JP5306242B2 - ガス絶縁開閉装置 - Google Patents
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Description
本発明は、ガス絶縁開閉装置(GIS)に係り、特に、摺動特性に優れた摺動部を備えるガス絶縁開閉装置に関する。
ガス絶縁開閉装置は、事故時の大電流を遮断する遮断器、電気回路を入切する断路器、接地をとる接地開閉器などの大電力用のスイッチや、変圧器までの回路を繋ぐ母線などから構成されている。例えば、ガス絶縁開閉装置が故障した場合、送変電系統に停電などの重大な問題が発生する可能性がある。そのため、ガス絶縁開閉装置においては、性能面で高い信頼性が要求されるとともに、電力系統の停止を必要としないメンテナンスフリーな装置の要求も高まっている。
ガス絶縁開閉装置は、前述したように様々なスイッチを有し、その開閉機構部や接点部には多くの摺動部が存在する。また、母線を切り離す際にも摺動部を介して母線の切り離しが行われる。また、熱伸縮や地震などによる変位分を吸収する際も、摺動部を介してその変位分の吸収が行われる。そして、これらの摺動部には、摩擦力および磨耗量が小さいなどの良好な摺動特性を有すること、潤滑剤の劣化や減少が少ないことが要求される。
従来のガス絶縁開閉装置においては、このような摺動部に対しては、一般的な機器に適用されている公知技術であるグリースや潤滑油を塗布しているものがある。さらに、荷重の大きい部位や摺動量の大きい部位の摺動部には、合成樹脂材料や合成樹脂材料と潤滑剤とを組み合わせた技術を用いるなどして、摩擦力および摩耗量を小さくしている(例えば、特許文献1参照。)。
上記した従来のガス絶縁開閉装置では、長期間の使用により、摺動部のグリースや潤滑油の飛散や劣化を生じ、摩擦力が大きくなるという問題があった。
また、従来のガス絶縁開閉装置における摺動部の摺動面積が大きな場合には、テフロン(登録商標)に代表される合成樹脂材の低摩擦材が用いられることがあるが、長期間の使用により母材からこの低摩擦材が剥がれることがあった。そのため、母材との密着性において問題を有していた。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、摺動部における摩擦力および摩耗量が小さく、かつこの摩擦力および摩耗量が小さい状態を長期に亘って持続することができるガス絶縁開閉装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様によれば、絶縁ガスが封入された容器内に、固定側接触部、前記固定側接触部に対向して配置された可動側接触部、および前記可動側接触部内に摺動自在に挿入され、前記固定側接触部と前記可動側接触部との間を電気的に開閉する可動接触子を備えて断路部を構成したガス絶縁開閉装置において、前記可動接触子が摺動する前記断路部における摺動面の少なくとも一部に、硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とするガス絶縁開閉装置が提供される。
また、本発明の一態様によれば、絶縁ガスが封入された容器内に収納され、導体接続部を介して接続された導体を備えるガス絶縁開閉装置において、前記導体接続部が、一方の導体の端部に形成された凸形摺動接触部と、他方の導体の端部に形成された凹形摺動接触部とを嵌合させて電気的に連結することで構成され、前記凸形摺動接触部の前記凹形摺動接触部との摺動面、および前記凹形摺動接触部の前記凸形摺動接触部との摺動面の少なくとも一方に、硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とするガス絶縁開閉装置が提供される。
さらに、本発明の一態様によれば、絶縁ガスが封入された容器内に導体を収納して構成される複数の母線がフランジを介して一体的に接続された母線群、所定の間隔で前記容器の下部に設けられた摺動脚、および前記摺動脚を下方から支持し、基礎上に設置される台座を備えるガス絶縁開閉装置において、前記摺動脚と接触する前記台座の接触面、および前記台座と接触する前記摺動脚の接触面の少なくとも一方に、硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とするガス絶縁開閉装置が提供される。
