JP5307728B2 - 照射強度分布の測定器および測定方法 - Google Patents

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Description

本発明は、投影露光ツールの光路に配置された測定器を有するマイクロリソグラフィーのための投影露光に関する。さらに、本発明は、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールの光路における照射強度分布を測定するための方法に関する。さらに、本発明は、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールの光路における照射強度分布の局所分解測定および角度分解測定のための測定器の利用に関する。最後に、本発明は、リソグラフィーマスクの回折効率を決定するための測定器の利用に関する。
マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールは、一般に幾つかの部分光学系を備えている。これらには、構造化されたリソグラフィーマスクを保持するレチクルを照明するための照明光学系と、半導体ウエハーの上にリソグラフィーマスクを投影するための投影対物レンズとを含む。照明光学系は、例えばＵＶ波長域のレーザーなどの光源と、投影露光ツールのレチクル面にレチクルマスキングデバイスを投影するためのＲＥＭＡ対物レンズとを備えている。したがって、光源によって発生した電磁放射線の光路は、ＲＥＭＡ対物レンズとレチクルと投影対物レンズとを通過する。
投影露光ツールの光路における電磁放射線の経路を測定するため、従来技術では、到達可能な光路の位置にカメラを配置していた。これらのカメラは、カメラ位置での電磁放射線の強度分布を局所分解して測定することを可能にする。しかしながら、電磁放射線の経路に関して取得した情報では、部分光学系の最適な調整または調節するのに不十分であることが多い。
本発明の目的は、上記の不都合を克服できる投影露光ツールおよび方法を提供することである。とくに、当該投影露光ツールの光路における電磁放射の経路を、より正確かつより広範囲に決定できる。
上記目的は、本発明の請求項１による投影露光ツール、請求項２による投影露光ツール、請求項２０による照射強度分布を測定するための方法によって達成される。本発明のより一層の有利な進歩が従属形式の請求項にて記載される。
本発明によれば、照射強度分布の局所分解測定および角度分解測定用の投影露光ツールの光路に配置された測定器を有するマイクロリソグラフィーのための投影露光ツールが提供される。この測定器は、測定フィールドの個別の点に配置された集束光学素子の配列を有する測定フィールドと、集束光学素子に対して共通の像面と、この共通の像面に配置され、放射線強度を局所分解して記録するための記録面を有する局所分解放射線検出器と、記録された放射線強度から測定フィールドの個別の各点に対するそれぞれの角度分解照射強度分布を定めるよう構成された評価器とを備える。さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールの光路にて照射強度分布を測定するための方法が提供される。この方法は、集束光学素子が共通の像面を有するように、投影露光ツールの光路の測定フィールドの個別の点に集束光学素子を配置するステップと、局所分解放射線検出器の記録面が共通の像面に置かれるように局所分解放射線検出器を配置するステップと、放射線検出器に到達した電磁放射線の強度を局所分解して記録するステップと、記録された放射線強度から、測定フィールドの個別の各点に対するそれぞれの角度分解された照射強度を定めるステップを有する。
さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールの光路の測定フィールドの個別の点でそれぞれの照射強度分布を角度分解して測定するための測定器の利用を提案する。この測定器は、測定フィールドの個別の点に配置される集束光学素子の配列と、集束光学素子に対して共通の像面と、共通の像面に配置された記録面を有する局所分解放射線検出器とを備える。さらに、本発明によれば、リソグラフィーマスクの回折効率を決定するために照射強度分布の局所分解測定および角度分解測定用の測定器の利用が提案される。この測定器は、集束光学素子の配列と、集束光学素子に対する共通の像面と、共通の像面に配置された記録面を有する局所分解放射線検出器とを備える。
言い換えると、本発明によれば、照射強度分布の局所分解測定および角度分解測定の両方のための投影露光ツールの光路に配置される測定器を備えた、例えばステッパーやスキャナー等の、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールが提供される。したがって、この測定器によって、光路の測定フィールド上の照射強度分布を測定することができる。よって、電磁放射線の放射流の分布を測定面上で角度分解することができる。ここで、測定フィールドの個別の点に対してそれぞれ拡張された角度分解照射強度分布が定まる。したがって、測定フィールドの各点に対して、例えば波面測定の場合のように、１つの角度値のみならず定まる。むしろ、測定フィールドの各点に対して、角度スペクトルにわたって照射強度が定まる。すなわち、少なくとも２つ、具体的には３、４、５、あるいはそれ以上の異なる放射線角度に対して、測定フィールドの各点の照射強度が定まる。
特に、本発明による測定の間、点像の照射分布と違い、個別の集束光学素子に割り当てられた局所分解放射線検出器の記録面の区分が、拡張された局所的な放射線分布を有してそれぞれ照射される。個別の集束光学素子に割り当てられた局所分解放射線検出器の記録面のそれぞれの区分における放射線分布の広がりは、Shack Hartmannセンサーによる波面測定の間に、対応する検出区分に形成されるエアリーディスクの広がりの大きさの、具体的には少なくとも２倍、そして好ましくは、１０倍から１００倍の間である。
本発明によれば、測定フィールドの点は測定器の測定フィールド内の点を意味すると理解するものとし、例えばレチクルの物体フィールドの点やウエハーの像フィールドの点を意味するものではない。
投影露光ツールの光路に導入された電磁放射線は、投影露光ツールの種類によって、例えば、365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nmなどの波長域の、ＵＶ波長域とすることができる。あるいは、具体的には波長が13.4 nmの、例えばＥＵＶ放射線を含むことができる。
照射強度分布の局所分解測定および角度分解測定のための測定器は、幾つかの集束光学素子、すなわち到達する電磁放射線に集束効果を有する光学素子を備えている。集束光学素子はそれぞれ焦点面または像面を有する。本発明によれば、集束光学素子のそれぞれの像面は一致する、すなわち集束光学素子に対して共通の像面または焦点面が存在するように、集束光学素子が配置される。好ましくは、光学素子は、光学素子の１つの光軸に対して横方向に相互に並べて配置され、具体的には共通の像面に平行な面に位置する。局所分解放射線検出器は、記録面が共通の像面にあるように配置され、記録面に到達する電磁放射線の強度を局所分解して記録する。（例えば共役の像面ではない）共通の像面の記録面の配置により、（例えば共役の像面ではない）別の面に像面を投影する追加の光学系を、集束光学素子と放射線検出器の間に配置することがない。よって、本発明による測定器の測定精度は向上する。
本発明は、測定フィールドの個別の各点に対する集束光学素子の共通の像面に到達する電磁放射線の強度を局所分解して記録することにより、それぞれの角度分解照射強度分布が光路内の電磁放射に関して定まるという知見に基づく。したがって、局所的および角度的な分解照射強度分布は、投影露光ツールの光路における電磁放射線の経路を広範囲に決定できることによって、投影露光ツールの光路の異なる点で測定することができる。言い換えると、投影露光ツールの個別の光学素子の高精度調整を可能にし、光路における放射線の経路を最適化することができる。
したがって、放射強度分布の局所分解測定および角度分解測定は、組み立て作業の時および投影露光ツールの保守作業の間に、投影露光ツールの光学素子の調整を向上させることができる。本発明による測定器によって、投影露光ツールの作動中に光路の特定位置で照射強度分布を監視することも考え得る。
本発明による１つの実施態様では、集束光学素子および放射線検出器は、別モジュールに統合される。別モジュールとは、そのモジュールが投影露光ツールの他のサブシステムから独立して設計されていることを意味するものと理解される。具体的には、例えば照明系や投影光学系の光学素子などの、投影露光ツールのサブシステムの他の光学素子がモジュールの中に含まれていない。集束光学素子と放射線検出器とを別モジュールに統合することによって、測定器の管理性が向上する。したがって、投影露光ツールの光路の異なる位置に大きな困難なしに、測定器を配置することができる。さらに、他の光学素子によって引き起こされる測定誤差を防ぐこともできる。
本発明のさらなる実施態様では、放射線検出器の局所分解能は個別の集束光学素子の幅よりも優れている。したがって、放射線検出器は、個別の集束光学素子の幅よりも小さい大きさを分解することができる。例えばＣＣＤカメラ形式の放射線検出器の場合、幾つかの画素（ピクセル）またはＣＣＤカメラの検出素子が集束光学素子の幅に対応する。放射線検出器の局所分解能が高いことにより、複数の検出素子がそれぞれ特定の集束光学素子に割り当てられる。したがって、放射線検出器の特定の検出素子に記録される強度を、特定の集束光学素子にはっきりと割り当てることができる。これにより、照射強度分布の角度分解測定を角度高精度に行うことを可能にする。
本発明のさらなる実施態様では、局所分解放射線検出器は光電手段を有し、これは具体的には、ＣＣＤカメラ、フォトダイオード格子、および、フォトダイオードライン、それぞれ、および／または、光電画像記録デバイスを有する蛍光層である。この種の画像記録デバイスは、ここでも例えばＣＣＤ検出器とすることができる。この種の画像デバイスと蛍光層との組み合わせは、ＥＵＶ波長域での利用に対して特に有利である。例えば、ＡＳＰ社のＰ４３を蛍光層として用いることができる。画像記憶デバイスを有する蛍光層の利用が、層の粒子サイズ、蛍光層、および画像記録デバイスの分解能にしたがって、検出面での高局所分解を可能にする。いわゆる「背面照射型ＣＣＤカメラ」もＥＵＶ放射線用の放射線検出器として用いることができる。放射線検出器として使用するＣＣＤカメラは、一般的な検出素子または画像素子の間隔は、１０μｍであることが好ましい。例えば屈折型マイクロレンズ等の、集束光学素子の幅０．２５ｍｍの集束光学素子を用いる場合、少なくとも２５個の放射線感受性検出器または格子素子が、各集束光学素子の下方の空間的方向に並べられている。よって、角度分解能を高くすることができる。
本発明によるさらなる実施態様では、測定器は、各測定点で２次元的に角度分解された照射強度分布を測定するよう構成されている。したがって、それぞれ２次元的に局所的および角度的に測定を行うことができる。よって、放射線強度は４次元で測定される。これにより、投影露光ツールの光路で放射線経路の詳細な決定が可能となる。
さらに、集束光学素子が測定面に格子状に配列されているのが有利である。光学素子の格子状配列によって、測定フィールドを光学素子によって均一に覆うことができる。したがって、照射強度分布を格子領域全体にわたって高分解能で測定することができる。光学素子の格子状配列によって、可能な限り少ない隙間で測定面を光学素子で覆うことができる。よって、照射強度分布を測定するときに隙間の生じないことが確実にできる。
さらなる有利な実施態様では、少なくとも１つの集束光学素子が、屈折型マイクロレンズ、具体的には最小径が０．２５ｍｍのもの、回折型マイクロレンズ、具体的には最小径が０．２ｍｍのもの、および／または、直前にピンホールを有するマイクロレンズ、具体的には開口径が０．１ｍｍ以下のものを備える。上述のマイクロレンズは、具体的には水晶ガラスで作ることができる。したがって、具体的には波長が２４８ｎｍと１９３ｎｍの光を透過することができる。回折マイクロレンズを、例えばＣＧＨ（コンピュータ生成ホログラム）の形式とすることができる。マイクロレンズの直前に適用するピンホールは、マイクロレンズの入射開口を的確に規定することができる。例えば２５０μｍのレンズ間隔かつ例えば２４０μｍのレンズ径で、６角形形状に稠密充填したマイクロレンズアレイを配置することが特に有利である。さらに、少なくとも１つの集束光学素子がフレネルレンズを備えることが有利である。フレネルレンズはＥＵＶ放射線を集束するために特に好適である。フレネルレンズは、例えばクロムリングまたは切り欠き格子の形状とすることができる。
さらに、集束光学素子を形成する幾つかの開口ピンホール格子を設けることが有利である。この場合、屈折型または回折型のマイクロレンズを必要としないとすることもできる。すでに述べたように、この場合、集束光学素子はピンホールによって形成される。ピンホールの集束効果は回折効果により引き起こされる。この有利な実施態様により設けたピンホール格子は、ＥＵＶ波長域で作動する投影露光ツールにおける放射強度分布を測定するために特に好ましい。ここで、ホール径の有利な大きさは、およそ４μｍである。ピンホール格子と記録面との間の距離はおよそ１ｍｍであることが有利である。およそ１３ｎｍの波長では、最小スポット径がおよそ８μｍとなる。
さらに、投影露光ツールは特定波長の電磁放射線を放射する照明デバイスを有し、ピンホール格子の開口は、電磁放射線の波長の大きさより、少なくとも２倍、具体的には１０倍から１００倍の大きさの径をそれぞれ有することが有利である。具体的にＥＵＶ波長域に対しては、したがって照射強度分布を特に正確に測定することを達成することができる。
さらに、測定器は、偏光フィルタ、および／または、偏光感受的に設計された放射線検出器をさらに備えることが有利である。したがって、放射された電磁放射線の偏光にしたがって照射強度分布を測定することができる。偏光フィルタは集束光学素子の直前の光路に配置されることが有利である。
さらに、測定器は、カラーまたはスペクトルフィルタ、および／または、スペクトル感受的に設計された放射線検出器をさらに備えることが有利である。これにより、照射強度分布を波長分解して決定することが可能になる。カラーフィルタは集束光学素子の直前の光路に配置されることが有利である。
さらなる有利な実施態様では、光路は、光学素子の位置にて、個別の放射線が光学素子それぞれの光軸に関して最大偏角αmaxとなるような個別の放射線束と、それぞれの直径がＰであり、それぞれの焦点距離がｆであるときに、関係式：P/(2f) > tan(αmax)に従う光学素子とを備える。したがって、放射線検出器の個別の検出素子をそれぞれの集束光学素子へ割り当てることが依然として可能である。このことは、特定の検出素子によって測定される放射線強度が、集束光学素子を通過する個別の放射線に容易に逆追跡することができるように、放射線検出器の個別の検出素子または検出素子が、それぞれの集束光学素子に明確に割り当てることを意味する。光学素子の直径Ｐは、後段の光軸に垂直なそれぞれの光学素子の直径に関連する。有利な大きさの例では、直径Ｐ＝０．２５ｍｍかつ焦点距離ｆ＝０．８ｍｍであり、このとき最大偏角αmaxは９°となる。０．０１ｍの放射線検出器分解能では、角度分解能が０．７°または１２ミリラジアンとなる。さらなる有利な大きさでは、直径Ｐ＝０．２５ｍｍかつ焦点距離ｆ＝２０ｍｍであり、このとき最大偏角αmaxは０．３６°となる。０．０１ｍの放射線検出器分解能では、角度分解能が０．０３°または０．５ミリラジアンとなる。
さらなる有利な実施態様では、測定器は、光路上の電磁放射線による照射から個別の集束光学素子を遮蔽するための遮蔽素子（具体的には穴格子マスク）、および／または、表面の光変調器をさらに備える。遮蔽素子によって、個別の集束光学素子はマスキングされ、好ましくは他のすべての集束光学素子が、この種の遮蔽素子によってマスキングされる。この目的のために、対応する遮蔽素子がそれぞれの集束光学素子の直前に配置されることが有利である。測定面の２次元方向に、集束光学素子を一つおきにマスキングする有利な方法では、光路の放射線にて遮蔽されない光学素子に隣接したすべての光学素子が遮蔽される。したがって、遮蔽された光学素子に本当は割り当てられた検出素子が、これらの光学素子によって照射されないので、遮蔽されない光学素子に到達する放射線に対する入射の最大角を増加させることができる。このことは、隣接の遮蔽されない光学素子によるクロストークなしに記録される入射照射強度の最大角度領域が増加することを意味する。
本発明によるさらなる実施態様では、測定器は測定面に配置され、評価器は測定面の照射強度分布を定め、これから放射線光学によって、測定面に関してオフセットした目標面での照射強度分布を計算する。これによって、測定面としてアクセスできない投影露光ツールの測定面における照射強度分布を定めることを可能にする。
本発明によるさらなる実施態様では、投影露光ツールは、割り当てられた瞳面を有するＲＥＭＡ対物レンズと、開口面に配置されたレチクルマスキングデバイスと、レチクル面と、割り当てられた瞳面を有する投影レンズと、ウエハー面とを備え、ＲＥＭＡ対物レンズの瞳面、開口面、レチクル面、対物レンズの瞳面、およびウエハー面とを備える面のうち２つの面の間に目標面が配置される。
また、測定器は、共通の像面で放射線検出器を駆動するための第１の駆動デバイスをさらに有することが有利である。したがって、放射線検出器に到達する電磁放射線の強度を記録するとき、放射線検出器を駆動することができる。放射線検出器の局所分解能は画素により制限され、放射線検出器に到達する放射線を記録する間に放射検出器の画素幅の±１だけ放射線検出器を２次元的に駆動するように第１の駆動デバイスを設計するのが有利である。測定器は、数学的に記録された画像を先送りして平均化し、集束光学素子によって検出器の記録面に到達する個別の放射線束のスポットの中心点を定めるように設計された評価器をさらに備えるのが有利である。この方法は、「ディザリング」とも呼ばれている。したがって、照射強度分布は角度分解能を向上して定めることができる。例えば、この方法によって、波長が１９３ｎｍのスポットの中心点を０．５μｍの精度で定めることができる。この波長での理論的スポット径は２μｍであるが、実際には収差のためにスポット径は増加し、例えばおよそ５μｍとなる。
さらに、投影露光ツールの光路で測定器を駆動するための第２の駆動デバイスを設けることが有利である。第２の駆動デバイスは、投影露光ツールの光路の放射線の伝播方向に関して横方向に測定器を駆動するよう構成されることが有利である。したがって、高局所分解能からの測定結果をまとめることによって、大きな放射線径を測定することができる。この測定方法は、平行測定と連続測定との組み合わせに一致する。したがって、測定器の幅よりも大きい横断面で、光路の測定が可能になる。さらなる実施態様では、第２の駆動デバイスは、測定器を放射線の伝播方法に平行に駆動するよう構成されている。したがって、放射線フィールドを空間的に、すなわち３次元的にサンプリングすることができる。
また、測定器は、互いに隣接した集束光学素子の幾つかの配列、および／または、互いに隣接した局所分解検出器の幾つかの個別の配列を有することが有利である。具体的には、測定器は、平面上の幾つかのマイクロレンズの配列および共通の焦点面内の個別のマイクロレンズの配列に割り当てられた幾つかのＣＣＤカメラを有することができる。この有利な実施態様では、高局所分解能で大きな直径の光路を測定することができる。
さらに、前述の目的は、本発明のマイクロリソグラフィーのための投影露光ツール、具体的には、先に説明した実施態様の何れかにより設計され、構造化されたリソグラフィーマスクを保持するレチクルを位置決めするためのレチクル面と、照射強度分布を局所的および角度的に分解して測定するために測定器とを有し、この測定器は、集束光学素子の配列と、集束光学素子に対する共通の像面と、照射強度を局所分解して記録するために共通の像面に配置された記録面を有する局所分解照射線検出器とを備え、この測定器はレチクル面の領域に配置されるマイクロリソグラフィーのための投影露光ツールによって達成される。具体的には、集束光学素子はレチクル面に配置される。さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールのレチクル面の領域における照射強度分布を測定するための方法が提供される。本発明による方法は、集束光学素子が共通の像面を（具体的にはレチクル面にて）有するように、レチクル面の領域に集束光学素子を配置するステップと、局所分解放射線検出器の記録が共通の像面に置かれるように局所分解放射線検出器を配置するステップと、放射線検出器に到達する電磁放射線の強度を局所分解して記録するステップとを備える。
投影露光ツールの稼動の間、レチクルはレチクル面に配置され、レチクル面上の構造が投影露光ツールの投影光学系によってウエハー上に投影される。ウエハー上に最小構造を正確に投影するために、投影される構造を保持するリソグラフィーマスクの照明がマスク全体にわたって均一であることが重要である。レチクル面の領域に配置される測定器が、レチクル面での照明の均質性を局所的および角度的に分解して高精度に測定することを可能にする。これら測定は、例えば個別のウエハーの露光間で実施することができる。測定器の集光光学素子がレチクル面に配置されているとき、レチクル面での照明の均一性を特に正確に測定することができる。
さらに、前述の目的は、本発明のマイクロリソグラフィーのための投影露光ツール、具体的には、先に説明した実施態様の何れかにより設計され、ウエハー上に構造化されたリソグラフィーマスクを投影するための投影対物レンズと、照射強度分布を局所的および角度的に分解して測定するための測定器を有し、この測定器は、集束光学素子の配列と、集束光学素子に対する共通の像面と、放射線強度を局所的および角度的に分解して測定するために共通の像面に配置された記録面を有する局所分解放射線検出器とを備え、この測定器は、投影対物レンズの瞳面の領域に配置される、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールによって達成される。具体的には、集束光学素子が投影対物レンズの瞳面に配置される。さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールの投影対物レンズの瞳面の領域で照射強度分布を測定する方法が提供される。本発明による方法は、具体的には集束光学素子が共通の像面を（具体的には瞳面にて）有するように、投影対物レンズの瞳面の領域に集束光学素子を配置するステップと、局所分解放射線検出器の記録が共通の像面に置かれるように局所分解放射線検出器を配置するステップと、放射線検出器に到達する電磁放射線の強度を局所分解して記録するステップとを備える。
したがって、投影対物レンズの瞳面における照射強度分布を局所的および角度的に分解して測定することができる。この情報は、投影露光ツールの個々の光学素子を高精度に調整することを可能にし、よって投影露光ツールの投影特性を向上する。投影対物レンズは切替マウントを有し、測定器が切替マウントによって瞳面に挿入される。
前述の目的は、さらに、本発明のマイクロリソグラフィーのための投影露光ツール、具体的には、先に説明した実施態様の何れかにより設計され、投影露光ツールのレチクル面にレチクルマスキングデバイスを投影するためのＲＥＭＡ対物レンズと、照射強度分布を局所的および角度的に分解して測定するための測定器とを有し、この測定器は、集束光学素子と、集束光学素子に対する共通の像面と、放射線強度を局所分解して記録するために共通の像面に配置された記録面を有する局所分解放射線検出器とを備え、この測定器はＲＥＭＡ対物レンズの瞳面の領域に配置される、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールによって達成される。具体的には、集束光学素子はＲＥＭＡ対物レンズの瞳面に配置される。さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールのＲＥＭＡ対物レンズの瞳面の領域における照射強度分布を測定するための方法が提供される。本発明による方法は、集束光学素子が共通の像面を（具体的には瞳面にて）有するように、ＲＥＭＡ対物レンズの瞳面の領域に集束光学素子を配置するステップと、局所分解放射線検出器の記録面が共通の像面に置かれるように局所分解放射線検出器を配置するステップと、放射線検出器に到達した電磁放射線の強度を局所分解して記録するステップとを備える。
通常、レチクルマスキングデバイスは、調節可能な開口で設計される。リソグラフィーのための構造化されたマスクを保持するレチクルはレチクル面に配置される。レチクルマスキングデバイスは、投影露光ツールの稼働中に露光されるレチクルの部分だけが露光されることを確実にする。当業者に知られているように、対物レンズの瞳は、一般に射出瞳を意味するもと理解する。つまり、像面の軸上からレンズを通して見た開口絞りの像、あるいは開口絞りそれ自身のことである。ＲＥＭＡ対物レンズの瞳面の領域における測定器の位置決めが、ＲＥＭＡ対物レンズを通過する放射線の経路の正確な測定を可能にし、ＲＥＭＡ対物レンズの個々の光学素子の最適な調整を可能にする。
さらに、前述の目的は、本発明のマイクロリソグラフィーのための投影露光ツール、具体的には、先に説明した実施態様の何れかによって設計され、開口面に配置されたレチクルマスキングデバイスと、照射強度分布を局所的および角度的に分解して測定するための測定器とを有し、この測定器は、集束光学素子と、集束光学素子に対する共通の像面と、放射線強度を局所分解して記録するために共通の像面に配置された記録面を有する局所分解放射線検出器とを備え、この測定器は開口面の領域に配置される。具体的には、集束光学素子は開口面に配置されるマイクロリソグラフィのための投影露光ツールにより達成される。さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールのレチクルマスキングデバイスのための開口の領域にて照射強度分布を測定する方法が提供される。本発明による方法は、集束光学素子が共通の像面を（具体的には開口面にて）有するように、開口面の領域に集束光学素子を配置するステップと、局所分解放射線検出器の記録面が共通の像面に置かれるように局所分解放射線検出器を配置するステップと、放射線検出器に到達した電磁放射線の強度を局所分解して記録するステップとを備える。
すでに述べたように、レチクルマスキングデバイスを、開口（いわゆるＲＥＭＡ羽根）で設計することができる。開口面の領域にて測定器を位置決めすることによって、開口面における照射強度分布を局所的および角度的に分解して測定することができ、その結果、レチクルの照明均一性をえることができる。
本発明によるさらなる実施態様では、投影露光ツールはリソグラフィーで露光されるウエハーを位置決めするためのウエハー面を有し、測定器はウエハー面の領域に配置される。したがって、全像フィールドにわたって、リソグラフィー像の均一性を局所的および角度的に分解して測定することができる。そして、結果の情報から、投影露光ツールの光学系に適切な調節をすることができる。集束光学素子がウエハー面に置かれるようにウエハー面の領域に測定器を配置することが有利である。
本発明によるさらなる実施態様によれば、前述の測定器の特徴を有するさらに別の測定器がレチクル面の領域に配置される。本発明によるさらなる実施態様では、前述の測定器の特徴を有するさらに別の測定器が投影対物レンズの瞳面の領域に配置される。また、前述の測定器の特徴を有するさらに別の測定器がＲＥＭＡ対物レンズの瞳面の領域に配置されることが有利である。本発明によるさらなる実施態様では、前述の測定器の特徴を有するさらに別の測定器がレチクルマスキングデバイスの瞳面の領域に配置される。
したがって、本発明による前述の実施態様によれば、少なくとも２つの測定器が投影露光ツールの光路の異なる点に配置される。光路の異なる測定面での局所的および角度的に分解された測定結果から、光路の光学素子における誤差要因に関する結果が引き出される。さらに、光路上の誤差要因の位置を、すくなくとも大雑把に決定することが可能である。第１の測定面（例えばレチクル面）にて測定した照射強度分布が期待水準以内であるが、第１の測定面よりも後段の光路に置かれる第２の測定面（例えば投影光学系の瞳面など）では期待の分布から外れている場合、２つの測定面の間に位置する光学素子が誤差要因であると特定できる。
ここで定めることができる考え得る誤差要因は、散乱光源の存在である。さらに、本発明によれば、投影露光ツールの光路における散乱光源を特定するための方法が提供される。この方法は、投影露光ツールの光路における先述の測定面の１つに配置された放射線検出器を用いて、先述の実施態様のうち１つにおける測定方法で照射強度分布を測定するステップと、先述の測定面のうち少なくとも他の１つに配置された放射線検出器を用いて、先述の実施態様のうちさらに１つにおける測定方法で照射強度分布を測定するステップと、測定された照射強度分布を評価することによって投影露光ツールの光路における散乱光源の存在を定めるステップとを備える。
すでに上述したように、本発明によれば、リソグラフィーマスクの回折効率を決定するために局所的および角度的に分解して照射強度分布を測定するための測定器を利用することがさらに提案される。ここで利用される測定器は、集束光学素子の配列と、集束光学素子に対する共通の像面と、共通の像面に配置された記録面を有する局所分解および角度分解の放射線検出器を備える。この目的のために、リソグラフィーマスクは空間コヒーレンスが高い照明（すなわち均一方向からの照明放射線で）をすることが有利である。
測定器がリソグラフィーマスクの下方で照明放射線の光路に配置されている場合、到達する照明放射線を角度分解して記録する測定器の機能によって、リソグラフィーマスクを通過する放射線の０次回折を１次回折から分離して、リソグラフィーマスク全体にわたって局所分解して記録することができる。よって、これから、リソグラフィーマスクの回折効率を、局所分解して決定することができる。回折効率は、１次回折の強度比として定義される。測定した強度から回折効率を定めることができる適切な評価器を測定器が有することが有利である。さらなる有利な実施態様では、リソグラフィーマスクの回折効率は、投影露光ツールに適したリソグラフィーマスクで測定される。この目的のために、例えばウエハー面だけではなく、投影光学系より上段の面に、測定器を配置することができる。
上記に詳述した本発明による投影露光ツールの実施態様に関して特定された特徴は、本発明による方法に対応して移転することができる。逆もまた同様である。つまり、上記に詳述した本発明による方法の実施態様に関して特定された特徴は、本発明による投影露光ツールに対応して移転することができる。投影露光ツールの有利な実施態様に起因する測定器の有利な実施態様は、リソグラフィーマスクの回折効率を決定するため、または照射強度分布を局所分解および角度分解して測定するための測定器の、本発明による利用に対応して移転することができる。これに起因して、本発明による方法または本発明による利用の有利な実施態様は、本発明の開示に明確に含まれるとすべきである。したがって、本発明による投影露光ツールの有利な実施態様に関して詳説した本発明の有利点は、本発明による方法または本発明による利用の対応する有利な実施態様にも関係する。
本発明による、照射強度分布を局所分解および角度分解して測定するための測定器を有し、この測定器は投影露光ツールの光路における異なる点に図示された、投影露光ツールの実施形態に係る原理的な概略図である。 本発明による配列を有する図１による測定器の実施形態の、図１による投影露光ツールのレチクル面における原理的な側面図である。 図２による測定器の測定フィールドの上面図である。 図３による測定フィールドの一部の拡大断面図である。 図２によるレチクル面に配置された測定器によって、図４による測定フィールドの個別の点にて測定された角度分解照射強度分布の例示した説明図である。 図１による投影露光ツールの投影対物レンズの瞳面またはＲＥＭＡ対物レンズの瞳面に配置された、図２による測定器の原理的な側面図である。 図６による投影対物レンズの瞳面に配置された測定器によって、図４による測定フィールドの個別の点にて測定された角度分解照射強度分布の例示した説明図である。 図１による測定器のさらなる実施形態の側面図である。図の左部分は投影露光ツールのレチクル面に配置された測定器であり、図の右部分は図１による投影露光ツールの瞳面に配置された測定器である。 図２による測定器に関して拡大した最大角度分解能を有する、図１による測定器のさらなる実施形態の側面図である。 リソグラフィーマスクの回折効率を決定するための図２による測定器の本発明による使用状態を示す側面図である。 投影露光ツールのレチクル面に配置された、図１による測定器のさらなる実施形態の側面図である。 図１による投影露光ツールのウエハー面に配置された、図１１による測定器の側面図である。 図２による測定器のさらなる実施形態の側面図である。 図１による投影露光ツールの光路における、本発明による可動式配列を有する図２による測定器の説明図である。 図１による測定器のさらなる実施形態の側面図である。
以下、本発明による、照射強度分布を局所分解および角度分解して測定するための投影露光ツールおよび方法の典型的実施形態を、添付図面を用いてより詳細に説明する。
以下に説明される実施形態において、機能的または構造的に互いに類似した構成要素には、できる限り同一または類似の参照番号を付与する。したがって、特定の実施例の個々の構成要素の特徴を理解するために、他の実施形態の説明または本発明の一般的説明が参照されるべきである。
図１は、スキャナ形式のマイクロリソグラフィーのための、本発明による投影露光ツール１０の実施形態を示す。投影露光ツール１０は、投影露光ツール１０のレチクル面１４に配置したレチクルを照明するための照明光学系１２を備える。なお、レチクルは図１には示されない。レチクルは特定波長の電磁放射線で照明され、この電磁放射線は、投影露光ツール１０の種類に応じて、ＵＶ波長域またはＥＵＶ波長域（極紫外、例えば13.4 nmの波長）とすることができる。ＵＶ波長域としては、例えば365 nm, 248 nm, 193 nm または 157 nmの波長とすることができる。
