JP5223481B2 - 金属被覆ポリイミド基板とその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、金属被覆ポリイミド基板とその製造方法に関し、さらに詳しくは、外観表面のピンホール特性とＭＩＴ耐折性試験方法に定める折曲げ性（以下、ＭＩＴ耐折性と呼称する。）とに優れるため、形成される銅層の外観表面のピンホール発生個数が極めて少なく、かつ屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性が高い金属被覆ポリイミド基板とその効率的な製造方法に関する。

金属被覆ポリイミド基板は、液晶画面に画像を表示するための駆動用半導体を実装するための半導体実装用の基板として汎用されている。近年、液晶画面表示用ドライバーＩＣチップを実装する手法として、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）が注目されている。
ＣＯＦは、従来の実装法の主流であったＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）に比べて、ファインピッチ実装が可能であるとともに、ドライバーＩＣの小型化及びコストダウンを図ることが容易であるという特徴がある。

ＣＯＦの一般的な製造方法としては、高耐熱性かつ高絶縁性樹脂であるポリイミドフィルムに良導電体である銅被膜を密着させてなる金属被覆ポリイミド基板を使用し、その基板上の銅被膜をフォトリソグラフィー技法によってファインパターニングした後、さらに所望の箇所をスズめっき及びソルダーレジストで被覆する方法がとられる。

ところで、前記ポリイミドフィルムとしては、市販品が用いられ、また、工業生産上、一般的には２５〜３８μｍの厚さを有するものが使用されている。また、ポリイミドフィルム表面に金属層を形成する方法としては、まず、スパッタリング法により、ニッケル−クロム合金等の金属シード層を形成し、続いて、良導電性を付与するために銅シード層を形成する。このとき、一般的には、前記スパッタリング法によって形成される金属層の厚さは、およそ１００〜５００ｎｍである。さらに、厚膜化が必要である場合には、一般的には、電気めっき、又は電気めっきと無電解めっきの併用によって、前記のシード層上に銅層を厚付けして形成する（例えば、特許文献１参照。）。なお、銅層の厚さとしては、例えば、サブトラクティブ法によって回路を形成する場合には、通常５〜１２μｍ、また、セミアディティブ法によって回路を形成する場合には、通常１〜２μｍである。

ところが、最近の液晶表示画面の高精細化、液晶駆動用ＩＣの小型化等の急速な進展にともない、前記金属被覆ポリイミド基板を用いて得られるＣＯＦに対しても、電子回路の高精細化、すなわちファインピッチ化が強く求められている。しかしながら、従来の提案で得られた金属被覆ポリイミド基板をＣＯＦに使用する場合、スパッタにより形成されたシード層中に存在するピンホールが原因となり、ファインパターニング時に製品収率を低下させること、及び耐折性が低く、微細回路部でシード層と電気めっき等による銅層の界面で局所的な剥離が発生してしまうということ等の課題があり、製品の信頼性が十分満足できない状態にあった。

このような状況下、外観表面のピンホール発生個数が極めて少なく、かつ屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性が高い、電子回路のファインピッチ化対応に好適な金属被覆ポリイミド基板とその工業生産上の効率的な製造方法が求められている。

特開２００２−２５２２５７号公報（第１頁、第２頁）

本発明の目的は、上記の従来技術の問題点に鑑み、外観表面のピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れるため、形成される銅層の外観表面のピンホール発生個数が極めて少なく、かつ屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性が高い金属被覆ポリイミド基板とその効率的な製造方法を提供することにある。

本発明者は、上記目的を達成するために、金属被覆ポリイミド基板の外観表面のピンホール特性とＭＩＴ耐折性の向上について、鋭意研究を重ねた結果、従来、工業生産上使用されていない極薄厚のポリイミドフィルムと、シード層と、銅層とからなる積層構造を有する金属被覆ポリイミド基板を用いたところ、外観表面のピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れるため、形成される銅層の外観表面のピンホール発生個数が極めて少なく、かつ屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性が高い金属被覆ポリイミド基板が得られること、また、その製造方法として、特定の厚さの極薄厚のポリイミドフィルムの一方の面と、特定の厚さのラミネート材からなる支持材とを、接着材層を用いて熱圧着により貼り合わせる工程、該ポリイミドフィルムの他方の面上に、シード層を形成する工程、該シード層の面上に、銅層を形成し、積層構造体を得る工程、及び最後に、該支持材と前記ポリイミドフィルムとの間に存在する接着材層を冷却し、次いで該支持材を該積層構造体から剥離する工程を順次行なったところ、上記のような外観表面のピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れた金属被覆ポリイミド基板が得られることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明の第１の発明によれば、ＭＩＴ耐折性試験方法に定める折曲げ性が２５０〜１０００回であり、かつ１０μｍ以上のピンホールの平均発生個数が５２４ｍｍ×６００ｍｍの面積において５個以下の金属被覆ポリイミド基板であって、
厚さが３〜９μｍのポリイミドフィルムと、該ポリイミドフィルム上に形成されたニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなるシード層と、さらに該シード層上に形成された銅層とからなる積層構造を有し、かつ前記シード層の厚さは、０．００１〜０．０５μｍであることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム基板が提供される。

また、本発明の第２の発明によれば、第１の発明において、前記銅層の厚さは、１〜１２μｍであることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム基板が提供される。

また、本発明の第３の発明によれば、第１又は２の発明の金属被覆ポリイミドフィルム基板を製造する方法であって、
下記の（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法が提供される。
（１）厚さが３〜９μｍのポリイミドフィルムの一方の面と、厚さが５０〜１００μｍのラミネート材からなる支持材とを、接着材層を用いて熱圧着により貼り合わせる。
（２）前記ポリイミドフィルムの他方の面上に、蒸着法又はスパッタ法で、ニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなる厚さが０．００１〜０．０５μｍのシード層を形成する。
（３）前記シード層の面上に、電気めっき法、無電解めっき法もしくは両者を組み合わせた方法で銅層を形成し、積層構造体を得る。
（４）最後に、前記支持材と前記ポリイミドフィルムとの間に存在する接着材層を冷却し、次いで該支持材を、前記積層構造体から剥離する。

また、本発明の第４の発明によれば、第３の発明において、前記接着材層は、合成樹脂フィルムからなることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法が提供される。

本発明の金属被覆ポリイミド基板は、従来の工業生産において一般的に使用されていた金属被覆ポリイミド基板に比べて、極薄厚であり、ピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れるものであるので、形成される銅層の外観表面のピンホール発生個数が極めて少なく、かつ屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性が高く、例えば、２５０〜１０００回の折曲げ性が得られるものである。これは、電子回路のファインピッチ化対応に好適なフレキシブル基板の素材として、従来品を超える十分な特性を有している。したがって、本発明の金属被覆ポリイミド基板を使用して回路を形成すれば、ファインピッチ化に対応する際にも、信頼性の高い回路を得ることができる。また、その製造方法によれば、従来工業生産上の問題のため使用することが困難であった極薄厚のポリイミドフィルムを用いて、ピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れる金属被覆ポリイミド基板を効率的に製造することができる。したがって、これらの工業的価値は極めて大きい

本発明の金属被覆ポリイミドフィルム基板は、ＭＩＴ耐折性試験方法に定める折曲げ性が２５０〜１０００回であり、かつ１０μｍ以上のピンホールの平均発生個数が５２４ｍｍ×６００ｍｍの面積において５個以下の金属被覆ポリイミド基板であって、
厚さが３〜９μｍのポリイミドフィルムと、該ポリイミドフィルム上に形成されたニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなるシード層と、さらに該シード層上に形成された銅層とからなる積層構造を有し、かつ前記シード層の厚さは、０．００１〜０．０５μｍであることを特徴とする。

本発明の金属被覆ポリイミドフィルム基板において、特に、従来、工業生産上使用されていない、極薄厚の厚さが３〜１３μｍのポリイミドフィルムを用いる点が、重要な技術的意義を持つ。すなわち、従来、金属被覆ポリイミドフィルム基板の基材として使用されていた、厚さが２５〜３８μｍであるポリイミドフィルムを用いた場合に比べて、厚さが３〜１３μｍのポリイミドフィルムを用いた場合では、ＭＩＴ耐折性と外観表面のピンホール特性が著しく優れている。例えば、ＭＩＴ耐折性試験方法に定める折曲げ性は、従来の金属被覆ポリイミドフィルム基板では、２００回以下である。また、実施例で記載する外観ピンホールの評価方法によるピンホール発生個数は、従来の金属被覆ポリイミドフィルム基板では、１５〜２０個であるのに対し、本発明の金属被覆ポリイミドフィルム基板では、６個以下である。
なお、上記のようなＭＩＴ耐折性と外観表面のピンホール特性の向上に係る作用機構として、極薄厚のポリイミドフィルムの使用による、ポリイミドフィルムとシード層との密着性の上昇が関与しているものとみられる。

上記金属被覆ポリイミドフィルム基板に用いるポリイミドフィルムとしては、特に限定されるものではなく、市販品のうち、その厚さが３〜１３μｍのものが用いられ、商品名Ｋａｐｔｏｎ ＥＮ（東レ・デュポン製）、商品名Ｕｐｉｌｅｘ−Ｓ（宇部興産製）、商品名アピカル（カネカ製）、商品名ＸＥＮＯ（東洋紡）、商品名アラミカ（帝人アドバンストフィルム製）等から選ばれる。

例えば、具体的には、特に限定されるものではないが、前記商品名アラミカの厚さが４μｍ、６μｍ、及び９μｍのもの、並びに、商品名Ｋａｐｔｏｎ５０ＥＮ−１２．５μｍを使用することができる。すなわち、ポリイミドフィルムの厚みが３μｍ未満では、耐折性の評価が不可能となる。一方、厚み１３μｍを超えると、従来品同様のＭＩＴ耐折性となる。
これに対し、従来から液晶表示用ドライバーＩＣの実装法であるＣＯＦ用の金属被覆ポリイミドフィルム基板の場合、一般的には２５〜５０μｍのポリイミドフィルムが使用されているが、ポリイミドフィルムの厚さを、従来のフィルムの約１／２以下の厚さとすることで、ＭＩＴ耐折性で２５０〜３０００回という飛躍的な向上と、同時に形成される銅層の外観表面のピンホール発生個数の低減が達成される。

上記金属被覆ポリイミドフィルム基板に用いるシード層としては、ポリイミドフィルム上に形成されたニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなる。これによって、ポリイミドフィルムとの密着性及び耐熱性、並びに後でめっき法で形成する銅層との密着性が付与される。ここで、最初にニッケル、クロムなどの耐食性の金属層を形成した後に、後でめっき法で形成する銅層との密着性をよくするために、銅層を積層することが好ましい。

上記シード層の厚さは、０．００１〜０．０５μｍとする。すなわち、その厚さが０．００１μｍ未満では、ポリイミドフィルムとの密着性及び耐熱性、並びにめっき法で形成する銅層との密着性が低く、液晶表示用ドライバーＩＣの実装法であるＣＯＦ用の金属被覆ポリイミドフィルム基板としては、実用上、相応しくない。一方、その厚さが０．０５μｍを超えると、ポリイミドフィルムとの密着性及び耐熱性、並びにめっき法で形成する銅層との密着性が維持されたとしても、シード層の厚みが増加することにより、エッチング処理後に、シード層の成分に起因する残渣が発生する問題が生じる。このため、エッチング残渣を発生させないようなエッチング技術の確立、例えばエッチングの多段化が必要となるので、コスト面及びハンドリング面からも、液晶表示用ドライバーＩＣの実装法であるＣＯＦ用の金属被覆ポリイミドフィルム基板としては、実用上相応しくない。

上記金属被覆ポリイミドフィルム基板に用いる銅層としては、シード層上に形成され、特に限定されるものではなく、好ましくは厚さが１〜１２μｍである。すなわち、その厚さが１μｍ未満では、外観のピンホール発生の抑制がむずかしくなる。一方、その厚さが１２μｍを超えると、ＭＩＴ耐折性が低下する。

上記金属被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法は、上記の金属被覆ポリイミドフィルム基板を製造する方法であって、下記の（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする。
（１）厚さが３〜１３μｍのポリイミドフィルムの一方の面と、厚さが５０〜１００μｍのラミネート材からなる支持材とを、接着材層を用いて熱圧着により貼り合わせる。
（２）前記ポリイミドフィルムの他方の面上に、蒸着法又はスパッタ法で、ニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなる厚さが０．００１〜０．０５μｍのシード層を形成する。
（３）前記シード層の面上に、電気めっき法、無電解めっき法もしくは両者を組み合わせた方法で銅層を形成し、積層構造体を得る。
（４）最後に、前記支持材と前記ポリイミドフィルムとの間に存在する接着材層を冷却し、次いで該支持材を、前記積層構造体から剥離する。

上記製造方法において、特に、極薄厚のポリイミドフィルムを使用する際の生産上の課題を解決するため、ラミネート材からなる支持材を用いた点が重要である。これによって、従来の工業生産上使用されていない極薄厚で厚さが３〜１３μｍのポリイミドフィルムを用いて、ピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れる金属被覆ポリイミド基板を製造することができる。
すなわち、前述したように、従来、金属被覆ポリイミドフィルム基板の基材となる一般的なポリイミドフィルムとしては、その厚さが２５〜３８μｍであるものが使用されていた。ところが、従来の工業生産規模での製造方法にしたがって、ポリイミドフィルムの厚さが従来の工業生産上使用されている一般的な厚さより薄い、例えば、３〜１３μｍの厚さのポリイミドフィルムを用い、スパッタ法又は蒸着法で、その上に直接金属層を形成する際、ポリイミドフィルムの搬送時におけるシワ発生、ポリイミドフィルムの蛇行等の問題が発生する。そのため、金属被覆ポリイミドフィルムの工業生産において、３〜１３μｍの厚さのポリイミドフィルムを用いると、製造時の製品歩留まりが低く、事実上その使用は不可能であった。

これに対し、本発明では、ポリイミドフィルムにラミネート材からなる支持材を用いることにより、極薄厚のポリイミドフィルムを用いた金属被覆ポリイミドフィルムの製造方法を達成したものである。以下に、上記製造方法について、その作用機構とともに詳細を説明する。

まず、上記金属被覆ポリイミド基板の製造方法に関わる、接着材層を剥離する前の支持材を備えた状態の構造を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の金属被覆ポリイミド基板の接着材層を剥離する前の支持材を備えた状態の概略断面図の一例を表す。図１において、金属被覆ポリイミド基板の断面は、ポリイミドフィルム１の表面上に、スパッタ法又は蒸着法により形成されたシード層２と銅層３、及びめっき法による銅層４が順次積層された構造になっている。ここで、スパッタ法又は蒸着法により形成された銅層３とめっき法による銅層４により、銅導体層が形成される。また、ポリイミドフィルム１の裏面上に、接着材層５により支持材（ラミネート材）６が圧着されている。なお、各工程は、ポリイミドフィルムを数ｍ〜数十ｍ／分の速度で搬送させながら、行なわれるものである。

次に、上記製造方法を工程毎に説明する。
上記製造方法の（１）の工程は、厚さが３〜１３μｍのポリイミドフィルムの一方の面と、厚さが５０〜１００μｍのラミネート材からなる支持材とを、接着材層を用いて熱圧着により貼り合わせる工程である。
ここで、熱圧着法としては、常温（２０±１５℃）の範囲、好ましくは２５〜３５℃の温度で行なう。その方法としては、特に限定されるものではなく、合成樹脂フィルムを用いる方法、或いは接着剤を用いる方法が用いられるが、合成樹脂フィルムを用いる方法が好ましい。なお、接着剤を用いる方法としては、常温又は季節等によっては加熱状態で、透明基板に加圧密着させたときに、転写可能なレベルの粘着性を有する、一般的なアクリレート系粘着剤、熱可塑性ポリマーを主成分とするホットメルト接着剤、加熱により流動性を発現しその後硬化して接着性を示す熱硬化型の接着剤等を使用し、再剥離可能なレベルの接着剤を塗布する。

上記接着材層としては、特に限定されるものではなく、上記ポリイミドフィルムと上記ラミネート材を熱圧着法によって貼り付けることができる合成樹脂フィルムが用いられるが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、又は、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン等のポリオレフィンフィルムが好ましく使用することができる。また、前記合成樹脂フィルムには、高温時の寸法安定性を良くするため、アニール処理を施すことができる。また、接着材層の合成樹脂フィルムの厚さは、１０μｍ程度とすることが好ましい。

上記ポリイミドフィルムとしては、厚さが３〜１３μｍのものを用いるが、通常の市販品が用いられ、例えば、商品名Ｋａｐｔｏｎ ＥＮ（東レ・デュポン製）、商品名Ｕｐｉｌｅｘ−Ｓ（宇部興産製）、商品名アピカル（カネカ製）、商品名ＸＥＮＯ（東洋紡）、商品名アラミカ（帝人アドバンストフィルム製）等が挙げられる。例えば、前記商品名アラミカの厚さが４μｍ、６μｍ、及び９μｍのもの、並びに、商品名Ｋａｐｔｏｎ５０ＥＮ−１２．５μｍを使用することができる。すなわち、ポリイミドフィルムの厚みが３μｍ未満では、耐折性の評価が不可能となる。一方、厚み１３μｍを超えると、従来品同様のＭＩＴ耐折性となる。

上記ラミネート材の厚さとしては、５０〜１００μｍである。すなわち、厚さが５０μｍ未満では、搬送性の問題が生じる。一方、厚さが１００μｍを超えると、後続の工程でポリイミドフィルムからラミネート材を剥離する際に、フィルムに負荷を与えるため好ましくない。
上記ラミネート材としては、特に限定されるものではないが、例えば、東洋インキ製のラミネート材が使用でき、特にリオエルムＬＥ９５１、ＬＥ９５２のタイプがより好ましく使用できる。なお、感圧性接着剤として、紫外線又は電子線硬化型接着剤等の活性エネルギー硬化型接着剤を使用する場合は、紫外線又は電子線等の活性エネルギーを透過可能なラミネート材を用いることが必要であり、特に東洋インキ製のリオエルムＬＥ９５１、ＬＥ９５２のタイプがより好ましく使用することができる。

上記製造方法の（２）の工程は、前記ポリイミドフィルムの他方の面上に、蒸着法又はスパッタ法で、ニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなるシード層を形成する工程である。その厚さとしては、特に限定されるものではなく、０．００１〜０．０５μｍが好ましい。

上記シード層としては、ポリイミドフィルムとシード層の密着力及び基板の耐熱、耐湿度環境下での安定性等の特性を確保する役割を果たすことができるものが用いられるが、この中で、特に、ニッケル層、クロム層、又はニッケルクロム合金層が好ましい。また、導体層としての銅層は、スパッタ法又は蒸着法によってシード層を形成した後、電気めっきを施す前に導電性を確保するため、引き続きスパッタ法又は蒸着法によって銅層を形成するものである。

上記スパッタ法に用いる装置としては、特に限定されるものではなく、マグネトロンスパッタ装置等が使用される。また、蒸着法に用いる装置としては、特に限定されるものではなく、真空蒸着装置等が使用される。

上記製造方法の（３）の工程は、前記シード層の面上に、電気めっき法、無電解めっき法もしくは両者を組み合わせた方法で、銅層を形成し、積層構造体を得る工程である。その厚さとしては、特に限定されるものではなく、１〜１２μｍが好ましい。
ここで、硫酸と硫酸銅を主成分とする酸性めっき液を用いることによって実施される。

上記製造方法の（４）の工程は、最後に、前記支持材と前記ポリイミドフィルムとの間に存在する接着材層を冷却し、次いで該支持材を、前記積層構造体から剥離する工程である。
ここで、剥離する際に、特に限定されるものではないが、接着材層は２０〜２５℃に冷却される。

