TW202310120A - 風口擴散器 - Google Patents

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TW202310120A
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劉勇村
萬昭宏
鄭光偉
李志聰
倪其聰
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種一半導體製作設施之腔室可包含一風口擴散器。該風口擴散器可包含一第一管部件，其經構形以將該風口擴散器耦合至該腔室之一風口。該風口擴散器可包含一第二管部件，其耦合至該第一管部件。該第二管部件可包括沿著該第二管部件之一長度隔開之複數個開口，其中該複數個開口經構形以自該腔室接收一流體。基於該半導體製作設施包含該風口擴散器，該腔室可經構形以在該腔室內提供一流體之一經改良流場。以此方式，該風口擴散器可減少經由該腔室輸送之半導體裝置的原本可能由污染物造成之缺陷。

Description

風口擴散器
本揭露係關於一種風口擴散器。
可在一半導體製作設施中之各種半導體處理工具中處理一半導體裝置以產生各種積體電路及/或半導體裝置。可在整個半導體製作設施中及/或在半導體製作設施中之一腔室與半導體處理工具之間輸送一半導體裝置。
本揭露係關於一種方法，其包括：經由沿著一風口擴散器之一第一管部件之一長度隔開的複數個開口自一腔室接收一流體，其中該第一管部件耦合至該風口擴散器之一第二管部件；將該流體自該第一管部件提供至該第二管部件，其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該腔室之一風口，且其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件；及經由該第二管部件將該流體提供至該風口。
本揭露係關於一種方法，其包括：經由一風口擴散器之一第一管部件自一腔室接收一流體，其中該第一管部件經構形以經由沿著將該第一管部件之一高度實質上二等分之一平面隔開的複數個開口接收該流體，其中該複數個開口關於該第一管部件之一縱向軸線係實質上對稱的，且其中該複數個開口中之一開口與一毗鄰開口之間的間隔係基於該開口與該風口擴散器之一第二管部件之該縱向軸線的一橫向距離；在該第二管部件處接收來自該第一管部件之該流體，其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該腔室之一風口，且其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件；及經由該第二管部件將該流體提供至該風口。
本揭露係關於一種腔室，其包括：一輸送工具，其位於該腔室之一內部中；一風口，其位於該腔室之該內部之一表面上；及一風口擴散器，其包括一第一管部件及一第二管部件，其中該第一管部件包括沿著該第一管部件之一長度隔開之複數個開口，該複數個開口經構形以自該腔室接收一流體，其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該風口，其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件，且其中該第二管部件經構形以在該第二端處自該第一管部件接收該流體並且在該第一端處將該流體提供至該風口。
以下揭露提供用於實施所提供標的物之不同構件之諸多不同實施例或實例 。下文闡述組件及配置之特定實例以簡化本揭露 。當然，此等實例僅係實例且並非意欲係限制性的 。舉例而言，在以下闡述中一第一構件形成於一第二構件之上或上可包含其中第一構件與第二構件直接接觸地形成之實施例且亦可包含其中額外構件可形成於第一構件與第二構件之間使得第一構件與第二構件可不直接接觸之實施例 。另外，本揭露可在各種實例中重複參考編號及/或字母 。此重複係出於簡單及清晰目的且並非本質上指示所論述之各種實施例及/或構形之間的一關係 。
此外，可在本文中為了易於闡述而使用空間相對術語(諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及諸如此類)來闡述一個元件或構件與另一元件或構件之關係，如各圖中所圖解說明。該等空間相對術語意欲囊括在使用或操作中之裝置的除各圖中所繪示之定向之外的不同定向 。設備可以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)且可因此同樣地解釋本文中所使用之空間相對闡述語 。