投影露光ツール１０はさらに、投影対物レンズ１８とウエハー面２０とを備える。レチクル面１４のマスク構造は、投影対物レンズ１８によってウエハー面２０に映し出される。照明光学系１２と投影対物レンズ１８とは共通の光軸２２を有する。照明光学系１２は、図示されない例えば電磁放射線を作り出すためのレーザーである放射線源と、レチクル面１４の照明領域を制限するために開口面２３に配置されたレチクルマスキングデバイス（ＲＥＭＡ）とを備える。この目的のために、レチクルマスキングデバイスは、例えば調節可能開口、いわゆるＲＥＭＡブレードを有する。さらに、照明光学系１２は、レチクルマスキングデバイス２４をレチクル面１４に映し出すためのＲＥＭＡ対物レンズを備える。
したがって、放射線源によって作り出された電磁放射線１６の投影露光ツール１０による光路は、開口面２３、ＲＥＭＡ対物レンズ２６、レチクル面１４、および投影対物レンズ１８を通り、ウエハー面２０に至る。ＲＥＭＡ対物レンズ２６は瞳面３０を有する。瞳面３０における強度分布３２または局所分解された照射強度分布が、例えば図1に表されたレチクル面１４のダイポール照明のために図式的に、図1の下方領域に示されている。ここで、強度分布３２は2つの最大点を有する。
本発明によれば、測定器３６は、局所的および角度的に分解された照射強度分布の測定のために投影露光ツール１０の光路２８に配置される。図1は、測定器３６が配置され得る幾つかの可能な位置を例として示している。したがって、測定器３６は、例えば開口面２３、ＲＥＭＡ対物レンズの瞳面３０、レチクル面１４、投影対物レンズ１８の瞳面３７、あるいはウエハー面２０に配置することができる。
例えば、測定器３６がＲＥＭＡ対物レンズ２６の瞳面３０に配置されたとき、電磁放射線１６の個々の放射線３８は、測定器３６の測定フィールド４１のそれぞれの位置に異なる角度で到達する。測定器３６は、後により詳細に説明するように、測定フィールドの異なる位置において角度的に分解して、到達した電磁放射線を記録するよう構成される。測定フィールド４１のそれぞれの位置に対して角度的に分解された照射強度分布を測定するこの手段は確立されている。したがって、瞳面３０のそれぞれの位置で異なる角度に放射された放射強度を測定することが可能である。図１の上部には、レチクル面１４に配置された測定器３６に到達する電磁放射線１６の個々の放射線３８が示されている。
図２は測定器３６の実施形態を細部にわたって示している。この測定器３６のこの実施形態は、測定面４０に集束光学素子４２の配列を有する測定フィールド４１を備える。図示された事例では、集束光学素子４２が、マイクロレンズ格子の形態をしている。ここで、集束光学素子４２は、屈折型マイクロレンズとして設計されている。しかしながら、集束光学素子４２は、例えばＣＧＨｓ（コンピュータ生成ホログラム）の形である、回折型マイクロレンズとすることもできる。集束光学素子４２は、均一の焦点距離ｆを有し、共通の像面４４および共通の焦点面を有する。
さらに、測定器３６は、ＣＣＤカメラの形またはフォトダイオード２次元格子の形で、共通の像面４４に配置された局所分解放射線検出器４６を有する。局所分解放射線検出器４６は、集束光学素子４２に向かい合う記録面４８を有する。ここで、記録面４８は集束光学素子４２の共通の像面４４に配置されている。局所分解放射線検出器４６は、記録面４８に平行方向にそれぞれの幅がｐの複数の検出素子５０を備える。したがって、幅ｐは検出器４６の局所分解能を規定する。
測定器３６の測定フィールド４１に到達する電磁放射１６（ここでは入射放射線５２と呼ぶ）は、集束光学素子４２によって放射線検出器４６の記録面４８上に集束する。ここで、件の照射された光学素子４２の光軸５４に関して同じ角度αを有する、入射放射線５２の個々の放射線３８のすべては、ある特定の検出素子５０上に集束する。この方法で照射され、検出素子５０ａに到達する放射線強度は、放射線検出器４６によって記録される。
評価器６０により、測定器３６の測定面４０にて局所的および角度的に分解された照射強度分布は、放射線検出器４６の記録面４８上で記録された強度の局所分布から再構成される。この目的のために、集束光学素子４２に対応し、それぞれの真下に置かれる検出素子５０は、それぞれの光学素子４２に割り当てられている。「クロストーク」が起こらないように、すなわち、ある特定の集束光学素子４２を通過する入射放射線５２が、隣接した集束光学素子４２に割り当てられた検出素子５０に到達することがないように、入射放射線５２の最大入射角αmaxは、以下の関係を満たすように制限される。
P / (2f) > tan (αmax) (1)
ここで、Ｐは集束光学素子４２の直径であり、ｆは集束光学素子４２の焦点距離である。
したがって、放射線検出器４６によって記録された強度分布から、測定器３６の測定フィールド４１での照射強度分布を、２次元局所的および角度的に分解して、それぞれ測定することができる。局所分解能は、集束光学素子４２の直径Ｐによって制限される。ある特定の集束光学素子４２を通過した放射線の局所位置は、対応する集束光学素子４２の中心点によって決定される。図２による実施形態および今後説明する実施例において測定器３６は、偏光フィルタ５７および／またはスペクトルフィルタ５８を随意に備える。したがって、偏光分解および波長分解して、照射強度分布を測定することができる。あるいは、放射線検出器４６を、偏光選択または波長選択となるように設計することもできる。
集束光学素子４２として屈折型マイクロレンズを用いるとき、マイクロレンズの典型的な直径は0.25mmまたはそれ以上が選ばれる。集束光学素子４２が回折型マイクロレンズで形成されるときは、回折型マイクロレンズの典型的直径は0.25mmまたはそれ以上である。ＣＣＤカメラの形態をした局所分解放射線検出器４６の典型的な格子素子の大きさは、およそ10μmである。典型的な直径が0.25mmの屈折型マイクロレンズと放射線検出器４６として典型的な格子素子の大きさが10μmのＣＣＤカメラとを組み合わせたとき、少なくとも５００個の検出素子５０が各マイクロレンズの下に置かれる。したがって、高い角度分解能が達成される。
図３は、集束光学素子４２の格子５６を有する図２による測定器３６の測定フィールド４１の上面図を示している。集束光学素子４２は、それぞれ測定フィールドの点（xi, yj）に配置されている。図２は、これら測定フィールドの点(x1-5, yj)の属する水平線を示している。図４は、図３による測定フィールド４１の部分の拡大断面を示している。図５は、一例として、本発明による測定器３６によって測定された照射強度分布を示している。２次元の測定フィールド４１における各測定フィールドの点(xi, yj)に対して、拡張された２次元の角度分解照射強度分布I(φx, φy)が確立される。すわち、各測定フィールドの点(xi, yj)に対して、２角度次元における複数の角度φx,およびφyに関して照射強度値が確立される。したがって、全体として、４次元の照射強度分布が確立され得る。もう１つの方法として、各測定フィールドの点(xi, yj)に対して、拡張された１次元の角度分解照射強度分布I(φx, φy)が確立されこともできる。
図５には、投影露光ツール１０のレチクル面１５に配置された測定器３６のための例示的測定結果が示されている。ここでは、いわゆるレチクルの環状照明の例が示されている。照射強度分布I(φx, φy)は、測定フィールドの間で実際問題としてわずかに変化する。測定された変化から、照明光学系に補正量を取り入れることができる。
図６は、ＲＥＭＡ対物レンズ２６の瞳面３０または投影対物レンズ１８の瞳面３７に配置されたときの測定器３６を示している。入射放射線５２は、異なる方向の個々の放射線３８を含んでいる。したがって、図２による測定状況のように、集束光学素子４２に対応する複数の検出素子５０ａが照明される。図６に示される測定器３６もまた、偏光フィルタ５７および／またはスペクトルフィルタ５８を随意に備えることができる。
図７は、図６による投影露光ツール１０における、ＲＥＭＡ対物レンズ２６の瞳面３０または投影対物レンズ１８の瞳面３７に配置された測定器３６のための例示的測定結果を示している。個別の測定フィールドの点(xi, yj)で測定された角度分解照射強度分布I(φx, φy)は、この例ではお互いからわずかに相違したガウス分布である。
