JP5249156B2 - 多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 - Google Patents
多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5249156B2 JP5249156B2 JP2009192294A JP2009192294A JP5249156B2 JP 5249156 B2 JP5249156 B2 JP 5249156B2 JP 2009192294 A JP2009192294 A JP 2009192294A JP 2009192294 A JP2009192294 A JP 2009192294A JP 5249156 B2 JP5249156 B2 JP 5249156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- magnetic
- line
- substrate
- sensor pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 39
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 241000785681 Sander vitreus Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
図1及び図2に示すように、磁気センサ1には、同センサ1の各種部品の実装先として基板2が設けられている。基板2の表面には、センサエレメントをブリッジ状(ホイートストーンブリッジ)に組んだセンサパターン10が複数(本例は2つ)設けられている。即ち、本例の磁気センサ1は、磁界Hの向き(磁界方向)に応じた検出信号を出力するMRE(Magnetic Resistance Element)センサであるとともに、同じ機能を持つセンサパターン10を2つ持つ二重系となっている。本例の場合、図1に示すように、一方を第1センサパターン10aとし、他方を第2センサパターン10bとする。なお、磁気センサ1が多重系磁気センサに相当する。
(1)基板2に磁気抵抗11〜14,21〜24を成膜するに際し、これら磁気抵抗11〜14,21〜24を、それぞれの基準線Ka1〜Ka4,Kb1〜Kb4が全て中心線La,Lbに対して斜めを向くように配置した。このため、変形応力に対して耐性の高い基板2の角部3,5,7,9に、第1センサパターン10a及び第2センサパターン10bの両方が位置するので、これら両センサパターン10a,10b及びその保護膜26が基板2の角部3,5,7,9で強く支持された状態で基板2に取り付くことになる。このため、仮に保護膜26に残留応力が残存していても、この残留応力を要因とする保護膜26の応力変形、即ち磁気抵抗11〜14,21〜24に抵抗値変化が生じ難くなるので、第1センサパターン10a及び第2センサパターン10bの両方のオフセット電圧Voffを、ともに初期値から大きくばらつかせずに済ますことができる。
(3)磁気抵抗11〜14,21〜24は、第1中心線La及び前記第2中心線Lbのうち、近い側に対して基準線Ka1〜Ka4,Kb1〜Kb4が22.5度の角度向きをとるように配置される。このため、基板2の角部3,5,7,9に磁気抵抗11〜14,21〜24がバランス良く配置されるので、保護膜26から磁気抵抗11〜14,21〜24にかかる残留応力が効率良く分散される。このため、磁気抵抗11〜14,21〜24は保護膜26に内在する残留応力に影響を受け難くなるので、各センサパターン10a,10bのオフセット電圧Voffにバラツキを一層生じ難くすることができる。
・ センサパターン数は、2つ(センサパターン10a,10b)に限定されず、例えば3つ以上であってもよい。
・磁気抵抗11〜14,21〜24のつづら折り形状は、基板2の中心に向かうに従って徐々に幅狭となる形状に限定されず、例えば幅が一定の形状をとっていてもよい。
・センサパターン10a(10b)は、4つの磁気抵抗11〜14(21〜24)をホイートストーンブリッジに組んだフルブリッジに限定されず、例えば2つの磁気抵抗のみをブリッジに組むハーフブリッジとしてもよい。
(イ)請求項1,2において、複数の前記センサパターンは、ブリッジ回路の中心を基準として、一方を他方に対して所定角度だけ回転させた配置パターンをとっている。
Claims (2)
- センサエレメントをつづら折りとすることで形成される磁気検出素子を基板上にブリッジ状に組むことによりセンサパターンが形成され、当該センサパターンを前記基板上に複数設けることによって多重系に形成されている多重系磁気センサのセンサパターン配置構造において、
前記基板に格子状に設けられたスクライブラインのうち一方向側に延びる第1スクライブラインの群に沿うとともに、当該第1スクライブラインと直交する方向において前記基板を2等分する線を第1中心線とし、前記スクライブラインのうち他方向側に延びる第2スクライブラインの群に沿うとともに、当該第2スクライブラインと直交する方向において前記基板を2等分する線を第2中心線とし、更に、前記磁気検出素子を前記センサエレメントのつづら折り方向と直交する方向において2等分する線を基準線とすると、
複数の前記磁気検出素子は、それぞれの前記基準線が全て前記第1中心線及び前記第2中心線に対して斜めを向くように配置され、
前記センサパターンは、2組形成され、
前記磁気検出素子は、前記第1中心線及び前記第2中心線のうち近い側に対して、前記基準線が22.5度の角度向きをとるように配置されていることを特徴とする多重系磁気センサのセンサパターン配置構造。 - センサエレメントをつづら折りとすることで形成される磁気検出素子を基板上にブリッジ状に組むことによりセンサパターンを形成し、当該センサパターンを前記基板上に複数設けることによって多重系に形成する多重系磁気センサの製造方法において、
前記基板に格子状に設けられたスクライブラインのうち一方向側に延びる第1スクライブラインの群に沿うとともに、当該第1スクライブラインと直交する方向において前記基板を2等分する線を第1中心線とし、前記スクライブラインのうち他方向側に延びる第2スクライブラインの群に沿うとともに、当該第2スクライブラインと直交する方向において前記基板を2等分する線を第2中心線とし、更に、前記磁気検出素子を前記センサエレメントのつづら折り方向と直交する方向において2等分する線を基準線とすると、
前記基板に複数の前記磁気検出素子を形成する際、当該磁気検出素子をそれぞれの前記基準線が全て前記第1中心線及び前記第2中心線に対して斜めを向くように配置し、前記センサパターンを2組形成し、前記磁気検出素子を、前記第1中心線及び前記第2中心線のうち近い側に対して、前記基準線が22.5度の角度向きをとるように配置することを特徴とする多重系磁気センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009192294A JP5249156B2 (ja) | 2009-08-21 | 2009-08-21 | 多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009192294A JP5249156B2 (ja) | 2009-08-21 | 2009-08-21 | 多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011043436A JP2011043436A (ja) | 2011-03-03 |
JP5249156B2 true JP5249156B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=43830968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009192294A Active JP5249156B2 (ja) | 2009-08-21 | 2009-08-21 | 多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5249156B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11733063B2 (en) | 2017-06-16 | 2023-08-22 | Denso Corporation | Position sensor |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5747759B2 (ja) * | 2011-09-19 | 2015-07-15 | 株式会社デンソー | 磁気センサ |
JP2015225023A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 日本電産サンキョー株式会社 | エンコーダ |
CN110045303B (zh) * | 2015-05-08 | 2021-12-14 | 爱盛科技股份有限公司 | 磁场感测模块 |
CN109633496A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-16 | 北京航空航天大学青岛研究院 | 单、双轴磁场传感器与其制备方法以及设备 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10118650A1 (de) * | 2001-04-14 | 2002-10-17 | Philips Corp Intellectual Pty | Winkelsensor sowie Verfahren zum Erhöhen der Anisotropiefeldstärke einer Sensoreinheit eines Winkelsensors |
JP2003028941A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-29 | Hitachi Metals Ltd | 磁気測定方法と磁気センサ駆動回路 |
JP5298404B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2013-09-25 | ヤマハ株式会社 | 三軸磁気センサおよびその製造方法 |
-
2009
- 2009-08-21 JP JP2009192294A patent/JP5249156B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11733063B2 (en) | 2017-06-16 | 2023-08-22 | Denso Corporation | Position sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011043436A (ja) | 2011-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5249156B2 (ja) | 多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 | |
JP4870227B2 (ja) | 磁気センサ及び磁気エンコーダ | |
JP5165963B2 (ja) | 磁気センサ及びその製造方法 | |
JP4394076B2 (ja) | 電流センサ | |
JP6853277B2 (ja) | 磁気平衡式電流センサおよびその製造方法 | |
JP5854920B2 (ja) | 磁気センサ | |
JP2015108527A (ja) | 磁気センサ | |
JP2018159658A (ja) | 電磁誘導型変位検出装置およびこれを用いた測定器 | |
WO2013190950A1 (ja) | 磁気センサ | |
TWI685667B (zh) | 磁場感測裝置 | |
JP5789737B2 (ja) | 加速度センサ | |
US11686787B2 (en) | Magnetic sensor | |
JPH11242050A (ja) | 3軸加速度センサ | |
JP2014202704A (ja) | 磁界検出装置 | |
CN113790750A (zh) | 传感器未对准测量的方法和装置 | |
JP2005069744A (ja) | 磁気検出素子 | |
WO2013042336A1 (ja) | 磁気センサ | |
JP2008224276A (ja) | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 | |
JP4914502B2 (ja) | 磁気センサ及び磁気エンコーダ | |
JP5015498B2 (ja) | センサ装置 | |
JP7471993B2 (ja) | 電磁誘導式エンコーダ | |
TWI723412B (zh) | 磁場感測裝置 | |
JP5959686B1 (ja) | 磁気検出装置 | |
WO2011111456A1 (ja) | 電流測定装置 | |
JP5647567B2 (ja) | 応力センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419 Year of fee payment: 3 |