JP5290101B2 - 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法 - Google Patents

複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5290101B2
JP5290101B2 JP2009212731A JP2009212731A JP5290101B2 JP 5290101 B2 JP5290101 B2 JP 5290101B2 JP 2009212731 A JP2009212731 A JP 2009212731A JP 2009212731 A JP2009212731 A JP 2009212731A JP 5290101 B2 JP5290101 B2 JP 5290101B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
solder pads
solder
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009212731A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011009682A (ja
Inventor
チャオ−チン・ウー
シェン−ター・ヤン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd
Original Assignee
Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd filed Critical Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd
Publication of JP2011009682A publication Critical patent/JP2011009682A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5290101B2 publication Critical patent/JP5290101B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/27011Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/27013Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83051Forming additional members, e.g. dam structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01002Helium [He]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0101Neon [Ne]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01011Sodium [Na]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01041Niobium [Nb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0106Neodymium [Nd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Description

本発明は発光ダイオードの実装構造とその製造方法に関し、特に複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法に関する。
電灯の発明は全人類の生活様式を根底から変えたといえ、もし我々の生活に電灯が無かったなら、夜間や天候不良のときは、一切の仕事がマヒしてしまい、また仮に照明が制限されたとすると、建造物の建築様式や人類の生活様式が全て根底から変化してしまい、全人類はこれによって進歩不能に陥り、引き続き時代遅れの年代に留まることとなる。
従って、蛍光灯、タングステン電球や現在一般大衆に広く受け入れられている省エネ電球のような、今日マーケットで使用されている照明設備が、何れも日常生活の中に広く応用されている。然しながら、こうした電灯の多くは光減衰が速く、消費電力が大きく、高熱を発生し易く、寿命が短く、破損し易く或いは回収し難い等といった欠点がある。このため、上記の問題を解決するために、発光ダイオード電球や発光ダイオードランプがこれに応じて登場した。
然しながら、図1から分かるように、従来の発光ダイオードの実装構造内の各発光ダイオードダイス20の正極と負極(図示せず)はそれぞれ1つの正極はんだパッドPと1つの負極はんだパッドNに対応している。従って、導線Wの末端が前記正極はんだパッドP又は前記負極はんだパッドN上にワイヤボンディング(はんだ付け)して失敗すると(はんだ浮きを起こし、つまり、前記導線Wと「前記正極はんだパッドPと前記負極はんだパッドN」との間が電気的に接続されない)、製造者はワイヤボンディングが失敗した正極はんだパッドPの表面にあるはんだ滓(又は負極はんだパッドNの表面のはんだ滓)を取り除いて、再度同じ位置でワイヤボンディング工程を行う。このため、従来の発光ダイオードの実装構造のワイヤボンディング方法だとワイヤボンディングする時間が掛かり(ワイヤボンディングの効率低下)、ワイヤボンディングの歩留りも低下する。
本発明が解決しようとする技術的問題は、複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法を提供することにある。本発明の各発光ダイオードダイスの正極と負極はそれぞれ少なくとも2つの正極はんだパッドと少なくとも2つの負極はんだパッドに対応する。従って、各発光ダイオードダイスの正極と負極はそれぞれ少なくとも1つの予備正極はんだパッドと少なくとも1つの予備負極はんだパッドを備えて、ワイヤボンディングに掛かる時間を節減する(ワイヤボンディングの効率向上)と共に、ワイヤボンディングの歩留りを向上させる。