本発明に係るガス絶縁開閉装置によれば、摺動部における摩擦力および摩耗量が小さく、かつこの摩擦力および摩耗量が小さい状態を長期に亘って持続することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係る一実施の形態のガス絶縁開閉装置10の構成を示す側面図である。図2は、母線一体形断路器27の内部における断路部30の断面を示す図である。図3は、可動接触子33を駆動するためのレバー部材35を回動させるシャフト37の断面を示す図である。
図1に示すように、ガス絶縁開閉装置10において、遮断器20は、その容器21の軸線が据付面に対して垂直になるように設置されている。この遮断器20の上部口出し部22aには変流器23が設けられ、断路器24、接地開閉器25を経て、ケーブルヘッド26に接続されている。また、遮断器20の下部口出し部22bには、母線一体形断路器27を介して母線導体と接続されている。
ここで、母線一体形断路器27における断路部30の構成について説明する。
母線一体形断路器27の容器内には、例えば、SF6ガスなどの絶縁ガスが封入されている。また、この容器内には、図2に示すように、可動側接触部31、固定側接触部32、および可動接触子33が設けられ、断路部30を構成している。なお、図示しないが、固定側接触部32は、母線導体から分岐した導体と接続されている。
可動側接触部31は、固定側接触部32と対向する位置に設けられ、それぞれの可動接触子33の移動方向に沿う中心軸がほぼ同一軸となるように設けられていることが好ましい。可動側接触部31内には、可動接触子33が摺動自在に挿入されている。この可動接触子33は、可動側接触部31と固定側接触部32との間を電気的に開閉する。
可動接触子33の一端には、連結部材である円筒状のピン34が設けられ、このピン34は、レバー部材35の一端に形成された長穴形状の溝36に、摺動自在に連結されている。レバー部材35の他端は、母線一体形断路器27の容器外に配置された操作機構により発生した回転駆動力をレバー部材35に伝達するシャフト37に接続されている。これによって、シャフト37から伝達された回転駆動力がレバー部材35を介して可動接触子33に伝わり、可動接触子33が可動側接触部31内を摺動し、固定側接触部32との電気的な開閉(電気的な接触または遮断)を可能とする。
ここで、可動接触子33が固定側接触部32に挿入され、電気的に接続された状態(閉となった状態)(図1で実線で示した状態)において固定側接触部32の接点端子32aと接触する部分、かつ電気的に遮断された状態(開となった状態)(図1で点線で示した状態)において可動側接触部31の接点端子31aと接触する部分を除いて、可動接触子33の外周面には、硬質炭素皮膜50が形成されている。また、図2に示すように、可動接触子33の側面と接触する、固定側接触部32のシールド32bの内径面には、硬質炭素皮膜50が形成されている。また、可動側接触部31の内壁面に、硬質炭素皮膜50を形成してもよい。
また、可動接触子33の一端をレバー部材35の一端の長穴形状の溝36に連結するピン34の表面には、硬質炭素皮膜50が形成されている。なお、少なくとも、ピン34の表面、またはこのピン34が摺動するレバー部材35の一端の長穴形状の溝36におけるピン34との摺動面に、硬質炭素皮膜50が形成されていることが好ましい。また、ピン34の表面および長穴形状の溝36におけるピン34との摺動面の双方に、硬質炭素皮膜50が形成されてもよい。
また、図3に示すように、可動接触子33を駆動するためのレバー部材35を回動させるシャフト37は、母線一体形断路器27の容器60を貫通して回転可能に設けられ、その貫通部は気密にシールされている。この貫通部を構成する、母線一体形断路器27の容器60に設けられた貫通口の内壁面とシャフト37との間のシール構造体として、ニトリルゴム(NBR)などからなるパッキン61が使用される。さらに、パッキン61と摺動するシャフト37の外周面には、硬質炭素皮膜50が形成されている。
ここで、硬質炭素皮膜50について説明する。
硬質炭素皮膜50は、摩擦係数が小さく、かつ硬度の高い材料で構成され、具体的には、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)などで形成される。DLCからなる硬質炭素皮膜50は、高硬度であるため、磨耗量が少ない。そのため、DLCからなる硬質炭素皮膜50を備えることで、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性を得ることができる。また、このDLCは、耐食性にも優れている。
硬質炭素皮膜50は、摩擦係数が小さく、かつ硬度の高い材料で構成され、具体的には、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)などで形成される。DLCからなる硬質炭素皮膜50は、高硬度であるため、磨耗量が少ない。そのため、DLCからなる硬質炭素皮膜50を備えることで、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性を得ることができる。また、このDLCは、耐食性にも優れている。
ここで、DLCの皮膜の形成方法について説明する。
DLCの皮膜は、メタンガスを原料とするプラズマCVD法、または固体カーボンを原料とするスパッタリング法により形成される。
プラズマCVD法では、常温付近でコーティングすることができるが、皮膜中に多量の水素が混入するため、皮膜の硬度をあまり高くできない(例えば、ビッカース硬さ(HV)で最大2000程度)。また、プラズマCVD法において、前述した、ピン34、レバー部材35、可動接触子33、シャフト37などの金属で構成される部位の所定の表面に、DLCからなる皮膜を形成する際、まず金属の表面に、下地として炭素(C)との反応性に優れ、DLCの密着強度を向上させるケイ素(Si)などの皮膜を形成することが好ましい。
一方、スパッタリング法では、200〜300℃に加熱する必要があるが、水素量を低くできるので、硬度の高い皮膜を形成することができる(例えば、ビッカース硬さ(HV)で最大4500程度)。また、プラズマCVD法において、前述した、ピン34、レバー部材35、可動接触子33、シャフト37などの金属で構成される部位の所定の表面に、DLCからなる皮膜を形成する際、まず金属の表面に、下地として炭素との反応性に優れ、所定の硬度を有する、タングステン(W)、クロム(Cr)などの皮膜を形成することが好ましい。下地として所定の硬度を有するタングステン(W)、クロム(Cr)などの皮膜を備えることで、前述した、ピン34、レバー部材35、可動接触子33、シャフト37などの基材が変形したときでも、DLCの皮膜が、割れたり、剥離したりするなどの損傷を抑制することができる。なお、ピン34、レバー部材35、可動接触子33、シャフト37などは、例えば、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、クロムモリブデン鋼などの金属で構成される。
なお、スパッタリング法において、下地層およびDLC層を形成する場合、下地層とDLC層との間に、下地層からDLC層に向かって、DLCの濃度が増加し、下地層を構成する材料の濃度が減少する傾斜組成層を備えることが好ましい。この傾斜組成層は、例えば、下地層を形成する金属の蒸着量を徐々に減らし、一方でDLCの蒸着量を徐々に増加させることで形成することができる。この傾斜組成層を備えることで、下地層とDLC層との間に生じる応力集中を抑制し、剥離の発生を抑えることができる。
上記した方法により形成される硬質炭素皮膜50の厚さは、駆動力の伝達効率や円滑な動作特性を考慮した部品の嵌めあい寸法と、皮膜の残留応力、密着強さ、成膜コストを考慮してから、1〜2μm程度であることが好ましい。
また、硬質炭素皮膜50を形成するDLCにおける水素含有量は、概ね10at%以下であることが好ましい。この範囲が好ましいのは、水素含有量が少ないほど高硬度の皮膜が得られるからである。
また、硬質炭素皮膜50の硬度は、ビッカース硬さ(HV)で1500以上であることが好ましい。ここで、硬質炭素皮膜50の硬度は、被摺動面の硬度と同一にしないことが望ましい。
次に、母線一体形断路器27における断路部30の作用について説明する。
母線一体形断路器27の容器外に配置された回動機器により発生した回転駆動力がシャフト37に伝達されると、シャフト37を中心にレバー部材35が回転する。そして、可動接触子33のピン34がレバー部材35の一端の長穴形状の溝36を摺動し、可動接触子33は、駆動される。この際、ピン34の表面、およびレバー部材35の溝36の摺動面の少なくとも一方には、硬質炭素皮膜50が形成されているため、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性が得られる。
可動接触子33が駆動され、可動接触子33が可動側接触部31内を摺動し、可動接触子33の先端部は、固定側接触部32のシールド32bの内径面から固定側接触部32内に挿入する。そして、可動接触子33の先端部の側面の、硬質炭素皮膜50が形成されていない部分に固定側接触部32の接点端子32aが接触し、電気的に開となった状態(図1で実線で示した状態)となる。この際も、可動側接触部31の摺動面に形成された硬質炭素皮膜50、および可動接触子33の周面に形成された硬質炭素皮膜50によって、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性が得られる。
なお、ここでは、可動接触子33が可動側接触部31内を摺動し、可動接触子33の先端部が、固定側接触部32のシールド32bの開口から固定側接触部32内に挿入する工程における作用効果について説明したが、可動接触子33の先端部を固定側接触部32内から離脱する場合においても、同様に、良好な摺動特性が得られる。
上記したように、第1の実施の形態のガス絶縁開閉装置10の母線一体形断路器27における摺動面に、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)からなる硬質炭素皮膜50を形成することで、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性が得られる。
また、グリースなどの潤滑剤を必要としない摺動部を構成することができる。また、固定側接触部32と可動接触子33との摺動を許容することにより、可動接触子33の移動方向に沿う、可動側接触部31と可動接触子33との中心軸をほぼ同一軸とする芯出し調整が容易になり、組立性が向上する。これらにより信頼性の高いガス絶縁開閉装置を提供することができる。
ここで、母線一体形断路器27の構成は、上記した構成に限られるものではない。図4は、母線一体形断路器27の内部における他の構成を備える断路部30の断面を示す図である。
図4に示した断路部30において、可動接触子33は、円筒状の部材で構成され、一端側(固定側接触部32に挿入される側)が開口されている。また、可動接触子33の他端側には、ピストン部70が設けられ、他端の開口は塞がれている。可動接触子33は、空間からなるバッファ室71を備える筒状のシリンダ72内に摺動可能に配置されている。このシリンダ72は、可動側接触部として機能している。
さらに、可動接触子33には、ピストン部70側の側壁に、可動接触子33の内部とバッファ室71とを連通する連通口33aが形成されている。この連通口33aは、可動接触子33の周方向に少なくとも1つ形成されている。なお、この連通口が複数形成される場合には、可動接触子33の周方向に均等に形成されることが好ましい。
また、図示しないが、ピストン部70の一端部(可動接触子33側とは異なる側の端部)には、上記した可動接触子33と同様に、円筒状のピンを備え、レバー部材35の一端に形成された長穴形状の溝36に、摺動自在に連結されている。
シリンダ72の固定側接触部32側には、可動接触子33の外径よりも若干大きな口径を有する摺動通路部73が形成され、可動接触子33を摺動可能としている。この摺動通路部73の内周面には、接点端子72aが設けられている。
一方、摺動通路部73からピストン部70側(図4では摺動通路部73よりも右側)では、摺動通路部73の通路径よりも大きな通路径を有するバッファ室71が構成されている。図4に示すように、バッファ室71を構成するシリンダ72の内周面には、硬質炭素皮膜50が形成されている。このシリンダ72の内周面を、ピストン部70の外周面が摺動する。なお、バッファ室71を構成するシリンダ72の内周面に硬質炭素皮膜50を形成する代わりに、ピストン部70の外周面に硬質炭素皮膜が形成されてもよい。さらに、バッファ室71を構成するシリンダ72の内周面およびピストン部70の外周面の双方に硬質炭素皮膜が形成されてもよい。
この断路部30において、上記した可動接触子33と同様に(図2参照)、母線一体形断路器27の容器外に配置された回動機器により発生した回転駆動力がシャフト37に伝達されると、シャフト37を中心にレバー部材35が回転する。そして、可動接触子33のピン(図示しない)がレバー部材35の一端の長穴形状の溝36を摺動し、可動接触子33は、駆動される。