一半導體製作設施可包含一或多個半導體處理工具以處理一半導體裝置。舉例而言，半導體製作設施可使用一或多個半導體處理工具以在一晶圓及/或晶粒上形成半導體裝置。半導體製作設施可包含一腔室，一輸送工具可經由該腔室將半導體裝置輸送至一或多個半導體處理工具及/或自一或多個半導體處理工具輸送半導體裝置。在腔室內之半導體裝置之傳送期間，半導體裝置可在腔室中曝露於污染物(例如，揮發性有機化合物(VOC)、粉塵、碎屑及其他類型之污染物)。此等污染物可致使半導體裝置發生故障，可致使在積體電路及/或半導體製作設施中所形成之半導體裝置中出現缺陷，並且可降低製造良率及品質，等等。而且，隨著待在半導體製作設施中之半導體晶圓上形成的積體電路及/或半導體裝置之裝置及/或構件大小繼續收縮，歸因於對污染物之經減小耐受性，半導體製作設施中污染物之影響可繼續變得更顯著。
為了減少對污染物之曝露，腔室可包含將一流體材料(例如，一氣體，諸如氮氣)提供至腔室之一泵口。腔室可進一步包含將流體材料自腔室排出之一風口。同時地，泵口及風口可使流體在腔室內循環以將污染物自輸送工具及/或半導體裝置排出。然而，腔室內之一流場可係不均勻的，此乃因風口及泵口在腔室內不對稱、輸送工具阻礙氣流等等。不均勻流場可降低流體在腔室中時自半導體裝置排出污染物之有效性。
本文中所闡述之某些實施方式提供可耦合至一腔室之一風口之一風口擴散器。在某些實施方式中，風口擴散器可包含多個開口以自腔室(例如，間接地自泵口)接收一流體以改良腔室內流體之一流場之均勻性。在某些實施方式中，風口擴散器可包含一第一管部件，其經構形以在一第一端處耦合至風口且在一第二端處耦合至一第二管部件。第一管部件可自腔室之一表面(例如，自包含風口之表面)延伸以將第二管部件與腔室之表面分離。舉例而言，第一管部件可將第二管部件自腔室之一下部表面升高。在某些實施方式中，第二管部件可與腔室之一下部表面大體上平行。
在某些實施方式中，第二管部件可包含沿著第二管部件之一長度隔開之複數個開口。複數個開口可朝向腔室之一最遠側壁大體上定向。在某些實施方式中，複數個開口可朝向最靠近一泵口之一側壁大體上定向。在某些實施方式中，複數個開口可大體上位於沿著第二管部件之長度之一相同高度處。複數個開口可係多邊形或橢圓形的等等。在某些實施方式中，基於自開口至將第二管部件之長度二等分之一平面的一距離或者基於自開口至第一管部件之一縱向軸線的一距離(例如，其中第一管部件耦合至第二管部件)，複數個開口之一開口可與毗鄰開口隔開。舉例而言，對於距將第二管部件之長度或第一管部件之縱向軸線二等分之平面更遠的開口，毗鄰開口之間的間隔可係較大的。
基於一半導體製作設施在腔室內包含風口擴散器，腔室可經構形以在腔室內提供一流體之一經改良流場。以此方式，風口擴散器可減少經由腔室輸送之半導體裝置的原本可能由污染物造成之缺陷，可提高半導體製作設施中之製造良率及品質，及/或可准許待在半導體製作設施中所處理之半導體晶圓上形成的積體電路及/或半導體裝置之裝置及/或構件大小繼續減小。
圖1係本文中所闡述之一實例性半導體處理環境100之一圖式。實例性半導體處理環境100可包含或者可包含於一半導體製作設施、一半導體製造廠、一半導體處理設施、一半導體潔淨室及/或在其中處理半導體裝置及/或裝置之另一環境中。如圖1中所展示，實例性半導體處理環境100可包含一腔室102、一輸送工具104、一風口擴散器106、一泵口108及一或多個半導體處理工具110以及其他工具及/或裝置。
腔室102可包含或者可包含於一大型腔室、一傳送腔室或一潔淨室以及可在製造操作期間或之間經由其輸送半導體裝置之其他裝置實例中。腔室102可包含一下部表面112、一或多個側表面114 (例如，側壁)及/或一上部表面(未展示)。泵口108可經構形以經由腔室102之一表面(諸如下部表面112、一側表面114或上部表面)將一流體提供至腔室102中。泵口108可位於未居中於對置側壁114之間的一位置中。泵口108可位於一或多個側壁114附近及/或可位於腔室102之一隅角附近。
腔室亦可包含一風口，其經構形以接收一流體並經由腔室102之一表面(諸如下部表面112、一側表面114或上部表面)將該流體自腔室102排出。在某些實施方式中，風口可經構形以用大於或等於550釐米/秒之一流動速率將流體排出。在某些實施方式中，流體包含一氣體，其經組態以將污染物自腔室102之內部中輸送工具104上方之一區域排出。風口可耦合至風口擴散器106。
在某些實施方式中，腔室102可提供一經部分或完全圍封之空間以用於一半導體裝置之輸送。腔室102可包含及/或裝納輸送工具104。輸送工具104 (例如，一晶圓/晶粒輸送工具)可包含一行動機器人、一機器人臂、一有軌電車或軌道車、一高架提升機傳送(OHT)運載工具、一自動化材料處置系統(AMHS)及/或用於在一或多個半導體處理工具110及/或往返於諸如一晶圓架、一儲存室及/或諸如此類之其他位置之間輸送裝置及/或晶粒的另一類型之工具。輸送工具104可包含輸送工具104之一或多個表面116，該等表面經構形以在腔室102內支撐一或多個半導體裝置(例如，一晶圓及/或一晶粒)。在某些實施方式中，輸送工具104可經程式化以行進一特定路徑及/或可半自動或自動地操作。
一或多個半導體處理工具110可包含經構形以在一或多個半導體晶圓及/或裝置上執行一或多個半導體處理操作之一或多個工具。舉例而言，一或多個半導體處理工具110可包含一沈積工具(例如，經構形以將一或多個層沈積至一半導體裝置上之一半導體處理工具)、一鍍覆工具(例如，經構形以將一或多個金屬層沈積至一半導體裝置上之一電鍍工具)、一曝光工具(例如，一極紫外光(EUV)工具、一電子束(e-beam)工具)、一蝕刻工具(例如，一濕式蝕刻工具、一亁式蝕刻工具)或另一類型之半導體處理工具。
在某些實施方式中，與由一或多個半導體處理工具110執行之一程序相關聯的一或多個顆粒可自一或多個半導體處理工具110行進至腔室102。若一或多個顆粒掉落在半導體裝置之一表面上，則一或多個顆粒可污染腔室102中之一半導體裝置。
為了減少腔室102內顆粒失控(OOC)率之一下降(例如，減少至大約7%或更少)，泵口108及/或風口擴散器106可經構形以相對於不具有一風口擴散器106之一腔室而提供具有一經改良流場之一流場。如圖1中所展示，風口擴散器106可以可分散由風口造成之低壓區之一方式自腔室接收一流體(例如，經由泵排氣口提供之一流體)。為了分散低壓區，風口擴散器106可包含沿著風口擴散器106之一管部件(例如，一第二管部件)之一長度隔開之複數個開口。風口擴散器106之第二管部件可沿著腔室102之一側表面114延伸。在某些實施方式中，風口擴散器106之管部件可實質上平行於腔室102之下部表面112及/或平行於腔室102之上部表面。另外或另一選擇係，風口擴散器106之管部件可實質上平行於腔室102之一側表面114。
在某些實施方式中，可在管部件內構形以複數個開口提供一經改良均勻流場。在某些實施方式中，為了提供一經改良均勻流場，複數個開口可配置有間隔(例如，沿著管部件之長度)以將低壓區分散至複數個開口中之每一者(例如，在複數個開口處具有實質上相等之壓力)。舉例而言，自複數個開口中之一開口至毗鄰開口之一間隔可係基於自開口至將管部件之長度及/或將管部件耦合至一風口的風口擴散器106之一額外管部件(例如，一第一管部件，未展示)之一縱向軸線二等分之一平面的一距離。在某些實施方式中，當開口距管部件之一中心較遠或者距至風口之一連接處較遠時，開口之間的間隔可增加。
在某些實施方式中，可以開口形狀構形以複數個開口提供一經改良均勻流場。舉例而言，複數個開口可係多邊形的(例如，六邊形的、矩形的、正方形的或三角形的等等)或彎曲的(例如，橢圓形的、圓形的或卵圓形的等等)等等。
在某些實施方式中，可以不同大小構形複數個開口以提供一經改良均勻流場。舉例而言，複數個開口中之一開口之一大小可係基於自開口至將管部件之長度及/或將管部件耦合至風口的風口擴散器106之額外管部件(例如，第一管部件，未展示)之縱向軸線二等分之平面的一距離。在某些實施方式中，當開口距管部件之一中心較遠或者距至風口之一連接處較遠時，開口之大小可減小。
基於腔室102包含風口擴散器106，腔室102可經構形以在腔室102內提供一流體之一經改良流場。以此方式，風口擴散器106可減少經由腔室102輸送之半導體裝置的原本可能由污染物造成之缺陷，可提高包含腔室102之一半導體製作設施中之製造良率及品質，及/或可准許待在半導體製作設施中所處理的半導體晶圓上形成之積體電路及/或半導體裝置之裝置及/或構件大小繼續減小。
如上文所指示，圖1係作為一實例而提供。其他實例可能與關於圖1所闡述的不同。
圖2A至圖2C係本文中所闡述之一實例性風口擴散器106之圖式。風口擴散器106可包含一管部件202，其具有一第一端204及一第二端206。管部件202可具有一高度H1、一寬度W1 (例如，在圖2B中展示)及一長度L1。在某些實施方式中，管部件202可係圓柱形的(例如，H1＝W1)。管部件202可經構形以在第一端204處將風口擴散器106耦合至一風口208。在某些實施方式中，風口208可位於一腔室102之一表面內。舉例而言，風口208可位於腔室102之一下部表面112、一側表面114或一上部表面內。管部件202可經構形以將一流體自風口擴散器106排出至風口208中。
在某些實施方式中，管部件202可在第二端206處耦合至風口擴散器106之一管部件210。管部件210可實質上垂直於管部件202。管部件210可具有一高度H2、一寬度W2 (例如，在圖2C中展示)及一長度(L2＋L3)。在某些實施方式中，管部件202可係圓柱形的(例如，H1＝W1)。在某些實施方式中，管部件210可與腔室102之一下部表面112大體上平行。
管部件210可包含沿著管部件210之一長度(L2＋L3)隔開之複數個開口212。在某些實施方式中，複數個開口212可位於實質上平行於管部件210之一縱向軸線處。複數個開口212可經構形以接收自腔室102至管部件210中之流體。複數個開口212可包含沿著管部件210之一長度隔開之開口212A、212B、212C、212D、212E、212F及/或212G。在某些實施方式中，複數個開口212可具有實質上相等之橫截面積。在某些實施方式中，複數個開口212之橫截面積可小於管部件202之第一端204之一橫截面積，管部件202經構形以將風口擴散器106耦合至風口208。
在某些實施方式中，管部件210可在管部件210之縱向端處包含一第一開口214及一第二開口216。第一開口214及第二開口216可大於複數個開口212。舉例而言，第一開口214及第二開口216可具有比複數個開口212之橫截面積大之橫截面。在某些實施方式中，第一開口214及/或第二開口216可係橢圓形開口。換言之，管部件210可具有實質上正交於管部件210之一長度之一橢圓形橫截面。
出於參考目的，圖2A圖解說明將管部件210之一長度二等分(例如，將該長度二等分成L2及L3)之一平面218、將管部件210之一高度H2實質上二等分之一平面220以及管部件202之一縱向軸線222。在某些實施方式中，縱向軸線222可實質上位於平面218內。換言之，管部件210可居中於管部件202之縱向軸線上。管部件210可耦合至實質上位於平面218處之管部件202。
在某些實施方式中，複數個開口212可關於平面218及/或縱向軸線222對稱地配置。舉例而言，開口212B可與開口212C對稱，開口212D可與開口212E對稱，且開口212F可與開口212G關於平面218及/或縱向軸線222而對稱。在某些實施方式中，複數個開口212可沿著平面220位於管部件210內。
如圖2A中所展示，開口212B可與平面218及/或縱向軸線222隔開一橫向距離D1 (例如，沿著平面220自開口212B之一中心量測)。開口212B可與開口212D隔開一橫向距離D2。開口212D可與開口212F隔開一橫向距離D3。在某些實施方式中，D1小於D2及/或D2小於D3。換言之，複數個開口212中之一開口(例如，開口212B)與一毗鄰開口(例如，開口212D)之間的間隔可係基於開口(例如，開口212B)與管部件202之縱向軸線222及/或與將管部件210之長度二等分之平面218的一橫向距離(例如，D1)。
在某些實施方式中，L2及L3可介於大約9.5釐米(cm)與大約10.5 cm之間(例如，基於腔室102之一大小)。風口擴散器106之一高度(例如，L1＋H2)可介於大約7.2 cm與8.9 cm之間。管部件210之高度H2及/或寬度W2可介於大約2.8 cm與3.4 cm之間。管部件202之寬度W1及/或長度L1可介於大約1釐米與1.4 cm之間。在某些實施方式中，複數個開口212可具有介於大約0.5 cm與1.2 cm之間的橫截面積。
基於風口擴散器106在管部件210內包含複數個開口212，風口擴散器106可經構形以在腔室102內提供一流體之一經改良流場。以此方式，風口擴散器106可減少經由腔室102輸送之半導體裝置的原本可能由污染物造成之缺陷，可提高包含腔室102之一半導體製作設施中之製造良率及品質，及/或可准許待在半導體製作設施中所處理之半導體晶圓上形成的積體電路及/或半導體裝置之裝置及/或構件大小繼續減小。
如上文所指示，圖2A至圖2C係作為一實例而提供。其他實例可與關於圖2A至圖2C所闡述的不同。
圖3A至圖3E係本文中所闡述之額外實例性風口擴散器之圖式。如由圖3A所展示，複數個開口212可係彎曲(例如，橢圓形)開口。如由圖3B所展示，複數個開口212可矩形的。如由圖3B所展示，複數個開口212可係三角形的。其他實例可包含具有與關於圖3A至圖3C所闡述的不同之形狀之開口。
如由圖3D所展示，管部件210可具有一多邊形第一開口214及/或第二開口216。換言之，管部件210可包含平坦化表面，包含舉例而言複數個開口212位於其上之一平坦化表面。
如由圖3E所展示，複數個開口212可具有不均勻大小。如所展示，開口212B可大於開口212D及/或開口212D可大於開口212F。在某些實施方式中，複數個開口212之大小可係基於複數個開口與管部件202之平面218及/或縱向軸線222之距離。在某些實施方式中，當開口距管部件202之一中心較遠或者距風口208之一連接處較遠(例如，經由管部件202之第二端206)時，大小可減小。在某些實施方式中，構形具有基於複數個開口與管部件202之平面218及/或縱向軸線222之距離而減小之大小的複數個開口212可具有與構形基於複數個開口與管部件202之平面218及/或縱向軸線222之距離之毗鄰開口之間的間隔的複數個開口212類似之一效應。
如上文所指示，圖3A至圖3E係作為風口擴散器之實例而提供。其他實例可與關於圖2A至圖2C所闡述的不同。舉例而言，複數個開口中之一開口可包含一組開口(例如，一陣列之開口)。舉例而言，一開口可在距將第二管部件之長度或第一管部件之縱向軸線二等分之平面之一相同距離處包含多個開口(例如，經堆疊開口)。在其他實例中，一開口可包含居中於距將第二管部件之長度或第一管部件之縱向軸線二等分之平面之一所定義距離上的多個開口(例如，經分群開口)。
圖4係與本文中所闡述之一或多個裝置相關聯的一裝置400之實例性組件之一圖式。裝置400可對應於與腔室102、輸送工具104及/或風口擴散器106相關聯的一裝置及/或一控制器。在某些實施方式中，裝置及/或控制器可包含一或多個裝置400及/或裝置400之一或多個組件。如圖4中所展示，裝置400可包含一匯流排410，一處理器420、一記憶體430、一儲存組件440、一輸入組件450、一輸出組件460及一通信組件470。
匯流排410包含使得能夠在裝置400之組件當中進行有線及/或無線通信之一組件。處理器420包含一中央處理單元、一圖形處理單元、一微處理器、一控制器、一微控制器、一數位信號處理器、一場可程式化閘陣列、一特殊應用積體電路及/或另一類型之處理組件。處理器420係以硬體、韌體或者硬體與軟體之一組合實施。在某些實施方式中，處理器420包含能夠經程式化以執行一功能之一或多個處理器。記憶體430包含一隨機存取記憶體、一唯讀記憶體及/或另一類型之記憶體(例如，一快閃記憶體、一磁性記憶體及/或一光學記憶體)。
儲存組件440儲存與裝置400之操作有關之資訊及/或軟體。舉例而言，儲存組件440可包含一硬碟機、一磁碟機、一光碟機、一固態磁碟機、一光碟、一數位多功能碟片及/或另一類型之非暫時性電腦可讀媒體。輸入組件450使得裝置400能夠接收輸入，諸如使用者輸入及/或所感測輸入。舉例而言，輸入組件450可包含一觸控螢幕、一鍵盤、一小鍵盤、一滑鼠、一按鈕、一麥克風、一開關、一感測器、一全球定位系統組件、一加速度計、一陀螺儀及/或一致動器。輸出組件460使得裝置400能夠諸如經由一顯示器、一揚聲器及/或一或多個發光二極體提供輸出。通信組件470使得裝置400能夠諸如經由一有線連接及/或一無線連接與其他裝置通信。舉例而言，通信組件470可包含一接收器、一發射器、一收發器、一數據機、一網路介面卡及/或一天線。
裝置400可執行本文中所闡述之一或多個程序。舉例而言，一非暫時性電腦可讀媒體(例如，記憶體430及/或儲存組件440)可儲存一組指令(例如，一或多個指令、代碼、軟體代碼及/或可程式化代碼)以供處理器420執行。處理器420可執行該組指令以執行本文中所闡述之一或多個程序。在某些實施方式中，由一或多個處理器420執行該組指令致使一或多個處理器420及/或裝置400執行本文中所闡述之一或多個程序。在某些實施方式中，硬連線電路系統可用於代替指令或與指令組合以執行本文中所闡述之一或多個程序。因此，本文中所闡述之實施方案並不限於硬體電路系統與軟體之任何特定組合。
圖4中所展示之組件數目及配置係作為一實例而提供。與圖4中所展示之彼等組件相比，裝置400可包含額外組件、較少組件、不同組件或經不同配置之組件。另外或另一選擇係，裝置400之一組組件(例如，一或多個組件)可執行闡述為由裝置400之另一組組件執行之一或多個功能。
圖5係與風口擴散器相關聯的一實例性程序500之一流程圖。在某些實施方式中，圖5之一或多個程序方塊可由一風口擴散器(例如，風口擴散器106)執行。在某些實施方式中，圖5之一或多個程序方塊可由與風口擴散器分離或包含風口擴散器之另一裝置或一群組裝置(諸如腔室102、輸送工具104、風口擴散器106)及/或與腔室102、輸送工具104及/或風口擴散器106相關聯的一裝置及/或一控制器執行。另外或另一選擇係，圖5之一或多個程序方塊可由裝置400之一或多個組件(諸如處理器420、記憶體430、儲存組件440、輸入組件450、輸出組件460及/或通信組件470)執行。
如圖5中所展示，程序500可包含經由沿著一風口擴散器之一第一管部件之一長度隔開的複數個開口自一腔室接收一流體(方塊510)。舉例而言，風口擴散器106可經由沿著風口擴散器106之一第一管部件210之一長度隔開的複數個開口212自一腔室102接收一流體，如上文所闡述。在某些實施方式中，第一管部件210耦合至風口擴散器106之一第二管部件202。
如圖5中進一步所展示，程序500可包含將流體自第一管部件提供至風口擴散器之第二管部件(方塊520)。舉例而言，風口擴散器106可將流體自第一管部件210提供至第二管部件202，如上文所闡述。在某些實施方式中，第二管部件202在第二管部件202之一第一端204處耦合至腔室102之一風口208。在某些實施方式中，第二管部件202在第二管部件202之一第二端206處耦合至第一管部件210。
如圖5中進一步所展示，程序500可包含經由第二管部件將流體提供至風口(方塊530)。舉例而言，風口擴散器106可經由第二管部件202將流體提供至風口208，如上文所闡述。
程序500可包含額外實施方式，諸如下文所闡述的及/或結合本文中他處所闡述之一或多個其他程序的任一單個實施方式或實施方式之任一組合。
在一第一實施方式中，該第一管部件在將該第一管部件之一長度二等分之一平面處耦合至該第二管部件。
在一第二實施方式中，單獨地或與該第一實施方式組合，該複數個開口沿著將該第一管部件之一高度實質上二等分之一平面而位於該第一管部件內。
在一第三實施方式中，單獨地或與該第一實施方式及該第二實施方式中之一或多者組合，該複數個開口中之一第一開口位於距該第二管部件之一縱向軸線之一第一橫向距離處，其中該複數個開口中之一第二開口位於距該第一開口之一第二橫向距離處，且其中該第二橫向距離大於該第一橫向距離。
在一第四實施方式中，單獨地或與該第一實施方式至該第三實施方式中之一或多者組合，該第一管部件具有實質上正交於該第一管部件之一長度之一橢圓形橫截面。
在一第五實施方式中，單獨地或與該第一實施方式至該第四實施方式中之一或多者組合，該複數個開口關於該第二管部件之一縱向軸線對稱地配置。
在一第六實施方式中，單獨地或與該第一實施方式至該第五實施方式組合，該第一管部件在一第一端處包括一第一開口且在一第二端處包括一第二開口，且其中該第一開口具有一第一橫截面積且該第二開口具有一第二橫截面積，其中該第一橫截面積及該第二橫截面積大於該複數個開口之橫截面積。
在一第七實施方式中，單獨地或與該第一實施方式至該第六實施方式中之一或多者組合，該複數個開口之橫截面積係實質上相等的。
在一第八實施方式中，單獨地或與該第一實施方式至該第七實施方式中之一或多者組合，該複數個開口之橫截面積小於該第二管部件之該第一端之一橫截面積。
儘管圖5展示程序500之實例性方塊，但在某些實施方式中，與圖5中所繪示之彼等方塊相比，程序500可包含額外方塊、較少方塊、不同方塊或經不同配置之方塊。另外或另一選擇係，可並行執行程序500之方塊中之一或多者。
圖6係與風口擴散器相關聯的一實例性程序600之一流程圖。在某些實施方式中，圖6之一或多個程序方塊可由一風口擴散器(例如，風口擴散器106)執行。在某些實施方式中，圖6之一或多個程序方塊可由與風口擴散器分離或包含風口擴散器之另一裝置或一群組裝置(諸如腔室102、輸送工具104、風口擴散器106)及/或與腔室102、輸送工具104及/或風口擴散器106相關聯的一裝置及/或一控制器執行。另外或另一選擇係，圖6之一或多個程序方塊可由裝置400之一或多個組件(諸如處理器420、記憶體430、儲存組件440、輸入組件450、輸出組件460及/或通信組件470)執行。
如圖6中所展示，程序600可包含經由一風口擴散器之一第一管部件自一腔室接收一流體，其中第一管部件經構形以經由沿著將第一管部件之一高度實質上二等分之一平面隔開的複數個開口接收流體(方塊610)。舉例而言，風口擴散器106可經由風口擴散器106之一第一管部件210自一腔室102接收一流體，如上文所闡述。在某些實施方式中，第一管部件210經構形以經由沿著將第一管部件210之一高度H2實質上二等分之一平面220隔開的複數個開口212接收流體。在某些實施方式中，複數個開口212關於第二管部件202之一縱向軸線222係實質上對稱的。在某些實施方式中，複數個開口212中之一開口212與一毗鄰開口212之間的間隔係基於開口212與風口擴散器106之一第二管部件202之縱向軸線222的一橫向距離。
如圖6中進一步所展示，程序600可包含在第二管部件處自第一管部件接收流體(方塊620)。舉例而言，風口擴散器106可在第二管部件202處自第一管部件210接收流體，如上文所闡述。在某些實施方式中，第二管部件202在第二管部件202之一第一端204處耦合至腔室102之一風口208。在某些實施方式中，第二管部件202在第二管部件202之一第二端206處耦合至第一管部件210。
如圖6中進一步所展示，程序600可包含經由第二管部件將流體提供至風口(方塊630)。舉例而言，風口擴散器106可經由第二管部件202將流體提供至風口208，如上文所闡述。
程序600可包含額外實施方式，諸如下文所闡述的及/或結合本文中他處所闡述之一或多個其他程序的任一單個實施方式或實施方式之任一組合。
在一第一實施方式中，該第一管部件實質上平行於該腔室之一下部表面。
在一第二實施方式中，單獨地或與該第一實施方式組合，該第一管部件實質上垂直於該第二管部件。
在一第三實施方式中，單獨地或與該第一實施方式及該第二實施方式中之一或多者組合，該複數個開口包括多邊形開口。
在一第四實施方式中，單獨地或與該第一實施方式至該第三實施方式中之一或多者組合，該等多邊形開口包括六邊形開口。
儘管圖6展示程序600之實例性方塊，但在某些實施方式中，與圖6中所繪示之彼等方塊相比，程序600可包含額外方塊、較少方塊、不同方塊或經不同配置之方塊。另外或另一選擇係，可並行執行程序600之方塊中之一或多者。
基於一腔室包含一風口擴散器106 (例如，如關於圖2A至圖3E所闡述)，腔室可經構形以在腔室內提供一流體之一經改良流場。以此方式，風口擴散器可減少經由腔室輸送之半導體裝置的原本可能由污染物造成之缺陷，可提高包含腔室之一半導體製作設施中之製造良率及品質，及/或可准許待在半導體製作設施中所處理之半導體晶圓上形成的積體電路及/或半導體裝置之裝置及/或構件大小繼續減小。
如上文所更詳細闡述，本文中所闡述之某些實施方式提供一種方法。該方法包含經由沿著一風口擴散器之一第一管部件之一長度隔開的複數個開口自一腔室接收一流體，其中該第一管部件耦合至該風口擴散器之一第二管部件。該方法亦包含將該流體自該第一管部件提供至該第二管部件，其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該腔室之一風口，且其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件。該方法進一步包含經由該第二管部件將該流體提供至該風口。
如上文所更詳細闡述，本文中所闡述之某些實施方式提供一種方法。該方法包含經由一風口擴散器之一第一管部件自一腔室接收一流體，其中該第一管部件經構形以經由沿著將該第一管部件之一高度實質上二等分之一平面隔開的複數個開口接收該流體。該複數個開口關於該第一管部件之一縱向軸線係實質上對稱的，且該複數個開口中之一開口與一毗鄰開口之間的間隔係基於該開口與該風口擴散器之一第二管部件之該縱向軸線的一橫向距離。該方法亦包含在該第二管部件處自該第一管部件接收該流體，其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該腔室之一風口，且其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件。該方法進一步包含經由該第二管部件將該流體提供至該風口。
如上文所更詳細闡述，本文中所闡述之某些實施方式提供一種腔室。該腔室在該腔室之一內部之包含一輸送工具。該腔室亦在該腔室之該內部之一表面上包含一風口。該腔室進一步包含包括一第一管部件及一第二管部件之一風口擴散器。該第一管部件包括沿著該第一管部件之一長度隔開之複數個開口，其中該複數個開口經構形以自該腔室接收一流體。該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該風口，且該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件。該第二管部件經構形以在該第二端處自該第一管部件接收該流體並且在該第一端處將該流體提供至該風口。
前述內容概述數個實施例之構件，使得熟習此項技術者可較佳地理解本揭露之態樣 。熟習此項技術者應瞭解，其可容易地使用本揭露作為設計或修改用於執行與本文中所介紹之實施例相同之目的及/或實現與該等實施例相同之優點的其他製程及結構之一基礎 。熟習此項技術者亦應認識到，此等等效構造並不背離本揭露之精神及範疇，且其可在不背離本揭露之精神及範疇的情況下在本文中做出各種改變、替換及更改 。
100:實例性半導體處理環境 102:腔室 104:輸送工具 106:風口擴散器/實例性風口擴散器 108:泵口 110:半導體處理工具 112:下部表面 114:側表面/側壁 116:表面 202:管部件/第二管部件 204:第一端 206:第二端 208:風口 210:管部件/第一管部件 212A:開口 212B:開口 212C:開口 212D:開口 212E:開口 212F:開口 212G:開口 214:第一開口/多邊形第一開口 216:第二開口/多邊形第二開口 218:平面 220:平面 222:縱向軸線 410:匯流排 420:處理器 430:記憶體 440:儲存組件 450:輸入組件 460:輸出組件 470:通信組件 500:實例性程序/程序 510:方塊 520:方塊 530:方塊 600:實例性程序/程序 610:方塊 620:方塊 630:方塊 D1:橫向距離 D2:橫向距離 D3:橫向距離 H1:高度 H2:高度 L1:長度 L2:長度 L3:長度 W1:寬度 W2:寬度
依據與附圖一起閱讀時之以下詳細闡述最佳地理解本揭露之各態樣 。應注意，根據工業中之標準實踐，各種構件未必按比例繪製 。實際上，為論述清晰起見，可任意地增加或減小各種構件之尺寸 。
圖1係本文中所闡述之一半導體處理環境之一實例之一圖式。
圖2A至圖2C係本文中所闡述之一實例性風口擴散器之圖式。
圖3A至圖3E係本文中所闡述之額外實例性風口擴散器之圖式。
圖4係與本文中所闡述之一或多個裝置相關聯的一裝置之實例性組件之一圖式。
圖5及圖6係與一風口擴散器相關聯的實例性程序之流程圖。
100:實例性半導體處理環境
102:腔室
104:輸送工具
106:風口擴散器/實例性風口擴散器
108:泵口
110:半導體處理工具
112:下部表面
114:側表面/側壁
116:表面

Claims (10)

  1. 一種提供一流體的方法，其包括： 經由沿著一風口擴散器之一第一管部件之一長度隔開的複數個開口自一腔室接收該流體， 其中該第一管部件耦合至該風口擴散器之一第二管部件； 將該流體自該第一管部件提供至該第二管部件， 其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該腔室之一風口，且 其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件；及 經由該第二管部件將該流體提供至該風口。
  2. 如請求項1之方法，其中該第一管部件在將該第一管部件之一長度二等分之一平面處耦合至該第二管部件。
  3. 如請求項1之方法，其中該複數個開口中之一第一開口位於距該第二管部件之一縱向軸線之一第一橫向距離處， 其中該複數個開口中之一第二開口位於距該第一開口之一第二橫向距離處，且 其中該第二橫向距離大於該第一橫向距離。
  4. 如請求項1之方法，其中該第一管部件具有實質上正交於該第一管部件之一長度之一橢圓形橫截面。
  5. 如請求項1之方法，其中該第一管部件在一第一端處包括一第一開口且在一第二端處包括一第二開口， 其中該第一開口具有一第一橫截面積且該第二開口具有一第二橫截面積，且 其中該第一橫截面積及該第二橫截面積大於該複數個開口之橫截面積。
  6. 一種提供一流體的方法，其包括： 經由一風口擴散器之一第一管部件自一腔室接收該流體， 其中該第一管部件經構形以經由沿著將該第一管部件之一高度實質上二等分之一平面隔開的複數個開口接收該流體， 其中該複數個開口關於該第一管部件之一縱向軸線係實質上對稱的，且 其中該複數個開口中之一開口與一毗鄰開口之間的間隔係基於該開口與該風口擴散器之一第二管部件之該縱向軸線的一橫向距離； 在該第二管部件處自該第一管部件接收該流體， 其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該腔室之一風口，且 其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件；及 經由該第二管部件將該流體提供至該風口。
  7. 如請求項6之方法，其中該第一管部件實質上平行於該腔室之一下部表面。
  8. 一種用於製造半導體裝置的腔室，其包括： 一輸送工具，其位於該腔室之一內部中； 一風口，其位於該腔室之該內部之一表面上；及 一風口擴散器，其包括一第一管部件及一第二管部件， 其中該第一管部件包括沿著該第一管部件之一長度隔開之複數個開口，該複數個開口經構形以自該腔室接收一流體， 其中該第二管部件在該第二管部件之一第一端處耦合至該風口， 其中該第二管部件在該第二管部件之一第二端處耦合至該第一管部件，且 其中該第二管部件經構形以在該第二端處接收來自該第一管部件之該流體並且在該第一端處將該流體提供至該風口。
  9. 如請求項8之腔室，其中該流體包括一氣體，其經組態以自該腔室之該內部中該輸送工具上方的一區域排出污染物。
  10. 如請求項8之腔室，其中該複數個開口沿著實質上平行於該輸送工具之該表面之一平面而位於該第二管部件內，該表面經構形以支撐一晶圓或一晶粒。
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