図８は、本発明による測定器３６の更なる実施形態を示している。同図の左側では、（Ｉ）投影露光ツール１０のレチクル面１４に配置された測定器を有することを特徴とし、同図の右側では（ＩＩ）投影露光ツール１０の瞳面３０、３７に配置された測定器を有することを特徴とする。図８による測定器３６は、集束光学素子４２の直前の光路にピンホール６１を備えるという点において、図２および図６による測定器３６とは異なる。ピンホール６１は、対応する集束光学素子４２の中心部に開口６２をそれぞれ有する。したがって、各集束光学素子４２の中心点は、ピンホール６１によって選択され、測定面４０に到達する放射線の局所座標(xm, ym)は、より正確に定義される。開口６２の間にある位置をサンプリングするために、本発明による測定器３６は横（つまり測定面４０）方向にシフトし、シフトした格子で得られた結果が、評価器６０によって合算される。開口６２は、一般的に、０．１ｍｍよりも小さい開口径を有する。
本発明の１つの実施形態では、測定器３６が投影露光ツールの幾つかの面に配置される。これらの面は、先述の図１におけるレチクル面１４、開口面２３、ＲＥＭＡ対物レンズ３０の瞳面３０、投影対物レンズ１８の瞳面３７、及び／又は、ウエハー面２０を含むことができる。光路の異なる測定面での局所的および角度的に分解された測定結果から、光路の光学素子に誤差要因が存在するかに関する結論を導くことができる。さらに、光路における誤差要因の位置を、少なくともおおよそ、決定することができる。第１の測定面（例えばレチクル面）で測定された照射強度分布が想定された基準内であるが、第１の測定面よりも後段の光路にある第２の測定面（例えば投影光学系の瞳面）では、所望の分布から外れている場合、２つの測定面の間の光学素子が誤差要因として識別できる。この情報を基準として、対応する補正量を取得することができる。
本発明の１つの実施形態では、投影露光ツール１０の光路の異なる位置で測定された照射強度分布を評価することによって、散乱光源の存在が立証され、これは正確な位置を示す。
図９は、入射放射線５２の光路の集束光学素子４２の直前に遮蔽素子６４を備える、本発明による測定器３６のさらなる実施形態を示している。遮蔽素子６４は、格子状マスクまたは表面光変調器（いわゆる「空間光変調器」）の形をとっており、集束光学素子４２の一部を遮蔽する。ほかのすべての集束光学素子４２は、遮蔽素子６４の測定面４０の両座標方向で入射放射線５２から遮蔽されていることが好ましい。
遮蔽されていない集束光学素子４２ａに隣接した集束光学素子４２ｂは、それぞれ入射放射線５２から遮蔽されている。したがって、「クロストーク」が生じないで検出可能な、入射放射線５２の光軸５４に関する最大入射検出角度αmaxは増加する。このことは、遮蔽された光学素子４２ｂの下に置かれる検出素子５０が、対応する隣接した遮蔽されない光学素子４２ｂに、少なくとも部分的に、割り当てられることを意味する。したがって、図９に示されるように、遮蔽された光学素子４２ｂの下に置かれる検出素子５０ａが照射された場合、後段で記録される強度は、隣接した遮蔽されない光学素子４２ａに割り当てられる。図２による測定器に関して図９による測定器の実施形態によって減少した局所分解能を補償するために、照射強度分布の測定時に測定器が光軸に対して横方向に走査されることが好ましい。
焦点距離が２０ｍｍであり、かつ集束光学素子４２の間隔が２５０μｍであるとき、照射波長が１９３ｎｍでは、クロストークが発生しない最大入射角はα＝０．３６°となる。隣接した集束光学素子へのクロストークが十分下回る場合では、最大入射角はα＝１°となる。クロストークが隣の１つだけである場合では、最大入射角はα＝１．８°となる。
図１０は、図２による測定器３６をリソグラフィーマスク６６の回折効率を決定するために利用することを示している。図８または図９による測定器３６、もしくは例えば図１１から図１３等の本願にて詳説される発明による他の測定器を、このために用いることができる。回折効率とは、リソグラフィーマスク６６を通過する放射線の零とは異なる回折次元に対する放射線強度の比である。図１０に示されたリソグラフィーマスク６６は、照射放射線６８を上から照射され、それによって、０次の回折の放射線７０と高次の回折次数（零とは異なる回折次数）の放射線７２とがリソグラフィーマスク６６の下に発生する。放射線７０と放射線７２とは異なる伝播方向を有する。測定器３６はリソグラフィーマスク６６の下に配置される。リソグラフィーマスク６６は、例えばレチクル面１４に配置することができる。対応して、測定器３６は、例えば投影露光ツール１０のウエハー面２０に配置される。しかしながらもうひとつの方法として、投影露光ツール１０の外側で、リソグラフィーマスク６６の回折効果を測定することもできる。
放射線７０および７２は、局所分解放射線検出器４６の異なる検出素子５０に集束光学素子４２によって集束される。ここで、０次回折次数の放射線７０は、放射線検出器４６にいわゆる０次のライトディスクを形成し、高次の回折次数を有する放射線７２は、マスク６６の回折に関する高次の回折次数の対応するライトディスクを形成する。
図１１は、本発明による測定器３６のさらなる実施形態を示し、この実施形態は、ＥＵＶ放射線の形態をした入射電磁放射線の照射強度分布を測定するために特に適している。図１１による測定器３６は、格子状に配置された開口８０を有するピンホール格子７８を備える。開口８０は、測定器３６の集束光学素子４２を形成し、回折効果によって局所分解放射線検出器４６の上に入射放射線５２を集束する。局所分解放射線検出器４６は、例えばＡＳＰ社のＰ４３等の蛍光層８１を備え、この表面が記録面４８を形成する。蛍光層８１の下に配置されているのが、例えばＣＣＤカメラなどの、局所分解光電画像記録デバイス８２である。局所分解放射線検出器４６は、いわゆる背面照射型ＣＣＤカメラの形とすることもできる。図１１による測定器３６は、例えば、ピンホール格子７８と放射線検出器４６との間の距離ｅ’を１ｍｍとし、開口８０の直径Ｄを４μｍとして設計することができる。これにより、放射線検出器４６の記録面４８でのＥＵＶ放射線の最小スポット径が８μｍとなる。いわゆる「ディザリング」（つまり照射強度分布の測定中に記録面４８の放射線検出器４６をシフトすること）によって、スポットの中心点をより正確に決定することができる。
「ディザリング」のタイプが図１３にも図示され、しかしここでは放射線検出器４６に関してのみ示されている。ここで、放射線検出器４６は、移動デバイスによって記録面４８の２つの座標軸ｘおよびｙにそって、前後に動くことができる。前後移動は、±検出素子５０の幅、または、±画素の幅まで可能である。数学的に押し戻されたスポット像は平均化され、スポットの中心点は精度が高くなる。図１３に示される測定器３６の例示的設計では、集束光学素子４２の焦点距離は０．８ｍｍである。集束光学素子４２の直径Ｐは２５０μｍである。波長１９３ｎｍの電磁放射の放射線では、スポット径は２μｍである。実際には、収差によってスポット径は大きくなり、およそ５μｍであると推定される。上述した測定中の放射線検出器４６のディザリング移動によって、スポットの中心点は、およそ０．５μｍの正確さで確立され、これから、０．００５ｍｍの放射線検出器４６の一般的な画素分解能では、角度分解能が０．５ｍｒａｄと結果付けられる。
図１１は、投影露光ツール１０のレチクル面１４に配置された測定器３６を示している。これに対し、図１２は、投影露光ツール１０のウエハー面２０に配置された測定器３６を示している。
図１４は、測定器３６の幅よりも大きい横断面の放射線を測定するための、本発明による方法を図示している。この目的のために、測定器３６は、両矢印８３によって示されるように、移動デバイスによって入射放射線の方向と直角に横方向走査される。その結果、測定結果は、評価器６０によって合算される。随意に、放射領域の空間的サンプリングを目的として、測定器３６を縦方向（投影露光ツール１０の光軸２２に平行方向）走査することもできる。
図１５は、本発明による測定器３６のさらなる実施形態を示している。この実施形態は、それぞれの連結素子８４によって互いに接続された集束光学素子４２からなる幾つかの配列８６を備える。放射線検出器４６も、連結素子８４によって互いに接続された個別の検出器からなる幾つかの配列を備える。図１５による測定器３６によって、大きい照明領域を測定できる。
１０ 投影露光ツール
１２ 照明光学系
１４ レチクル面
１６ 電磁放射線
１８ 投影対物レンズ
２０ ウエハー面
２２ 光軸
２４ レチクルマスキングデバイス
２６ ＲＥＭＡ対物レンズ
２８ 光路
３０ ＲＥＭＡ対物レンズの瞳面
３２ 強度分布
３４ 最大強度
３６ 測定器
３７ 投影対物レンズの瞳面
３８ 個々の放射線
４０ 測定面
４１ 測定フィールド
４２ａ 遮蔽されない集束光学素子
４２ｂ 遮蔽される集束光学素子
４６ 局所分解放射線検出器
４８ 記録面
５０ 検出素子
５０ａ 照射される光学素子
５２ 入射放射線
５４ 光軸
５６ 集束光学素子の格子
５７ 偏光フィルタ
５８ スペクトルフィルタ
６０ 評価器
６１ ピンホール
６２ 開口
６４ 遮蔽素子
６６ リソグラフィーマスク
６８ 照射放射線
７０ ０次の回折次数の放射線
７２ 高次の回折次数の放射線
７４ ０次の放射線のライトディスク
７６ 高次の放射線のライトディスク
７８ ピンホール格子
８０ 開口
８１ 蛍光層
８２ 光電画像記録デバイス
８３ 走査方向
８４ 連結素子
８６ 集束光学素子の配列
８８ 個々の検出器の配列
（xi, yj） 測定フィールドの点

Claims (18)

  1. マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールであって、放射強度分布の局所的および角度的に分解された測定のために該投影露光ツールの光路に配置された測定器を有し、
    前記測定器は、
    測定フィールドの個別の点(xi, yj)に配置された光学素子の配列を有する該測定フィールドであって、該光学素子は集束光学素子またはピンホール格子の開口である該測定フィールドと、
    前記光学素子に対する共通の像面と、
    局所分解された照射強度を記録するための記録面を有し、該記録面は前記共通の像面に配置されている局所分解放射線検出器と、
    前記測定フィールドの各々個別の点(xi, yj)に対するそれぞれの角度分解照射強度分布を、前記記録された照射強度から定めるよう配置された評価器とを備える投影露光ツール。
  2. マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールであって、構造化されたリソグラフィーマスクを保持するレチクルを位置決めするためのレチクル面と、前記構造化されたリソグラフィーマスクをウエハー上に投影するための投影対物レンズと、レチクルマスキングデバイスを前記レチクル面に投影するためのＲＥＭＡ対物レンズと、開口面に配置されたレチクルマスキングデバイスと、照射強度分布の局所的および角度的に分解された測定のための測定器とを有し、
    前記測定器は、光学素子の配列であって、該光学素子は集束光学素子またはピンホール格子の開口である配列と、前記光学素子に対する共通の像面と、照射強度を局所分解して記録するために前記共通の像面に配置された記録面を有する局所分解放射線検出器と、測定フィールドとを備え、
    前記測定器は、前記レチクル面、前記投影対物レンズの瞳面、前記ＲＥＭＡ対物レンズの瞳面、および前記開口面からなる面のグループから選択された１つの面の領域に配置され、
    前記光学素子は、前記測定フィールドの個別の点(xi, yj)にそれぞれ配置され、
    前記測定器は、前記測定フィールドの各々個別の点(xi, yj)に対するそれぞれの角度分解照射強度分布を、前記記録された照射強度から定めるよう配置された評価器をさらに備えることを特徴とする投影露光ツール。
  3. 前記投影露光ツールは、リソグラフィーで露光するウエハーを位置決めするためのウエハー面を有し、
    前記測定器が、前記ウエハー面の領域に配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の投影露光ツール。
  4. 前記光学素子および前記放射線検出器は、別モジュールに統合されていることを特徴とする、請求項１から請求項３の何れかに記載の投影露光ツール。
  5. 前記放射線検出器の局所分解能は、個々の光学素子の幅よりも高いことを特徴とする、請求項１から請求項４の何れかに記載の投影露光ツール。
  6. 前記測定器は、各測定点(xi, yj)で２次元角度的に分解された照射強度分布を測定するよう構成されていることを特徴とする、請求項１から請求項５の何れかに記載の投影露光ツール。
  7. 前記光学素子は、測定フィールド内で格子の形で配置されていることを特徴とする、請求項１から請求項６の何れかに記載の投影露光ツール。
  8. 前記投影露光ツールは、特定波長の電磁放射線を放射するための照明デバイスを有し、
    前記ピンホール格子の開口は、前記波長の少なくとも２倍の直径をそれぞれが有することを特徴とする、請求項１から請求項７の何れかに記載の投影露光ツール。
  9. 前記測定器がさらに偏光フィルタを備える、および／または、前記放射線検出器が偏光選択的に設計されていることを特徴とする、請求項１から請求項８の何れかに記載の投影露光ツール。
  10. 前記測定器がさらにスペクトルフィルタを備える、および／または、前記放射線検出器が波長選択的に設計されていることを特徴とする、請求項１から請求項９の何れかに記載の投影露光ツール。
  11. 前記光路は、個々の放射線の束を備え、光学素子の位置にて前記個別の照射線は、前記光学素子の光軸に関して最大偏角αmaxを有し、
    前記光学素子は、それぞれ直径Ｐと焦点距離ｆとを有し、以下の関係式に従うことを特徴とする、請求項１から請求項１０の何れかに記載の投影露光ツール。
    Ｐ／（２ｆ） ＞ ｔａｎ（αmax）
  12. 前記測定器は、個々の光学素子を照射から遮蔽するための遮蔽素子をさらに備えることを特徴とする、請求項１から請求項１１の何れかに記載の投影露光ツール。
  13. 前記測定器は測定面に配置され、前記評価器は、前記測定面における前記照射強度分布を定めるよう配置され、これから光線光学により、前記測定面に関して目標面オフセット内の照射強度分布を計算することを特徴とする、請求項１から請求項１２の何れかに記載の投影露光ツール。
  14. 前記投影露光ツールは、割り当てられた瞳面を有するＲＥＭＡ対物レンズと、開口面に配置されたレチクルマスキングデバイスと、レチクル面と、割り当てられた瞳面を有する投影対物レンズと、ウエハー面とを有し、
    前記目標面は、前記ＲＥＭＡ対物レンズの瞳面と、前記開口面と、前記レチクル面と、投影対物レンズの前記瞳面と、前記ウエハー面とを備える面のうち２つの面の間に配置されることを特徴とする、請求項１３に記載の投影露光ツール。
  15. 前記測定器は、前記共通の像面の前記放射線検出器を駆動する第１の駆動デバイスをさらに有することを特徴とする、請求項１から請求項１４の何れかに記載の投影露光ツール。
  16. 前記投影露光ツールの光路にて前記測定器を駆動するためのさらに別の駆動デバイスを特徴とする、請求項１から請求項１５の何れかに記載の投影露光ツール。
  17. 前記測定器は、互いに隣接した、光学素子の幾つかの配列、および／または、互いに隣接した、幾つかの別個の局所分解検出器の配列を有することを特徴とする、請求項１から請求項１６の何れかに記載の投影露光ツール。
  18. マイクロリソグラフィーのための投影露光ツールの光路における照射強度分布を測定するための方法であって、
    集束光学素子またはピンホール格子の開口である光学素子が共通の像面を有するように、前記投影露光ツールの光路における測定フィールドの個別の点(xi, yj)に前記光学素子を配置するステップと、
    局所分解放射線検出器の記録面が前記共通の像面に置かれるように、該局所分解放射線検出器を配置するステップと、
    前記放射線検出器に到達した電磁放射線強度を局所分解して記録するステップと、
    前記記録された放射線強度から前記測定フィールドの個別の各点(xi, yj)に対する角度分解された照射強度分布をそれぞれ定めるステップとを有する方法。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2003364A (en) * 2008-09-26 2010-03-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
DE102008042463B3 (de) * 2008-09-30 2010-04-22 Carl Zeiss Smt Ag Optische Messvorrichtung für eine Projektionsbelichtungsanlage
NL2003871A (en) * 2009-02-04 2010-08-05 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
NL2005414A (en) 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and patterning device.
DE102010030261A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung
CN102096336A (zh) * 2010-12-31 2011-06-15 清华大学 一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法
CN102169295A (zh) * 2011-06-02 2011-08-31 清华大学 确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法
JP6020834B2 (ja) 2011-06-07 2016-11-02 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
TWI661224B (zh) 2011-06-13 2019-06-01 日商尼康股份有限公司 照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法
DE102011078224A1 (de) * 2011-06-28 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen eines optischen Systems
US20140204216A1 (en) * 2011-07-14 2014-07-24 Francois ANTIER Radioactivity detection method
KR102170875B1 (ko) 2011-10-24 2020-10-28 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP6049043B2 (ja) 2012-03-29 2016-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光系のチャネルの欠陥を補償するための装置及び方法
DE102012205181B4 (de) * 2012-03-30 2015-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum Vermessen einer Beleuchtungseigenschaft
CN104395985B (zh) 2012-05-02 2018-01-30 株式会社尼康 光瞳亮度分布的评价方法和改善方法、照明光学系统及其调整方法、曝光装置、曝光方法以及器件制造方法
DE102012211846A1 (de) 2012-07-06 2013-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Messen einer winkelaufgelösten Intensitätsverteilung sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102014223750A1 (de) * 2014-11-20 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator
DE102015209051B4 (de) * 2015-05-18 2018-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator sowie Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage
CN105185694A (zh) * 2015-08-20 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 多晶硅薄膜形成方法、掩膜版、多晶硅薄膜和薄膜晶体管
JP6984228B2 (ja) * 2016-11-17 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 露光装置、露光装置の調整方法及び記憶媒体
US10558125B2 (en) 2016-11-17 2020-02-11 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus, exposure apparatus adjustment method and storage medium
CN107085233B (zh) * 2017-06-02 2023-05-26 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种基于精密针孔的局域辐射流测量系统
EP3521930A1 (en) * 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a metrology process
CN109525942A (zh) * 2018-09-29 2019-03-26 北京小米移动软件有限公司 信息处理方法、设备及存储介质
EP3686673A1 (en) * 2019-01-25 2020-07-29 ASML Netherlands B.V. Wavefront sensor and associated metrology apparatus
US11231375B2 (en) * 2019-05-20 2022-01-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Apparatus for high-speed surface relief measurement
CN113777605B (zh) * 2021-09-10 2024-06-18 哈尔滨工业大学 一种被动毫米波三维成像系统及其成像方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2705609B2 (ja) * 1995-02-21 1998-01-28 日本電気株式会社 露光装置および露光方法
DE19705119A1 (de) 1997-02-11 1998-08-13 Johannes Prof Dr Schwider Verfahren zur Erhöhung der Meßdynamik des Shack-Hartmann Sensors
US6356345B1 (en) * 1998-02-11 2002-03-12 Litel Instruments In-situ source metrology instrument and method of use
DE19841083C2 (de) 1998-09-09 2000-08-03 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Charakterisierung eines Strahlenbündels
FR2788597B1 (fr) 1999-01-15 2001-02-23 Imagine Optic Sarl Procede et dispositif d'analyse de front d'onde a grande dynamique
US6780957B1 (en) * 1999-12-29 2004-08-24 Bayer Polymers Llc Hydrophobic light stable polyurethane elastomer with improved mechanical properties
DE10046218B4 (de) * 2000-09-19 2007-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
US20020171922A1 (en) * 2000-10-20 2002-11-21 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same
JPWO2002052620A1 (ja) * 2000-12-22 2004-04-30 株式会社ニコン 波面収差測定装置、波面収差測定方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
WO2002054036A1 (fr) * 2000-12-28 2002-07-11 Nikon Corporation Procede de mesure et d'ajustement de caracteristiques d'imagerie, procede et systeme d'exposition, programme et support d'enregistrement et procede de production de dispositif
JP2002250677A (ja) 2001-02-23 2002-09-06 Nikon Corp 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス
JP4661015B2 (ja) * 2001-09-26 2011-03-30 株式会社ニコン 波面収差測定装置及び波面収差測定方法、並びに、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2005522871A (ja) * 2002-04-15 2005-07-28 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 干渉計測装置および該計測装置からなる投影露光装置
JP4327412B2 (ja) * 2002-06-06 2009-09-09 株式会社日立製作所 波面収差測定装置及び露光装置
US6958806B2 (en) * 2002-12-02 2005-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040227932A1 (en) * 2003-02-13 2004-11-18 Geunyoung Yoon Large dynamic range shack-hartmann wavefront sensor
JP2005098933A (ja) 2003-09-26 2005-04-14 Canon Inc 収差測定装置
US6926559B1 (en) * 2004-01-21 2005-08-09 Proconn Technology Co., Ltd. Electrical connector adapted for use with different electronic cards
US7088427B2 (en) * 2004-04-20 2006-08-08 Litel Instruments Apparatus and method for high resolution in-situ illumination source measurement in projection imaging systems
JP2006032692A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Nikon Corp 波面収差測定装置、投影光学系の製造方法、投影光学系、投影露光装置の製造方法、投影露光装置、マイクロデバイスの製造方法、及びマイクロデバイス
KR101193830B1 (ko) * 2004-08-09 2012-10-23 가부시키가이샤 니콘 광학 특성 계측 장치 및 광학 특성 계측 방법, 노광 장치및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7315353B2 (en) * 2004-09-08 2008-01-01 Asml Netherlands B.V. Apodization measurement for lithographic apparatus
EP1904895A1 (en) * 2005-06-13 2008-04-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection system and projection lens polarization sensor
JP4701030B2 (ja) * 2005-07-22 2011-06-15 キヤノン株式会社 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム

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