上記（１）〜（４）の工程において、極薄厚のポリイミドフィルムの使用により、該ポリイミドフィルムとシード層の密着性が上昇し、ＭＩＴ耐折性が向上する。また、この密着性の上昇に加え、ラミネート材による下支え効果により、スパッタ法又は蒸着法による熱処理、及びめっき処理等によるポリイミドフィルム表面へのダメージが抑制されることにより、ピンホールの発生個数が低減されるものと思われる。
これにより、ＭＩＴ耐折性試験方法に定める折曲げ性が２５０〜３０００回であり、かつ外観表面のピンホール特性に優れた、厚さが３〜１３μｍのポリイミドフィルムと、該ポリイミドフィルム上に形成されたニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなるシード層と、さらに該シード層上に形成された銅層とからなる積層構造を有する金属被覆ポリイミド基板が得られる。

以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で用いたＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールの評価方法としては、以下の通りである。
（１）ＭＩＴ耐折性の評価：Ｒ＝０．３８、荷重５００ｇ、線幅１ｍｍ：ＪＰＣＡ ＢＭ０１−１１．６、及びＪＩＳ Ｃ５０１６−８．７に準ずるＭＩＴ耐折性試験方法に定める折れ曲げに至るまでの折曲げ回数を求めた。
（２）外観ピンホールの評価：暗室内に設置したライトテーブル上で、目視観察して、５２４ｍｍ×６００ｍｍの面積における１０μｍ以上のピンホールの平均発生個数を求めた。

（実施例１）
ポリイミドフィルムとして、市販の商品名アラミカ（帝人アドバンストフィルム製）フィルム（厚み４μｍ）を用いた。ここで、接着材層として、市販品の厚さ約１０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いて、熱圧着により、前記ポリイミドフィルムの下面に、市販品の厚さ５０μｍの東洋インキ製のリオエルムＬＥ９５１からなるラミネート材を貼り合わせた。なお、熱圧着法としては、２５〜３５℃の温度で貼り付け加工を実施した。
次いで、前記ポリイミドフィルムの上面に、スパッタ法で、Ｎｉ層を０．００１μｍの厚さで、続いて、Ｃｕ層を０．００１μｍの厚さで積層して、シード層を形成した。
さらに、シード層の上に、電気めっき法で、８μｍの厚さに銅層を厚付けして、積層構造体を得た。
最後に、前記ラミネート材と前記ポリイミドフィルムとの間に存在する接着材層を２０〜２５℃に冷却し、前記積層構造体から前記ラミネート材を剥離して、極薄厚の金属被覆ポリイミドフィルム基板を得た。その後、得られた基板のＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールを評価した。結果を表１に示す。

（実施例２）
ポリイミドフィルムとして、市販の商品名アラミカ（帝人アドバンストフィルム製）フィルム（厚み６μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、極薄厚の金属被覆ポリイミドフィルム基板を得て、得られた基板のＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールを評価した。結果を表１に示す。

（実施例３）
ポリイミドフィルムとして、市販の商品名アラミカ（帝人アドバンストフィルム製）フィルム（厚み９μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、極薄厚の金属被覆ポリイミドフィルム基板を得て、得られた基板のＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールを評価した。結果を表１に示す。

（実施例４）
ポリイミドフィルムとして、市販の商品名Ｋａｐｔｏｎ５０ＥＮ（東レ・デュポン製）フィルム（厚み１２．５μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、極薄厚の金属被覆ポリイミドフィルム基板を得て、得られた基板のＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールを評価した。結果を表１に示す。なお、実施例４は参考例である。

（比較例１）
ポリイミドフィルムとラミネート材との貼り合わせと剥離を行なわなかったこと、及びポリイミドフィルムとして、市販の商品名Ｋａｐｔｏｎ１００ＥＮ（東レ・デュポン製、ビフェニルテトラカルボン酸を主成分とする。）フィルム（厚み２５μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、金属被覆ポリイミドフィルム基板を得て、得られた基板のＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールを評価した。結果を表１に示す。

（比較例２）
ポリイミドフィルムとラミネート材との貼り合わせと剥離を行なわなかったこと、及びポリイミドフィルムとして、市販の商品名Ｕｐｉｌｅｘ３５ＳＧＡ（宇部興産製、ビフェニルテトラカルボン酸を主成分とする。）フィルム（厚み３５μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、金属被覆ポリイミドフィルム基板を得て、得られた基板のＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールを評価した。結果を表１に示す。

（比較例３）
ポリイミドフィルムとラミネート材との貼り合わせと剥離を行なわなかったこと、及びポリイミドフィルムとして、市販の商品名Ｋａｐｔｏｎ１５０ＥＮ（東レ・デュポン製、ビフェニルテトラカルボン酸を主成分とする。）フィルム（厚み３８μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、金属被覆ポリイミドフィルム基板を得て、得られた基板のＭＩＴ耐折性及び外観ピンホールを評価した。結果を表１に示す。

表１より、実施例１〜４では、所定の厚さのポリイミドフィルムの一方の面と、所定の厚さのラミネート材からなる支持材とを、接着材層を用いて熱圧着により貼り合わせる工程、該ポリイミドフィルムの他方の面上に、特定の金属からなるシード層を形成する工程、該シード層の面上に、銅層を形成し、積層構造体を得る工程、及び最後に、該支持材と前記ポリイミドフィルムとの間に存在する接着材層を冷却し、次いで該支持材を該積層構造体から剥離する工程を順次おこない、本発明の方法に従って行われたので、外観表面のピンホール特性とＭＩＴ耐折性とに優れた金属被覆ポリイミド基板が得られることが分かる。
これに対して、比較例１〜３では、ポリイミドフィルムの厚さでこれらの条件を満たしていないので、ピンホール特性とＭＩＴ耐折性において満足すべき結果が得られないことが分かる。

以上より明らかなように、本発明の金属被覆ポリイミド基板とその製造方法は、ＭＩＴ耐折性試験方法に定める折曲げ性が２５０〜１０００回であり、かつ１０μｍ以上のピンホールの平均発生個数が５２４ｍｍ×６００ｍｍの面積において５個以下という外観表面のピンホール特性に優れた金属被覆ポリイミド基板とその効率的な製造方法であるので、液晶画面表示用ドライバーＩＣチップを実装に用いるＣＯＦ等のファインピッチ化対応に用いる際に有用である。

本発明の金属被覆ポリイミド基板の接着材層を剥離する前の支持材を備えた状態の概略断面図の一例を表す図である。

符号の説明

１ ポリイミドフィルム
２ シード層
３ スパッタ法又は蒸着法による銅層
４ めっき法による銅層
５ 接着材層
６ 支持材（ラミネート材）

Claims (4)

1. ＭＩＴ耐折性試験方法に定める折曲げ性が２５０〜１０００回であり、かつ１０μｍ以上のピンホールの平均発生個数が５２４ｍｍ×６００ｍｍの面積において５個以下の金属被覆ポリイミド基板であって、
   厚さが３〜９μｍのポリイミドフィルムと、該ポリイミドフィルム上に形成されたニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなるシード層と、さらに該シード層上に形成された銅層とからなる積層構造を有し、かつ前記シード層の厚さは、０．００１〜０．０５μｍであることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム基板。
2. 前記銅層の厚さは、１〜１２μｍであることを特徴とする請求項１に記載の金属被覆ポリイミドフィルム基板。
3. 請求項１又は２に記載の金属被覆ポリイミドフィルム基板を製造する方法であって、下記の（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。
   （１）厚さが３〜９μｍのポリイミドフィルムの一方の面と、厚さが５０〜１００μｍのラミネート材からなる支持材とを、接着材層を用いて熱圧着により貼り合わせる。
   （２）前記ポリイミドフィルムの他方の面上に、蒸着法又はスパッタ法で、ニッケル、クロム又は銅から選ばれる少なくとも一種の金属からなる厚さが０．００１〜０．０５μｍのシード層を形成する。
   （３）前記シード層の面上に、電気めっき法、無電解めっき法もしくは両者を組み合わせた方法で銅層を形成し、積層構造体を得る。
   （４）最後に、前記支持材と前記ポリイミドフィルムとの間に存在する接着材層を冷却し、次いで該支持材を、前記積層構造体から剥離する。
4. 前記接着材層は、合成樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項３に記載の金属被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法。