可動接触子33が、その先端を固定側接触部に挿入する方向(図4では左方向)に駆動されると、バッファ室71内のSF6ガスなどの絶縁ガスが充満している空間の体積が減少する。バッファ室71内の絶縁ガスが充満している空間の体積が減少すると、バッファ室71内の絶縁ガスは、可動接触子33の連通口33aを介して可動接触子33内に導かれ、可動接触子33の先端の開口から噴出される。
一方、可動接触子33が、その先端をシリンダ72内に移動する方向(図4では右方向)に駆動されると、バッファ室71内の空間が拡張されることにより、絶縁ガスは、可動接触子33の先端の開口から可動接触子33内に導入される。そして、可動接触子33内に導入された絶縁ガスは、可動接触子33の連通口33aを介してバッファ室71内に導かれる。上記した工程において、可動接触子33の先端では、絶縁ガスの噴出または吸込みが生じ、電流開閉時に、可動接触子33の先端と固定側接触部32の接点端子32aとの間に発生するアークを短時間で消弧する。
このように他の構成を備える断路部30によれば、バッファ室71を構成するシリンダ72の内周面に硬質炭素皮膜50を形成することで、可動接触子33を駆動する際、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性が得られる。また、グリースなどの潤滑剤を必要としない摺動部を構成することができる。これらにより信頼性の高いガス絶縁開閉装置を提供することができる。
(その他の実施の形態)
(フランジ部の構造)
ここでは、母線一体形断路器27以外の摺動面に、第1の実施の形態と同様の硬質炭素皮膜50を備えた構成部について説明する。なお、硬質炭素皮膜50の形成方法は、前述した方法と同様である。
(フランジ部の構造)
ここでは、母線一体形断路器27以外の摺動面に、第1の実施の形態と同様の硬質炭素皮膜50を備えた構成部について説明する。なお、硬質炭素皮膜50の形成方法は、前述した方法と同様である。
図5は、絶縁ガスが封入された容器の端部におけるフランジ部の構造の断面を示す図である。なお、第1の実施の形態のガス絶縁開閉装置10の構成と同一部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略または簡略する。
図5に示されたフランジ部の構造は、例えば着脱機能付母線などの容器に採用されている。図5に示すように、絶縁ガスが封入された容器80の端部に、容器フランジ81が設けられている。この容器フランジ81の内周面には、円管90の一端が挿入されている。また、円管90の他端には、円管フランジ91が設けられている。この円管フランジ91は、隣接する機器のフランジ100と接続される。例えば、図5に示すように、容器80から円管フランジ91を介して母線導体110などが隣接する機器に導出される。
また、容器フランジ81の内周面には、パッキン82が設けられ、容器フランジ81の内周面と円管90の外周面との間の気密を維持している。また、円管90の一端側の外周面には、硬質炭素皮膜50が形成されている。そして、円管90の一端側は、パッキン82により気密が維持された状態で、容器フランジ81に対して摺動可能に接続されている。
このように、円管90の一端側の外周面に、硬質炭素皮膜50を形成して、容器フランジ81の内周面に摺動可能とすることで、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性が得られる。また、パッキン82の摩耗や変形を抑制することができるので、長期間に亘って気密性を維持することができる。さらに、隣接機器との切り離しや接続などの作業性を向上することができる。また、グリースなどの潤滑剤を必要としない摺動部を構成することができる。
(母線導体の構造)
図6は、母線導体の導体接続部の断面を示す図である。
図6は、母線導体の導体接続部の断面を示す図である。
図6に示すように、導体接続部において、母線導体120には凸形摺動接触部121が設けられている。一方、この母線導体120に接続される母線導体130には凹形摺動接触部131が設けられている。そして、母線導体120の凸形摺動接触部121が、母線導体130の凹形摺動接触部131と嵌合することで両母線導体120、130は接続される。
また、母線導体120の凸形摺動接触部121の先端部121aの外周面、および母線導体130の凹形摺動接触部131の内周面の少なくともいずれか一方に、硬質炭素皮膜50が形成されている。なお、凸形摺動接触部121の先端部121aの外周面、および凹形摺動接触部131の内周面の双方に硬質炭素皮膜50が形成されてもよい。
また、母線導体120の内周には、接点端子122が設けられ、母線導体130と接続した際、母線導体130の外周面と電気的に接触する。
ここで、母線導体120の凸形摺動接触部121と母線導体130の凹形摺動接触部131とが嵌合することで、両母線導体120、130は電気的に接続されるとともに、この嵌合によって両母線導体120、130間の支持機能も発揮する。
上記した導体接続部の構成において、例えば、地震や熱膨張などの影響により、母線導体120と母線導体130との中心軸がずれる場合があるが、凸形摺動接触部121の先端部121aが、凹形摺動接触部131の内周面と摺動することにより、その変位を吸収することができる。この際、凸形摺動接触部121の先端部121aの外周面、および凹形摺動接触部131の内周面の少なくともいずれか一方に、硬質炭素皮膜50が形成されているため、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性が得られる。また、グリースなどの潤滑剤を必要としない摺動部を構成することができる。
(摺動脚および台座の構造)
図7は、母線140における摺動脚および台座を側面から見たときの側面図である。
図7は、母線140における摺動脚および台座を側面から見たときの側面図である。
図7に示すように、母線140は、内部に母線導体(図示しない)を収納し、絶縁ガスが封入された容器141を備えている。そして、複数の母線140を構成する複数の容器141は、フランジ142を介して一体的に接続され、母線導体群を構成している。また、容器141の下部には、所定の間隔で摺動脚143が備えられ、この摺動脚143は、基礎144上に設置された台座145によって下方から支持されている。
また、摺動脚143と接触する台座145の接触面、および台座145と接触する摺動脚143の接触面の少なくともいずれか一方の接触面には、硬質炭素皮膜50が形成されている。なお、双方の接触面に硬質炭素皮膜50が形成されてもよい。
上記した摺動脚および台座の構成において、例えば、地震や熱膨張などの影響により、母線140が変位した場合、摺動脚143と台座145が摺動面で摺動することにより、その変位を吸収することができる。この際、摺動脚143と接触する台座145の接触面、および台座145と接触する摺動脚143の接触面の少なくともいずれか一方の接触面に硬質炭素皮膜50が形成されているため、抵抗力が小さく、かつ磨耗量が少ない、良好な摺動特性が得られる。また、硬質炭素皮膜50における磨耗量が少ないため、長期間に亘って良好な摺動特性が得られる。
(実施例および比較例)
ここでは、シャフトの外周面に硬質炭素皮膜を形成した場合(実施例)と、シャフトに摺動グリースを塗布した場合(比較例)における回転トルクを測定した。
ここでは、シャフトの外周面に硬質炭素皮膜を形成した場合(実施例)と、シャフトに摺動グリースを塗布した場合(比較例)における回転トルクを測定した。
実施例としては、図3に示すような、パッキンと摺動するシャフトの外周面に硬質炭素皮膜を形成した試験装置において、回転トルクを測定した。比較例としては、実施例でしようした試験装置の硬質炭素皮膜の代わりに、シャフトに摺動グリースを塗布した試験装置において、回転トルクを測定した。
回転トルクの測定は、実際の使用状況を想定して、一定時間放置後にシャフトを回転させ、その回転トルクを測定した。測定の結果、シャフトに硬質炭素皮膜を形成したもの(実施例)のトルク値は、シャフトに摺動グリースを塗布したもの(比較例)のトルク値の50〜70%であった。
以上、本発明を一実施の形態により具体的に説明したが、本発明はこれらの実施の形態にのみ限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
10…ガス絶縁開閉装置、20…遮断器、21,60,80,141…容器、22a…上部口出し部、22b…下部口出し部、23…変流器、24…断路器、25…接地開閉器、26…ケーブルヘッド、27…母線一体形断路器、30…断路部、31…可動側接触部、31a,32a,72a,122…接点端子、32…固定側接触部、32b…シールド、33…可動接触子、33a…連通口、34…ピン、35…レバー部材、36…溝、37…シャフト、50…硬質炭素皮膜、61,82…パッキン、70…ピストン部、71…バッファ室、72…シリンダ、81…容器フランジ、90…円管、91…円管フランジ、100,142…フランジ、110,120,130…導体、121…凸形摺動接触部、121a…先端部、131…凹形摺動接触部、140…母線、143…摺動脚、144…基礎、145…台座。
Claims (8)
- 絶縁ガスが封入された容器内に、固定側接触部、前記固定側接触部に対向して配置された可動側接触部、および前記可動側接触部内に摺動自在に挿入され、前記固定側接触部と前記可動側接触部との間を電気的に開閉する可動接触子を備えて断路部を構成したガス絶縁開閉装置において、
前記可動接触子が摺動する前記断路部における摺動面の少なくとも一部に、硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とするガス絶縁開閉装置。 - 前記可動接触子の先端部が前記固定側接触部内に挿入され、前記固定側接触部と前記可動側接触部とが電気的に接続された状態のときに、前記固定側接触部の接点端子と接触する部分以外の前記可動接触子の外周面に前記硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載のガス絶縁開閉装置。
- 前記ガス絶縁開閉装置が、
前記可動接触子を駆動するためのレバー部材と、
前記容器に貫通させて気密性を維持しながら回転可能に設けられ、前記容器の外部に設けられた回動機器の回転駆動力を前記レバー部材に伝達するシャフトと
をさらに具備し、
前記シャフトが貫通する前記容器の前記シャフトとの摺動面、および前記容器の摺動面と摺動する前記シャフトの摺動面の少なくとも一方に、前記硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記可動側接触部が、前記固定側接触部側に前記可動接触子と摺動する摺動通路部を有し、かつ前記摺動通路部に連通し前記摺動通路部よりも通路断面積が大きいバッファ部を有する円筒容器で構成され、
前記可動接触子が、前記固定側接触部側の一端が開口し、他端側の側部に前記可動接触子の内部と前記バッファ部とを連通させる連通口を有する円筒部材で構成され、
前記可動接触子の前記他端に設けられ、前記バッファ部の内周面と摺動して、前記可動接触子とともに移動するピストン部をさらに備え、
前記ピストン部が摺動する前記バッファ部の内周面、および前記バッファ部の内周面を摺動する前記ピストン部の摺動面の少なくとも一方に、前記硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載のガス絶縁開閉装置。 - 前記容器が、前記容器の外部に設けられた隣接機器の隣接機器容器と前記容器とを接続するための配管の一端との気密性を維持しながら、前記配管の一端が摺動可能に接続される容器フランジを備え、
前記容器フランジの内周面に摺動する前記配管の一端の外周面、および前記配管の一端の外周面が摺動する前記容器フランジの内周面の少なくとも一方に、前記硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載のガス絶縁開閉装置。 - 絶縁ガスが封入された容器内に収納され、導体接続部を介して接続された導体を備えるガス絶縁開閉装置において、
前記導体接続部が、一方の導体の端部に形成された凸形摺動接触部と、他方の導体の端部に形成された凹形摺動接触部とを嵌合させて電気的に連結することで構成され、
前記凸形摺動接触部の前記凹形摺動接触部との摺動面、および前記凹形摺動接触部の前記凸形摺動接触部との摺動面の少なくとも一方に、硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とするガス絶縁開閉装置。 - 絶縁ガスが封入された容器内に導体を収納して構成される複数の母線がフランジを介して一体的に接続された母線群、所定の間隔で前記容器の下部に設けられた摺動脚、および前記摺動脚を下方から支持し、基礎上に設置される台座を備えるガス絶縁開閉装置において、
前記摺動脚と接触する前記台座の接触面、および前記台座と接触する前記摺動脚の接触面の少なくとも一方に、硬質炭素皮膜が形成されていることを特徴とするガス絶縁開閉装置。 - 前記硬質炭素皮膜がダイヤモンドライクカーボン(DLC)からなる皮膜であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のガス絶縁開閉装置。
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