JP5278329B2 - ヒートシンク - Google Patents

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Description

この発明は、プリント基板上に搭載された電子デバイスの熱を放熱し冷却を行なうヒートシンクに関し、特に、電子部品の高密度実装を向上することができるヒートシンクに関する。
近年、電子装置(通信装置やサーバー・ストレージなど)の高機能化、高速化に伴いプリント基板に搭載しているLSI(Large Scale Integration)やFPGA(Field Programmable Gate Array)などの電子部品も高速化、高消費電力化、高発熱化の傾向となっている。また、このような電子部品を搭載したプリント基板を搭載した電子装置の小型化を図ることもコスト低減の観点から重要なものとなっている。
ここで、従来からこのようなプリント基板に搭載した電子部品から発生する熱を放熱し、冷却するためのヒートシンクが知られている(特許文献1参照)。このようなヒートシンクとしては、円盤状の複数の放熱フィンを有するヒートシンクが一般的に使用されており、この従来のヒートシンクは、プリント基板や搭載する電子デバイスAの大きさ(物理的形状)及び冷却性能を考慮して専用的にカスタム設計した一体型のヒートシンクとして構成されている。
[従来のヒートシンクの構成]
ここで、図16−1及び図16−2を参照して、従来のヒートシンクの概要について説明する。図16−1は、従来のヒートシンク1の平面図を、図16−2は、側面図をそれぞれ示している。
図16−1及び図16−2に示すように、ヒートシンク1は、円柱部2の周囲に薄板円盤状の放熱フィン3を複数枚(図16−2では、3枚)積層させて構成されている。このように構成されるヒートシンク1は、ヒートシンク1の円柱部2の下面側をプリント基板に搭載された電子デバイスA(図18)の上面側に接着剤などを使用して固定されている。そして、このヒートシンクは、電子デバイスAから発生する熱をヒートシンク1を構成する複数の放熱フィン3により放熱することで、この電子デバイスAを冷却することができる。
特開昭54−008469号公報
ところが、上述した従来のヒートシンク1の場合、プリント基板に対する低背実装が可能ではあるが、このプリント基板に搭載された電子デバイスAの周囲にダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を配置できないという問題がある。
以下、図17〜図21を参照して、上述した従来のヒートシンク1に関する問題点について説明する。ここで、図17は、プリント基板Pに設けられた電子デバイスAの上面に、従来のヒートシンク1を固定した状態を示す平面図を、図18は、図17の側面図をそれぞえ示している。ここで、電子デバイスAよりも外形寸法が大きい放熱フィンを備えたヒートシンク1を例として説明する。また、図面中の符号Rは、信号のスイッチング・ノイズや電磁波ノイズを低減するためのダンピング抵抗を、符号Cは、バイパスコンデンサをそれぞれ示している。
すなわち、図17及び図18に示すように、電子デバイスAの外形寸法(幅寸法)よりも大きなヒートシンク1を設けた場合に、このヒートシンク1の近辺(ヒートシンク1を構成する1番下に位置する放熱フィン3の下面側)や周囲(図17、図18の斜線部分)には、スペースがないため電子部品(ダンピング抵抗RやバイパスコンデンサC)を搭載することができない。これにより、これら電子部品を電子デバイスAから離隔させて配置する必要があるため高密度実装を図ることができないという問題がある。さらに、このように、電子デバイスAの真近に電磁波ノイズを低減させるダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCを配置させることができないため、電気特性に悪影響が生じるという問題がある。
次に、図19−1は、プリント基板Pの表裏両面に設けられた電子デバイスAにそれぞれヒートシンク1を設けた例を示している。同図に示すように、プリント基板Pの表裏両面に電子デバイスAを設けている場合には、反対面に周辺部品や電子部品が搭載できないため、前述した図18と同様に、ヒートシンク1が電子デバイスAの上面にそれぞれ配置されていることから、電子部品を電子デバイスAの真近(図19−1の斜線部分)に配置することができないという問題がある。そして、このように電子デバイスAの真近にダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を搭載できないことから電源ノイズが増加となったり、電源マージンが減少するなどの電気的特性の点で不具合が発生する。
次に、図19−2は、プリント基板Pの表裏両面に電子デバイスAをずらして搭載し、この電子デバイスAにそれぞれヒートシンク1を設けた例を示している。この場合も前記図19−1と同様に、ヒートシンク1が電子デバイスAの上面にそれぞれ配置されていることから、電子デバイスAの真近(図19−2の斜線部分)にダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を搭載できないことから電源ノイズが増加となったり、電源マージンが減少するなどの不具合が発生する。ここで、電子部品を電子デバイスAの真近ではなく離れた位置に配置した場合には、実装面積が増えることから高密度実装ができなくなるという問題が生じる。
次に、図20は、プリント基板Pの下面に光モジュールを接続するプラグの挿通領域(図20の破線囲み部分)があり、このプリント基板Pの上面に設けられた電子デバイスAにヒートシンク1を設けた例を示している。この場合、電子デバイス裏面のプラグの挿通領域にダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を搭載できないこと、及び前記図19−1と同様に、ヒートシンク1が電子デバイスAの上面に配置されていることから、電子デバイスAの真近(図20の斜線部分)にダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を搭載できないことから電源ノイズが増加となったり、電源マージンが減少するなど電気的特性の点で不具合が発生する。
次に、図21−1は、サブ側のプリント基板P´の裏面側にメイン側のプリント基板Pに搭載された電子デバイスAが対向しており、この電子デバイスAにヒートシンク1が設けられた例を示している。ここで、サブ側のプリント基板P´の裏面側には、2個の回路部品が搭載されている。すなわち、図21−1に示すように、サブ側のプリント基板P´の裏面側(プリント基板P´の右端)には、高さを有する回路部品が搭載されているため、この回路部品とヒートシンク1の放熱フィン3とが接触しないようにするためには、接触を避けて回路部品を放熱フィン3から横方向に遠ざけて配置することが考えられるが、この場合、横方向の高密度実装化を阻害するという実装面積を対象とする問題が生じる。
また、図21−2に示すように、高さ方向を考慮して、回路部品とヒートシンク1の放熱フィン3とが接触しないようにするためには、サブ側のプリント基板P´とメイン側のプリント基板Pとを所定の距離(距離L)だけ広げる必要がある。この場合、高さ方向の高密度実装化を阻害するという実装体積を対象とする問題が生じる。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、ヒートシンクの放熱特性(冷却性能)を維持した状態で、良好な電気特性を図るとともに、高密度実装が可能となるヒートシンクを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、プリント基板上に設けられた電子デバイスの放熱を行なうための放熱フィンを備えたヒートシンクであって、前記ヒートシンクは、任意形状からなる放熱フィンを高さ方向に複数積層させ連結することで構成されることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発明において、前記ヒートシンクは、前記プリント基板に設けられた電子デバイス上に固定されるベースヒートシンクと、当該ベースヒートシンクに対して、前記放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態に締結する締結手段とを備えることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発明において、前記ヒートシンクは、前記放熱フィン同士を締結する締結手段を備え、前記放熱フィンは、前記締結部材を貫通する通孔及び当該締結部材の先端部に形成されたネジ部と螺合可能なネジ孔とが形成され、前記締結部材は、前記放熱フィンの通孔を貫通するともに、当該放熱フィンの下方に位置する放熱フィンのネジ孔に螺合することにより、前記放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態に締結することを特徴とする。
また、本発明は、上記の発明において、前記締結手段は、前記放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態で、前記放熱フィンの所定位置に形成した通孔を貫通し、前記ベースヒートシンクの所定位置に形成したネジ孔に対して締結されるネジ部材であることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発明において、前記締結手段は、前記放熱フィンの上面に形成されたネジ孔と、前記放熱フィンの下面に設けられた前記ネジ孔と螺合可能なネジ締結部材により構成されるとともに、前記ネジ締結部材は、前記ベースヒートシンクの上面に形成されたネジ孔と螺合するように構成されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発明において、前記締結手段は、前記放熱フィンの上面に形成された凹部孔と、前記放熱フィンの下面に設けられた前記凹部孔に対して嵌合可能な凸部材により構成されるとともに、前記凸部材は、前記ベースヒートシンクの上面に形成された凹部孔と嵌合するように構成されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発明において、前記放熱フィンは、任意形状からなる複数のフィンが一体化された構造体であることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発明において、前記複数の放熱フィンは、前記プリント基板上に設けられた電子部品の配置状態に応じて大きさが異なる形状でそれぞれ形成されることを特徴とする。
本発明によれば、ヒートシンクは、任意形状からなる放熱フィンを高さ方向に複数積層させ連結することで構成できるので、任意形状に形成された複数の放熱フィンの組み合わせにより容易に放熱特性(冷却性能)を備えたヒートシンクを構成することができるうえ、電気部品の配置に応じた放熱フィンを使用することにより、周辺電子部品の高密度実装が可能であり、良好な電気特性を図るとともに、且つカスタム設計する手間がない安価なヒートシンクを実現することができる。
また、本発明によれば、ヒートシンクは、プリント基板に設けられた電子デバイス上に固定されるベースヒートシンクと、当該ベースヒートシンクに対して、放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態に締結する締結手段とを備えるので、任意形状に形成された複数の放熱フィンの組み合わせを締結手段により連結することで、容易に放熱特性(冷却性能)を備えたヒートシンクを構成することができるうえ、電気部品の配置に応じた放熱フィンを使用することにより、周辺電子部品の高密度実装が可能であり、良好な電気特性を図るとともに、且つカスタム設計する手間がない安価なヒートシンクを実現することができる。
また、本発明によれば、ヒートシンクは、放熱フィン同士を締結する締結手段を備え、放熱フィンは、締結部材を貫通する通孔及び当該締結部材の先端部に形成されたネジ部と螺合可能なネジ孔とが形成され、締結部材は、放熱フィンの通孔を貫通するともに、当該放熱フィンの下方に位置する放熱フィンのネジ孔に螺合することにより、放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態に締結する構成としているので、複数の放熱フィンのうちの1つの放熱フィンを連結用の放熱フィンとして使用でき、これによって部品点数を低減することができる。
また、本発明によれば、締結手段は、放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態で、放熱フィンの所定位置に形成した通孔を貫通し、ベースヒートシンクの所定位置に形成したネジ孔に対して締結されるネジ部材であるので、ネジ部材により放熱フィンを複数積層させた状態で連結しヒートシンクとして構成することができる。
また、本発明によれば、締結手段は、放熱フィンの上面に形成されたネジ孔と、放熱フィンの下面に設けられた前記ネジ孔と螺合可能なネジ締結部材により構成されるとともに、ネジ締結部材は、ベースヒートシンクの上面に形成されたネジ孔と螺合するように構成されているので、放熱フィン同士を連結する取り付けネジが不要となり、部品点数の低減とともに、複数の放熱フィンによるヒートシンクの組み付け作業を容易に行なうことができる。
また、本発明によれば、締結手段は、放熱フィンの上面に形成された凹部孔と、放熱フィンの下面に設けられた凹部孔に対して嵌合可能な凸部材により構成されるとともに、凸部材は、前記ベースヒートシンクの上面に形成された凹部孔と嵌合するように構成されているので、放熱フィン同士を連結する取り付けネジが不要となり、部品点数の低減とともに、複数の放熱フィンによるヒートシンクの組み付け作業を容易に行なうことができる。
また、本発明によれば、記放熱フィンは、任意形状からなる複数のフィンが一体化された構造体であるので、複数の任意の形状に形成された放熱フィンとしてのヒートシンクの組み付け作業を容易に行なうことができる。
また、本発明によれば、複数の放熱フィンは、プリント基板上に設けられた電子部品の配置状態に応じて大きさが異なる形状でそれぞれ形成されるので、電子デバイスや電子部品の配置に応じて、汎用性の優れたヒートシンクを構成することができる。
以下に添付図面を参照して、この発明に係るヒートシンクの好適な実施例を詳細に説明する。ここで、実施例1では、プリント基板上に設けられた電子デバイスAに搭載されるヒートシンクの適用例を示す。なお、以下に示す実施例1によりこの発明が限定されるものではない。
[ヒートシンク10の構成]
図1、図2−1及び図2−2、図3−1及び図3−2を参照して、本実施例1に係るヒートシンク10の詳細について説明する。ここで、図1は、実施例1に係るヒートシンク10の全体構成を示す分解構成図である。また、図2−1及び図2−2は、図1に示した放熱フィン11の平面図及び側面図をそれぞれ示している。また、図3−1及び図3−2は、図1に示したベースヒートシンク15の平面図及び側面図をそれぞれ示している。なお、以下では、プリント基板Pに搭載された電子デバイスAの上面に固定されたヒートシンク10について説明する。ここで、図中の符号Rは、信号のスイッチング・ノイズや電磁波ノイズを低減するためのダンピング抵抗を、符号Cは、バイパスコンデンサを示している。
ここで、本実施例1に係るヒートシンク10は、従来使用している複数の放熱フィンから構成される一体型のヒートシンクの放熱フィンを分割し、且つ任意の大きさに形成された放熱フィンを複数組み合わせて所望の形状としたヒートシンクを構成することに特徴がある。
すなわち、図1に示すように、ヒートシンク10は、複数(図1では、3枚)の薄板円盤状に形成された複数の放熱フィン11と、これら複数の放熱フィン11を高さ方向(図1の上下方向)に積層させた状態で、電子デバイスAの上面に固定するベースヒートシンク15とで構成し、複数の放熱フィン11同士の連結は、一対の締結ネジ17により行なう構成としている。なお、複数の放熱フィン11の大きさは任意の径寸法として形成される。
また、図2−1及び図2−2に示すように、放熱フィン11の下面側のほぼ中央部には、小円盤状の固定ベース13が固設され、この固定ベース13には、2本の締結ネジ17を挿通させるための一対の通孔14が形成されている。また、放熱フィン11の上面側のほぼ中央部にも、2本の締結ネジ17の頭部18が嵌合可能な嵌合孔12が形成されている。
一方、図3−1及び図3−2に示すように、ベースヒートシンク15には、放熱フィン11の通孔14から挿通された締結ネジ17の先端部に形成されたネジ部と螺合し、複数の放熱フィン11を連結させた状態で、締結ネジ17をベースヒートシンク15に対して締結させるための一対のネジ孔16が形成されている。
以下、図1を参照して、放熱フィン11とベースヒートシンク15と締結ネジ17とを使用したヒートシンク10の構成例について説明する。すなわち、図1に示すように、先ず、2本の締結ネジ17を、3枚の放熱フィン11の固定ベース13に形成された通孔14をそれぞれ挿通させるとともに、これら2本の締結ネジ17の先端部に形成したネジ部をベースヒートシンク15の一対のネジ孔16に螺合させ締結する。これにより、複数(3枚)の放熱フィン11を積層させた状態でヒートシンク10として構成することができる。そして、最後にベースヒートシンク15の下面と電子デバイスAの上面とを接着剤などを使用して固定することにより、放熱フィン11が複数積層されたヒートシンク10を電子デバイスAに搭載させることができる。
以上説明したように、本実施例1によれば、ヒートシンク10は、複数の放熱フィン11を任意の径寸法に形成するとともに、これら複数の放熱フィン11同士の連結は、それぞれの放熱フィン11に設けられた通孔14に一対の締結ネジ17を挿通させ、この締結ネジ17の先端部を、電子デバイスAの上面に固定したベースヒートシンク15のネジ孔16に螺合させ締結することで構成することができるので、任意形状に形成された複数の放熱フィンの組み合わせにより容易に放熱特性(冷却性能)を備えたヒートシンクを構成することができるうえ、良好な電気特性を図るとともに、且つカスタム設計する手間がない安価なヒートシンクを構成することができる。
次に、図4、図5−1及び図5−2、図6−1及び図6−2を参照して、本実施例2に係るヒートシンク20の構成について説明する。ここで、図4は、実施例2に係るヒートシンク20の全体構成を示す分解構成図である。また、図5−1及び図5−2は、図4に示した放熱フィン21の平面図及び側面図をそれぞれ示している。また、図6−1及び図6−2は、図4に示したベースヒートシンク25の平面図及び側面図をそれぞれ示している。ここで、本実施例2に係るヒートシンク20は、実施例1で示した一対の締結ネジ17を使用することなく、複数の放熱フィン21を積層させた状態で連結する構成としたことに特徴がある。
すなわち、図5−1及び図5−2に示すように、放熱フィン21の下面側のほぼ中央部には、小円盤状の固定ベース23が固設され、この固定ベース23のほぼ中央部には、先端部にネジ部が形成された取り付け軸24が固設されている。また、同じく放熱フィン21の上面側のほぼ中央部には、固定ベース23に固設された取り付け軸24のネジ部が螺合可能なネジ孔22が形成されている。
一方、図6−1及び図6−2に示すように、ベースヒートシンク25のほぼ中央部にも、放熱フィン21の固定ベース23の取り付け軸24のネジ部が螺合可能なネジ孔26が形成されている。
以下、図4を参照して、放熱フィン21及びベースヒートシンク25を使用したヒートシンク20の構成例について説明する。すなわち、先ず、1番下(3番目)に位置させる放熱フィン21の上面側に形成されたネジ孔22に真中(2番目)に位置させる放熱フィン21の下面側に設けられた取り付け軸24の先端部(ネジ部)を螺合させる。次に、この真中(2番目)の放熱フィン21の上面側のネジ孔22に一番上(1番目)に位置させる放熱フィン21の下面側の取り付け軸24の先端部を螺合させる。これにより、分割されていた3枚の放熱フィン21がそれぞれ取り付け軸24とネジ孔22との締結により連結され一体化されることとなる。次に、ベースヒートシンク25の上面側に形成されたネジ孔26に対して、1番下(3番目)に位置する放熱フィン21の下面側の取り付け軸24の先端部を螺合させる。これにより、放熱フィン21が複数積層されたヒートシンク20を電子デバイスAに搭載させることができる。なお、実施例1と同様に、ベースヒートシンク25の下面と電子デバイスAの上面との固定は、接着剤などを使用して行なう。
本実施例2によれば、複数の放熱フィン21同士の連結は、それぞれの放熱フィン21に設けられた取り付け軸24の先端部に形成されたネジ部を、連結側の放熱フィン21のネジ孔22に螺合させ締結することでヒートシンク20を構成することができるので、電子部品の配置状態に応じて好適なヒートシンクを容易に構成することができる。また、実施例1で使用した締結ネジ17を不要とすることができ、これによって、部品点数の低減を図ることができる。
次に、図7、図8−1、2、図9−1、2を参照して、本実施例3に係るヒートシンク20について説明する。図7は、実施例3に係るヒートシンクの全体構成を示す分解構成図である。また、図8−1、2は、図7に示した放熱フィンの平面図及び側面図である。また、図9−1、2は、図7に示したベースヒートシンクの平面図及び側面図である。ここで、図7に示すように、本実施例3に係るヒートシンク30は、実施例2と同様に、締結ネジ17を使用しないで、複数の放熱フィン31を積層させた状態でヒートシンク30を構成することに特徴がある。
すなわち、図8−1及び図8−2に示すように、放熱フィン31の下面側のほぼ中央部には、小円盤状の固定ベース33が固設され、この固定ベース33のほぼ中央部には取り付け軸34が固設されている。また、放熱フィン31の上面側のほぼ中央部には、固定ベース33に固設された取り付け軸34の先端部が嵌合可能な凹部孔32が形成されている。
一方、図9−1及び図9−2に示すように、ベースヒートシンク35のほぼ中央部にも、放熱フィン31の固定ベース33に固設された取り付け軸34の先端部と嵌合可能な凹部孔36が形成されている。ここで、本実施例3では、取り付け軸34と凹部孔36の組み合わせを1個所としているが、これら取り付け軸34と凹部孔36の組み合わせを2箇所としてもよく、この場合、より強固に放熱フィン31同士の連結を行なうことができる。
以下、図7を参照して、放熱フィン31及びベースヒートシンク35を使用したヒートシンク30の連結方法の一例を説明する。すなわち、先ず、1番下(3番目)に位置させる放熱フィン31の上面側に形成された凹部孔32に真中(2番目)に位置させる放熱フィン30の固定ベース33の下面側に設けられた取り付け軸34の先端部を嵌合させる。
次に、同じくこの真中(2番目)の放熱フィン31の上面側に形成された凹部孔32に1番上(1番目)に位置させる放熱フィン31の固定ベース33の下面側に設けられた取り付け軸34の先端部を嵌合させる。次に、複数の放熱フィン31を複数積層させ連結させた状態で、1番下(3番目)に位置する放熱フィン31の下面側を電子デバイスAの上面側に搭載させ、接着剤などを使用して固定する。
以上説明したように、本実施例3によれば、複数の放熱フィン31同士の連結は、それぞれの放熱フィン31に設けられた取り付け軸34の先端部を、連結側の放熱フィン31の凹部孔32に嵌合することでヒートシンク30を構成することができるので、電子部品の配置状態に応じて好適なヒートシンクを容易に構成することができる。また、本実施例3の場合も、実施例1で使用した締結ネジ17を不要とすることができ、これによって、部品点数の低減を図ることができる。
次に、図10、図11−1及び図11−2を参照して、本実施例4に係るヒートシンク40の構成について説明する。ここで、図10は、本実施例4に係るヒートシンク40の全体構成を示す分解構成図である。また、図11−1及び図11−2は、図10に示した放熱フィン41の平面図及び側面図をそれぞれ示している。ここで、本実施例4に係るヒートシンク40の特徴は、実施例1〜実施例3で使用しているベースヒートシンクを不要とする構成にあり、具体的には、複数(3枚)の放熱フィン41のうちの1つの放熱フィン41をベースヒートシンクと同様の機能を備えた取り付けベースとして兼用することに特徴がある。
すなわち、図11−1及び図11−2に示すように、放熱フィン41の下面側のほぼ中央部には、小円盤状の固定ベース43が固設され、放熱フィン41の上面と固定ベース43を挿通する2箇所の対角線上の位置には、2本の締結ネジ48を挿通させるための一対の通孔44と、同じく2本の締結ネジ48の先端部が螺合する一対のネジ孔45とがそれぞれ形成されている。また、これら一対の通孔44及び一対のネジ孔45の上部は、締結ネジ48の頭部18が嵌合可能な嵌合部42が形成されている。
以下、図10を参照して、放熱フィン41と締結ネジ48を使用したヒートシンク40の構成例を説明する。すなわち、図10に示すように、先ず、3枚の放熱フィン41のうちの1番目と2番目の固定ベース43に形成された一対の通孔44が一致するように、2枚の放熱フィン41を配置する。次に、3番目の放熱フィン41の位置を1番目と2番目の放熱フィン41から90°回転させた位置に配置する。具体的には、1、2番目の放熱フィン41の通孔44と3番目の放熱フィン41のネジ孔45とが一致するように3枚の放熱フィン41を配置する。次に、2本の締結ネジを1、2番目の放熱フィン41の通孔44にそれぞれ挿通させ、さらに、この2本の締結ネジ48の先端部に形成したネジ部を3番目の放熱フィン41の一対のネジ孔45に螺合させ締結する。これにより、複数(3枚)の放熱フィン41を積層させた状態でヒートシンク40として構成することができる。最後に3番目の放熱フィン41の固定ベース43の下面と電子デバイスAの上面とを接着剤などを使用して固定する。これにより、放熱フィン41が複数積層されたヒートシンク40を電子デバイスAに搭載させることができる。
本実施例4によれば、複数の放熱フィン41同士の連結は、締結ネジ48を1、2番目の放熱フィン41の通孔44にそれぞれ挿通させ、さらに、この2本の締結ネジ48の先端部に形成したネジ部を3番目の放熱フィン41の一対のネジ孔45に螺合させ締結することで行なうので、実施例1で使用した複数の放熱フィンを締結する部材(ベースヒートシンク)を不要とすることができ、これによって、部品点数の低減を図ることができる。
以上、実施例1〜実施例4により放熱フィンを分割して構成するヒートシンクについて説明したが、これら任意形状からなる複数の放熱フィンを一体化された構造体としてもよい。この場合、複数の任意の形状に形成された放熱フィンとしてのヒートシンクの組み付け作業を容易に行なうことができる。
次に、図12〜図15を参照して本発明の適用例を説明する。図12は、本発明によるヒートシンク10aをプリント基板Pの両面に設けられた電子デバイスAの上面にそれぞれ搭載した例を示している。ここで、図12の例では、ヒートシンク10aを構成する複数の放熱フィン11を4枚とし、このうち3枚の放熱フィン11(1枚目、2枚目、3枚目)の大きさを同一の幅寸法Tとし、1番下側に位置する放熱フィン11(4枚目)の大きさが小径(幅寸法T)となる放熱フィン11として形成している。
この場合、図12の上側に位置するヒートシンク10aで説明すると、ヒートシンク10aを構成する上から3番目に位置する大径に形成された放熱フィン11の下面側と、1番下(4枚目)に位置する小径に形成された放熱フィン11aの外周側との間には、所定の空間領域が形成され、この空間領域が電子部品を配置可能な領域となる。これによって、同図に示すように、電子デバイスAの真近(近傍)には、ダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を配置させることができる。この結果、これらダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品により良好な電気特性を図ることができる。また、同図に示すように、電子デバイスAから離隔させて電気部品を配置させる必要がないため高密度実装を可能とすることができる。
また、図13は、プリント基板Pの表裏両面に電子デバイスAをずらして配置し、この電子デバイスAにそれぞれヒートシンク10aを搭載した例を示している。この場合も前述した図12と同様に、ヒートシンク10aを構成する3番目の大径の放熱フィン11の下面側と、1番下の小径の放熱フィン11aの外周側との間には、空間領域が形成され、この空間領域が電子部品を配置可能な領域となる。これによって、電子デバイスAの真近にダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を配置させることができる。この結果、ダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCにより良好な電気特性を図ることができるとともに、周辺部品や電気部品の高密度実装を可能とすることができる。
また、図14は、プリント基板Pの下面に光モジュールを接続するプラグの挿通領域(図14の破線囲み部分)があり、この電子デバイスAにヒートシンク10aを搭載した例を示している。この場合も前記図12と同様に、ヒートシンク10aを構成する大径の放熱フィン11の下面側と、小径の放熱フィン11aの外周側に空間領域を形成することができ、この空間領域が電子部品を配置可能な領域となるため、これによって、電子デバイスAの真近にダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCなどの電子部品を配置させることができる。この結果、ダンピング抵抗RやバイパスコンデンサCにより良好な電気特性を図ることができるとともに、周辺部品や電気部品の高密度実装を可能とすることができる。
次に、図15は、実施例1〜実施例4で説明したヒートシンクをスタック型のプリント基板に適用した例を示している。すなわち、サブ側のプリント基板P´の裏面側にメイン側のプリント基板Pに搭載された電子デバイスAが対向しており、この電子デバイスAにヒートシンク10bが設けられた例を示している。ここで、サブ側のプリント基板P´の裏面側には、2個の回路部品が搭載されている。
すなわち、図15に示すように、ヒートシンク10bを構成する複数(4枚)の放熱フィン11、11bのうちの3枚の放熱フィン(1枚目、2枚目、3枚目)の大きさを小径(幅寸法T)の放熱フィン11bとし、一番下側に位置する1枚の放熱フィン11を大径(幅寸法T)の放熱フィン11として構成している。この場合、同図に示すように、プリント基板P´の下方には、小径に形成された3枚の放熱フィン11bと大径に形成された1枚の放熱フィン11とにより放熱フィン11bと回路部品との接触がない空間領域が形成される。これによって、プリント基板P´の裏面側に設けられた回路部品は、空間領域に配置することができるため、高密度実装を図ることができる。
具体的に説明すると、このようにヒートシンク10bには、小径に形成された3枚の放熱フィン11bにより空間領域が形成されているため回路部品と放熱フィンとが接触しないように回路部品を横方向に遠ざけて配置することが不要となる。また、同様に、空間領域に回路部品を配置することができるため、従来のように回路部品を高さ方向に遠ざけて距離L(図21−2)離隔させて配置することが不要となるため、サブ側のプリント基板P´とメイン側のプリント基板Pとの距離(L)を小さくすることができ、これによっ
て、周辺部品や電子部品の高密度実装が可能となる。
以上のように、本発明にかかるヒートシンクは、プリント基板上に設けられた電子デバイスに対する放熱性能(冷却機能)を維持するのに有用であり、特に、プリント基板上で電子部品の高密度実装を可能とすることに適している。
図1は、実施例1に係るヒートシンクの全体構成を示す分解構成図である。 図2−1は、図1に示した放熱フィンの平面図である。 図2−2は、図1に示した放熱フィンの側面図である。 図3−1は、図1に示したベースヒートシンクの平面図である。 図3−2は、図1に示したベースヒートシンクの側面図である。 図4は、実施例2に係るヒートシンクの全体構成を示す分解構成図である。 図5−1は、図4に示した放熱フィンの平面図である。 図5−2は、図4に示した放熱フィンの側面図である。 図6−1は、図4に示したベースヒートシンクの平面図である。 図6−2は、図4に示したベースヒートシンクの側面図である。 図7は、実施例3に係るヒートシンクの全体構成を示す分解構成図である。 図8−1は、図7に示した放熱フィンの平面図である。 図8−2は、図7に示した放熱フィンの側面図である。 図9−1は、図7に示したベースヒートシンクの平面図である。 図9−2は、図7に示したベースヒートシンクの側面図である。 図10は、実施例4に係るヒートシンクの全体構成を示す分解構成図である。 図11−1は、図10に示した放熱フィンの平面図である。 図11−2は、図10に示した放熱フィンの側面図である。 図12は、ヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図13は、ヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図14は、ヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図15は、ヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図16−1は、従来のヒートシンクを構成する放熱フィンの平面図である。 図16−2は、従来のヒートシンクの全体構成を示す側面図である。 図17は、従来のヒートシンクを示す平面図である。 図18は、従来のヒートシンクを示す側面図である。 図19−1は、従来のヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図19−2は、従来のヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図20は、従来のヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図21−1は、従来のヒートシンクの適用例を示す側面図である。 図21−2は、従来のヒートシンクの適用例を示す側面図である。
1、10、20、30、40 ヒートシンク
2 円柱部
3、11、21、31、41 放熱フィン
12、42 嵌合孔
13、23、33、43 固定ベース
14、44 通孔
15、25、35 ベースヒートシンク
16、22、26、45 ネジ孔
17、48 締結ネジ
18 頭部
32、36 凹部孔
A 電子デバイス
P プリント基板

Claims (8)

  1. プリント基板上に設けられた電子デバイスの放熱を行なうための複数の放熱フィンを備えたヒートシンクであって、
    前記ヒートシンクは、第1の放熱フィンおよび前記第1の放熱フィンよりも径が小さい第2の放熱フィンの双方を含み、前記第1の放熱フィンおよび前記第2の放熱フィンを高さ方向に複数積層させ連結することで放熱フィンの各層を形成する際に、前記第1の放熱フィンが回路部品と干渉する層には前記回路部品と干渉しない前記第2の放熱フィンを積層させ、前記第1の放熱フィンが回路部品と干渉しない層においては前記第1の放熱フィンを積層させ連結することで構成される
    ことを特徴とするヒートシンク。
  2. 前記ヒートシンクは、前記プリント基板に設けられた電子デバイス上に固定されるベースヒートシンクと、当該ベースヒートシンクに対して、前記放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態に締結する締結手段とを備える
    ことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。
  3. 前記複数の放熱フィンの各々は、各前記放熱フィンの中心付近に、前記中心から等距離の位置に、前記中心を含む第1の対角線上に設けられる1対のネジ孔と、前記中心を含み前記第1の対角線と直交する第2の対角線上に設けられる1対の通孔とが設けられ、
    前記1対のネジ孔及び前記1対の通孔がそれぞれ設けられた下層の放熱フィン、中間層の放熱フィン及び上層の放熱フィンをこの順序で積層して締結する際に、前記下層の放熱フィン及び前記上層の放熱フィンの前記1対のネジ孔及び前記1対の通孔の鉛直方向の位置を同一とし、前記中間層の放熱フィンの前記1対のネジ孔及び前記1対の通孔の鉛直方向の位置を、前記下層の放熱フィン及び前記上層の放熱フィンの前記1対の通孔及び前記ネジ孔それぞれと同一として積層し、ネジを、上方から、前記上層の放熱フィンの前記1対のネジ孔を螺通させ、前記中間層の放熱フィンの前記1対の通孔を挿通させ、前記下層の放熱フィンの前記1対のネジ孔に螺合させることにより、前記下層の放熱フィン、前記中間層の放熱フィンおよび前記上層の放熱フィンを締結する
    ことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。
  4. 前記締結手段は、
    前記放熱フィンを高さ方向に複数積層させた状態で、前記放熱フィンの所定位置に形成した通孔を貫通し、前記ベースヒートシンクの所定位置に形成したネジ孔に対して締結されるネジ部材である
    ことを特徴とする請求項2に記載のヒートシンク。
  5. 前記締結手段は、
    前記放熱フィンの上面に形成されたネジ孔と、前記放熱フィンの下面に設けられた前記ネジ孔と螺合可能なネジ締結部材により構成されるとともに、前記ネジ締結部材は、前記ベースヒートシンクの上面に形成されたネジ孔と螺合するように構成されている
    ことを特徴とする請求項2に記載のヒートシンク。
  6. 前記締結手段は、
    前記放熱フィンの上面に形成された凹部孔と、前記放熱フィンの下面に設けられた前記凹部孔に対して嵌合可能な凸部材により構成されるとともに、前記凸部材は、前記ベースヒートシンクの上面に形成された凹部孔と嵌合するように構成されている
    ことを特徴とする請求項2に記載のヒートシンク。
  7. 前記放熱フィンは、任意形状からなる複数のフィンが一体化された構造体である
    ことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。
  8. 前記複数の放熱フィンは、前記プリント基板上に設けられた電子部品の配置状態に応じて大きさが異なる形状でそれぞれ形成される
    ことを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5573601B2 (ja) * 2010-10-29 2014-08-20 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 基板の結露防止構造
KR101405402B1 (ko) * 2013-02-13 2014-06-11 (주)버금기술 리드프레임

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04130759A (ja) * 1990-09-21 1992-05-01 Nec Corp ヒートシンク
JPH0631151U (ja) * 1992-09-18 1994-04-22 安藤電気株式会社 Ic用フィンの構造
JPH06291225A (ja) * 1993-04-05 1994-10-18 Toshiba Corp 半導体装置
JPH07183432A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Corp ヒートシンク付半導体パッケージ
US5654587A (en) * 1993-07-15 1997-08-05 Lsi Logic Corporation Stackable heatsink structure for semiconductor devices
JP2005086019A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 電源装置の放熱構造

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3372733A (en) * 1964-02-11 1968-03-12 Russell J. Callender Method of maintaining electrical characteristics of electron tubes and transistors an structure therefor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04130759A (ja) * 1990-09-21 1992-05-01 Nec Corp ヒートシンク
JPH0631151U (ja) * 1992-09-18 1994-04-22 安藤電気株式会社 Ic用フィンの構造
JPH06291225A (ja) * 1993-04-05 1994-10-18 Toshiba Corp 半導体装置
US5654587A (en) * 1993-07-15 1997-08-05 Lsi Logic Corporation Stackable heatsink structure for semiconductor devices
JPH07183432A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Corp ヒートシンク付半導体パッケージ
JP2005086019A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 電源装置の放熱構造

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