KR101057530B1 - 반도체 장치 제조 설비를 위한 확대된 본체 - Google Patents
반도체 장치 제조 설비를 위한 확대된 본체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101057530B1 KR101057530B1 KR1020087017789A KR20087017789A KR101057530B1 KR 101057530 B1 KR101057530 B1 KR 101057530B1 KR 1020087017789 A KR1020087017789 A KR 1020087017789A KR 20087017789 A KR20087017789 A KR 20087017789A KR 101057530 B1 KR101057530 B1 KR 101057530B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- coupled
- face
- semiconductor device
- extended
- device manufacturing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
제1 태양에서, 반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위하여 제1 본체가 제공된다. 제1 본체는 (1) 로봇을 수용하도록 구성된 중앙 이송 영역을 한정하는 측벽; (2) 상기 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및 (3) 상기 측벽 상에 형성되는 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 연장된 면을 포함한다. 다양한 다른 태양들이 제공된다.
반도체 장치, 본체, 처리 챔버
Description
본원발명은 2005년 12월 20일에 출원된 미국 가출원 제 60/752,459 "반도체 장치 제조 설비를 위한 확대된 본체 구성"(대리인 서류 번호 10799/L)에 대해 우선권을 주장하며, 상기 특허출원의 내용은 모든 목적에 대해 그 전체로서 본 명세서에 참조로 병합된다.
본원발명은 반도체 장치 제조에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 반도체 장치 제조 설비를 위한 확대된 본체 구성에 관한 것이다.
반도체 장치 제조 공정은 주로 중앙 이송 챔버 주변에 다수의 처리 챔버 및/또는 로드 록 챔버가 결합되는 본체를 구비하는 기기로 실행된다. 처리 챔버들은 각각 고유의 처리과정을 수행하거나, 또는 많은 경우에, 여분 및/또는 관련 처리과정을 수행할 수 있다.
반도체 장치 제조 기기의 적절한 동작을 보장하기 위해서는, 처리, 로드 록 및 기타 기기의 챔버들이 유지보수되어야 한다. 챔버들을 유지하기에 충분한 접근(access)이 요구된다. 그러나, 일부 경우에, 이러한 접근의 제공은 시스템의 생산량을 제한할 수 있다.
본원발명의 제1 태양에서는, 반도체 장치 제조공정 동안에 사용하기 위한 제1 본체가 제공된다. 상기 제1 본체는 (1) 로봇을 수용하도록 구성된 중앙 이송 영역을 한정하는 측벽; (2) 상기 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및 (3) 상기 측벽 상에 형성되는 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 연장된 면; 을 포함한다.
본원발명의 제2 태양에서는, 반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 시스템이 제공된다. 상기 시스템은 (1) 로봇을 수용하도록 구성된 중앙 이송 영역을 한정하는 측벽; (2) 상기 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및 (3) 상기 측벽 상에 형성되는 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 연장된 면; 을 갖는 본체를 포함한다. 상기 시스템은 또한 (a) 상기 본체의 중앙 이송 영역 내에 위치하는 로봇; (b) 상기 다수의 면 중 첫 번째에 결합되는 로드 록 챔버; 및 (c) 상기 연장된 면에 결합되는 처리 챔버; 를 포함한다. 상기 연장된 면은 상기 본체에 결합되는 로드 록 챔버와 상기 연장된 면에 결합되는 처리 챔버 사이의 거리를 증가시키도록 구성된다.
본원발명의 제3 태양에서는, 반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 제2 본체가 제공된다. 상기 제2 본체는 (1) 제1 로봇을 수용하도록 구성된 제1 중앙 이송 영역을 한정하는 제1 측벽; (2) 상기 제1 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및 (3) 상기 제1 측벽 상에 형성되는 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 연장된 면; 을 갖는 제1 이송 섹션을 포함한다. 상기 제2 본체는 또한 상기 제1 이송 섹션에 결합되는 제2 이송 섹션으로서, (1) 제2 로봇을 수용하도록 구성된 제2 중앙 이송 영역을 한정하는 제2 측벽; (2) 상기 제2 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및 (3) 상기 제2 측벽 상에 형성되는 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 연장된 면; 을 갖는 제2 이송 섹션을 포함한다.
본원발명의 제4 태양에서는, 반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 제3 본체가 제공된다. 상기 제3 본체는 (1) 로봇을 수용하도록 구성되는 중앙 이송 영역을 한정하는 측벽; (2) 상기 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및 (3) 상기 면들 중 하나 이상에 결합되는 스페이서로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 구성되는, 스페이서; 를 포함한다. 이러한 태양 및 기타의 태양에 따라 다양한 다른 태양들이 제공된다.
본원발명의 다른 특징 및 태양들은 이하의 상세한 설명, 첨부된 청구범위 및 도면으로부터 보다 완전하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 반도체 장치 제조공정 동안에 사용될 수 있는 종래의 진공 본체의 평면도이다.
도 2는 도 1의 본체의 평면도로서 본체에 결합되는 4개의 대형 챔버를 도시하고 있다.
도 3A는 본원발명에 따라 제공되는 제1 실시예의 본체의 평면도이다.
도 3B는 본원발명에 따라 제공되는 도 3A의 본체의 제1 대안 실시예의 평면도이다.
도 3C는 본원발명에 따라 제공되는 도 3A의 본체의 제2 대안 실시예의 평면도이다.
도 4는 본체에 결합되는 4개의 대형 처리 챔버를 갖는 도 3A의 제1 실시예의 본체의 평면도를 도시한다.
도 5A는 본원발명에 따라 제공되는 제2 실시예의 본체의 평면도이다.
도 5B는 본원발명에 따라 제공되는 도 5A의 본체의 제1 대안 실시예의 평면도이다.
도 5C는 본원발명에 따라 제공되는 도 5A의 본체의 제2 대안 실시예의 평면도이다.
도 6은 본체에 결합되는 5개의 대형 처리 챔버를 갖는 도 5A의 제2 실시예의 본체의 평면도를 도시한다.
도 7A는 본원발명에 따라 제공되는 제3 실시예의 본체의 평면도이다.
도 7B는 본원발명에 따라 제공되는 도 7A의 본체의 제1 대안 실시예의 평면 도이다.
도 7C는 본원발명에 따라 제공되는 도 7A의 본체의 제2 대안 실시예의 평면도이다.
도 8A는 본원발명에 따라 하나 또는 그보다 많은 스페이서를 사용하는 예시적인 관통 구멍의 평면도이다.
도 8B는 본원발명에 따라 제공되는 확장된 통과 챔버의 예시적인 실시예의 평면도이다.
도 9는 본원발명에 따라 제공되는 로드 록 챔버의 예시적인 실시예의 평면도이다.
본원발명은 추가 및/또는 대형 챔버가, 본체에 결합된 로드 록 챔버(load lock chamber) 및/또는 처리 챔버 뿐만 아니라 본체에도 서비스 접근(service access)을 유지하면서, 본체 주변에 배치될 수 있게 하는 확장된 본체 구성과 관련된다.
도 1은 반도체 장치 제조공정 동안에 사용될 수 있는 종래의 진공 본체(100)의 평면도이다. 진공 본체(100)는 중앙 이송 챔버 영역(101) 및 다수의 면(facet)(102a-f)을 포함하며, 상기 면 각각은 처리 챔버, 로드 록 챔버, 또는 다른 챔버(예를 들어, 예비세정(preclean), 베이크-아웃(bake-out), 냉각, 또는 도량(metrology)이나 결함 탐지 챔버 등등)에 결합되도록 구성된다. 도 1의 본체(100)는 6개의 면을 갖는 것으로 도시되었으나, 이보다 더 적거나 많은 면이 제공될 수도 있다는 것을 알 수 있다.
통상적인 적용과정에서는, 다소의 로드 록 챔버(104a-b)가, 도시된 면(102e, 102f)과 같은 위치에서, 본체(100)에 결합된다. 팩토리 인터페이스(factory interface)(106)가 로드 록 챔버(104a-b)에 결합될 수 있으며, 팩토리 인터페이스(106)의 로드 포트(load port)(별도로 도시되지 않음)에서 기판 캐리어(108a-c)를 수용할 수 있다. 이후에 팩토리 인터페이스(106) 내의 팩토리 인터페이스 로봇(별도로 도시되지 않음)이 기판 캐리어(108a-c)로부터 기판을 획득하여 로드 록 챔버(104a-b)에 기판을 전달할 수 있다(또는 로드 록 챔버(104a-b)로부터 기판 캐리어(108a-c)로 기판을 전달할 수 있다). 본체 로봇(110)은 로드 록 챔버(104a-b)와 반도체 장치 제조공정 동안에 (예를 들어, 면(102a-d)에서) 본체(100)에 결합된 임의의 처리 또는 기타 챔버 사이에서 기판을 이송할 수 있다.
도 2는 도 1의 본체(100)의 평면도로서 본체(100)에 결합되는 4개의 대형 챔버(200a-d)를 도시하고 있다. 도 1 및 2를 참조하면, 종래의 본체(100)에서는, 본체 로봇(100)이 로드 록 챔버(104a-b)로 기판을 전달하거나 로드 록 챔버(104a-b)로부터 기판을 전달하는데 있어서, (도시된 바와 같이) 본체(100)에 결합되는 처리 챔버(200a-d)로 기판을 전달하거나 처리 챔버(200a-d)로부터 기판을 전달하는데 사용되는 것보다 더 짧은 거리가 사용된다.
(예를 들어, 유용성(serviceability)을 위하여) 로드 록 챔버(104a-b)와 처리 챔버(200a-d) 사이의 여유 공간을 증가시키도록, 로드 록 챔버는 (도시된 바와 같이) 통상적으로 함께 회전된다. 그렇지만, 유용성 문제는 식각 챔버, 화학 기상 증착(CVD) 챔버, 원자층 증착(ALD) 챔버, 물리 기상 증착(PVD) 챔버 등과 같은 대형 처리 챔버가 본체(100)에 사용될 때에도 발생할 수 있다. 예를 들어, 4개의 대형 처리 챔버가 도 2에 도시된 바와 같이 본체(100)에 결합되면, 본체(100) 및 로드 록 챔버(104a-b)가 유용하지 못하게 될 수 있거나, (예를 들어, 24" SEMI 표준보다) 서비스 접근이 제한되거나 불안전할 수 있다. 따라서, 단지 3개 이하의 대형 처리 챔버만이 통상적으로 본체(100)에 사용된다.
도 3A는 본원발명에 따라 제공되는 제1 실시예의 본체(300)의 평면도이다. 도 1 및 2의 종래의 본체(100)와 비교하면, 본체(300)는 (도시된 바와 같이) 팩토리 인터페이스(106)를 향하여 "연신(stretched)"되어 있다. 본체(300)는, 예를 들어, 본체 로봇(110)의 최대 도달 거리까지 (또는 임의의 다른 적당한 거리까지) 연장될 수 있다. 적어도 하나의 실시예에서는, (종래 본체(100) 내의 본체 로봇(110)의 연장과 비교하여) 로드 록 챔버(104a-b)로 기판을 전달하거나 로드 록 챔버(104a-b)로부터 기판을 전달할 때 본체 로봇(110)의 연장이 약 10 인치만큼 증가하도록 본체(300)가 연신된다. (도 3A에 도시된 바와 같이, 본체(300)는 본체(300)의 측벽에 형성된 면(102c, 102d)의 길이를 증가시킴으로써 연신되며, 이는 중앙 이송 영역(301)의 크기를 약간 증가시키게 된다).
본체(300)를 연신시킴으로써, 4개의 대형 챔버가 본체(300) 주변에 설치될 수 있으며 여전히 안전하게 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 4는 본체(300)에 결합되는 4개의 대형 처리 챔버(400a-d)를 갖는 제1 실시예의 본체(300)의 평면도를 도시한다. 최대 크기의 챔버가 사용될 때에도 서비스 접근이 향상되고 안전하다. 예를 들어 면(102c 또는 102d)에 결합된 처리 챔버와 팩토리 인터페이스(106) 사이에서도 사용(servicing)이 이루어질 수 있다. 일부 실시예에서는, 24" 또는 그보다 큰 접근(access)과 같이, SEMI 표준 접근 조건이 제공될 수 있다.
본체 로봇(110)의 도달 거리 제한을 초과하지 않는 양만큼 본체(300)를 연신시킴으로써, 본체(300)를 변경시킴으로 인한 상당한 비용증가가 발생하지 않는다. 예를 들어, 종래의 본체(100) 내에서 사용되던 것과 동일한 본체 로봇(110), 슬릿 밸브, 로드 록 챔버 등등이 연신된 본체(300) 내에 사용될 수 있다.
도 3B를 참조하면, 추가로 또는 대안적으로, 처리 챔버(400a) 및/또는 처리 챔버(400d)와 팩토리 인터페이스(106) 사이에 추가적인 공간을 형성하기 위하여(도 4 참조) 면(102e)과 로드 록 챔버(104a) 사이에 스페이서(303a) 및/또는 면(102f)과 로드 록 챔버(104b) 사이에 스페이서(303b)를 배치함으로써 보다 큰 서비스 접근이 달성될 수 있다. 스페이서(303a-b)는, 예를 들어, 본체(300)와 로드 록 챔버(104a) 및/또는 로드 록 챔버(104b) 사이에서 연장하는 터널 또는 이와 유사한 구조체를 포함할 수 있다. 도 3C에 도시된 바와 같이, 유사한 스페이서(303a-b)가 로드 록 챔버(104a) 및/또는 로드 록 챔버(104b)와 팩토리 인터페이스(106) 사이에 사용될 수 있다(예를 들어, 약 6" 내지 8" 길이의 시트 금속 또는 유사한 터널).
로드 록 챔버(104a) 및/또는 로드 록 챔버(104b)의 몸체의 길이는, 처리 챔버(400a) 및/또는 처리 챔버(400b)와 팩토리 인터페이스(106) 사이의 추가 공간을 형성하기 위하여, 추가적으로 또는 대안적으로 증가될 수 있다. 확장된 로드 록 챔버 몸체 길이 및/또는 스페이서의 사용은 본체(300)와 팩토리 인터페이스(106) 사이의 거리를 증가시킬 수 있으며 큰 서비스 접근을 제공할 수 있다.
도 5A는 본원발명에 따라 제공되는 제2 실시예의 본체(500)의 평면도이다. 도 1 및 2의 종래의 본체(100)와 비교할 때, (본체의 측벽에 형성된) 본체(500)의 단일 면(102d)이 팩토리 인터페이스(106)를 향해 "연신"되어 있다 (도면 참조). 본체(500)의 면(102d)은, 예를 들어, 본체 로봇(110)의 최대 도달거리까지(또는 임의의 다른 적당한 거리까지) 연신될 수 있다. 적어도 하나의 실시예에서는, (종래 본체(100) 내의 본체 로봇(110)의 연장과 비교하여) 본체(500)에 사용되는 단일 로드 록 챔버(502)로 기판을 전달하거나 단일 로드 록 챔버(502)로부터 기판을 전달할 때 본체 로봇(110)의 연장이 약 10 인치만큼 증가하도록 본체(500)의 면(102d)이 연신된다. 본체(500)의 중앙 이송 영역(504)이 종래의 본체(100)의 크기보다 상당히 증가되지 않는다는 점을 주목하자.
본체(500)의 면(102d)만을 연신시킴으로써, 5개의 대형 챔버가 본체(500) 주변에 설치될 수 있으며 여전히 안전하게 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 6은 본체(500)에 결합되는 5개의 대형 처리 챔버(600a-e)를 갖는 제2 실시예의 본체(500)의 평면도를 도시한다. 최대 크기의 챔버가 사용될 때에도 서비스 접근이 향상되고 안전하다. 예를 들어 면(102d)에 결합된 처리 챔버와 팩토리 인터페이스(106) 사이에서 사용(servicing)이 이루어질 수 있다. 일부 실시예에서는, 24" 또는 그보다 큰 접근(access)과 같이, SEMI 표준 접근 조건이 제공될 수 있다.
면(102d)이 연신되지 않으면서 면(102c)이 대안적으로 연신될 수 있다는 점을 주목하자. 이러한 실시예에서는, 로드 록 챔버(502)가 면(102e)에 결합되고, 예를 들어, 면(102c)에 결합된 처리 챔버와 팩토리 인터페이스(106) 사이에서 사용(servicing)이 실행될 수 있다.
본체 로봇(110)의 도달 거리 제한을 초과하지 않는 양만큼 본체(500)의 단일 면을 연신시킴으로써, 본체(500)를 변경시킴으로 인한 상당한 비용증가가 발생하지 않는다. 예를 들어, 종래의 본체(100) 내에서 사용되던 것과 동일한 본체 로봇(110), 슬릿 밸브, 로드 록 챔버 등등이 연신된 본체(500) 내에 사용될 수 있다.
도 5A에 도시된 바와 같이, 로드 록 챔버(502)는 도 3A의 로드 록 챔버(104a-b)와 유사한 방식으로 (예를 들어, 비록 다른 회전각도가 사용될 수 있기는 하지만, 약 5 내지 10도 만큼) 회전한다. 도 5A의 본체(500)는 5개의 대형(최대 크기) 챔버가 본체(500)에 결합되는 경우에도 사용될 수 있다. 연신된 본체 및 로드 록 챔버 회전의 조합은 유용성(serviceability)을 증가시킨다.
추가적인 예로서, 모든 챔버가 병렬적으로 작동할 때 (예를 들어 동일한 처리를 수행할 때), 5개의 챔버 면의 사용은 4개의 챔버 면을 사용할 때보다 25% 더 생산적이다. 순차적인 처리 순서에 대하여, 추가적인 처리량 향상이 실현될 수 있다. 예를 들어, 통상적인 금속 식각 처리는 두 개의 식각 챔버와 두 개의 스트립 챔버를 사용한다. 각각의 식각 챔버는 대체로 스트립 챔버의 생산량의 약 2/3를 갖는다(예를 들어 식각에 대해서는 20 웨이퍼/시간이며 스트립에 대해서는 30 웨이퍼/시간). 5개의 모든 면을 사용함으로써, 3개의 식각 챔버와 2 개의 스트립 챔버가 존재하도록 추가적인 식각 챔버가 본체(500)에 결합될 수 있다. 3개의 식각 챔버와 2개의 스트립 챔버를 사용하게 되면, 다른 본체 구성에서 2개의 식각 챔버와 2개의 스트립 챔버를 사용하는 것과 비교하여 50%의 생산량 향상이 이루어진다.
추가적으로 또는 대안적으로, 처리 챔버(600d)와 팩토리 인터페이스(106) 사이에 추가적인 공간을 형성하기 위하여(도 6 참조) 면(102f)과 로드 록 챔버(502) 사이에 스페이서(506)를 배치함으로써 보다 큰 서비스 접근이 달성될 수 있다. 스페이서(506)는, 예를 들어, 본체(500)와 로드 록 챔버(502) 사이에서 연장하는 터널 또는 이와 유사한 구조체를 포함할 수 있다. 도 5C에 도시된 바와 같이, 유사한 스페이서가 로드 록 챔버(502)와 팩토리 인터페이스(106) 사이에 사용될 수 있다(예를 들어, 약 6" 내지 8" 길이의 시트 금속 또는 유사한 터널).
로드 록 챔버(502)의 몸체의 길이는, 처리 챔버(600d)와 팩토리 인터페이스(106) 사이의 추가 공간을 형성하기 위하여, 추가적으로 또는 대안적으로 증가될 수 있다. 확장된 로드 록 챔버 몸체 길이 및/또는 스페이서의 사용은 본체(500)와 팩토리 인터페이스(106) 사이의 거리를 증가시킬 수 있으며 큰 서비스 접근을 제공할 수 있다.
도 7A는 본원발명에 따라 제공되는 제3 실시예의 본체(700)의 평면도이다. 제3 본체(700)는 제2 본체 섹션(704)(예를 들어 낮은 진공의 입력 섹션)에 결합되는 제1 본체 섹션(702)(예를 들어, 고 진공)을 포함한다. 제1 및 제2 본체 섹션(702, 704)은 통과 챔버(706a-706b)를 통해서 연결된다. 제1 본체 섹션(702)은 (본체의 제1 측벽에 형성되는) 면(708a-f)을 포함하고, 제2 본체 섹션(704)은 (본체의 제2 측벽에 형성되는) 면(710a-f)을 포함한다. 각각의 본체 섹션(702, 704)은 본체 로봇(712a, 712b)을 포함한다.
도 7A에 도시된 바와 같이, 제1 본체 섹션(702)은 도 3A-C 및 4의 본체(300)와 유사하다. 즉, 제1 본체 섹션(702)의 면(708c 및 708d)은 (도시된 바와 같이) 팩토리 인터페이스(106)를 향해 "연신"된다. 제1 본체 섹션(702)의 면(708c, 708d)은, 예를 들어, 본체 로봇(712a)의 최대 도달거리까지(또는 임의의 다른 적당한 거리까지) 연신될 수 있다. 적어도 하나의 실시예에서는, (종래 본체 내의 본체 로봇의 도달거리와 비교하여) 통과 챔버(706a, 706b)로 기판을 전달하거나 통과 챔버(706a, 706b)로부터 기판을 전달할 때 제1 본체 로봇(712a)의 연장이 약 10 인치만큼 증가하도록 제1 본체 섹션(702)의 면(708c, 708d)이 연신된다. 제1 본체 섹션(702)을 기술한 바와 같이 연신시킴으로써, 4개의 대형 챔버가 제1 본체 섹션(702) 주변에 설치될 수 있으며 여전히 안전하게 사용될 수 있다.
제2 본체 섹션(704)에서, 본체 섹션(704)의 단일 면(710d)이 팩토리 인터페이스(106)를 향해 "연신"되어 있다 (도면 참조). 제2 본체 섹션(704)의 면(710d)은, 예를 들어, 본체 로봇(712b)의 최대 도달거리까지(또는 임의의 다른 적당한 거리까지) 연신될 수 있다. 적어도 하나의 실시예에서는, (종래 본체 내의 본체 로봇의 연장과 비교하여) 본체(700)에 사용되는 단일 로드 록 챔버(502)로 기판을 전달하거나 단일 로드 록 챔버(502)로부터 기판을 전달할 때 본체 로봇(712b)의 연장이 약 10 인치만큼 증가하도록 제2 본체 섹션(704)의 면(710d)이 연신된다. 제2 본체 섹션(704)의 면(710d)만을 연신시킴으로써, 5개의 대형 챔버가 제2 본체 섹션(704) 주변에 설치될 수 있으며 여전히 안전하게 사용될 수 있다.
연신된 본체 섹션(702, 704)의 사용을 통해서, 본체(700)는 대형, 최대 크기 챔버에 대해 총 7개의 면을 제공하게 된다. 제1 본체 섹션(702)의 중앙 이송 영역(714)은 제2 본체 섹션(704)의 중앙 이송 영역(716)보다 약간 더 크다.
추가적으로 또는 대안적으로, 면(710d)에 결합된 임의의 처리 챔버와 팩토리 인터페이스(106) 사이에 추가적인 공간을 형성하기 위하여(도 6 참조) 면(710f)과 로드 록 챔버(502) 사이에 스페이서(720)(도 7B)를 배치함으로써 보다 큰 서비스 접근이 달성될 수 있다. 스페이서(720)는, 예를 들어, 제2 본체 섹션(704)와 로드 록 챔버(502) 사이에서 연장하는 터널 또는 이와 유사한 구조체를 포함할 수 있다. 도 7C에 도시된 바와 같이, 유사한 스페이서(720)가 로드 록 챔버(502)와 팩토리 인터페이스(106) 사이에 사용될 수 있다(예를 들어, 약 6" 내지 8" 길이의 시트 금속 또는 유사한 터널).
추가로 또는 대안적으로, 면(708c, 708d)에 결합된 처리 챔버)와 통과 챔버(706a, 706b) 사이에 추가적인 공간을 형성하기 위하여(도 7A 참조) 면(708e)과 통과 챔버(706a) 사이에 스페이서 및/또는 면(708f)과 통과 챔버(706b) 사이에 스페이서를 배치함으로써 보다 큰 서비스 접근이 달성될 수 있다. 스페이서는, 예를 들어, 제1 본체 섹션(702)과 통과 챔버(706a, 706b) 사이에서 연장하는 터널 또는 이와 유사한 구조체를 포함할 수 있다. 스페이서는 또한 통과 챔버(706a, 706b)와 제2 본체 섹션(704) 사이에도 사용될 수 있다.
도 8A는 본원발명에 따라 제1 스페이서(802a) 및 제2 스페이서(802b)가 결합되는 제1 통과 챔버(706a)의 예시적인 실시예에 대한 평면도이다. 제2 통과 챔버(706b)가 유사하게 구성될 수 있다.
통과 챔버(706a) 및/또는 통과 챔버(706b)의 몸체의 길이는 추가적으로 또는 대안적으로 증가될 수 있다. 예를 들어, 도 8B는 본원발명에 따라 연장된 몸체 영역(804)을 갖는 제2 통과 챔버(706b)의 예시적인 실시예이다. 다른 몸체 부분이 연장될 수도 있다. 제1 통과 챔버(706a)도 유사하게 구성될 수 있다.
로드 록 챔버(502)의 몸체의 길이는, 팩토리 인터페이스(106)와 면(710d)에 결합되는 임의의 처리 챔버 사이에 추가 공간을 형성하기 위하여, 추가적으로 또는 대안적으로 증가될 수 있다. 예를 들어, 도 9는 본원발명에 따라 연장되는 몸체 영역(902)을 갖는 로드 록 챔버(502)의 예시적인 실시예를 도시한다. 다른 몸체 부분이 연장될 수도 있다. 로드 록 챔버(104a-b)가 유사하게 연장될 수도 있다. 연장된 로드 록 챔버 몸체 길이 및 스페이서의 사용은 본체(700)(또는 본체(500))와 팩토리 인터페이스(106) 사이의 거리를 증가시키며 큰 서비스 접근을 제공한다.
전술한 설명은 본원발명의 단지 예시적인 실시예만을 개시한다. 본원발명의 범위 내에 속하는 상술한 장치 및 방법의 수정은 본원발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다. 예를 들어, 본체(300, 500) 및/또는 본체 섹션(702, 704)은 6개보다 많거나 적은 면을 포함할 수 있다. 따라서, 본원발명이 그 예시적인 실시예와 관련하여 설명되었으나, 다른 실시예도 이하의 청구범위에서 한정되는 바와 같이 본원발명의 사상 및 범위 내에 속한다는 것을 이해해야 한다.
Claims (24)
- 반도체 장치 제조공정 동안에 사용하기 위한 본체로서,로봇을 수용하도록 구성된 중앙 이송 영역을 한정하는 측벽;상기 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및상기 측벽 상에 형성되는 하나의 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 하나의 연장된 면; 을 포함하고,상기 하나의 연장된 면은 처리 챔버에 결합하도록 구성되고 또한 연장되지 않은 상기 다수의 면보다 더 긴 길이를 가지며, 연장된 면의 길이가 상기 로봇의 도달 거리 제한을 초과하지 않으며, 상기 하나의 연장된 면이 로드 록 챔버에 결합하도록 구성된 면을 향해 연장하는,반도체 장치 제조공정 동안에 사용하기 위한 본체.
- 제1항에 있어서,상기 하나의 연장된 면이 상기 본체에 결합하는 로드 록 챔버와 상기 하나의 연장된 면에 결합하는 처리 챔버 사이의 거리를 증가시키도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안에 사용하기 위한 본체.
- 제2항에 있어서,상기 로봇이, 상기 로봇의 최대 도달거리에서, 상기 로드 록 챔버로 기판을 전달하고 상기 로드 록 챔버로부터 기판을 전달하는,반도체 장치 제조공정 동안에 사용하기 위한 본체.
- 제1항에 있어서,상기 본체가, 상기 본체 및 상기 본체에 결합되는 임의의 로드 록 챔버에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버에 결합되도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안에 사용하기 위한 본체.
- 제1항에 있어서,상기 본체가, 상기 본체 및 상기 본체에 결합되는 임의의 로드 록 챔버에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 5개의 최대 크기 처리 챔버에 결합되도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안에 사용하기 위한 본체.
- 삭제
- 반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 시스템으로서,본체로서,로봇을 수용하도록 구성된 중앙 이송 영역을 한정하는 측벽;상기 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및상기 측벽 상에 형성되는 하나의 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 하나의 연장된 면; 을 갖는 본체;상기 본체의 중앙 이송 영역 내에 위치하는 로봇;상기 다수의 면 중 하나에 결합되는 로드 록 챔버; 및상기 하나의 연장된 면에 결합되는 처리 챔버; 를 포함하며,상기 하나의 연장된 면은 상기 본체에 결합되는 로드 록 챔버와 상기 하나의 연장된 면에 결합되는 처리 챔버 사이의 거리를 증가시키도록 구성되며,상기 하나의 연장된 면은 처리 챔버에 결합하도록 구성되고 또한 연장되지 않은 상기 다수의 면보다 더 긴 길이를 가지며, 연장된 면의 길이가 상기 로봇의 도달 거리 제한을 초과하지 않으며, 상기 하나의 연장된 면이 로드 록 챔버에 결합하도록 구성된 면을 향해 연장하는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 시스템.
- 제7항에 있어서,상기 로봇이, 상기 로봇의 최대 도달거리에서, 상기 로드 록 챔버로 기판을 전달하고 상기 로드 록 챔버로부터 기판을 전달하는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 시스템.
- 제7항에 있어서,상기 본체가, 상기 본체 및 상기 본체에 결합되는 임의의 로드 록 챔버에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버에 결합되도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 시스템.
- 제7항에 있어서,상기 본체가, 상기 본체 및 상기 본체에 결합되는 임의의 로드 록 챔버에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 5개의 최대 크기 처리 챔버에 결합되도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 시스템.
- 삭제
- 반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체로서,제1 본체 섹션으로서,제1 본체 로봇을 수용하도록 구성된 제1 중앙 이송 영역을 한정하는 제1 측벽;상기 제1 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및상기 제1 측벽 상에 형성되는 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 연장된 면; 을 갖는 제1 본체 섹션; 및상기 제1 본체 섹션에 결합되는 제2 본체 섹션으로서,제2 본체 로봇을 수용하도록 구성된 제2 중앙 이송 영역을 한정하는 제2 측벽;상기 제2 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및상기 제2 측벽 상에 형성되는 연장된 면으로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 하는, 연장된 면; 을 갖는 제2 본체 섹션;을 포함하고,상기 연장된 면은 연장되지 않은 상기 다수의 면보다 더 긴 길이를 가지며, 연장된 면의 길이가 상기 로봇의 도달 거리 제한을 초과하지 않는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체.
- 제12항에 있어서,상기 제1 본체 섹션의 연장된 면이 상기 제1 본체 섹션과 상기 제2 본체 섹션 사이에 결합되는 통과 챔버와 상기 연장된 면에 결합되는 처리 챔버 사이의 거리를 증가시키도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제12항에 있어서,상기 본체의 제1 본체 섹션이 다수의 연장된 면을 포함하는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체.
- 반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체로서,로봇을 수용하도록 구성되는 중앙 이송 영역을 한정하는 측벽;상기 측벽 상에 형성되는 다수의 면으로서, 각각이 처리 챔버에 결합되도록 구성되는, 다수의 면; 및상기 면들 중 하나 이상에 결합되는 스페이서로서, 상기 본체에 대한 서비스 접근을 제공하면서, 상기 본체에 4개 이상의 최대 크기 처리 챔버가 결합될 수 있게 구성되며 또한 로드 록 챔버와 통과 챔버 중 하나에 결합되도록 구성되는, 스페이서; 를 포함하며,상기 다수의 면 중 하나 이상이 연장된 면을 포함하고,상기 연장된 면이 연장되지 않은 다수의 면보다 더 긴 길이를 가지며, 연장된 면의 길이가 상기 로봇의 도달 거리 제한을 초과하지 않는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체.
- 제21항에 있어서,상기 스페이서가 로드 록 챔버를 상기 본체에 결합시키도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체.
- 제21항에 있어서,상기 스페이서가 통과 챔버를 상기 본체에 결합시키도록 구성되며, 상기 통과 챔버는 다른 본체 섹션에 결합하도록 구성되는,반도체 장치 제조공정 동안 사용하기 위한 본체.
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US75245905P | 2005-12-20 | 2005-12-20 | |
US60/752,459 | 2005-12-20 | ||
PCT/US2006/048695 WO2007075840A2 (en) | 2005-12-20 | 2006-12-20 | Extended mainframe designs for semiconductor device manufacturing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080078913A KR20080078913A (ko) | 2008-08-28 |
KR101057530B1 true KR101057530B1 (ko) | 2011-08-17 |
Family
ID=38218585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087017789A KR101057530B1 (ko) | 2005-12-20 | 2006-12-20 | 반도체 장치 제조 설비를 위한 확대된 본체 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7720655B2 (ko) |
JP (1) | JP5030970B2 (ko) |
KR (1) | KR101057530B1 (ko) |
CN (2) | CN101341574B (ko) |
TW (1) | TWI342058B (ko) |
WO (1) | WO2007075840A2 (ko) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8796589B2 (en) * | 2001-07-15 | 2014-08-05 | Applied Materials, Inc. | Processing system with the dual end-effector handling |
JP4619116B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2011-01-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 真空処理システムのための搬送チャンバ |
US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
CN101866828B (zh) * | 2004-06-02 | 2013-03-20 | 应用材料公司 | 电子装置制造室及其形成方法 |
US7784164B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Electronic device manufacturing chamber method |
US20080025821A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Applied Materials, Inc. | Octagon transfer chamber |
US8950998B2 (en) * | 2007-02-27 | 2015-02-10 | Brooks Automation, Inc. | Batch substrate handling |
WO2009055507A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sealing a slit valve door |
CN101642909A (zh) * | 2009-06-26 | 2010-02-10 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 多级机械传输模块用腔体 |
WO2013023092A2 (en) | 2011-08-10 | 2013-02-14 | Applied Materials, Inc | Robot systems, apparatus, and methods adapted to process substrates in multiple tiers |
WO2014163791A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-10-09 | Applied Materials, Inc | Semiconductor device manufacturing platform with single and twinned processing chambers |
KR101734821B1 (ko) | 2013-03-15 | 2017-05-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전자 디바이스 제조시 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들 |
CN105103283B (zh) * | 2013-03-15 | 2019-05-31 | 应用材料公司 | 用于小批量基板传送系统的温度控制系统与方法 |
WO2014150260A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Applied Materials, Inc | Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations |
US9435025B2 (en) | 2013-09-25 | 2016-09-06 | Applied Materials, Inc. | Gas apparatus, systems, and methods for chamber ports |
KR102161685B1 (ko) * | 2013-09-26 | 2020-10-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 프로세싱을 위한 혼합형-플랫폼 장치, 시스템들, 및 방법들 |
US10199256B2 (en) | 2013-09-28 | 2019-02-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for improved mask processing |
WO2015048470A1 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Applied Materials, Inc | Transfer chamber gas purge apparatus, electronic device processing systems, and purge methods |
JP6466955B2 (ja) | 2013-11-04 | 2019-02-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法 |
CN106298583B (zh) * | 2015-05-27 | 2019-12-03 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 处理腔、处理腔和真空锁组合以及基片处理系统 |
US10520371B2 (en) | 2015-10-22 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Optical fiber temperature sensors, temperature monitoring apparatus, and manufacturing methods |
US10119191B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-11-06 | Applied Materials, Inc. | High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods |
US10684159B2 (en) | 2016-06-27 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on choked flow |
US10361099B2 (en) | 2017-06-23 | 2019-07-23 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods of gap calibration via direct component contact in electronic device manufacturing systems |
US11107709B2 (en) | 2019-01-30 | 2021-08-31 | Applied Materials, Inc. | Temperature-controllable process chambers, electronic device processing systems, and manufacturing methods |
CN110718579A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-01-21 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 硅基微显示屏及其制备方法 |
US11049740B1 (en) | 2019-12-05 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Reconfigurable mainframe with replaceable interface plate |
US11996307B2 (en) | 2020-12-23 | 2024-05-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing tool platform configuration with reduced footprint |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050223837A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-10-13 | Blueshift Technologies, Inc. | Methods and systems for driving robotic components of a semiconductor handling system |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5551013A (en) * | 1994-06-03 | 1996-08-27 | International Business Machines Corporation | Multiprocessor for hardware emulation |
JP3454034B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2003-10-06 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置 |
US6468353B1 (en) * | 1997-06-04 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved substrate handling |
US6575737B1 (en) * | 1997-06-04 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved substrate handling |
US5951770A (en) * | 1997-06-04 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Carousel wafer transfer system |
US6763281B2 (en) * | 1999-04-19 | 2004-07-13 | Applied Materials, Inc | Apparatus for alignment of automated workpiece handling systems |
TW469483B (en) * | 1999-04-19 | 2001-12-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for aligning a cassette |
US6440261B1 (en) * | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
US6486444B1 (en) * | 1999-06-03 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | Load-lock with external staging area |
US6618698B1 (en) * | 1999-08-12 | 2003-09-09 | Quickturn Design Systems, Inc. | Clustered processors in an emulation engine |
JP4545252B2 (ja) * | 1999-09-01 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置 |
EP1124252A2 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and process for processing substrates |
US20020157691A1 (en) * | 2000-03-29 | 2002-10-31 | Sadayuki Wada | Substrate transfer device |
WO2001096972A2 (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for maintaining a pressure within an environmentally controlled chamber |
US8796589B2 (en) * | 2001-07-15 | 2014-08-05 | Applied Materials, Inc. | Processing system with the dual end-effector handling |
US20040007325A1 (en) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate |
US20040206621A1 (en) * | 2002-06-11 | 2004-10-21 | Hongwen Li | Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate |
WO2009055507A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for sealing a slit valve door |
-
2006
- 2006-12-20 CN CN2006800481236A patent/CN101341574B/zh active Active
- 2006-12-20 TW TW095147982A patent/TWI342058B/zh active
- 2006-12-20 KR KR1020087017789A patent/KR101057530B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-20 JP JP2008547522A patent/JP5030970B2/ja active Active
- 2006-12-20 CN CN201210396242.8A patent/CN103021908B/zh active Active
- 2006-12-20 WO PCT/US2006/048695 patent/WO2007075840A2/en active Application Filing
- 2006-12-20 US US11/613,559 patent/US7720655B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050223837A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-10-13 | Blueshift Technologies, Inc. | Methods and systems for driving robotic components of a semiconductor handling system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103021908A (zh) | 2013-04-03 |
CN101341574B (zh) | 2012-11-28 |
CN103021908B (zh) | 2015-09-30 |
US7720655B2 (en) | 2010-05-18 |
CN101341574A (zh) | 2009-01-07 |
JP5030970B2 (ja) | 2012-09-19 |
KR20080078913A (ko) | 2008-08-28 |
US20070141748A1 (en) | 2007-06-21 |
WO2007075840A3 (en) | 2007-11-29 |
TW200733293A (en) | 2007-09-01 |
TWI342058B (en) | 2011-05-11 |
JP2009521130A (ja) | 2009-05-28 |
WO2007075840A2 (en) | 2007-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101057530B1 (ko) | 반도체 장치 제조 설비를 위한 확대된 본체 | |
TWI618177B (zh) | 於負載鎖位置中處理基板之處理負載鎖設備、升降組件、電子裝置處理系統以及方法 | |
US20130068391A1 (en) | Slit valve apparatus, systems, and methods | |
US20210143034A1 (en) | Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods | |
US9524889B2 (en) | Processing systems and apparatus adapted to process substrates in electronic device manufacturing | |
CN108695213B (zh) | 用于基板处理的混合平台式设备、系统以及方法 | |
TWI793000B (zh) | 具有線性真空傳送模組之降低的覆蓋區域平台架構 | |
JP6425714B2 (ja) | チャンバポートのためのガス装置、システム、及び方法 | |
US20070017445A1 (en) | Hybrid PVD-CVD system | |
WO2008014136A2 (en) | Octagon transfer chamber | |
US10559483B2 (en) | Platform architecture to improve system productivity | |
US20020134506A1 (en) | Transfer chamber with side wall port | |
US20200384636A1 (en) | Dual pitch end effector robot apparatus, dual pitch load locks, systems, and methods | |
US20210193489A1 (en) | Systems and Methods for Workpiece Processing | |
KR20230023041A (ko) | 로드락들을 팩토리 인터페이스 풋프린트 공간 내에 통합하기 위한 시스템들 및 방법들 | |
TWI405286B (zh) | 叢聚式半導體製程裝置 | |
KR100665658B1 (ko) | 기판 처리 설비 | |
US10453725B2 (en) | Dual-blade robot including vertically offset horizontally overlapping frog-leg linkages and systems and methods including same | |
US11842913B2 (en) | Seal mechanisms for load ports | |
KR20080071681A (ko) | 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 | |
KR20230146648A (ko) | 워크피스 프로세싱을 위한 시스템 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140730 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160629 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170629 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180801 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190801 Year of fee payment: 9 |