JP5313534B2 - シリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
[試料皿]
本実施例では、昇華性ドーパント23を収納する収納手段として、例えば引上炉2の上部に設置された試料皿20aを複数用いる。試料皿20aの中には昇華性ドーパント23を入れ、以下に述べる駆動手段25aによって、ヒンジ37に接続された試料皿20aを斜めに傾けて、昇華性ドーパント23を供給手段、例えば供給管22の一端に接続されたドープ管21aに投入していく。複数の試料皿20aから駆動手段25aを用いて順次供給手段に投入することにより、1バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパント23を複数回供給することができる。
駆動手段25aは、昇華性ドーパント23を供給手段に移送するものであり、より具体的には、昇華性ドーパント23を供給管22又はその一端に接続されたドープ管21aに移送するものである。駆動手段25aとしては、ワイヤー昇降ユニットを好ましく用いることができる。ワイヤー昇降ユニットは、ワイヤー26により対象物を昇降させる機構であり、モータにより巻取りドラムを駆動して、ワイヤー26を介して対象物の高さ位置を調節する機構である。
供給手段は、駆動手段25aによって移送された昇華性ドーパント23を、気化した状態で融液5に供給する手段である。この供給手段としては、以下のような供給管22と、ドープ管21aと、を有するものが挙げられる。
供給管22は、融液5等からの輻射熱が与えられることによって気化した昇華性ドーパント23を融液5に導くものである。
ドープ管21aは、試料皿20aから中央寄りに設けられる。そして、駆動手段25aを駆動させて昇華性ドーパント23を傾けた際に、試料皿20aから昇華性ドーパント23が出る位置にその一方の管端を設ける。ドープ管21aの他方の管端は供給管22に接続し、昇華した昇華性ドーパント23を、ドープ管21aを介して供給管22に送る役割を有する。このとき、ドープ管21aを複数配置して、試料皿20aとドープ管21aを1対1で対応させてもよい。
本実施形態のシリコン単結晶引上装置1aでは、必要に応じ、キャリアガス導入管(図示せず)を用いることもできる。キャリアガス導入管は、ドープ管21a又は供給管22に連通するものであり、図示しないガス供給源から供給される、昇華した昇華性ドーパント23の輸送用のキャリアガス17をドープ管21a又は供給管22に導入するものである。キャリアガス17を導入することにより、昇華した昇華性ドーパント23をドープ管21a及び供給管22の内部に滞留させることなく、効率よく供給管22を経て融液5に導くことができる。キャリアガス導入管は、例えば石英から構成される。また、キャリアガス17としては、アルゴンガス等の不活性ガスが用いられる。
本実施例では、昇華性ドーパント23を収納する収納手段として、内部に昇華性ドーパント23を収納した複数の収納容器20bを用いる。収納容器20bに収容する昇華性ドーパント23については、上記実施例1と同様である。
駆動手段25bは、複数の収納容器20bを順次駆動させて供給手段に移送するものであり、より具体的には、複数の収納容器20bを供給管22の一端に順次移送するものである。駆動手段25bとしては、上記実施例1と同様に、ワイヤー昇降ユニットを好ましく用いることができる。
シリコン単結晶引上装置1bには、昇降レール34が設けられる。昇降レール34は、収納容器20bが昇降する位置を規定するものである。昇降レール34を設けることで、収納容器20bをより確実に供給管22に接続し、昇華性ドーパント23をより確実に供給管22に送ることができる。ここで、昇降レール34は、黒鉛材からなることが好ましい。黒鉛材から形成することにより、高い耐熱性を持たせるとともに、昇降レール34の形状に対する制約をより小さくすることができる。
供給手段は、収納容器20bに収納された昇華性ドーパント23を融液5に供給する手段であり、供給手段と接続した収納容器20bの昇華性ドーパント23が気化して供給される。この供給手段としては、以下のような供給管22を有するものが挙げられる。
シリコン単結晶引上装置1bで用いる供給管22は、収納容器20bと接続するものであり、融液5等からの輻射熱によって気化した昇華性ドーパント23を収納容器20bから融液5に導くものである。この供給管22は、上記実施例1と同様に用いることができる。
本実施例では、昇華性ドーパント23を収納する収納手段として、内部に複数の収納室36を有し、複数の収納室36の各々に収納側開口部321cが並列に設けられる収納容器20cを用いる。収納側開口部321cは、ドープ管21cの蓋33の駆動方向に沿って設けられており、必要に応じてドープ管21cに配設された供給側開口部322cに接続する。
駆動手段25cは、収納容器20cの複数の収納側開口部321cの配設される方向に沿って設けられるドープ管21cの蓋33を、収納側開口部321cに沿って駆動するものである。これにより、昇華性ドーパント23の収納された複数の収納室36に設けられた少なくとも一の収納側開口部321cが、ドープ管21cに配設された供給側開口部322cに接続されるとともに、駆動した部材によって他の収納側開口部321cが覆われるため、複数の収納側開口部321cを、供給側開口部322cからドープ管21cを介して供給手段の供給管22に順に接続することができる。それとともに、収納室36そのものを駆動させる場合に比べて駆動手段25cで駆動させる荷重を小さくすることができるため、駆動手段25cをより小型化することができる。駆動手段25cとしては、上記実施例1と同様に、ワイヤー昇降ユニットを好ましく用いることができる。ここで、駆動手段25cとともに、実施例1と同様の方法により収納容器20cそのものを駆動させるモータ25c’を併存させてもよい。なお、本実施例では、ドープ管21cの蓋33を駆動手段25cにより駆動したが、これに限定されるものではなく、ドープ管21cそのものを駆動手段25cにより駆動してもよい。
供給手段は、収納室36に収納された昇華性ドーパント23を、ドープ管21cを介して融液5に供給する手段であり、駆動手段25cによって蓋33が開放された収納室36の昇華性ドーパント23が気化して供給される。この供給手段としては、以下のような供給管22を有するものが挙げられる。
シリコン単結晶引上装置1cで用いる供給管22は、ドープ管21cと接続し、融液5等からの輻射熱が与えられることによって気化した昇華性ドーパント23を収納容器20cから融液5に導くものである。この供給管22は、上記実施例1と同様に用いることができる。
本実施形態では、昇華性ドーパント23を収納する収納手段として、試料室24dに収納され、回動中心を中心として円周上に複数の収納室を配設したリボルバー式の収納容器20dを用いる。この収納容器20dが収納された試料室24dは、引上炉2の外部に外付けされ、回動自在に抽支される。収納容器20dには融液5からの輻射熱が届きにくいため、試料室24dの内部には昇華性ドーパント23を加熱するためのヒータ35を設ける。
シリコン単結晶引上装置1dでは、駆動手段25dは、複数の収納室36’を配設するリボルバー式の収納容器20dを回動させて、供給管22に繋がる収納室36’を切替えることができる。ここで、駆動手段25dとしては、例えば収納容器20dの回動中心を軸にして回転するモータを用いることができる。
供給手段は、駆動手段25dによって繋がった収納室36’に収納された昇華性ドーパント23を融液5に供給する手段であり、供給手段と繋がった収納室36’の昇華性ドーパント23が気化して供給される。この供給手段としては、以下のような供給管22を有するものが挙げられる。
シリコン単結晶引上装置1dで用いる供給管22は、配管22’と接続し、融液5等からの輻射熱が与えられることによって気化した昇華性ドーパント23を収納容器20dから融液5に導くものである。この供給管22は、上記実施例1と同様に用いることができるが、配管22’を融液表面5aまで延長させて配管22’を供給管22として用いてもよい。
2 引上炉
3 坩堝
4 引上げ機構
4a 引上げ用ケーブル
4b 種結晶ホルダ
5 融液
5a 融液表面
6 シリコン単結晶
7 アルゴンガス
8 熱遮蔽板
9 ヒータ
10 回転軸
13 保温筒
20a 試料皿
20b〜20d 収納容器
21a、21c ドープ管
22 供給管
22’ 配管
23 昇華性ドーパント
24d 試料室
25a〜25d 駆動手段
26 ワイヤー
31 熱反射板
321b、321c 収納側開口部
322b、322c 供給側開口部
33 蓋
34 昇降レール
35 ヒータ
36、36’ 収納室
37 ヒンジ
Claims (6)
- ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置であって、
昇華性ドーパントを収納する試料皿からなる複数の収納手段と、
融液に該昇華性ドーパントを供給する供給手段と、
該昇華性ドーパントを個別的に該収納手段から該供給手段に供給できるようにする駆動手段と、
を含み、
前記駆動手段が該試料皿を駆動することにより載置された前記昇華性ドーパントを前記供給手段に投入するものであり、
前記駆動手段を前記昇華性ドーパント又は前記試料皿に各々ワイヤーで接続するとともに、該ワイヤーの巻取り長さについて、前記昇華性ドーパント又は前記試料皿ごとに差異を設けることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。 - 前記供給手段は融液に浸漬しない位置に配置されており、気化させた昇華性ドーパントを融液に吹き付けるものであることを特徴とする請求項1記載のシリコン単結晶引上装置。
- ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により成長させるシリコン単結晶の製造方法であって、
試料皿からなる複数の収納手段に収納された昇華性ドーパントを、該昇華性ドーパント又は該試料皿が各々ワイヤーで接続され、且つ該ワイヤーの巻取り長さについて、該昇華性ドーパント又は該試料皿ごとに差異の設けられた駆動手段を用いて、該試料皿を駆動することにより個別的に供給手段に順次供給することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記昇華性ドーパントを供給する前に前記シリコン単結晶の直胴部の前半部までを成長させ、
前記昇華性ドーパントの供給を開始した後に前記シリコン単結晶の直胴部の前半部から後を成長させることを特徴とする請求項3記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記昇華性ドーパントが砒素、赤リン及びアンチモンからなる群のうち少なくとも一種であることを特徴とする請求項3又は4記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記昇華性ドーパントを高濃度に添加してN++型シリコン単結晶を製造することを特徴とする請求項5記載のシリコン単結晶の製造方法。
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