上記の技術的問題を解決するために、本発明のうちのある方案に基づき、基板ユニット、発光ユニット、導線ユニット及び実装ユニットを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法を提供する。前記基板ユニットは基板本体と前記基板本体の上表面に設置した複数個の正、負極はんだパッドを有する。前記発光ユニットは前記基板本体の上表面に設置した複数個の発光ダイオードダイスを有し、各発光ダイオードダイスには正極と負極が有り、各発光ダイオードダイスの正極は少なくとも2つの正極はんだパッドに対応し、各発光ダイオードダイスの負極は少なくとも2つの負極はんだパッドに対応する。前記導線ユニットは複数本の導線を有し、各2本の導線はそれぞれ各発光ダイオードダイスの正極と前記少なくとも2つの正極はんだパッドのうちの1つとの間を電気的に接続し、また、各発光ダイオードダイスの負極と前記少なくとも2つの負極はんだパッドのうちの1つとの間を電気的に接続する。前記実装ユニットは前記基板本体の上表面に成形されて前記発光ダイオードダイスを覆う透光実装コロイドを有する。
本発明が所定の目的を達するために採用した技術、方法及び効果を一層理解できるよう、以下に本発明に関する詳細説明と添付図面を参照することで、本考案の目的、特徴がこれによって深く具体的に理解されると信じる。然しながら、添付図面は参考及び説明用に供したに過ぎず、本発明に制限を課すものではない。
従来の発光ダイオード実装構造の上面概略図である。 本発明の実施例1の断面概略図である。 本発明の実施例1の上面概略図である(実装ユニット除去後)。 本発明の実施例2の断面概略図である。 本発明の実施例3の断面概略図である。 本発明の実施例4の断面概略図である。 本発明の実施例5の断面概略図である。 本発明の実施例6の断面概略図である。 本発明の実施例7の断面概略図である。 本発明の製造方法に係る実施例1のフローチャートである。
図2A、図2Bで示すように、本発明の実施例1は基板ユニット1a、発光ユニット2a、導線ユニットWa、及び実装ユニット4aを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造を提供する。
前記基板ユニット1aは基板本体10aと前記基板本体10aの上表面に設置した複数個の正極はんだパッドPa、負極はんだパッドNaを有する。さらに述べると、前記基板本体10aは放熱基板100a、前記放熱基板100aの底端に設置した放熱装置101a(前記放熱装置101aは複数個の放熱フィンを有する)、前記放熱基板100aの頂端に設置した第1絶縁層102a、互いに分離して前記第1絶縁層102a上に設置した少なくとも2つの導電層103a、及び複数個のはんだパッドの開口1040aと複数個のダイスの開口1041aを有して前記少なくとも2つの導電層103aを覆う第2絶縁層104aを備え、そのうち前記第2絶縁層104aの前記はんだパッドの開口1040aは、その中の1つの導電層103a上に設置した前記正極はんだパッドPaともう1つの導電層103a上に設置した前記負極はんだパッドNaとを露出させる。
また、前記発光ユニット2aは前記基板本体10aの上表面に設置した複数個の発光ダイオードダイス20aを有し、各発光ダイオードダイス20aは正極Pと負極Nを有し、各発光ダイオードダイス20aの正極Pは少なくとも2つの正極はんだパッドPaに対応し、各発光ダイオードダイス20aの負極Nは少なくとも2つの負極はんだパッドNaに対応する(図2Bの点線内に示す)。換言すると、各発光ダイオードダイス20aの正極Pは少なくとも2つの正極はんだパッドPaの中の1つに選択的に電気的に接続され(図2Bの1つ目と2つ目の点線内に示す)、また、各発光ダイオードダイス20aの負極Nは少なくとも2つの負極はんだパッドNaの中の1つに選択的に電気的に接続される(図2Bの3つ目の点線内に示す)。このほか、各発光ダイオードダイス20aは各ダイスの開口1041a内又は上方に位置付けして粘着層Hによって前記第1絶縁層102a上に設置する。
さらに、前記導線ユニットWaは複数本の導線W1aを有し、各2本の導線W1aはそれぞれ各発光ダイオードダイス20aの正極Pと前記少なくとも2つの正極はんだパッドPaのうちの1つとの間を電気的に接続し(ワイヤボンディングされていないもう1つの正極はんだパッドPaは予備正極はんだパッドとする)、また、各発光ダイオードダイス20aの負極Nと前記少なくとも2つの負極はんだパッドNaのうちの1つとの間を電気的に接続する(ワイヤボンディングされていないもう1つの負極はんだパッドNaは予備負極はんだパッドとする)。換言すると、各導線W1aの中の1つの末端は各発光ダイオードダイス20aの正極P又は負極Nに電気的に接続されて、各導線W1aのもう1つの末端は前記少なくとも2つの正極はんだパッドPaのうちの1つ又は前記少なくとも2つの負極はんだパッドNaの中の1つに選択的に電気的に接続される。
従って、導線W1aの末端がその中の1つの正極はんだパッドPa又は負極はんだパッドNa上にワイヤボンディング(はんだ付け)して失敗すると(はんだ浮きを起こし、つまり、前記導線W1aと「前記正極はんだパッドPaと前記負極はんだパッドNa」との間は電気的に接続されない)、製造者はワイヤボンディングが失敗した正極はんだパッドPaの表面にあるはんだ滓(又は負極はんだパッドNaの表面のはんだ滓)を取り除くと、前記導線W1aの末端は別の正極はんだパッドPa(又は別の負極はんだパッドNa)上にワイヤボンディングして、ワイヤボンディングの時間を節減(ワイヤボンディングの効率の向上)すると共に、ワイヤボンディングの歩留りを高めることができる。
また、前記実装ユニット4aは、前記基板本体10aの上表面に形成されて前記発光ダイオードダイス20aを覆う透光実装コロイド40aを有し、前記透光実装コロイド40aは透明のコロイド又は蛍光体粉末が混入されたコロイドであってもよい。
図3に示すように、本発明の実施例2は基板ユニット1b、発光ユニット2b、導線ユニットWb及び実装ユニット4bを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造を提供する。前記基板本体10bは放熱基板100b、前記放熱基板100bの底端に設置した放熱装置101b、前記放熱基板100bの頂端に設置した第1絶縁層102b、互いに分離して前記第1絶縁層102b上に設置した少なくとも2つの導電層103b、及び複数個のはんだパッドの開口1040bと複数個のダイスの開口1041bを有して前記少なくとも2つの導電層103bを覆う第2絶縁層104bを備え、そのうち前記第2絶縁層104bの前記はんだパッドの開口1040bは、その中の1つの導電層103b上に設置した前記正極はんだパッドPbともう1つの導電層103b上に設置した前記負極はんだパッドNbとを露出させ、各発光ダイオードダイス20bは各ダイスの開口1041b内又は上方に位置付けして粘着層Hによって前記導電層103b上に設置する。
従って、本発明の実施例2と実施例1との最大の相違点は、実施例2では、各発光ダイオードダイス20bは粘着層Hによって前記導電層103b上に設置されることにある。
図4に示すように、本発明の実施例3は基板ユニット1c、発光ユニット2c、導線ユニットWc及び実装ユニット4cを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造を提供する。前記基板本体10cは放熱基板100c、前記放熱基板100cの底端に設置した放熱装置101c、前記放熱基板100cの頂端に設置した第1絶縁層102c、互いに分離して前記第1絶縁層102c上に設置した少なくとも2つの導電層103c、及び複数個のはんだパッドの開口1040cと複数個のダイスの開口1041cを有して前記少なくとも2つの導電層103cを覆う第2絶縁層104cを備え、そのうち前記第2絶縁層104cの前記はんだパッドの開口1040cは、その中の1つの導電層103c上に設置した前記正極はんだパッドPcともう1つの導電層103c上に設置した前記負極はんだパッドNcとを露出させ、各発光ダイオードダイス20cは各ダイスの開口1041c内又は上方に位置付けして、はんだボールB(又ははんだペースト)によってその中の1つの導電層103c上に設置する。
従って、本発明の実施例3と実施例2との最大の相違点は、実施例3では、各発光ダイオードダイス20cははんだボールB(又ははんだペースト)によってその中の1つの導電層103b上に設置されることにある。
図5に示すように、本発明の実施例4は基板ユニット1d、発光ユニット2d、導線ユニットWd及び実装ユニット4dを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造を提供する。前記基板本体10dは放熱基板100d、前記放熱基板100dの底端に設置した放熱装置101d、複数個の開口1020dを有し前記放熱基板100dの頂端に設置した第1絶縁層102d、前記開口1020d内にそれぞれ充填して前記放熱基板100dに接触した複数個の熱伝導ブロック105d、互いに分離して前記第1絶縁層102d上に設置した少なくとも2つの導電層103d、及び複数個のはんだパッドの開口1040dと複数個のダイスの開口1041dを有して前記少なくとも2つの導電層103dを覆う第2絶縁層104dを備え、そのうち前記第2絶縁層104dの前記はんだパッドの開口1040dは、その中の1つの導電層103d上に設置した前記正極はんだパッドPdともう1つの導電層103d上に設置した前記負極はんだパッドNdとを露出させ、各発光ダイオードダイス20dは各ダイスの開口1041d内又は上方に位置付けして、粘着層Hによって各熱伝導ブロック105d上に設置する。
従って、本発明の実施例4と上記その他の実施例との最大の相違点は、実施例4では、前記開口1020dを有する第1絶縁層102dは前記放熱基板100dの頂端に設置され、前記熱伝導ブロック105dは前記開口1020d内にそれぞれ充填して前記放熱基板100dに接触し、各発光ダイオードダイス20dは粘着層Hによって各熱伝導ブロック105d上に設置されることにある。
図6に示すように、本発明の実施例5は基板ユニット1e、発光ユニット2e、導線ユニットWe及び実装ユニット4eを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造を提供する。前記基板本体10eは放熱基板100e、前記放熱基板100eの底端に設置した放熱装置101e、複数個の開口1020eを有し前記放熱基板100eの頂端に設置した第1絶縁層102e、前記開口1020e内にそれぞれ充填して前記放熱基板100eに接触した複数個の熱伝導ブロック105e、互いに分離して前記第1絶縁層102e上に設置した少なくとも2つの導電層103e、及び複数個のはんだパッドの開口1040eと複数個のダイスの開口1041eを有して前記少なくとも2つの導電層103eを覆う第2絶縁層104eを備え、そのうち前記第2絶縁層104eの前記はんだパッドの開口1040eは、その中の1つの導電層103e上に設置した前記正極はんだパッドPeともう1つの導電層103e上に設置した前記負極はんだパッドNeとを露出させ、各発光ダイオードダイス20eは各ダイスの開口1041e内又は上方に位置付けして、はんだボールB(又ははんだペースト)によって各熱伝導ブロック105e上に設置する。
従って、本発明の実施例5と実施例4との最大の相違点は、実施例5では、各発光ダイオードダイス20eははんだボールB(又ははんだペースト)によって各熱伝導ブロック105e上に設置されることにある。
図7に示すように、本発明の実施例6は基板ユニット1f、発光ユニット2f、導線ユニットWf及び実装ユニット4fを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造を提供する。
前記基板ユニット1fは基板本体10fと前記基板本体10fの上表面に設置した複数個の正極はんだパッドPfと負極はんだパッドNfを有する。前記発光ユニット2fは前記基板本体10fの上表面に設置した複数個の発光ダイオードダイス20fを有し、各発光ダイオードダイス20fは2つの電極(P、N)を有し、各発光ダイオードダイス20fのうちの1つの電極Pは前記第1はんだパッドPfのうちの少なくとも2つに対応し、各発光ダイオードダイス20fのもう1つの負極Nは各第2はんだパッドNfに電気的に接続される。
また、前記導線ユニットWfは複数本の導線W1fを有し、各導線W1fはそれぞれ各発光ダイオードダイス20fの中の1つの電極Pと前記少なくとも2つの第1はんだパッドPfのうちの1つとの間を電気的に接続する。前記実装ユニット4fは、前記基板本体10fの上表面に形成されて前記発光ダイオードダイス20fを覆う透光実装コロイド40fを有する。
