JP5304063B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
ソースとゲートそれぞれを前記第1MOSトランジスタのソースとゲートに接続され、電流駆動能力が前記第1MOSトランジスタの1/Nとされ、ドレイン配線の配線抵抗を前記第1MOSトランジスタのドレイン配線の配線抵抗のN倍とされた第2MOSトランジスタ(M2)と、
前記第1MOSトランジスタのドレイン配線から供給される電圧と前記第2MOSトランジスタのドレイン配線から供給される電圧を差動増幅する第1演算増幅器(21)と、
前記第2MOSトランジスタのドレインと電流−電圧変換手段との間にソースとドレインを接続され、前記第1演算増幅器の出力をゲートに供給される第3MOSトランジスタ(M3)と、
位相補償容量(C1)を備えており前記第3MOSトランジスタのドレイン電圧と所定の基準電圧を差動増幅した制御電圧を前記第1及び第2MOSトランジスタのゲートに供給する第2演算増幅器(22)を有し、
前記出力端子の電流を一定に制御する半導体集積回路装置であって、
前記第2MOSトランジスタのドレイン配線の配線抵抗(R2)を前記位相補償容量(C1)と平面位置が同一の領域で前記位相補償容量を形成した第1層(30)と異なる第2層(33)に形成し、
前記第1層と第2層との間に位置する第3層(32)に、前記位相補償容量の電極と対向し一定電圧を印加される電極(43)を形成した。
図1は、本発明の定電流制御回路を搭載した半導体集積回路装置の一実施形態の回路構成図を示す。同図中、半導体集積回路装置10の外部端子11には、例えばAC−DCコンバータ等の直流電圧VCCを発生する直流電圧源12が接続され、外部端子13にはリチウムイオン電池等の二次電池14が接続される。また、外部端子15には電流−電圧変換用の抵抗RIOの一端が接続され、抵抗RIOの他端は接地されている。
11,13,15 外部端子
12 直流電圧源
14 二次電池
21,22 演算増幅器
30 ポリシリコン第n配線層
31 金属第1配線層
32 金属第2配線層
33 金属第3配線層
41 ポリシリコン電極
42 ドレイン配線
43 面電極
C1 位相補償容量
M1,M2,M3 MOSトランジスタ
RIO 抵抗
Claims (2)
- 入力端子と出力端子との間にソースとドレインを接続され前記入力端子から出力端子へ流す電流を制御する第1MOSトランジスタと、
ソースとゲートそれぞれを前記第1MOSトランジスタのソースとゲートに接続され、電流駆動能力が前記第1MOSトランジスタの1/Nとされ、ドレイン配線の配線抵抗を前記第1MOSトランジスタのドレイン配線の配線抵抗のN倍とされた第2MOSトランジスタと、
前記第1MOSトランジスタのドレイン配線から供給される電圧と前記第2MOSトランジスタのドレイン配線から供給される電圧を差動増幅する第1演算増幅器と、
前記第2MOSトランジスタのドレインと電流−電圧変換手段との間にソースとドレインを接続され、前記第1演算増幅器の出力をゲートに供給される第3MOSトランジスタと、
位相補償容量を備えており前記第3MOSトランジスタのドレイン電圧と所定の基準電圧を差動増幅した制御電圧を前記第1及び第2MOSトランジスタのゲートに供給する第2演算増幅器を有し、
前記出力端子の電流を一定に制御する半導体集積回路装置であって、
前記第2MOSトランジスタのドレイン配線の配線抵抗を前記位相補償容量と平面位置が同一の領域で前記位相補償容量を形成した第1層と異なる第2層に形成し、
前記第1層と第2層との間に位置する第3層に、前記位相補償容量の電極と対向し一定電圧を印加される電極を形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記第2層及び第3層は、金属配線層であることを特徴とする半導体集積回路装置。
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JP2008179300A JP5304063B2 (ja) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | 半導体集積回路装置 |
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JP2008179300A JP5304063B2 (ja) | 2008-07-09 | 2008-07-09 | 半導体集積回路装置 |
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