JP5253956B2 - 固体撮像装置及びその駆動方法、並びに電子情報機器 - Google Patents
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また、0行目の転送トランジスタの制御信号TX0と、2行目の転送トランジスタの制御信号TX2を同時にHレベルとして読出し速度の高速化を図ることは可能である。
同様に、図14に示す回路構成では、例えば、1行目の転送トランジスタTr1の制御信号TX1をHレベルとして、緑色電荷を蓄積したフォトダイオードPD1の電荷をFD部に転送する。
(実施形態1)
図1〜図11は、本発明の実施形態1による固体撮像装置を説明する図であり、図1(a)は該固体撮像素子の全体構成を模式的に示し、図1(b)は、この実施形態1の固体撮像装置における画素信号の加算平均化処理を行う画素加算平均化部の構成を示している。また、図2は、該固体撮像素子における画素を構成する画素回路(画素部)を示している。
増幅トランジスタSFTr1のゲートソース電位差は、下記(2)式で表される。
そして、このとき、増幅トランジスタSFTr0はトランジスタ飽和動作となり、電流値Iは、以下の式(3)で表される。
上式(1)、(2),(3)から、両増幅トランジスタSFTrのゲート電位レベルの関係は以下のように導出される。
(Vid−Vo−Vth) = √(2・I/β)
Vo+Vth = Vid − √(2・I/β) (3B)
また、(1)式、(2)式より以下の(3C)式が得られる。
Vil < Vo + Vth (3C)
(3C)式に(3B)式を代入して以下のように(4)式が得られる。
ここでは、この(4)式に、β=232μ(A/V2),I=2.53μ(A)を代入し、以下の(5)の条件式を得ている。
該増幅トランジスタSFTrのゲインを0.9とすると、両SFTrのソース電位レベル差は0.127Vとなる。
この場合、明画素(補正対象画素)Pxのレベルは、その両側の隣接画素Pn1及びPn2より明るいレベルであるので、明画素(補正対象画素)のレベルは出力に影響を与えていない範囲であると考えられる。このパターンは、明るさを保つ以上、暗画素の影響は少ない模様のパターンである。
この場合、補正対象画素Pxの明るさレベルと隣接の明画素Pn1あるいはPn2の明るさレベルとの間に、補正対象画素Pxの明るさレベルの真値があるはずである。
この場合、補正対象画素Pxと隣接画素Pn1及びPn2のどちらかとの間に真値があると考えられる。
但し、NOEFFCは、2つの増幅トランジスタSFTrの出力ショート時に画素加算平均化値が、明るい方の画素に対応する増幅トランジスタSFTrの影響を受けない時の、該両増幅トランジスタの2つの入力の電位差[デジタル値]である。
3)補正対象画素と隣接画素との明るさレベルの関係が、明(上部画素Pn1)−暗(補正対象画素Px)−明(下部画素Pn2)となっている場合は、以下のとおり補正値(画素加算平均値)を決定する。
但し、この補正値は、上記SF出力ショート結果(画素加算平均値)が暗いレベルに引っ張られるという傾向から導出した1例に過ぎない。
2)位相PHASE=0〜35/36π,STEP=1/36π
この条件で、DCシミュレーション実施している。
(実施形態2)
図12は、本発明の実施形態2による固体撮像装置を説明する図である。
トランジスタSFTr1のゲートソース電位差は式(2)で示される。
トランジスタSFTr0はトランジスタ飽和動作時に式(3)で示される電流を供給する。
上式(1),(2),(3)から両SFTrのゲート電位レベルの関係は以下のように導出される。
(Vid−Vo−Vth) = √(2・I/β)
Vo+Vth = Vid − √(2・I/β) (3B)
また、(1)式、(2)式より以下の(3C)式が得られる。
Vil < Vo + Vth (3C)
(3C)式に(3B)式を代入して以下のように(4)式が得られる。
実施形態1では、β=232μ(A/V2),I=2.53μ(A)を代入し、以下の(5)の条件式を得ている。
本実施形態2では、低電流源CIの電流供給能力を2倍とした場合には、I=5.06μ(A),β=232μ(A/V2)を(4)式に代入することにより、(6)式が導出される。
つまり、(4)式と(6)式を比較すると、低電流源CIの電流供給能力を2倍することにより、ゲートレベルVilとVidの差が、0.209 − 0.142 = 0.067 V となる。
(実施形態3)
図13は、本発明の実施形態3として、実施形態1あるいは2の固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
91 撮像部
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
10 固体撮像装置
10a 画素アレイ部
10b 垂直選択回路
10c 水平選択回路
110 SF出力ショート回路
120 コラムAD部
130 デジタルデータ補正回路
L 定電流源
PD0〜PD3 フォトダイオード
SFTr0、SRTr1 増幅トランジスタ(ソースフォロア)
Tr2、Tr3 転送トランジスタ
Claims (15)
- 複数の画素を行列状に配列してなる画素アレイと、該各列の画素に対応するよう設けられ、該画素に対応する画素信号を読み出すための垂直信号線と、該垂直信号線に読み出された画素信号を処理する信号処理回路とを備えた固体撮像装置であって、
該各画素は、光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子と、該光電変換素子で生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積部と、該光電変換素子から信号電荷を該電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、該電荷蓄積部での信号電荷の蓄積により生成された信号電圧を増幅して読み出す増幅トランジスタとを有し、
該画素アレイは、
異なる増幅トランジスタに接続された転送トランジスタが同時にオンしたとき、対応する電荷蓄積部の信号電圧により、該異なる増幅トランジスタの出力信号を1つの垂直信号線に出力して、複数の画素の画素信号の平均化を行う画素平均化回路を有しており、
該信号処理回路は、
該画素平均化回路から出力される画素加算平均値をアナログ値からデジタル値にAD変換するAD変換回路と、
決められたアルゴリズムに従って、該画素信号の読み出しの対象となる対象画素と同じ列の近傍画素のレベルに基づいて、該AD変換された画素加算平均値を、これが理想加算平均値に近づくよう補正する補正回路と
を備えている固体撮像装置。 - 前記画素アレイは、隣接する光電変換素子に接続された2つの転送トランジスタの出力を1つの増幅トランジスタのゲートに接続した2画素共有構造を有する請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記画素アレイは、異なる色の画素を所定の順序で繰り返し配列してなるものであり、
前記画素平均化回路は、同じ列の同色の2画素の画素信号を、これらの画素の画素信号が平均化されるよう加算して画素加算平均値を出力する請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記各垂直信号線に定電流を供給して、前記増幅トランジスタとともにソースフォロア回路を構成するよう、該垂直信号線に接続された定電流源を備え、
前記複数の画素の画素信号の平均化を行う際には、該定電流源の電流供給能力を、前記画素平均化回路を構成する増幅トランジスタの動作範囲が拡大するよう増大させる請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素の画素信号の平均化を行う際には、前記定電流源の電流供給能力の増大により、前記画素平均化回路を構成する複数の増幅トランジスタのうちの、明るい画素からの画素信号を読み出す増幅トランジスタの動作範囲を拡大させる請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記画素平均化回路は、前記対象画素の画素信号を、該対象画素の近傍に位置する近傍画素の画素信号との間で平均化して画素加算平均値として出力するものである、請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記補正回路は、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値より、該対象画素と同列の最も隣接する2つの同色の隣接画素の輝度レベルが暗い場合であって、該2つの同色の隣接画素のうちの1つの隣接画素の輝度レベルが該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上に暗い場合には、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値を、より明るい第1の輝度レベルとなるよう補正する請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記補正回路は、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値より、前記対象画素と同列の最も隣接する2つの同色の隣接画素の輝度レベルが暗い場合であって、該2つの同色の隣接画素の輝度レベルが該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上に暗い場合には、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値を、前記第1の輝度レベルよりさらに明るい第2の輝度レベルとなるよう補正する請求項6または7に記載の固体撮像装置。 - 前記補正回路は、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値より、該対象画素と同列の最も隣接する2つの同色の隣接画素のうちの1つの隣接画素の輝度レベルが明るく、かつ該2つの同色の隣接画素のうちのもう1つの隣接画素の輝度レベルが該対象画素の輝度レベルより暗い場合であって、該2つの隣接画素のうちの明るい方の隣接画素が該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上に明るい場合には、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値を、より明るい輝度レベルとなるよう補正する請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記補正回路は、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値より、該対象画素と同列の最も隣接する2つの同色の隣接画素のうちの1つの隣接画素の輝度レベルが明るく、かつ該2つの同色の隣接画素のうちのもう1つの隣接画素の輝度レベルが該対象画素の輝度レベルより暗い場合であって、該2つの隣接画素のうちの暗い方の隣接画素が、該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上に暗い場合には、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値を、より明るい輝度レベルとなるよう補正する請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記補正回路は、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値より、該対象画素と同列の最も隣接する2つの同色の隣接画素のうちの1つの隣接画素の輝度レベルが明るく、かつ該2つの同色の隣接画素のうちのもう1つの隣接画素の輝度レベルが該対象画素の輝度レベルより暗い場合であって、該2つの隣接画素のうちの明るい方の隣接画素が、該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上に明るく、かつ該2つの隣接画素のうちの暗い方の隣接画素が、該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上に暗い場合には、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値を、前記第2の輝度レベルよりさらに明るい第3の輝度レベルとなるよう補正する請求項8に記載の固体撮像装置。 - 前記補正回路は、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値より、該対象画素と同列の最も隣接する2つの同色の隣接画素の輝度レベルが明るい場合であって、該2つの同色の隣接画素のうちの1つの隣接画素の輝度レベルが該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上の明るい場合には、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値を、より明るい輝度レベルとなるよう補正する請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記補正回路は、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値より、該対象画素と同列の最も隣接する2つの同色の隣接画素の輝度レベルが明るい場合であって、該2つの同色の隣接画素の輝度レベルが該対象画素の輝度レベルに対してある閾値以上の明るい場合には、
前記対象画素の輝度レベルである前記AD変換された画素加算平均値を、前記第3の輝度レベルよりさらに明るい第4の輝度レベルとなるよう補正する請求項11に記載の固体撮像装置。 - 複数の画素部を行列状に配列してなる画素アレイと、該各列の画素に対応するよう設けられ、該画素に対応する画素信号を読み出すための垂直信号線と、該垂直信号線に読み出された画素信号を処理する信号処理回路とを備え、該各画素部は、光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子と、該光電変換素子で生成された信号電荷を蓄積する電荷蓄積部と、該光電変換素子から信号電荷を該電荷蓄積部に転送する転送トランジスタと、該電荷蓄積部での信号電荷の蓄積により生成された信号電圧を増幅して読み出す増幅トランジスタとを有する固体撮像装置を駆動する方法であって、
異なる増幅トランジスタに接続された転送トランジスタが同時にオンしたとき、対応する電荷蓄積部の信号電圧により、該異なる増幅トランジスタの出力信号を1つの垂直信号線に出力して、複数の画素の画素信号の平均化を行って画素加算平均値として出力するステップと、
該画素加算平均値をアナログ値からデジタル値にAD変換するステップと、
決められたアルゴリズムに従って、該画素信号の読み出しの対象となる対象画素と同じ列の近傍画素のレベルに基づいて、該AD変換された画素加算平均値を、これが理想加算平均値に近づくよう補正するステップと
を含む固体撮像装置の駆動方法。 - 被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、
該撮像部は、請求項1に記載の固体撮像装置である電子情報機器。
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