JP5217114B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1〜8は、実施の形態1にかかる半導体素子の製造方法の製造プロセスを示す図である。以下に説明する実施の形態1〜3では、nドープのエピタキシャルウエハーを用いてFS型IGBTを作製する場合を例にして説明するが、FZウエハーを用いてFS型IGBTを作製する場合でも、同様の工程で製造プロセスを進めることができる。また、NPT型IGBTや逆阻止型IGBT、MOS−FET、ダイオードなどの製造時にも、同様に適用することができる。
図10および図11は、実施の形態2にかかる半導体素子の製造方法の製造プロセスを示す図である。実施の形態1では、支持部材であるPETフィルム41を発泡テープ42によってウエハーと貼り合わせた。実施の形態2では、UV照射によって硬化するUV硬化型樹脂を介してPETフィルム41をウエハーに貼り合わせる。なお、実施の形態2でも、実施の形態1と同様に、nドープのエピタキシャルウエハーを用いて、70μmの厚さのFS型IGBTを作製する場合を例にして説明する。また、実施の形態1と同様の処理をおこなう工程については、図示および詳細な説明を省略する。
実施の形態1および2では、裏面研削後にウエハーに貼り合わせる支持部材として、PETフィルムを用いたが、実施の形態3では、支持部材として高剛性テープを用いる。これにより、PETフィルムと同様に、安価な素材を支持部材として利用し、効率よく薄型の半導体素子を製造することができる。
32 エピタキシャル層
33 表面側素子構造部
34 p+層
35 裏面電極
36 ダイシングテープ
37 チップ
40 PET基板
41 PETフィルム
42 発泡テープ
43 UV硬化型樹脂層
Claims (6)
- 半導体ウエハーの表面に半導体素子の表面側素子構造部を作製する第1の工程と、
前記表面側素子構造部が作製された前記半導体ウエハーの裏面を研削する第2の工程と、
裏面研削後の前記半導体ウエハーの前記表面側素子構造部が作製された側の面を樹脂製支持部材に貼り合わせる第3の工程と、
前記樹脂製支持部材に貼り合わされた状態のまま前記半導体ウエハーの裏面に裏面構造を作製する第4の工程と、
前記裏面構造が作製された前記半導体ウエハーから前記樹脂製支持部材を剥離させる第5の工程と、
前記樹脂製支持部材の剥離後、前記半導体ウエハーをチップ状に切断する第6の工程と、
を含み、
前記第1の工程から前記第6の工程を順に行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記樹脂製支持部材は、ポリエステル系樹脂シートであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ポリエステル系樹脂シートは、加熱発泡により剥離可能な接着シートを介して前記半導体ウエハーに貼り合わされることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記ポリエステル系樹脂シートは、UV硬化型樹脂層を介して前記半導体ウエハーに貼り合わされることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記樹脂製支持部材は、剛性を有するシートであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第4の工程において前記裏面構造を作製する際に、静電チャック式の吸着プレートに前記樹脂製支持部材を貼り合わせて金属蒸着膜を形成することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体素子の製造方法。
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