JP5306186B2 - 荷電粒子線用静電レンズ - Google Patents
荷電粒子線用静電レンズ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5306186B2 JP5306186B2 JP2009513498A JP2009513498A JP5306186B2 JP 5306186 B2 JP5306186 B2 JP 5306186B2 JP 2009513498 A JP2009513498 A JP 2009513498A JP 2009513498 A JP2009513498 A JP 2009513498A JP 5306186 B2 JP5306186 B2 JP 5306186B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electric field
- field region
- electrostatic lens
- central axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 54
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 87
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 22
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
- H01J2237/121—Lenses electrostatic characterised by shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
e・・・・・荷電粒子(電子)
h1・・・・入射側電極の通過孔
h2・・・・中間電極の通過孔
h3・・・・出射側電極の通過孔
h4・・・・軌道制御電極の通過孔
m・・・・・中心軸
n・・・・・入射側電極と中間電極との中間位置
r・・・・・電子の軌道半径(中心軸からの距離)
r0・・・・電子の初期軌道半径
V1・・・・第1番目の電極(入射側電極)
V2・・・・第3番目の電極(中間電極)
V3・・・・第4番目の電極(出射側電極)
V4・・・・第2番目の電極(軌道制御電極)
本実施形態に係る荷電粒子線用減速型静電レンズAは、例えば走査型電子顕微鏡(SEM)等の光学系に用いられるものであって、図1に示すように、中央に負電荷の荷電粒子たる電子eの通過孔h1〜h4(以下、通過孔hと総称することもある)をそれぞれ有する概略円環形状の複数(4つ)の電極V1〜V4を、それらの中心軸mを合致させて同軸離間配置したものである。
そこでまず、静電界を付与するための各電極V1〜V4につき、説明する。
まず、各電極V1〜V4に電圧を印加すると、例えば図3に示すような等電位線で表される電場が形成される。より具体的には、このうち、入射側の2つの電極、すなわち、入射側電極V1と軌道制御電極V4とによって、入射時の軌道半径である初期軌道半径を途中で越えることなく電子eの軌道半径を縮小させる第1電界領域AR1と、この第1電界領域AR1を通過した電子eに対して、前記中心軸mと平行に進む向きに力を与える第2電界領域AR2が形成される。
そして、この球面収差係数が小さくなれば色収差係数も自ずと小さくなるなど、レンズ性能がより向上することとなる。
シミュレーションに用いた実施例および比較例は、以下に示すようなものである。
なお、電子eの軌道は、レンズ軸(中心軸m)と距離r0を保って並行に入射するものとした。また、電子の軌道は、Laplaceの方程式から、近軸電子軌道方程式を導き、それをMunroのソフトウエアを使ってコンピュータ計算により求めるようにした。
構成:図2に示す構成とし、各電極に印加する電位は以下の条件とする。
加速電圧 ・・・・・・・ 5.0kV
入射側電極V1 ・・・・ 5.0kV
軌道制御電極V4 ・・ 15.8kV
中間電極V2 ・・・・ −2.47kV
出射側電極V3 ・・・・ 5.0kV
入射側電極V1と軌道制御電極V4との間隔:3mm
軌道制御電極V4の厚み:0.5mm
軌道制御電極V4と中間電極V2の間隔:5mm
中間電極V2の厚み:2.0mm
中間電極V2と出射側電極V3との間隔:2mm
入射側電極V1と出射側電極V3との中心間距離:13mm
軌道制御電極V4の孔径:2mm
中間電極V2の孔径:6mm
構成:図10に示す構成とし、各電極に印加する電位は以下の条件とする。
加速電圧 ・・・・・・・ 5.0kV
入射側電極V1 ・・・・ 5.0kV
中間電極V2 ・・・・ −5.555kV
出射側電極V3 ・・・・ 5.0kV
入射側電極V1と出射側電極V3との中心間距離U:7.0mm
各通過孔hの孔径(2R):5mm
電極間間隔S:2.0mm
中間電極V2の厚みT:2.0mm
(2−1)実施例のシミュレーション結果
図2に示す電極配置によれば、図3に示す電場が形成される。
図10に示す電極配置によれば、図11に示す電場が形成される。
図11に示す電場を通過した電子は、図12に示す軌跡を描く。このときの球面収差係数Csは、38.72mmである。
実施例の球面収差係数の値(6.177)を、比較例の球面収差係数の値(38.72)の約0.16倍にまで小さくでき、また、背景技術で説明した磁界型レンズの球面収差係数の値(4.3)に大きく近づけられることを明らかにできた。したがって、電子eの軌道を制御することでレンズの収差性能を向上させて、磁界型レンズと比べて略遜色のないレンズ性能を有する減速型静電レンズAを提供できることが確認できた。
加速電圧 ・・・・・・・ 5.0kV
入射側電極V1 ・・・・ 5.0kV
軌道制御電極V4 ・・ 10.0kV
中間電極V2 ・・・・ −1.72kV
出射側電極V3 ・・・・ 5.0kV
入射側電極V1の厚み:1mm
入射側電極V1と軌道制御電極V4との間隔:2mm
軌道制御電極V4の厚み:2mm
軌道制御電極V4と中間電極V2の間隔:2mm
中間電極V2の厚み:2.0mm
中間電極V2と出射側電極V3との間隔:2mm
入射側電極V1と出射側電極V3との中心間距離:11mm
軌道制御電極V4の孔径:2mm
中間電極V2の孔径:6mm
この電場を通過した電子は、図7に示す軌跡を描く。このときの球面収差係数Csは、21.43mmである。
Claims (12)
- 荷電粒子を通過させる通過孔を有した複数の電極を球面収差係数を低減させるべく中心軸上に並び設けたものであり、
それら電極のうち荷電粒子の入射側に設けた複数の電極によって、荷電粒子の軌道半径を入射時の軌道半径である初期軌道半径を途中で越えることなく縮小させる第1電界領域と、この第1電界領域を通過した荷電粒子に対して、前記中心軸と平行に進む向きに力を与える第2電界領域と、を形成するとともに、
前記電極のうち出射側に設けた複数の電極によって、荷電粒子の軌道半径が前記初期軌道半径を途中で越えることなく、かつ、荷電粒子の軌道を曲げて、前記第2電界領域から該荷電粒子が出たときの中心軸に対する軌道角度よりも大きい角度で中心軸と交わらせる第3電界領域を形成するようにした荷電粒子用静電レンズ。 - 前記通過孔の内周面が中心軸に対して傾斜している請求項1記載の荷電粒子用静電レンズ。
- 中心軸と平行に入射した荷電粒子が、前記第2電界領域において中心軸と略平行に進行するように構成している請求項1記載の荷電粒子線用静電レンズ。
- 前記第2電界領域における荷電粒子の軌道半径が、前記初期軌道半径の45〜60%となるように構成している請求項3記載の荷電粒子線用静電レンズ。
- 前記各電界領域を、電極の形状、電極間の距離、又は電極の印加電圧の少なくともいずれかを設定して形成している請求項1記載の荷電粒子線用静電レンズ。
- 中間電極の両側に該中間電極よりも低電位の入射側電極及び出射側電極を配置して3電極減速型静電レンズを形成するとともに、前記中間電極と入射側電極との間に、該入射側電極よりも高電位の軌道制御電極を配置しておき、
前記入射側電極及び軌道制御電極によって、前記第1電界領域及び第2電界領域を形成し、前記中間電極及び出射側電極によって前記第3電界領域を形成するようにしている請求項1記載の荷電粒子線用静電レンズ。 - 前記軌道制御電極は、内周端部を外周側よりも中心軸方向に厚肉にした形状であり、
前記中間電極は、内周端部を外周側よりも中心軸方向に薄肉にした形状である請求項6記載の荷電粒子線用静電レンズ。 - 前記軌道制御電極の中央に形成された荷電粒子通過孔の孔径を、他の3つの電極の通過孔の孔径より小径にしている請求項6記載の荷電粒子線用静電レンズ。
- 前記軌道制御電極を、前記入射側電極と前記中間電極との中間位置よりも入射側電極寄りに配置している請求項6記載の荷電粒子線用静電レンズ。
- 前記入射側電極の通過孔は、その孔径が入射側で小さく出射側で大きいテーパ形状を有している請求項6記載の荷電粒子線用静電レンズ。
- 前記出射側電極の通過孔は、その孔径が入射側で大きく出射側で小さいテーパ形状を有している請求項6記載の荷電粒子線用静電レンズ。
- 荷電粒子の入射側から順に第1段電極及び該第1段電極よりも高電位の第2段電極を配置して、前記第1電界領域及び第2電界領域を形成するとともに、
これら第1段電極及び第2段電極のさらに後方に、前記第2段電極よりも低電位の入射側電極、この入射側電極よりも高電位の中間電極、この中間電極よりも低電位の出射側電極を順に配置して3電極加速型静電レンズを形成し、この3電極加速型静電レンズによって前記第3電界領域を形成するようにしている請求項1記載の荷電粒子線用静電レンズ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009513498A JP5306186B2 (ja) | 2008-03-26 | 2009-03-23 | 荷電粒子線用静電レンズ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008082084 | 2008-03-26 | ||
JP2008082084 | 2008-03-26 | ||
JP2009513498A JP5306186B2 (ja) | 2008-03-26 | 2009-03-23 | 荷電粒子線用静電レンズ |
PCT/JP2009/055665 WO2009119504A1 (ja) | 2008-03-26 | 2009-03-23 | 荷電粒子線用静電レンズ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009119504A1 JPWO2009119504A1 (ja) | 2011-07-21 |
JP5306186B2 true JP5306186B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=41113697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009513498A Expired - Fee Related JP5306186B2 (ja) | 2008-03-26 | 2009-03-23 | 荷電粒子線用静電レンズ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8669534B2 (ja) |
JP (1) | JP5306186B2 (ja) |
CN (1) | CN101981650B (ja) |
DE (1) | DE112009000768T5 (ja) |
TW (1) | TW200952023A (ja) |
WO (1) | WO2009119504A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102136406B (zh) * | 2011-01-28 | 2012-07-04 | 北京航空航天大学 | 电子显微镜的小聚光镜 |
JP2013008534A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Canon Inc | 荷電粒子線レンズ用電極 |
US10586625B2 (en) | 2012-05-14 | 2020-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator |
US8742361B2 (en) * | 2012-06-07 | 2014-06-03 | Fei Company | Focused charged particle column for operation at different beam energies at a target |
JPWO2014185060A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2017-02-23 | 国立大学法人神戸大学 | 荷電粒子光学レンズ装置及び荷電粒子光学レンズ装置の制御方法 |
WO2015045468A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
WO2015071439A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multi-electrode stack arrangement |
JP6257411B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-10 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置、最終エネルギーフィルター、及びイオン注入方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329321A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | タンデム加速静電レンズ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3286187A (en) * | 1961-10-16 | 1966-11-15 | Minnesota Mining & Mfg | Ion source utilizing a spherically converging electric field |
US5254856A (en) * | 1990-06-20 | 1993-10-19 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam apparatus having particular electrostatic objective lens and vacuum pump systems |
JP3862344B2 (ja) | 1997-02-26 | 2006-12-27 | 株式会社日立製作所 | 静電レンズ |
JP2000340152A (ja) | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Nikon Corp | 静電レンズ及び写像投影光学装置 |
-
2009
- 2009-03-23 DE DE112009000768T patent/DE112009000768T5/de not_active Withdrawn
- 2009-03-23 CN CN200980110865.0A patent/CN101981650B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-23 WO PCT/JP2009/055665 patent/WO2009119504A1/ja active Application Filing
- 2009-03-23 US US12/934,966 patent/US8669534B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-23 JP JP2009513498A patent/JP5306186B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-26 TW TW098109913A patent/TW200952023A/zh unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329321A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | タンデム加速静電レンズ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8669534B2 (en) | 2014-03-11 |
US20130009070A1 (en) | 2013-01-10 |
JPWO2009119504A1 (ja) | 2011-07-21 |
CN101981650A (zh) | 2011-02-23 |
TW200952023A (en) | 2009-12-16 |
CN101981650B (zh) | 2013-05-01 |
WO2009119504A1 (ja) | 2009-10-01 |
DE112009000768T5 (de) | 2011-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5306186B2 (ja) | 荷電粒子線用静電レンズ | |
JP6505213B2 (ja) | 多重反射飛行時間型分析器 | |
JP5831770B2 (ja) | イオンビームの中心線軌跡を中心に静電レンズを制御する方法および装置 | |
JP6128746B2 (ja) | イオンビームカラム | |
US9570268B2 (en) | Electron gun, charged particle gun, and charged particle beam apparatus using electron gun and charged particle gun | |
CA2860136A1 (en) | First and second order focusing using field free regions in time-of-flight | |
KR20210122161A (ko) | 동시 tem 및 stem 현미경 | |
Mandal et al. | Simulation study and analysis of a compact einzel lens-deflector for low energy ion beam | |
JP3151308B2 (ja) | 光学鏡筒 | |
JPH06105598B2 (ja) | 荷電ビーム用レンズ | |
JPH0794116A (ja) | 陰極線管用電子銃 | |
JP5069066B2 (ja) | 収差補正装置及び収差補正方法 | |
JP6432905B2 (ja) | リターディングを用いたエネルギーアナライザ・モノクロメータ | |
JP2015032380A (ja) | 集束イオンビーム装置、集束イオン/電子ビーム加工観察装置、及び試料加工方法 | |
JP5852833B2 (ja) | イオンビームシステム及びイオンビームシステムを操作する方法 | |
JP4128487B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP4691347B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JP3040272B2 (ja) | カラー受像管装置 | |
JP5971631B2 (ja) | 高電位勾配型単一ギャップ加速管 | |
JP4283843B2 (ja) | 幾何収差と空間電荷効果を低減した写像型電子顕微鏡 | |
Waheeb et al. | CAD of Ion Mirror as an Aberration Corrector | |
JP3040271B2 (ja) | カラー受像管装置 | |
JP2006134737A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
JPH05128985A (ja) | マイクロビーム発生装置 | |
WO2009141655A2 (en) | Improved particle beam generator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |