TWI828053B - 半導體加工工具及其排氣系統 - Google Patents

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TWI828053B TW111103917A TW111103917A TWI828053B TW I828053 B TWI828053 B TW I828053B TW 111103917 A TW111103917 A TW 111103917A TW 111103917 A TW111103917 A TW 111103917A TW I828053 B TWI828053 B TW I828053B
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Abstract

半導體加工工具可包括處理槽。半導體加工工具可以包 括佈置為將多個晶圓保持在處理槽上方的臂，使得多個晶圓中的晶圓水平堆疊在處理槽上方。半導體加工工具可以包括佈置在臂上方的風扇，以允許在垂直方向上向處理槽提供穿過晶圓表面的氣流。半導體加工工具可以包括排氣系統，排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段，排氣管段基本上圍繞處理槽佈置且連接到至少一排氣輸出。一或多個排氣管段可包括多個開口，以接收待提供給至少一排氣輸出的排氣。

Description

半導體加工工具及其排氣系統
本發明的實施例是有關於一種半導體工具，特別是有關於一種半導體加工工具及其排氣系統。
半導體加工工具(semiconductor processing tool)，例如濕式工作台(wet bench)，可以包括風扇(fan)，以用於在半導體加工工具的處理之後乾燥一組晶圓(例如，在濕式清潔(wet cleaning)之後、在濕式蝕刻(wet etching)之後或類似製程)。舉例來說，風扇可以安裝在被半導體加工工具的臂(arm)所水平地保持的晶圓堆疊的位置上方。此處，風扇的佈置允許風扇將空氣吹過堆疊中晶圓的頂表面和底表面。
本發明實施例提供一種半導體加工工具，包括：處理槽、臂、風扇以及排氣系統。所述臂佈置成將多個晶圓保持在所述處理槽上方，以使在所述多個晶圓中的晶圓水平地堆疊於所述處理 槽上方。所述風扇佈置在所述臂上方，以允許在垂直方向上提供穿過所述晶圓的表面向所述處理槽的氣流。所述排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段。所述一或多個排氣管段佈置成基本上圍繞所述處理槽且連接至所述至少一排氣輸出。所述一或多個排氣管段包括多個開口，以接收將提供給所述至少一排氣輸出的排氣。
本發明實施例提供一種半導體加工工具的排氣系統，所述排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段。所述一或多個排氣管段連接至所述至少一排氣輸出，其中所述一或多個排氣管段基本上圍繞所述半導體加工工具的處理槽的周邊，以及其中所述一或多個排氣管段包括多個開口，所述多個開口在所述一或多個排氣管段的一或多個表面上且基本上圍繞所述處理槽的所述周邊。
本發明實施例提供一種半導體加工工具，包括處理槽、風扇以及排氣系統。所述風扇佈置於所述處理槽的上方，以使氣流朝向所述處理槽提供。所述排氣系統包括一或多個排氣管段，所述一或多個排氣管段佈置在所述處理槽的至少兩側上，其中所述一或多個排氣管段包括多個開口，以接收將提供給一或多個排氣輸出的排氣。
100:半導體加工工具
102:處理槽
104:臂
106:風扇
108:排氣系統
110:排氣輸出
112、112a、112b、112c、112d:排氣管段
114:開口
150:晶圓
300:裝置
310:匯流排
320:處理器
330:記憶體
340:存儲元件
350:輸入元件
360:輸出元件
370:通信元件
A:中心軸
X、X1、X2、X3、Y、Y1、Y2、Y3:長度
結合附圖閱讀以下詳細說明，會最佳地理解本發明的各 個態樣。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特徵並非按比例繪製。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1A至圖1C是如本文所述的包括排氣系統的半導體加工工具的示例性實施方式的示意圖。
圖2A至圖2C是示出結合圖1A製圖1C描述的排氣系統的排氣管段的各種示例佈置的示意圖。
圖3是如本文所述的包括排氣系統的半導體加工工具的一或多個裝置的示例性元件的示意圖。
本發明提供用於實施本發明的不同特徵的許多不同實施例或實例。以下闡述組件及排列的具體實例以簡化本發明。當然，該些僅為實例且不旨在進行限制。舉例來說，以下說明中將第一特徵形成於第二特徵之上或第二特徵上可包括其中第一特徵與第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且亦可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵進而使得所述第一特徵與所述第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本發明可能在各種實例中重複使用參考編號及/或字母。此種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如「位於…之下(beneath)」、「位於…下方(below)」、「下部的(lower)」、「位於… 上方(above)」、「上部的(upper)」等空間相對性用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵的關係。所述空間相對性用語旨在除了圖中所繪示的定向外亦囊括裝置在使用或操作中的不同定向。設備可具有其他定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文中所使用的空間相對性描述語可同樣相應地進行解釋。
在一些情況下，半導體加工工具(semiconductor processing tool)包括用於乾燥晶圓(例如，在處理後)的風扇(fan)，也包括用於從半導體加工工具抽出排氣(exhaust)的排氣輸出(exhaust output)。排氣輸出安裝在半導體加工工具的處理槽(processing tank)一側上，以在風扇將空氣吹過晶圓時抽取排氣。然而，僅安裝在半導體加工工具一側上的排氣輸出導致空氣通常以單方向(朝向排氣輸出的進氣口(intake))流動。如此的單向氣流(airflow)會導致乾燥後晶圓之間的酸性氣體(acid gas)濃度和/或水分濃度(moisture concentration)不均勻，進而增加由半導體加工工具處理後晶圓的缺陷率(defect rate)且導致成本增加，以及增加藉由這種和/或一個或多個其他半導體加工工具來處理有缺陷的晶圓的額外操作。
在此描述的一些實施方式提供了用於半導體加工工具的排氣系統(exhaust system)。在一些實施方式中，排氣系統包括至少一排氣輸出和一或多個排氣管段(exhaust pipe segment)，所述一或多個排氣管段基本上圍繞處理槽(processing tank)佈置。一 或多個排氣管段包括開口(opening)以接收提供給至少一排氣輸出的排氣。在一些實施方式中，排氣系統基本上圍繞處理槽(例如，360度圍繞)，使得在半導體加工工具的環境內的氣流均勻分佈(例如，使得空氣沿晶圓周圍的所有方向中流動，而不是單一方向)。其結果，在堆疊中的晶圓之間的酸性氣體濃度和/或水分濃度可以相對均勻，從而降低由半導體加工工具處理後晶圓的缺陷率，並減少成本和額外操作，否則由該半導體加工工具和/或一或多個其他半導體加工工具將被執行以處理有缺陷的晶圓。
圖1A至圖1C是如本文所述的包括排氣系統108的半導體加工工具100的示例性實施方式的示意圖。半導體加工工具100可以是例如設計為執行濕式清潔、濕式蝕刻或另一種製程的半導體加工操作(semiconductor processing operation)的濕式工作台。
如圖1A至圖1C所示，半導體加工工具100包括處理槽(processing tank)102、臂(arm)104、風扇(fan)106和排氣系統(exhaust system)108，其中排氣系統108包括至少一個排氣輸出(exhaust output)110和一或多個排氣管段(exhaust pipe segment)112。如下所述，一或多個排氣管段112包括多個開口114。圖1A示出了從排氣系統108上方看到的半導體加工工具100的等距視圖，圖1B示出了從排氣系統108下方看到的處理槽102和排氣系統108的等距視圖，以及圖1C是從臂104上方看到的半導體加工工具100的二維(two-dimensional，2D)頂視圖。
處理槽102是對一或多個晶圓150(例如，一個或多個半 導體晶圓)執行與半導體加工操作相關聯的元件。舉例來說，處理槽102可以是儲存溶液(例如，液體溶液)的槽，所述溶液與以濕法清潔一或多個晶圓150、以濕式蝕刻一或多個晶圓150或其他類似製程相關聯。在一些實施方式中，一或多個晶圓150可以保持在處理槽102之上，同時風扇106提供朝向一或多個晶圓150的氣流(例如，與乾燥一或多個晶圓150相關聯)。
臂104是移動、保持或以其他方式控制一或多個晶圓150位置的元件，與由半導體加工工具100執行的半導體加工操作相關聯。舉例來說，臂104可能能夠抓取多個晶圓150(例如，晶圓載體(wafer carrier)中的晶圓堆疊)、將多個晶圓150浸入處理貯槽102中的溶液、從溶液中移除多個晶圓150以及將多個晶圓150保持在處理槽102上(例如，在多個晶圓150的乾燥期間)。在一些實施方式中，如圖1A所示，臂104可以佈置成允許臂104保持多個晶圓150，使多個晶圓150中的晶圓150水平堆疊在處理槽102的上方(例如，使得所述多個晶圓150中的每一個晶圓150的頂表面和底表面以垂直方向定向)。
風扇106是提供穿過多個晶圓150表面的氣流的元件(例如，與乾燥晶圓150相關聯)。舉例來說，當臂104從處理槽102移除所述多個晶圓150之後，臂104將所述多個晶圓150保持在處理槽102的上方，風扇106可以提供穿過(例如，平行於)多個晶圓150的頂表面和底表面的氣流。在一些實施方式中，如圖1A所示，風扇106佈置在臂104的上方，允許氣流以垂直方向(例 如，從風扇106向處理槽102向下的方向)提供，以穿過多個晶圓150的表面。
排氣系統108是用於從半導體加工工具100的環境中抽取排氣，並引導排氣遠離半導體加工工具100的元件。在一些實施方式中，排氣系統108可以將排氣從半導體加工工具100的環境中抽走，同時風扇106在多個晶圓150的表面上提供氣流(例如，使得空氣流過所述多個晶圓150的表面並被排氣系統108抽取)。如所示，排氣系統108可包括至少一排氣輸出110和一或多個排氣管段112。
排氣輸出110是從一或多個排氣管段112接收排氣並將排氣引導離開半導體加工工具100環境的元件。在一些實施方式中，如圖1A至圖1C所示，排氣系統108可以包括單個排氣輸出110，且排氣系統108的一或多個排氣管段112中的每個排氣管段112連接到所述單個排氣輸出110。替代的，在一些實施方式中，排氣系統108可包括多個排氣輸出110，且一或多個排氣管段112中的至少一排氣管段112連接到所述多個排氣輸出110的每個排氣輸出110。舉例來說，當一或多個排氣管段112包括彼此不連接的第一排氣管段112和第二排氣管段112時，第一排氣管段112可以連接到在處理槽102的第一側上的第一排氣輸出110，且第二排氣管段112可以連接到在處理槽102的第二側(例如，不同的，例如相反的)上的第二排氣輸出110。
排氣管段112是從半導體加工工具100的環境接收排 氣，並將排氣提供到排氣輸出110的元件(例如，可藉由排氣輸出110引導排氣遠離半導體加工工具100的環境)。
在一些實施方式中，排氣系統108的一或多個排氣管段112基本上圍繞(例如，在至少兩側上)處理槽102佈置。舉例來說，一或多個排氣管段112可以以360度圍繞處理槽102佈置。在圖1A至圖1C所示的特定示例中，一或多個排氣管段112圍繞處理槽102的整個周邊佈置。關於一或多個排氣管段112的佈置的附加細節，將在以下關於圖2A至圖2C中進行描述。
在一些實施方式中，一或多個排氣管段112包括多個開口114，以接收提供給至少一排氣輸出110的排氣。在一些實施方式中，所述多個開口114可以基本上圍繞處理槽102的周邊佈置。例如，所述多個開口114可以(均勻地)分佈在處理槽102的周邊，如圖1B和1C所示。在一些實施方式中，所述多個開口114相對於處理槽102對應的平面上的中心軸呈對稱佈置。在一些實施方式中，開口114的這種佈置導致半導體加工工具環境內的氣流相對均勻地分佈，因為排氣基本上在圍繞處理槽102周邊的多個位置被吸入開口114(例如，不是像以前的排氣輸出那樣在單一位置)。其結果，空氣在半導體加工工具100中被乾燥的晶圓150周圍的所有方向中流動，導致在晶圓150之間的酸性氣體和/或水分濃度更均勻，從而降低了由半導體加工工具100處理後晶圓150的缺陷率。
在一些實施方式中，一或多個開口114可以位在排氣管 段112的底表面上。也就是說，在一些實施方式中，一或多個開口114可以位在排氣管段112的面向處理槽102的底部的表面上，或者在排氣管段112的遠離風扇106的表面上。在一些實施方式中，位於排氣管段112底表面上的開口114可用於防止材料(例如，液滴(liquid droplet))進入可能損壞排氣管段112的開口114。在一些實施方式中，一或多個開口114可以在一或多個排氣管段112中的排氣管段112的側表面上(例如，面向處理槽102的一側的表面，與相對於面向處理槽102一側的表面的表面等)。在一些實施方式中，一個或多個開口114可以在一或多個排氣管段112的排氣管段112的頂表面上(例如，面向風扇106的表面)。在一些實施方式中，排氣管段112可以包括在排氣管段112的底表面上的一或多個開口114、在排氣管段112的側表面上的一或多個開口114和/或在排氣管段112的頂表面上的一或多個開口114。
如上所述，提供圖1A至圖1C作為示例。其他示例可能與關於圖1A至圖1C所描述的不同。圖1A至圖1C中所示的元件的數量和佈置是作為示例性提供。實際上，與圖1A至圖1C中所示的那些相比，可能存在額外的元件、更少的元件、不同的元件或不同佈置的元件。此外，圖1A至圖1C中所示的兩個或更多個元件可在單個元件內實現，或者圖1A至圖1C中所示的單元件可實現為多個分佈式元件。附加或替代地，如圖1A至圖1C中所示的一組元件(例如，一或多個元件)可以執行被描述為由圖1A-1C中所示的另一組元件所執行的一或多個功能。
圖2A至圖2C示出了排氣系統108的排氣管段112的各種示例性佈置的示意圖。圖2A至圖2C示出了排氣系統108的排氣管段112的2D仰視圖。為了清楚起見，圖2A至圖2C中僅示出了一或多個排氣管段112(具有開口114)和處理槽102。
在一些實施方式中，一或多個排氣管段112由單個排氣管段112組成，所述單個排氣管段112基本上圍繞(例如，在至少兩側上)處理槽102的周邊。圖2A示出了圍繞處理槽102整個周邊的單個排氣管段112的示例性示意圖。值得注意的是，在圖2A所示的示例中，所述多個開口114的圖案基本上對稱於處理槽102對應的平面上的中心軸A。在一些實施方式中，如圖2A所示，排氣管段112的給定側的長度可以大於或等於處理槽102的相應側的長度(例如，X1可以大於或等於X和/或Y1可以大於或等於Y)。
在一些實施方式中，一或多個排氣管段112包括多個排氣管段112，所述多個排氣管段112被佈置成使得在所述多個排氣管段112中的兩個之間沿著處理槽102的一側存在間隙(gap)。舉例來說，如圖2B所示，排氣管段112a至112d可以佈置成環繞處理槽102，使得第一間隙位於沿著處理槽102的第一側的排氣管段112a和112b之間，第二間隙位於沿著處理槽102的第二側的排氣管段112b和112c之間，第三間隙位於沿著處理槽102的第三側的排氣管段112c和112d之間，以及第四間隙位於沿著處理槽102的第四邊的排氣管段112d和112a之間。在一些實施方式 中，如圖2B所示，沿處理槽102的一側的間隙的長度可小於或等於處理槽102的對應側的長度(例如，X2可小於或等於X和/或Y2可小於或等於Y)。值得注意的是，在圖2B所示的示例中，所述多個開口114的圖案相對於處理槽102的平面上的中心軸A基本對稱。在一些實施方式中，排氣管段112a至112d可以連接到單個排氣輸出110或不同的排氣輸出110。
在一些實施中，一或多個排氣管段112包括多個排氣管段112，所述多個排氣管段112佈置成使得在所述多個排氣管段112中的兩個之間的處理槽102的轉角處存在間隙。舉例來說，如圖2C所示，排氣管段112a至112d可以圍繞處理槽102佈置，使得第一間隙位於排氣管段112a和112b之間的處理槽102的第一轉角處，第二間隙位於排氣管段112b和112c之間的處理槽102的第二轉角處，第三間隙位於排氣管段112c和112d之間的處理槽102的第三轉角處，以及第四間隙位於排氣管段112d和112a之間的處理槽102的第四轉角處。在一些實施方式中，如圖2C所示，排氣管段112沿處理槽102的一側的長度可以小於或等於處理槽102的相應側的長度(例如，X3可以小於或等於X和/或Y3可以小於或等於Y)。值得注意的是，在圖2C所示的示例中，所述多個開口114的圖案相對於處理槽102的平面上的中心軸A基本對稱。在一些實施方式中，排氣管段112a至112d可以連接到單個排氣輸出110或不同的排氣輸出110。
值得注意的是，圖2A至圖2C中所示的特徵的組合可以 存在於給定的排氣系統108中。例如，在一些實施方式中，處理槽102的第一側上的排氣管段112的長度可以大於或等於處理槽102的第一側的長度(例如，X1
Figure 111103917-A0305-02-0014-8
X)，而沿著處理槽102的第二側邊的間隙的長度可以小於或等於處理槽102的第二側的長度(例如，Y2
Figure 111103917-A0305-02-0014-9
Y)。作為另一示例，在一些實施方式中，處理槽102的第一側上的排氣管段112的長度可以大於或等於處理槽102的第一側的長度(例如，X1
Figure 111103917-A0305-02-0014-10
X)，而沿著處理槽102的第二側的排氣管段112長度可以小於或等於處理槽102的第二側的長度(例如，Y3
Figure 111103917-A0305-02-0014-11
Y)。作為另一示例，在一些實施方式中，沿著處理槽102的第一側的間隙的長度可以小於或等於處理槽102的第一側的長度(例如，X2
Figure 111103917-A0305-02-0014-12
X)，而沿著處理槽102的第二側的排氣管段112的長度可以小於或等於處理槽102的第二側的長度(例如，Y3
Figure 111103917-A0305-02-0014-13
Y)。
如上所述，提供圖2A至圖2C作為示例。其他示例可能與關於圖2A至圖2C所描述的不同。圖2A至圖2C中所示的元件的數量和佈置是作為示例性提供。實際上，與圖2A至圖2C中所示的那些相比，可能存在額外的元件、更少的元件、不同的元件或不同佈置的元件。此外，圖2A至圖2C中所示的兩個或更多個元件可在單個元件內實現，或者圖2A至圖2C中所示的單個元件可實現為多個分佈式元件。附加或替代地，如圖2A至圖2C中所示的一組元件(例如，一或多個元件)可以執行被描述為由圖2A-2C中所示的另一組元件所執行的一或多個功能。
圖3是裝置(device)300的示例性元件的示意圖，其可 以對應於半導體加工工具100和/或半導體加工工具100的一或多個元件(例如，處理槽102、臂104、風扇106、排氣系統108或類似元件)。在一些實施方式中，半導體加工工具100和/或半導體加工工具100的一或多個元件可以包括一或多個裝置300和/或裝置300的一或多個元件。如圖3所示，裝置300可以包括匯流排(bus)310、處理器(processor)320、記憶體(memory)330、存儲元件(storage component)340、輸入元件(input component)350、輸出元件(output component)360以及通信元件(communication component)370。
匯流排310包括能夠在裝置300的元件之間進行有線和/或無線通信的元件。處理器320包括中央處理單元(central processing unit)、圖形處理單元(graphics processing unit)、微處理器(microprocessor)、控制器(controller)、微控制器(microcontroller)、數位訊號處理器digital signal processor)、現場可程式化邏輯閘陣列(field-programmable gate array)、特定應用積體電路(application-specific integrated circuit)和/或另一種類型的處理元件。處理器320以硬體(hardware)、韌體(firmware)或硬體(hardware)以及軟體(software)的組合來實現。在一些實施方式中，處理器320包括能夠被編程以執行功能的一或多個處理器。記憶體330包括隨機存取記憶體(random access memory)、惟讀記憶體(random access memory)和/或另一種類型的記憶體(例如，快閃記憶體(flash memory)、磁記憶體(magnetic memory)和/或光記憶體(optical memory))。
存儲元件340存儲與裝置300的操作相關的信息(information)和/或軟體(software)。舉例來說，存儲元件340可以包括硬碟(hard disk drive)、磁碟(magnetic disk drive)、光碟(optical disk drive)、固態硬碟(solid state disk drive)、光碟(compact disc)、數位多功光碟(digital versatile disc)和/或另一種類型的非暫時性電腦可讀取媒體(non-transitory computer-readable medium)。輸入元件350使裝置300能夠接收輸入，例如使用者輸入和/或感測到的輸入。舉例來說，輸入元件350可以包括觸摸屏(touch screen)、鍵盤(keyboard)、小鍵盤(keypad)、滑鼠(mouse)、按鈕(button)、麥克風(microphone)、開關(switch)、傳感器(sensor)、全球定位系統元件(global positioning system component)、加速度計(accelerometer)、陀螺儀(gyroscope)和/或致動器(actuator)。輸出元件360使裝置300能夠提供輸出，例如經由顯示器(display)、揚聲器(speaker)和/或一或多個發光二極管(light-emitting diodes)。通信元件370使裝置300能夠與其他裝置通信，例如通過有線連接(wired connection)和/或無線連接(wireless connection)。舉例來說，通信元件370可以包括接收器(receiver)、發送器(transmitter)、收發器(transceiver)、數據機(modem)、網絡介面卡(network interface card)和/或天線(antenna)。
裝置300可以執行於此描述的一或多個過程。舉例來說， 非暫時性電腦可讀取媒體(例如，記憶體330和/或存儲元件340)可以存儲由處理器320執行的一組指令(例如，一個或多個指令、代碼、軟體代碼和/或程序代碼)。處理器320可以執行該組指令以執行於此描述的一或多個進程。在一些實施方式中，由一或多個處理器320執行該組指令導致該一或多個處理器320和/或裝置300執行於此描述的一個或多個進程。在一些實施方式中，可以使用硬佈線電路(hardwired circuitry)代替指令或與指令結合使用，以執行於此描述的一個或多個進程。因此，這裡描述的實施方式不限於硬體電路(hardware circuitry)和軟體的任何特定組合。
圖3中所示的元件的數量和佈置是作為示例性提供。與圖3中所示的那些相比，裝置300可以包括額外的元件、更少的元件、不同的元件或不同佈置的元件。附加或替代地，裝置300的一組元件(例如，一或多個元件)可以執行一或多個被描述為由裝置300的另一組元件所執行的功能。
以此方式，一種用於半導體加工工具的排氣系統可以包括一或多個排氣管段，所述排氣管段基本上圍繞處理槽佈置，其中所述一或多個排氣管段具有開口以接收待提供給至少一排氣輸出的排氣。其結果，半導體加工工具環境內的氣流可能是均勻分佈的(例如，使空氣在半導體加工工具中乾燥的晶圓周圍向所有方向流動，而不是單一方向)，使得晶圓之間的酸性氣體濃度和/或水分濃度均勻，從而降低了由半導體加工工具處理後的晶圓的缺陷率。
如上所述，在此描述的一些實施方式提供了一種半導體加工工具和一種半導體加工工具的排氣系統。
如上所述，在此描述的一些實施方式提供了一種半導體加工工具。所述半導體加工工具包括處理槽。所述半導體加工工具包括臂，所述臂佈置成將多個晶圓保持在所述處理槽的上方，使得所述多個晶圓中的晶圓水平堆疊在所述處理槽的上方。所述半導體加工工具包括佈置在所述臂上的風扇，以允許在垂直方向上向所述處理槽提供穿過所述晶圓的表面的氣流。所述半導體加工工具包括排氣系統，所述排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段，所述排氣管段基本上圍繞所述處理槽佈置並連接至所述至少一排氣輸出，其中所述一或多個排氣管段包括多個開口以接收提供給所述至少一排氣輸出的排氣。在實施例中，所述一或多個排氣管段以360度圍繞所述處理槽排列。在實施例中，所述多個開口圍繞所述處理槽的周邊均勻分佈。在實施例中，所述多個開口中的至少一開口位於所述一或多個排氣管段中的排氣管段的底表面上。在實施例中，所述多個開口中的至少一開口位於所述一或多個排氣管段中的排氣管段的側表面上。在實施例中，所述多個開口中的至少一開口位於所述一或多個排氣管段中的排氣管段的頂表面上。在實施例中，所述一或多個排氣管段包括多個排氣管段，所述多個排氣管段佈置成使得在所述多個排氣管段中的兩者之間沿著所述處理槽的一側存在間隙。在實施例中，所述一或多個排氣管段包括多個排氣管段，所述多個排氣管 段佈置成使得在所述多個排氣管段中的兩者之間的所述處理槽的轉角處存在間隙。在實施例中，所述多個開口相對於所述處理槽對應的平面上的中心軸對稱佈置。在實施例中，所述半導體加工工具是濕式工作台。在實施例中，所述一或多個排氣管段包括多個排氣管段且所述至少一排氣輸出包括多個排氣輸出，其中所述多個排氣管段中的排氣管段用於向所述多個排氣輸出之一者提供排氣。
如上所述，在此描述的一些實施方式提供了一種半導體加工工具的排氣系統。所述排氣系統包括至少一排氣輸出。所述排氣系統包括連接到所述至少一排氣輸出的一或多個排氣管段，其中所述一或多個排氣管段基本上圍繞所述半導體加工工具的處理槽的周邊，以及其中所述一或多個排氣管段包括多個開口，所述多個開口位於所述一或多個排氣管段的一或多個表面上，並且基本上圍繞所述處理槽的周邊。在實施例中，所述一或多個排氣管段圍繞所述處理槽的整個所述周邊佈置。在實施例中，所述多個開口圍繞所述處理槽的整個所述周邊分佈。在實施例中，所述多個開口中的至少一個開口位於排氣管段面向所述處理槽的底部的表面上。在實施例中，所述一或多個排氣管段包括多個排氣管段，其中在所述多個排氣管段中的兩者之間沿著所述處理槽的一側或在所述處理槽的轉角處存在間隙。在實施例中，所述多個開口的圖案是基本上對稱於所述處理槽對應的平面上的中心軸。
如上所述，在此描述的一些實施方式提供了一種半導體 加工工具。所述半導體加工工具包括處理槽。所述半導體加工工具包括佈置在所述處理槽上方的風扇，以使氣流朝向所述處理槽提供。所述半導體加工工具包括排氣系統，所述排氣系統包括佈置在所述處理槽的至少兩側的一或多個排氣管段，其中所述一或多個排氣管段包括多個開口以接收提供給一或多個排氣輸出的排氣。在實施例中，所述一或多個排氣管段由圍繞所述處理槽的周邊的單個排氣管段組成。在實施例中，所述多個開口中的至少一開口遠離所述風扇。
以上概述了若干實施例的特徵，以使熟習此項技術者可更佳地理解本發明的各個態樣。熟習此項技術者應理解，他們可容易地使用本發明作為設計或潤飾其他製程及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的及/或達成與本文中所介紹的實施例相同的優點。熟習此項技術者亦應認識至，該些等效構造並不背離本發明的精神及範圍，而且他們可在不背離本發明的精神及範圍的條件下對其作出各種改變、代替及變更。
100:半導體加工工具
102:處理槽
104:臂
106:風扇
108:排氣系統
110:排氣輸出
112:排氣管段
114:開口
150:晶圓

Claims (10)

  1. 一種半導體加工工具，包括：處理槽；臂，佈置成將多個晶圓保持在所述處理槽上方，以使在所述多個晶圓中的晶圓水平地堆疊於所述處理槽上方；風扇，佈置在所述臂上方，以允許在垂直方向上提供穿過所述晶圓的表面向所述處理槽的氣流；以及排氣系統，包括：至少一排氣輸出；以及一或多個排氣管段，佈置成基本上圍繞所述處理槽且連接至所述至少一排氣輸出，其中所述一或多個排氣管段包括多個開口，以接收將提供給所述至少一排氣輸出的排氣。
  2. 如請求項1所述的半導體加工工具，其中所述一或多個排氣管段以360度圍繞所述處理槽排列。
  3. 如請求項1所述的半導體加工工具，其中所述多個開口中的至少一開口位於所述一或多個排氣管段中的排氣管段的底表面上。
  4. 如請求項1所述的半導體加工工具，其中所述一或多個排氣管段包括多個排氣管段，所述多個排氣管段佈置成使得在所述多個排氣管段中的兩者之間沿著所述處理槽的一側存在間隙。
  5. 如請求項1所述的半導體加工工具，其中所述一或多個排氣管段包括多個排氣管段，所述多個排氣管段佈置成使得在所述多個排氣管段中的兩者之間的所述處理槽的轉角處存在間隙。
  6. 如請求項1所述的半導體加工工具，其中所述多個開口相對於所述處理槽對應的平面上的中心軸對稱佈置。
  7. 如請求項1所述的半導體加工工具，其中所述一或多個排氣管段包括多個排氣管段且所述至少一排氣輸出包括多個排氣輸出，其中所述多個排氣管段中的排氣管段用於向所述多個排氣輸出之一者提供排氣。
  8. 一種半導體加工工具的排氣系統，所述排氣系統包括：至少一排氣輸出；以及一或多個排氣管段，連接至所述至少一排氣輸出，其中所述一或多個排氣管段基本上圍繞所述半導體加工工具的處理槽的周邊，以及其中所述一或多個排氣管段包括多個開口，所述多個開口在所述一或多個排氣管段的一或多個表面上且基本上圍繞所述處理槽的所述周邊。
  9. 一種半導體加工工具，包括：處理槽； 風扇，佈置於所述處理槽的上方，以使氣流朝向所述處理槽提供；以及排氣系統，包括一或多個排氣管段，所述一或多個排氣管段佈置在所述處理槽的至少兩側上，其中所述一或多個排氣管段包括多個開口，以接收將提供給一或多個排氣輸出的排氣。
  10. 如請求項9所述的半導體加工工具，其中所述一或多個排氣管段由圍繞所述處理槽的周邊的單個排氣管段組成。
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