JP5294432B2 - 酸化亜鉛バリスタの製造方法および酸化亜鉛バリスタ - Google Patents
酸化亜鉛バリスタの製造方法および酸化亜鉛バリスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5294432B2 JP5294432B2 JP2011510107A JP2011510107A JP5294432B2 JP 5294432 B2 JP5294432 B2 JP 5294432B2 JP 2011510107 A JP2011510107 A JP 2011510107A JP 2011510107 A JP2011510107 A JP 2011510107A JP 5294432 B2 JP5294432 B2 JP 5294432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- substrate
- oxide film
- solution
- oxide varistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/1006—Thick film varistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
さらに、前記工程(B)は、前記基板を280℃に加熱する工程であり、前記工程(C)は、前記基板の前記第一の主面上に、オゾンおよび酸素ラジカルを供給しない工程である。
または、前記工程(B)は、前記基板を480℃に加熱する工程である、前記工程(C)は、前記基板の前記第一の主面上に、オゾンをも供給する工程である。
酸化亜鉛バリスタの製造方法を、酸化亜鉛膜の作成と当該作成された酸化亜鉛膜を用いた酸化亜鉛バリスタの作成とに分けて、説明する。
図11は、本実施の形態に係る酸化亜鉛膜の成膜装置の概略構成を示す図である。
実施の形態1,2において、酸化亜鉛バリスタを構成する酸化亜鉛膜の成膜方法について説明した。本実施の形態では、より有益な酸化亜鉛バリスタを提供することができる、酸化亜鉛膜の具体的な成膜条件を提供する。
2 基板
3 加熱器
4 溶液
5 溶液容器
6 ミスト化器
7 オゾン発生器
9 酸化亜鉛膜
10,12 マスク
11,13 導電ペースト
11a,13a 電極
50 酸化亜鉛バリスタ
100,200 成膜装置
L1,L2,L3 経路
Claims (8)
- (A)亜鉛を含む溶液をミスト化させる工程と、
(B)基板を加熱する工程と、
(C)前記工程(B)中の前記基板の第一の主面上に、前記工程(A)においてミスト化された前記溶液を供給することにより、前記第一の主面上に酸化亜鉛膜を成膜する工程と、
(D)前記酸化亜鉛膜に電極を配設することにより、酸化亜鉛バリスタを作成する工程とを、備えており、
前記工程(B)は、前記基板を280℃に加熱する工程であり、
前記工程(C)は、
前記基板の前記第一の主面上に、オゾンおよび酸素ラジカルを供給しない工程である、
ことを特徴とする酸化亜鉛バリスタの製造方法。 - (A)亜鉛を含む溶液をミスト化させる工程と、
(B)基板を加熱する工程と、
(C)前記工程(B)中の前記基板の第一の主面上に、前記工程(A)においてミスト化された前記溶液を供給することにより、前記第一の主面上に酸化亜鉛膜を成膜する工程と、
(D)前記酸化亜鉛膜に電極を配設することにより、酸化亜鉛バリスタを作成する工程とを、備えており、
前記工程(C)は、
前記工程(B)中の前記基板の前記第一の主面上に、オゾンをも供給することにより、前記酸化亜鉛膜を成膜する工程であり、
前記工程(B)は、前記基板を480℃に加熱する工程である、
ことを特徴とする酸化亜鉛バリスタの製造方法。 - 前記溶液には、
亜鉛含有化合物が含まれており、
前記亜鉛含有化合物は、
アルコキシド化合物、β−ジケトン化合物およびカルボン酸塩化合物の内の、少なくとも何れか1つを含む、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化亜鉛バリスタの製造方法。 - 前記溶液には、
アルミニウム、ガリウムおよびインジウムの内の、少なくとも何れか1つが含まれている、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化亜鉛バリスタの製造方法。 - 前記溶液には、
ビスマスが含まれている、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化亜鉛バリスタの製造方法。 - 前記溶液には、
コバルトおよびマンガンの少なくとも何れかが、含まれている、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化亜鉛バリスタの製造方法。 - 前記溶液には、
ニオブ、アンチモンおよびクロムの内の、少なくとも何れか1つが含まれている、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化亜鉛バリスタの製造方法。 - C軸に配向した酸化亜鉛膜と、
前記酸化亜鉛膜を挟持するように設けられ、電極面の法線方向が前記C軸の方向と並行である、1対の第一電極と、
前記酸化亜鉛膜を挟持するように設けられ、電極面の法線方向が前記C軸の方向と垂直である、1対の第二電極とを、備えており、
前記第一電極と前記第二電極とは、電気的に接続されていない、
ことを特徴とする酸化亜鉛バリスタ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/057859 WO2010122630A1 (ja) | 2009-04-20 | 2009-04-20 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法および酸化亜鉛バリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010122630A1 JPWO2010122630A1 (ja) | 2012-10-22 |
JP5294432B2 true JP5294432B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=43010768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011510107A Active JP5294432B2 (ja) | 2009-04-20 | 2009-04-20 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法および酸化亜鉛バリスタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5294432B2 (ja) |
WO (1) | WO2010122630A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106946562B (zh) * | 2017-04-13 | 2020-11-10 | 贵州大学 | In3+、Nb5+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298168A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Sony Corp | 金属化合物の形成装置 |
JPH05335115A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バリスタ |
JPH11145131A (ja) * | 1997-03-18 | 1999-05-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、及び半導体装置 |
JP2000239846A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜作製装置 |
JP2001166103A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子とその製造方法 |
JP2007005499A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Koa Corp | 酸化亜鉛積層型バリスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5823921B2 (ja) * | 1978-02-10 | 1983-05-18 | 日本電気株式会社 | 電圧非直線抵抗器 |
JP2008218592A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜バリスタおよびその製造方法 |
-
2009
- 2009-04-20 WO PCT/JP2009/057859 patent/WO2010122630A1/ja active Application Filing
- 2009-04-20 JP JP2011510107A patent/JP5294432B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298168A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Sony Corp | 金属化合物の形成装置 |
JPH05335115A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バリスタ |
JPH11145131A (ja) * | 1997-03-18 | 1999-05-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、及び半導体装置 |
JP2000239846A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜作製装置 |
JP2001166103A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Asahi Optical Co Ltd | 光学素子とその製造方法 |
JP2007005499A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Koa Corp | 酸化亜鉛積層型バリスタ及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6009036871; J.G. Lu, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, Y. Kamada, T. Ohshima, S. Fujita: 'ZnO-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition' JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2007, Vol.299, p.1-10, 20070102 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010122630A1 (ja) | 2010-10-28 |
JPWO2010122630A1 (ja) | 2012-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101333437B1 (ko) | 금속 산화막의 성막 방법 및 금속 산화막의 성막 장치 | |
JP5319961B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP4676991B2 (ja) | 原子層蒸着法を利用したp型ZnO半導体膜の製造方法及びその製造方法で製造されたZnO半導体膜を含む薄膜トランジスタ | |
CN1451543A (zh) | 压电体元件的制造方法,压电体元件和液滴喷出式记录头 | |
US9598768B2 (en) | Method of forming zinc oxide film (ZnO) or magnesium zinc oxide film (ZnMgO) and apparatus for forming zinc oxide film or magnesium zinc oxide film | |
KR101340810B1 (ko) | 금속 산화막의 성막 방법, 금속 산화막 및 금속 산화막의 성막 장치 | |
JP2009076841A (ja) | 非晶質シリコン及びナノ結晶質シリコンの複合薄膜を利用した太陽電池及びその製造方法 | |
CN1781184A (zh) | 液滴排出装置、图案的形成方法及半导体装置的制造方法 | |
KR20100002158A (ko) | 광전 변환 장치 모듈 및 광전 변환 장치 모듈의 제작 방법 | |
JP2005260040A (ja) | ドーピング方法、半導体装置の製造方法および電子応用装置の製造方法 | |
JP2011249579A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
US7524718B2 (en) | Method for manufacturing photoelectric transducer, and electronic apparatus | |
JP2009065012A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
KR101348532B1 (ko) | 금속 산화막의 성막 방법 및 금속 산화막 | |
JP5294432B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法および酸化亜鉛バリスタ | |
KR100857461B1 (ko) | 원자층 증착법을 이용한 p 타입 ZnO반도체막 제조 방법및 상기 제조 방법으로 제조된 ZnO 반도체막을포함하는 박막 트랜지스터 | |
JP6907512B2 (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
US20090115818A1 (en) | Droplet ejection head and droplet ejection apparatus | |
US8029110B2 (en) | Droplet ejection head and droplet ejection apparatus | |
JP2014509968A (ja) | 硬化システムおよびその方法 | |
CN110035822B (zh) | 制氧用光催化剂电极、制氧用光催化剂电极的制造方法及模块 | |
JP5519727B2 (ja) | セレン薄膜の蒸着方法、セレン薄膜の蒸着装置、及びプラズマヘッド | |
JP2009152249A (ja) | 接合方法、接合体、半導体装置および光電変換素子 | |
JPWO2009028452A1 (ja) | 金属酸化物半導体の製造方法およびこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ | |
WO2010125906A1 (ja) | 電子装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130502 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5294432 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |