JP5280840B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
12…素子領域
14…素子分離領域
16…ゲート絶縁膜
18…ゲート電極
20…サイドウォール絶縁膜
22…ソース/ドレイン拡散層
24…トランジスタ
26…層間絶縁膜
28…層間絶縁膜
30…コンタクトホール
32…導体プラグ
34…溝
36…配線
38…層間絶縁膜
40…溝
42…配線
44…層間絶縁膜
46…溝
48…配線
50…層間絶縁膜
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56…層間絶縁膜
58…溝
60…配線
62…層間絶縁膜
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66…配線
68…層間絶縁膜
70…コンタクトホール
72…導体プラグ
74、74a…開口部
76、76a…構造物
77…部分構造物
78…電極パッド
80…フォトレジスト膜
82…開口部
84…導体プラグ
86…溝
88…溝
90…溝
92…コンタクトホール
94…導体プラグ
96…溝
98a〜98d…支柱
100a〜100d…梁
101…構造物
102…溝
103…溝
104…溝
106…溝
107…溝
108…コンタクトホール
110…導体プラグ
112…溝
114…溝
116…層間絶縁膜
118…コンタクトホール
120…導体プラグ
本発明の第1実施形態による半導体装置及びその製造方法を図1乃至図10を用いて説明する。
まず、本実施形態による半導体装置を図1乃至図3を用いて説明する。図1は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図2は、本実施形態による半導体装置を示す平面図である。なお、図2におけるA−A′線は、図1におけるA−A′線に対応している。図3は、本実施形態による半導体装置の一部を示す斜視図である。
図4は、電極パッドの下方における層間絶縁膜に埋め込む構造物と電極パッドの下方の構成要素に加わるストレスとの関係を示すグラフである。図4における▲印は比較例1の場合、即ち、電極パッドの下方における層間絶縁膜に断面が正方形の一本の構造物を埋め込んだ場合を示している。図4における◆印は実施例1の場合、即ち、本実施形態のように、電極パッド78の下方における層間絶縁膜26、28、38、44、50、56、62、68に断面が十字形の構造物76を埋め込んだ場合を示している。図4における横軸は電極パッド78の面積に対する構造物の面積率を示している。図4における縦軸は、電極パッド78の下方の構成要素に加わるストレスの最大値を示している。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図5乃至図10を用いて説明する。図5乃至図10は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
次に、本実施形態による半導体装置の変形例を図11及び図12を用いて説明する。図11は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。図12は、本変形例による半導体装置を示す平面図である。
次に、本実施形態の変形例による半導体装置及び製造方法を13乃至図15図を用いて説明する。図13は、本変形例による半導体装置の一部を示す斜視図である。図14及び図15は、本変形例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第2実施形態による半導体装置及びその製造方法を図16乃至図20を用いて説明する。なお、第1実施形態による半導体装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
まず、本実施形態による半導体装置を図16乃至図17を用いて説明する。図16は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図17は、本実施形態による半導体装置を示す平面図である。
図18は、電極パッドの下方における層間絶縁膜に埋め込む構造物と電極パッドの下方の構成要素に加わるストレスとの関係を示すグラフである。図18における▲印は比較例1の場合、即ち、電極パッドの下方における層間絶縁膜に断面が正方形の一本の支柱を埋め込んだ場合を示している。図18における■印は比較例2の場合、即ち、電極パッドの下方における層間絶縁膜に電極パッドの四隅に対応して4本の支柱を埋め込み、梁を設けていない場合を示している。図4における◆印は実施例2の場合、即ち、本実施形態のように、電極パッド78の下方における層間絶縁膜26、28、38、44、50、56、62、68に電極パッドの四隅に対応して4本の支柱98a〜98dを埋め込み、かつ、2本の梁でこれらの支柱98a〜98dを支持した場合を示している。図18における横軸は電極パッド78の面積に対する支柱の面積率を示している。図18における縦軸は、電極パッド78の下方に存在する構成要素に加わるストレスの最大値を示している。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図19及び図20を用いて説明する。図19及び図20は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
Claims (3)
- 支持基板と、
前記支持基板上に形成され、絶縁層を介して複数の配線を積層して成る多層配線構造と、
前記多層配線構造上に形成された電極パッドと、
前記多層配線構造を貫いて前記支持基板に達し、前記電極パッドを支持する構造物であって、断面が十字形又はY字形である構造物とを有し、
前記複数の配線のうちのいずれかは前記構造物を貫くように形成されており、
前記配線と前記構造物とは、互いに絶縁されており、
前記構造物は、壁状の部分構造物を含み、
前記配線は、前記壁状の部分構造物を貫くように形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記構造物の前記断面の端部が、前記電極パッドの縁部の下方に位置している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
前記配線と前記構造物とは、互いに同じ材料により構成されている
ことを特徴とする半導体装置。
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