ片を幅方向において１本備え、
   前記平型導体を貫通した前記クリンプ片と前記平型導体との接触上端部分を、高エネルギ密度熱源によって溶融接合し、合金層を構成した
   フラット基板と接続端子との接続構造。
2. 前記接続端子は台座プレートを有しており、該台座プレートに略U字状の切欠きを設け、該切欠きに沿って前記クリンプ片を切り起こし形成した
   請求項１記載のフラット基板と接続端子との接続構造。
3. 第１フラット基板の平型導体と第２フラット基板の平型導体とが交差する向きで、前記第１フラット基板と前記第２フラット基板とを厚さ方向に重ね合わせ、
   前記平型導体同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所を前記クリンプ片で貫通させた
   請求項１に記載のフラット基板と接続端子との接続構造。
4. 前記高エネルギ密度熱源を、
   レーザ、電子ビーム、あるいはプラズマのいずれかによって構成する
   請求項１から３のうちいずれかに記載のフラット基板と接続端子との接続構造。
5. フラット基板において厚み方向の両側から絶縁被覆で挟み込んで被覆した平型導体と、接続端子に備えたクリンプ片とを接続するフラット基板と接続端子との接続方法であって、
   前記クリンプ片は、その幅方向が平型導体の幅方向に沿う平坦な突片状に形成されており、
   前記接続端子は、平型導体の幅方向中央部を貫通可能なクリンプ片を幅方向において１本備え、
   前記平型導体をクリンプ片で貫通し、
   前記平型導体を貫通した前記クリンプ片と前記平型導体との接触上端部分を、高エネルギ密度熱源によって溶融接合して、合金層を構成する
   フラット基板と接続端子との接続方法。
6. 前記クリンプ片を、前記平型導体の導体幅より幅が狭い幅狭クリンプ片で構成し、
   第１フラット基板の平型導体と第２フラット基板の平型導体とが交差する向きで、前記第１フラット基板と前記第２フラット基板とを厚さ方向に重ね合わせるとともに、
   前記幅狭クリンプ片の幅方向を、第１フラット基板及び第２フラット基板のうちいずれかの平型導体の前記導体幅方向に合せ、
   前記平型導体同士が交差する交差部分のうち電気的に接続する接続交差箇所を前記幅狭クリンプ片で貫通させる
   請求項５に記載のフラット基板と接続端子との接続方法。
   

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