JP5228361B2 - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
半導体装置の実装構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5228361B2 JP5228361B2 JP2007106182A JP2007106182A JP5228361B2 JP 5228361 B2 JP5228361 B2 JP 5228361B2 JP 2007106182 A JP2007106182 A JP 2007106182A JP 2007106182 A JP2007106182 A JP 2007106182A JP 5228361 B2 JP5228361 B2 JP 5228361B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- mounting structure
- silicon substrate
- semiconductor
- vertical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
図1は、本実施形態における半導体装置の実装構造を説明する図で、図1(a)は、半導体装置101の実装構造を模式的に示した断面図である。図1(b)は、図1(a)の半導体装置101の実装構造を形成する途中過程を模式的に示した斜視図である。尚、図1の半導体装置101において、図8の半導体装置100と同様の部分については、同じ符号を付した。
第1実施形態の実装構造では、縦型半導体素子が形成されてなる半導体装置を実装するにあたって、裏面側電極に対応した電極パターンが表面に設けられた別のシリコン基板が用いられていた。本実施形態は、リードフレームを用いた上記半導体装置の実装構造に関する。
20 シリコン基板
T 絶縁分離トレンチ
41〜48 縦型半導体素子(両面電極素子)
dr1 主面側電極
dr2 裏面側電極
31〜34 横型半導体素子(片面電極素子)
ds1 (主面側)電極
10 シリコン基板
12 電極パターン
S ハンダバンプ
R リボン
W ワイヤ
M (樹脂)
H ヒートシンク
LF1,LF2 リードフレーム
T1,T2 搭載台
T1a 貫通穴
T2c 貫通導体部
P1,P2 リードピン
Claims (4)
- シリコン基板を貫通する絶縁分離トレンチに取り囲まれた、前記シリコン基板の両側の表面に電極を有する縦型半導体素子が複数個形成されてなる半導体装置の実装構造であって、
当該半導体装置が、前記縦型半導体素子の裏面側電極に対応したアルミニウム膜からなる電極パターンが表面に設けられてなる別のシリコン基板に、前記裏面側電極と前記電極パターンをハンダ接続するようにして、搭載されてなり、
前記縦型半導体素子の主面側電極に、ハンダ接続によるリボンおよびボンディングによるワイヤのいずれかが接続されなり、
前記別のシリコン基板における前記電極パターンに、ハンダ接続によるリードピン、ハンダ接続によるリボンおよびボンディングによるワイヤのいずれかが接続されてなり、
前記別のシリコン基板における前記電極パターンが設けられた表面と反対側の表面が、ヒートシンクに接着されてなり、
前記ヒートシンクの一面を露出するようにして、前記別のシリコン基板とそれに搭載されている当該半導体装置が、樹脂によってモールドされてなることを特徴とする半導体装置の実装構造。 - 前記縦型半導体素子が、電力用の半導体素子であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の実装構造。
- 前記半導体装置が、3相インバータのパワーモジュールが構成されてなる半導体装置であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の実装構造。
- 前記半導体装置が、車載用の半導体装置であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106182A JP5228361B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 半導体装置の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007106182A JP5228361B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008263135A JP2008263135A (ja) | 2008-10-30 |
JP5228361B2 true JP5228361B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=39985372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007106182A Expired - Fee Related JP5228361B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 半導体装置の実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5228361B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4973761B2 (ja) * | 2009-05-25 | 2012-07-11 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
KR101998340B1 (ko) * | 2012-07-18 | 2019-07-09 | 삼성전자주식회사 | 전력 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
KR20220049947A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 현대자동차주식회사 | 모터 영구자석 과온 보호를 위한 철손 저감 제어 장치 및 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3883612B2 (ja) * | 1996-07-08 | 2007-02-21 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3796016B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2006-07-12 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH11163045A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005079462A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006278610A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-04-13 JP JP2007106182A patent/JP5228361B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008263135A (ja) | 2008-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5217348B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4984485B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4539773B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005302951A (ja) | 電力用半導体装置パッケージ | |
JP7428018B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2016004877A (ja) | 半導体装置および電子装置 | |
TW200929408A (en) | Wafer level chip scale packaging | |
WO2005086216A1 (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
JP6907931B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2018117054A (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
US20080224257A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2002141463A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2005064479A (ja) | 回路モジュール | |
JP2009071059A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007266435A (ja) | 半導体装置および半導体パッケージ | |
JP5228361B2 (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JP4696152B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2006121004A (ja) | パワーic | |
JP2009164288A (ja) | 半導体素子及び半導体装置 | |
US11626221B2 (en) | Resistance element and its manufacturing method | |
JP4293272B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2022080081A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP3881658B2 (ja) | 中継部材、中継部材を用いたマルチチップパッケージ、及びその製造方法 | |
JP2021132111A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2021180234A (ja) | 半導体モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130304 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5228361 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |