JP5283394B2 - クラスタ型半導体処理装置 - Google Patents
クラスタ型半導体処理装置Info
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Description
第1の実施形態において、本発明に従うクラスタ型半導体処理装置はウエハ搬送チャンバを備える。該ウエハ搬送チャンバは、当該ウエハ搬送チャンバの軸線方向に見て、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面及びウエハ搬入/搬出チャンバ用の2つの隣接する側面を有する。該複数の側面は、付加的に、保守作業用の空き側面を有してもよい。このウエハ処理チャンバ用の複数の側面及びウエハ搬入/搬出チャンバ用の2つの隣接する側面の各々は、当該ウエハ搬送チャンバの軸線方向に見て、ウエハ搬送チャンバの軸線及び各側面の中心を通る線に対して垂直に配列されている。第1の実施形態において、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面の隣接する2つの側面は、ウエハ搬送チャンバの軸線とウエハ処理チャンバ用の隣接する2つの側面の一方の中心とを通る線と、ウエハ搬送チャンバの軸線とウエハ処理チャンバ用の隣接する2つの側面のもう一方の中心とを通る線との間で計測される角度A(例えば、図3の角度A3)を形成する。ここで、角度Aは、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入/搬出チャンバ用の2つの隣接する側面から成る全側面数で、360°を割り算して算出される角度B(例えば、図2の角度A2)より大きい。第1の実施形態において、ウエハ搬送チャンバの軸線からウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の各々までの距離D1(例えば、図3の距離D1)は、ウエハ搬送チャンバの軸線からウエハ処理チャンバ用の複数の側面の各々までの距離D2(例えば、図3の距離D2)より長い。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明はこれらの実施形態及び図面に限定されない。
2 ウエハ処理チャンバ
3 ウエハ処理チャンバ
4 ウエハ搬送チャンバ
5 ウエハ搬入/搬出チャンバ
6 ウエハ搬入/搬出チャンバ
7 ウエハ処理チャンバ
11 ウエハ処理チャンバ1が接続される側面
12 ウエハ処理チャンバ2が接続される側面
13 ウエハ処理チャンバ3が接続される側面
15 ウエハ搬入/搬出チャンバ5が接続される側面
16 ウエハ搬入/搬出チャンバ6が接続される側面
17 ウエハ処理チャンバ7が接続される側面
18 空き側面
20 ウエハ搬送チャンバ4の中心
Claims (12)
- ウエハ搬送チャンバを含むクラスタ型半導体処理装置であって、
前記ウエハ搬送チャンバは、横断面が線対称の多角形の形状で、該多角形の一辺が外部に向けて拡張されて成る2つの連続する等しい長さの辺にぞれぞれウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面が形成され、前記多角形の残りの辺にそれぞれウエハ処理チャンバ用の複数の側面が形成され、
更に、前記ウエハ搬送チャンバは、前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面がそれぞれ形成される前記2つの連続する等しい長さの辺の中心と、前記多角形の中心とを結ぶ直線を対称軸とする線対称の多角形の形状として形成され、
前記ウエハ処理チャンバ用の複数の側面及び前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の各々は、前記多角形の面に対して垂直に配列され、
前記ウエハ処理チャンバ用の複数の側面の隣接する2つの側面は、横断面上で前記ウエハ処理チャンバ用の隣接する2つの側面の一方が形成される前記辺の中心及び前記多角形の中心を通る直線と、ウエハ処理チャンバ用の隣接する2つの側面の他方が形成される前記辺の中心及び前記多角形の中心を通る直線との間で角度Aを形成し、当該角度Aは、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面及びウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面から成る全側面数で360°を割り算することにより計算される角度Bより大きく、
前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面は、横断面上で前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の一方が形成される前記辺の中心及び前記多角形の中心を通る直線と、前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の他方が形成される前記辺の中心及び前記多角形の中心を通る直線との間で角度Cを形成し、当該角度Cは前記角度Bより小さく、
前記ウエハ搬送チャンバの前記多角形の中心から前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の各々までの距離は、前記多角形の中心から前記ウエハ処理チャンバ用の複数の側面までの距離より長い、
ことを特徴とするクラスタ型半導体処理装置。 - 前記全側面数が7である、ことを特徴とする請求項1記載のクラスタ型半導体処理装置。
- 前記ウエハ処理チャンバ用の複数の側面は保守用のひとつの空き側面を含む、
ことを特徴とする請求項1記載のクラスタ型半導体処理装置。 - 前記ウエハ処理チャンバ用の複数の側面は保守用のひとつの空き側面を含み、それは前記多角形の中心に関して、前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の反対側に位置する、
ことを特徴とする請求項2記載のクラスタ型半導体処理装置。 - 前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の一方の隣のウエハ処理チャンバ用の側面の端部と、前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の他方の隣のウエハ処理チャンバ用の端部との間の距離Wは、前記多角形の中心に関して、前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の反対側に位置するウエハ処理チャンバ用の側面の長さと実質的に等しい、
ことを特徴とする請求項2記載のクラスタ型半導体処理装置。 - 前記距離Wは、前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の反対側に位置する側面を除き、前記ウエハ処理チャンバ用のそれぞれの側面の長さより長い、
ことを特徴とする請求項5記載のクラスタ型半導体処理装置。 - 前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の反対側に位置するウエハ処理チャンバ用の側面は、保守用の空き側面である、
ことを特徴とする請求項5記載のクラスタ型半導体処理装置。 - さらに、前記保守用のひとつの空き側面を除き、ウエハ処理チャンバ用のそれぞれの側面に接続されたウエハ処理チャンバを備える、
ことを特徴とする請求項1記載のクラスタ型半導体処理装置。 - さらに、ウエハ搬入/搬出チャンバ用のそれぞれの側面に接続されたウエハ搬入/搬出チャンバを備える、
ことを特徴とする請求項1記載のクラスタ型半導体処理装置。 - 前記保守用の空き側面はウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の反対側に位置し、前記空き側面と前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面との間に配置された前記ウエハ処理チャンバの最外部が、横断面上における一本の直線上に位置合わせされ、前記直線は、前記多角形の中心と前記ウエハ搬入/搬出チャンバ用の隣接する2つの側面の間とを通る線に平行である、
ことを特徴とする請求項8記載のクラスタ型半導体処理装置。 - 前記ウエハ処理チャンバの少なくともひとつは、プラズマCVDリアクタである、
ことを特徴とする請求項8記載のクラスタ型半導体処理装置。 - 前記ウエハ搬入/搬出チャンバはロードロックチャンバである、
ことを特徴とする請求項9記載のクラスタ型半導体処理装置。
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