JP5278354B2 - パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール - Google Patents

パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール Download PDF

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5564999B2 (ja) * 2010-03-03 2014-08-06 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP2013058537A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
CN103988297B (zh) * 2011-12-12 2018-11-23 三菱综合材料株式会社 功率模块及其制造方法
CN103177912B (zh) * 2011-12-20 2016-05-25 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子反应室的层叠型组件及其制造方法
JP6031784B2 (ja) * 2012-03-12 2016-11-24 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP6056432B2 (ja) * 2012-12-06 2017-01-11 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法
JP6264129B2 (ja) * 2014-03-24 2018-01-24 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0234579A (ja) * 1988-07-22 1990-02-05 Mitsubishi Electric Corp セラミック−金属複合基板の製造方法
JPH107480A (ja) * 1996-04-23 1998-01-13 Dowa Mining Co Ltd 金属−セラミックス複合基板及びその製造法
JP4882596B2 (ja) * 2006-08-21 2012-02-22 三菱マテリアル株式会社 パワー素子搭載用基板およびパワー素子搭載用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP5564999B2 (ja) * 2010-03-03 2014-08-06 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール

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