さらに、前記基板本体10fは放熱基板100f、前記放熱基板100fの底端に設置した放熱装置101f、前記放熱基板100fの頂端に設置した第1絶縁層102f、互いに分離して前記第1絶縁層102f上に設置した少なくとも2つの導電層103f、及び複数個のはんだパッドの開口1040fと複数個のダイスの開口1041fを有して前記少なくとも2つの導電層103fを覆う第2絶縁層104fを備え、そのうち前記第2絶縁層104fの前記はんだパッドの開口1040fは、その中の1つの導電層103f上に設置した前記第1はんだパッドPfともう1つの導電層103f上に設置した前記第2はんだパッドNfとを露出させ、各発光ダイオードダイス20fは各ダイスの開口1041f内又は上方に位置付けして、はんだボールB(又ははんだペースト)によって前記第2はんだパッドNfを有する導電層103f上に電気的に設置する。
図8に示すように、本発明の実施例7は基板ユニット1g、発光ユニット2g、導線ユニットWg、反射ユニット3g及び実装ユニット4gを含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造を提供する。
反射ユニット3gは塗布する方法によって、取り囲むように前記基板本体10gの上表面に成形した環囲反射コロイド30gを有し、前記環囲反射コロイド30gは前記発光ダイオードダイス20gを囲繞して、前記基板本体10gの上方にあるコロイド位置限定スペース300gを形成する。前記基板ユニット1gは前記基板本体10gの上表面に設置されたチップ載置領域11gを有し、前記複数個の発光ダイオードダイス20gは前記基板ユニット1gのチップ載置領域11gに電気的に設置され、透光実装コロイド40gは前記コロイド位置限定スペース300g内に限定される。
前記環囲反射コロイド30gの上表面は円弧形状であって、前記基板本体10gの上表面の円弧形状の切線Tに対向する角度θが40〜50度の間にあり、前記環囲反射コロイド30gの頂面の前記基板本体10gの上表面に対向する高さHが0.3〜0.7mmの間にあり、前記環囲反射コロイド30gの底面の幅は1.5から3mmの間にあり、前記環囲反射コロイド30gのチクソ性指数(thixotropic index)は4〜6の間にあり、前記環囲反射コロイド30gは無機添加物を混入した白色の熱硬化反射コロイドである。
図9に示すように、実施例1を例に取り、本発明は下記の工程を含む複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造の製造方法を提供する。まず、基板ユニット1aを提供する工程であって、前記基板ユニット1aは基板本体10aと前記基板本体10aの上表面に設置した複数個の正極はんだパッドPaと負極はんだパッドNaを有する(S100)。続いて、複数個の発光ダイオードダイス20aを前記基板本体10aの上表面に設置する工程であって、各発光ダイオードダイス20aは正極Pと負極Nを有し、各発光ダイオードダイス20aの正極Pは少なくとも2つの正極はんだパッドPaに対応し、各発光ダイオードダイス20aの負極Nは少なくとも2つの負極はんだパッドNaに対応する(S102)。
そして、複数本の導線W1aにより各発光ダイオードダイス20aを各正極はんだパッドPaと各負極はんだパッドNaとの間を電気的に接続する工程であって、各2本の導線W1aはそれぞれ各発光ダイオードダイス20aの正極Pと前記少なくとも2つの正極はんだパッドPaのうちの1つとの間を電気的に接続し、また、各発光ダイオードダイス20aの負極Nと前記少なくとも2つの負極はんだパッドNaのうちの1つとの間を電気的に接続し、このうち何れか1本の導線W1aの末端がその中の1つの正極はんだパッドPa又はその中の1つの負極はんだパッドNaに正確に電気的に接続されないと、この導線W1aの末端はもう1つの正極はんだパッドPa又はもう1つの負極はんだパッドNaに電気的に接続される(S104)。最後に、透光実装コロイド40aを前記基板本体10aの上表面に成形して前記発光ダイオードダイス20aを覆う工程(S106)である。
このほか、上記の前記透光実装コロイド40aを成形する工程の前に、本発明の製造方法はさらに、塗布する方法によって、環囲反射コロイド(図8に示す環囲反射コロイド30g)を取り囲むように前記基板本体10aの上表面に成形する工程を含む。
換言すると、まず、液状素材(図示せず)を前記基板本体10aの上表面に取り囲むように塗布し、前記液状素材は随意に予め決めた形状(円形、方形、長方形)に囲繞することができ、前記液状素材のチクソ性指数は4〜6の間にあり、前記液状素材を前記基板本体10aの上表面に塗布する圧力は350―450kpaの間にあり、前記液状素材を前記基板本体10aの上表面に塗布する速度は5―15mm/sの間にあり、前記液状素材を前記基板本体10aの上表面に取り囲むように塗布する起点と終点は同じ位置である。
そして前記液状素材を再び固化して、環囲反射コロイド(図8に示す環囲反射コロイド30g)を形成し、前記環囲反射コロイドが前記チップ載置領域(図8に示すチップ載置領域11g)上に設置した発光ダイオードダイス20aを囲繞して、前記基板本体10a上方にあるコロイド位置限定スペース(図8に示すコロイド位置限定スペース300g)を形成し、前記液状素材は焼成する方法で硬化させるが、焼成温度は120―140度の間で、焼成時間は20―40分の間である。
以上述べたことをまとめると、本発明の各発光ダイオードダイスの正極と負極はそれぞれ少なくとも2つの正極はんだパッドと少なくとも2つの負極はんだパッドに対応することから、各発光ダイオードダイスの正極と負極はそれぞれ少なくとも1つの予備正極はんだパッドと少なくとも1つの予備負極はんだパッドを有する。
各発光ダイオードダイスの正極と負極はそれぞれ少なくとも1つの予備正極はんだパッドと少なくとも1つの予備負極はんだパッドを有することから、前記導線の末端がその中の1つの正極はんだパッド又は負極はんだパッドにワイヤボンディング(はんだ付け)して失敗すると(はんだ浮きを起こし、つまり、前記導線と「前記正極はんだパッドと前記負極はんだパッド」との間が電気的に接続されない)、製造者はワイヤボンディングが失敗した正極はんだパッドの表面にあるはんだ滓(又は負極はんだパッドの表面のはんだ滓)を取り除くと、前記導線の末端はもう1つの正極はんだパッド(又はもう1つの負極はんだパッド)にワイヤボンディングして、ワイヤボンディングに掛かる時間を節減する(ワイヤボンディングの効率向上)と共に、ワイヤボンディングの歩留りを向上させることができる。
本発明の全ての範囲は下記の特許請求の範囲を基準とし、本発明の特許請求の範囲の精神やそれに類似した変化に伴う実施例は、何れも本発明の範疇に含まれるものとし、当業者が本発明の分野において容易に思い付く変化や修飾は何れも下記の本願の特許請求の範囲に含まれることとする。
[従来]
20 発光ダイオードダイス
P 正極はんだパッド
N 負極はんだパッド
W 導線
[実施例1]
1a 基板ユニット
10a 基板本体
100a 放熱基板
101a 放熱装置
102a 第1絶縁層
103a 導電層
104a 第2絶縁層
1040a はんだパッドの開口
1041a ダイスの開口
Pa 正極はんだパッド
Na 負極はんだパッド
2a 発光ユニット
20a 発光ダイオードダイス
P 正極
N 負極
Wa 導線ユニット
W1a 導線
4a 実装ユニット
40a 透光実装コロイド
H 粘着層
[実施例2]
1b 基板ユニット
10b 基板本体
100b 放熱基板101b 放熱装置
102b 第1絶縁層
103b 導電層
104b 第2絶縁層
1040b はんだパッドの開口
1041b ダイスの開口
Pb 正極はんだパッド
Nb 負極はんだパッド
2b 発光ユニット
20b 発光ダイオードダイス
Wb 導線ユニット
4b 実装ユニット
H 粘着層
[実施例3]
1c 基板ユニット
10c 基板本体
100c 放熱基板
101c 放熱装置
102c 第1絶縁層
103c 導電層
104c 第2絶縁層
1040c はんだパッドの開口
1041c ダイスの開口
Pc 正極はんだパッド
Nc 負極はんだパッド
2c 発光ユニット
20c 発光ダイオードダイス
Wc 導線ユニット
4c 実装ユニット
B はんだボール(solder ball)
[実施例4]
1d 基板ユニット
10d 基板本体
100d 放熱基板
101d 放熱装置
102d 第1絶縁層
1020d 開口
103d 導電層
104d 第2絶縁層
1040d はんだパッドの開口
1041d ダイスの開口
105d 熱伝導ブロック
Pd 正極はんだパッド
Nd 負極はんだパッド
2d 発光ユニット
20d 発光ダイオードダイス
Wd 導線ユニット
4d 実装ユニット
H 粘着層
[実施例5]
1e 基板ユニット
10e 基板本体
100e 放熱基板
101e 放熱装置
102e 第1絶縁層
1020e 開口
103e 導電層
104e 第2絶縁層
1040e はんだパッドの開口
1041e ダイスの開口
105e 熱伝導ブロック
Pe 正極はんだパッド
Ne 負極はんだパッド
2e 発光ユニット
20e 発光ダイオードダイス
We 導線ユニット
4e 実装ユニット
B はんだボール
[実施例6]
1f 基板ユニット
10f 基板本体
100f 放熱基板
101f 放熱装置
102f 第1絶縁層
103f 導電層
104f 第2絶縁層
1040f はんだパッドの開口
1041f ダイスの開口
Pf 第1はんだパッド
Nf 第2はんだパッド
2f 発光ユニット
20f 発光ダイオードダイス
P 電極
N 電極
Wf 導線ユニット
W1f 導線
4f 実装ユニット
40f 透光実装コロイド
B はんだボール
[実施例7]
1g 基板ユニット
10g 基板本体
11g チップ載置領域
2g 発光ユニット
20g 発光ダイオードダイス
Wg 導線ユニット
3g 反射ユニット
30g 環囲反射コロイド
300g コロイド位置限定スペース
T 円弧形状の切線
θ 角度
H 高度
4g 実装ユニット
40g 透光実装コロイド

Claims (10)

  1. 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造であって、
    基板本体と前記基板本体の上表面に設置した複数個の正、負極はんだパッドを有する基板ユニットと、
    前記基板本体の上表面に設置した複数個の発光ダイオードダイスを有する発光ユニットであって、各発光ダイオードダイスは正極と負極を有し、各発光ダイオードダイスの正極は少なくとも2つの正極はんだパッドに対応し、各発光ダイオードダイスの負極は少なくとも2つの負極はんだパッドに対応するものと、
    複数本の導線を有する導線ユニットであって、各2本の導線はそれぞれ各発光ダイオードダイスの正極と前記少なくとも2つの正極はんだパッドのうちの1つとの間を電気的に接続し、また、各発光ダイオードダイスの負極と前記少なくとも2つの負極はんだパッドのうちの1つとの間を電気的に接続するものと、
    前記基板本体の上表面に成形されて前記発光ダイオードダイスを覆う透光実装コロイドを有する実装ユニットと、
    を含み、
    前記基板本体は放熱基板、前記放熱基板の頂端に設置した第1絶縁層、互いに分離して前記第1絶縁層上に設置した少なくとも2つの導電層、及び複数個のはんだパッドの開口と複数個のダイスの開口を有して前記少なくとも2つの導電層を覆う第2絶縁層を備え、
    前記第2絶縁層の前記複数個のはんだパッドの開口は、その中の1つの導電層上に設置した正極はんだパッドともう1つの導電層上に設置した負極はんだパッドとを露出させることを特徴とする複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  2. 反射ユニットを有し、前記反射ユニットは塗布する方法によって、取り囲むように基板本体の上表面に成形した環囲反射コロイドを有し、前記環囲反射コロイドは発光ダイオードダイスを囲繞して、前記基板本体の上方にあるコロイド位置限定スペースを形成し、前記環囲反射コロイドの上表面は円弧形状であって、前記基板本体の上表面の円弧形状の切線に対向する角度が40〜50度の間にあることを特徴とする請求項1に記載の複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  3. 基板本体は放熱基板の底端に設置した放熱装置をえ、各発光ダイオードダイスは各ダイスの開口内又は上方に位置付けして粘着層によって前記第1絶縁層上に設置することを特徴とする請求項1に記載の複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  4. 基板本体は放熱基板の底端に設置した放熱装置をえ、各発光ダイオードダイスは各ダイスの開口内又は上方に位置付けして粘着層によってその中の1つの導電層上に設置することを特徴とする請求項1に記載の複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  5. 基板本体は放熱基板の底端に設置した放熱装置をえ、各発光ダイオードダイスは各ダイスの開口内又は上方に位置付けして、はんだボールやはんだペーストによってその中の1つの導電層上に設置することを特徴とする請求項1に記載の複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  6. 第1絶縁層は複数個の開口を有し、
    基板本体は放熱基板の底端に設置した放熱装置、及び前記開口内にそれぞれ充填して前記放熱基板に接触した複数個の熱伝導ブロックを備え、各発光ダイオードダイスは各ダイスの開口内又は上方に位置付けして粘着層によって各熱伝導ブロック上に設置することを特徴とする請求項1に記載の複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  7. 第1絶縁層は複数個の開口を有し、
    基板本体は放熱基板の底端に設置した放熱装置、及び前記開口内にそれぞれ充填して前記放熱基板に接触した複数個の熱伝導ブロックを備え、各発光ダイオードダイスは各ダイスの開口内又は上方に位置付けしてはんだボールやはんだペーストによって各熱伝導ブロック上に設置することを特徴とする請求項1に記載の複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  8. 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造であって、
    基板本体と前記基板本体の上表面に設置した複数個の第1はんだパッドと第2はんだパッドを有する基板ユニットと、
    前記基板本体の上表面に設置した複数個の発光ダイオードダイスを有する発光ユニットであって、各発光ダイオードダイスは2つの電極を有し、各発光ダイオードダイスの中の1つの電極は前記第1はんだパッドの中の少なくとも2つに対応し、各発光ダイオードダイスのもう1つの電極は各第2はんだパッドに電気的に接続されるものと、
    複数本の導線を有する導線ユニットであって、各導線はそれぞれ各発光ダイオードダイスの中の1つの電極と前記少なくとも2つの第1はんだパッドのうちの1つとの間を電気的に接続するものと、
    前記基板本体の上表面に成形されて前記発光ダイオードダイスを覆う透光実装コロイドを有する実装ユニットと、
    を含み、
    前記基板本体は放熱基板、前記放熱基板の頂端に設置した第1絶縁層、互いに分離して前記第1絶縁層上に設置した少なくとも2つの導電層、及び複数個のはんだパッドの開口と複数個のダイスの開口を有して前記少なくとも2つの導電層を覆う第2絶縁層を備え、
    前記第2絶縁層の前記複数個のはんだパッドの開口は、その中の1つの導電層上に設置した第1はんだパッドともう1つの導電層上に設置した第2はんだパッドとを露出させることを特徴とする複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  9. 基板本体は放熱基板の底端に設置した放熱装置を備、各発光ダイオードダイスは各ダイスの開口内又は上方に位置付けして、はんだボールやはんだペーストによって前記第2はんだパッドを備えた導電層上に設置することを特徴とする請求項8に記載の複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造。
  10. 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造の製造方法であって、
    基板ユニットを提供する工程であって、前記基板ユニットは基板本体と前記基板本体の上表面に設置した複数個の正、負極はんだパッドを有するものと、
    複数個の発光ダイオードダイスを前記基板本体の上表面に設置する工程であって、各発光ダイオードダイスは正極と負極を有し、各発光ダイオードダイスの正極は少なくとも2つの正極はんだパッドに対応し、各発光ダイオードダイスの負極は少なくとも2つの負極はんだパッドに対応するものと、
    複数本の導線により各発光ダイオードダイスを各正極はんだパッドと各負極はんだパッドとの間を電気的に接続する工程であって、各2本の導線はそれぞれ各発光ダイオードダイスの正極と前記少なくとも2つの正極はんだパッドのうちの1つとの間を電気的に接続し、また、各発光ダイオードダイスの負極と前記少なくとも2つの負極はんだパッドのうちの1つとの間を電気的に接続し、このうち何れか1本の導線の末端がその中の1つの正極はんだパッド又はその中の1つの負極はんだパッドに正確に電気的に接続されないと、この導線の末端はもう1つの正極はんだパッド又はもう1つの負極はんだパッドに電気的に接続されるものと、
    透光実装コロイドを前記基板本体の上表面に成形して前記発光ダイオードダイスを覆う工程と、
    を含み、
    前記基板本体は放熱基板、前記放熱基板の頂端に設置した第1絶縁層、互いに分離して前記第1絶縁層上に設置した少なくとも2つの導電層、及び複数個のはんだパッドの開口と複数個のダイスの開口を有して前記少なくとも2つの導電層を覆う第2絶縁層を備え、
    前記第2絶縁層の前記複数個のはんだパッドの開口は、その中の1つの導電層上に設置した正極はんだパッドともう1つの導電層上に設置した負極はんだパッドとを露出させることを特徴とする複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造の製造方法。
JP2009212731A 2009-06-26 2009-09-15 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法 Expired - Fee Related JP5290101B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098121675A TWI411143B (en) 2009-06-26 2009-06-26 Led package structure with a plurality of standby pads for increasing wire-bonding yield and method for manufacturing the same
TW098121675 2009-06-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011009682A JP2011009682A (ja) 2011-01-13
JP5290101B2 true JP5290101B2 (ja) 2013-09-18

Family

ID=42237569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009212731A Expired - Fee Related JP5290101B2 (ja) 2009-06-26 2009-09-15 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7736920B1 (ja)
EP (1) EP2267354A3 (ja)
JP (1) JP5290101B2 (ja)
KR (1) KR101117270B1 (ja)
TW (1) TWI411143B (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101053049B1 (ko) * 2008-12-17 2011-08-01 삼성엘이디 주식회사 엘이디 패키지
TWI447893B (en) * 2009-06-24 2014-08-01 Led package structure for increasing light-emitting efficiency and controlling light-projecting angle and method for manufacturing the same
US20130026507A1 (en) * 2009-07-06 2013-01-31 Paragon Semiconductor Lighting Technology Co., Ltd. Multichip package structure and method of manufacturing the same
US8616732B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illumination device
JP2011216588A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Toshiba Corp 発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置
TWI419373B (zh) * 2010-10-22 2013-12-11 Paragon Sc Lighting Tech Co 使用定電壓電源供應器之多晶封裝結構
US8349628B2 (en) * 2011-03-22 2013-01-08 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of fabricating light emitting diode devices
TWI458142B (zh) * 2011-05-16 2014-10-21 Lextar Electronics Corp 打線接合結構
KR101303168B1 (ko) * 2011-07-26 2013-09-09 안상정 반도체 발광부 연결체
US8632221B2 (en) * 2011-11-01 2014-01-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LED module and method of bonding thereof
US8872332B2 (en) * 2012-04-30 2014-10-28 Infineon Technologies Ag Power module with directly attached thermally conductive structures
JP5991065B2 (ja) 2012-07-31 2016-09-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8916463B2 (en) 2012-09-06 2014-12-23 International Business Machines Corporation Wire bond splash containment
TWI512235B (zh) * 2013-07-08 2015-12-11 Lediamond Opto Corp 發光裝置
DE102014108368A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN105448903B (zh) * 2014-08-29 2018-02-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管芯片封装结构及其制造方法
CN107369662B (zh) * 2017-06-19 2020-11-24 北京嘉楠捷思信息技术有限公司 一种散热装置
JP7193532B2 (ja) * 2017-10-19 2022-12-20 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光デバイスパッケージ
US10672960B2 (en) 2017-10-19 2020-06-02 Lumileds Llc Light emitting device package with a coating layer
JP2019121678A (ja) * 2018-01-04 2019-07-22 シチズン電子株式会社 発光装置
US11212901B2 (en) * 2019-01-29 2021-12-28 Xiamen Eco Lighting Co. Ltd. Light apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02128483A (ja) * 1988-11-08 1990-05-16 Aichi Electric Co Ltd 固体発光表示装置
US20030102527A1 (en) * 1997-12-31 2003-06-05 Bily Wang Method of fabricating light emitting diode package
US6509632B1 (en) * 1998-01-30 2003-01-21 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a redundant pinout configuration for signal enhancement in an IC package
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
JP2001332769A (ja) 2000-05-22 2001-11-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
US7579629B2 (en) * 2003-04-01 2009-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus
JP2005032744A (ja) 2003-07-07 2005-02-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体パッケージ
TWI231609B (en) * 2003-09-01 2005-04-21 Solidlite Corp High heat-conductive PCB type surface mounted light emitting diode
TWI236103B (en) * 2003-10-28 2005-07-11 South Epitaxy Corp Flip-chip LED package structure
US20060208364A1 (en) * 2005-03-19 2006-09-21 Chien-Jen Wang LED device with flip chip structure
JP4064412B2 (ja) * 2005-06-07 2008-03-19 株式会社フジクラ 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
US7521728B2 (en) * 2006-01-20 2009-04-21 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same
TW200742111A (en) 2006-04-18 2007-11-01 Harvatek Corp LED chip encapsulation structure and method
JP2008041290A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Akita Denshi Systems:Kk 照明装置及びその製造方法
JP4678392B2 (ja) * 2007-07-17 2011-04-27 パナソニック電工株式会社 発光装置およびその製造方法
TW200924229A (en) * 2007-11-23 2009-06-01 Gigno Technology Co Ltd LED package module and manufacturing method thereof
KR101303168B1 (ko) * 2011-07-26 2013-09-09 안상정 반도체 발광부 연결체

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110000505A (ko) 2011-01-03
KR101117270B1 (ko) 2012-03-20
EP2267354A2 (en) 2010-12-29
EP2267354A3 (en) 2012-03-28
TWI411143B (en) 2013-10-01
JP2011009682A (ja) 2011-01-13
US7736920B1 (en) 2010-06-15
TW201101548A (en) 2011-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5290101B2 (ja) 複数個の予備のはんだパッドを備えてワイヤボンディングの歩留りを高める発光ダイオードの実装構造とその製造方法
JP4122784B2 (ja) 発光装置
JP2011018871A (ja) 熱伝導接着剤を位置決めするための窪み領域を有するledの実装構造とその製造方法
CN102185091B (zh) 一种发光二极管器件及其制造方法
CN102610735B (zh) 一种具有电热分离结构的发光器件及其制造方法
CN102185090B (zh) 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法
KR101136054B1 (ko) 방열 효과를 높이고, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드의 패키지 구조와 그 제조 방법
JP2009135440A (ja) 散熱機能を有する発光デバイスとそのようなデバイスを製造するプロセス
JP2011228671A (ja) 発光ダイオードチップ収納用パッケージ及びその基体の製造方法
US8371715B2 (en) LED illuminator module with high heat-dissipating efficiency and manufacturing method therefor
CN201868429U (zh) 一种内嵌式发光二极管封装结构
CN201149869Y (zh) 一种led封装结构
EP2484969A1 (en) Led energy-saving lamp
CN201820800U (zh) 一种大功率led器件
JP2011181910A (ja) 発光ダイオード収納用パッケージ及びその製造方法
JP3156732U (ja) リフローによる半田付けが可能で且つ放熱効果を高めるledのパッケージ構造
JP2012156476A (ja) 光源モジュール及びその製造方法
CN202058786U (zh) 一种采用cob封装的发光器件
CN2798315Y (zh) 大功率发光二极管封装结构
TWM495626U (zh) 具透光平板之發光裝置
JP3156734U (ja) リフローによる半田付けの際にチップの回転防止が可能なledのパッケージ構造
CN214313248U (zh) 高光效led
KR101248607B1 (ko) 열우물을 이용한 방열구조를 가지는 led 어레이 모듈
CN214797409U (zh) 一种cob光源
JP2010287749A (ja) 発光体および照明器具

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130605

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5290101

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees