JP5211581B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
前記3次元中空容器が収納出来る空隙を設けた誘電体で構成されている冶具の、高周波電力のホット側とアース側のいずれからも電気的に絶縁された箇所に、導電性を有する部品を配置した事を特徴とする成膜装置としたものである。
本発明は、成膜対象の3次元中空容器を固定する誘電体で構成された冶具の一部に、高周波電力のHot側とアース側のいずれからも電気的に絶縁された導電部品を配置することにより、プラズマの発生エネルギーを損なう事無くアーク放電の発生を抑えるという作用がある。その作用を、以下に詳しく説明する。
体部品5(14)を配置して、銅やアルミニウムやステンレス等の導電性材料で作られた導電体部品2(13)をプラスチック等の3次元中空容器(8)と誘電体部品(14)の間に挟むように挿入する改良を施す。これによりプラスチック等の3次元中空容器(8)は、誘電体部品5(14)に接する事なく導電性ソケットによって支えられた状態になる。それ以外の箇所は従来と同じく周囲の部品とは接触せず数ミリの間隙が空けられている。尚、誘電体部品5(14)も、テフロン(登録商標)、PET、セラミック等の誘電体材料を加工したものである。
高周波電源の周波数:13.56MHz。
対象容器:容量500mlのPETボトル容器。
プラズマ処理槽接続台数:4台。
プラズマ処理回数:150回。
入力電力:合計1000W(各プラズマ処理槽ごとに250W)。
入力電力:合計1200W(各プラズマ処理槽ごとに300W)。
入力電力:合計1000W(各プラズマ処理槽ごとに250W)。
入力電力:合計1200W(各プラズマ処理槽ごとに300W)。
処理槽1 処理槽2 処理槽3 処理槽4
実施例1 なし なし なし なし
実施例2 なし なし なし なし
比較例1 なし なし あり※1 なし
比較例2 なし あり※1 あり※1,2 あり※1
※1 誘電体部品−PETボトル容器間でアーク放電による損傷発生。
※2 誘電体部品−誘電体部品間でアーク放電による損傷発生。
(2)…金属蓋
(3)…整合器
(4)…高周波電源
(5)…ガス導入管
(6)…金属支持筐体
(7)…誘電体部品4
(8)…プラスチック等の3次元中空容器(例えばPETボトル容器)
(9)…誘電体部品1
(10)…誘電体部品2
(11)…誘電体部品3
(14)…誘電体部品5
(15)…ガス排気管
Claims (4)
- プラズマ処理を行う処理槽と、プラズマを発生させる為の高周波電源と、プロセスガス供給装置と、真空排気装置とを備えた3次元中空容器に成膜を行うプラズマ処理装置において、
前記3次元中空容器が収納出来る空隙を設けた誘電体で構成されている冶具の、高周波電力のホット側とアース側のいずれからも電気的に絶縁された箇所に、導電性を有する部品を配置した事を特徴とする成膜装置。 - 前記箇所に、導電性を有する部品を2つ以上配置した事を特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記導電性を有する部品の少なくとも1つ以上が、前記3次元中空容器に接していることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記3次元中空容器がポリエチレンテレフタレートを使用した容器であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜装置。
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JP2007215668A JP5211581B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 成膜装置 |
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JP2007215668A JP5211581B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 成膜装置 |
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JP2009046182A JP2009046182A (ja) | 2009-03-05 |
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