JP2008270493A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部２と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物１２が配置される処理部３と、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁する絶縁部４と、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５とを備えるプラズマ処理装置を用いる。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、これらの接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成される。ガス導入口１４は、処理部３に設けられる。ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部に形成された孔５ａ〜５ｃを備え、ガス導入口１４とイオン発生部２とを電気的に絶縁する。
【選択図】図１

Description

本発明は、チャンバー内部に導入された原料ガスをプラズマ化してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。

イオンエッチング装置、イオンドープ装置といったプラズマ処理装置は、チャンバー内部に導入された原料ガスをプラズマ化し、プラズマ界面からイオンを電気的に引き出し、これを電界によって加速させ、対象物に高速で衝突させる。これによって、対象物に対するエッチングや、対象物へのイオン注入が実行される。

チャンバーへの原料ガスの供給は、原料ガスが充填されたガスボンベから配管を介して行われる。また、原料ガスとして、毒性ガスや可燃性ガスが使用されることがあるため、配管には、ガスのリークを防止できることが求められる。具体的には、配管としては、配管部材間を溶接によって接続して得られたステンレス等の金属配管が用いられる。このような金属配管では繋ぎ目がメタルシーリングされているため、ガスのリークの防止効果は高いものとなっている。

ところで、金属配管を用いた場合は、チャンバーとガスボンベとが電気的に接続されてしまう。よって、チャンバーの電位を高電位に保持するため、金属配管を用いた場合は、ガスボンベの電位も高電位に保持する必要がある。しかし、ガスボンベを高電位に保持しようとすると、そのための設備が必要となるため、装置コストが増大し、プラズマ処理にかかるコストを押し上げてしまう。また、ガスボンベは、プラズマ処理装置の近くに設置されることが多いことから、特に、ガスボンベに可燃性ガスが充填されている場合にそれを高電位に保持することは、安全性の面で問題である。

このような問題を解消するため、配管の途中に、テトラフルオロカーボンやセラミック等で形成された絶縁部材を設けて、ガスボンベとチャンバーとを電気的に絶縁させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この場合、ガスボンベは接地状態とすれば良いため、ガスボンベの電位を高電位に保持する設備は不必要となり、更に安全性の向上も図られる。

ここで、特許文献１に開示のプラズマ処理装置について図５を用いて説明する。図５は、従来のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。図５に示すプラズマ処理装置は、表示パネルのアレイ基板を処理対象物３２とするイオンドープ装置である。

図５に示すように、プラズマ処理装置は、イオン発生部２２と、処理部２３と、絶縁部２４とを備えている。イオン発生部２２は、直流電源３３に接続されている。処理部２３は、接地電位に接続されている。絶縁部２４は、セラミック等で形成され、イオン発生部２２と処理部２３とを電気的に絶縁している。

イオン発生部２２は、凹部を備え、その内部は空間２２ａとなっている。また、絶縁部２４は環状の形状を有し、環状の部分の内側は空間２４ａとなっている。更に、絶縁部２４の環状の部分は、イオン発生部２２の凹部２２の開口の周辺と接合する。処理部２３は、内部に空洞を備え、この空洞は空間２３ａとなっている。空間２３ａの内部には、ステージ３３に載置された状態で処理対象物３２が配置される。また、処理部２３の上方には、開口が設けられており、この開口の周辺は、絶縁部２４の環状の部分と接合する。イオン発生部２２、絶縁部２４、及び処理部２３を接合すると、それぞれの空間２２ａ、２４ａ、２３ａが組み合わさり、一つのチャンバー２１が形成される。

また、図５に示すように、イオン発生部２２には、原料ガスを外部から供給するための供給路２２ｂが形成されている。供給路２２ｂのチャンバー２１側の開口には、供給されてきた原料ガスを凹部２２ａ内で拡散させるシャワーヘッド２６が取り付けられている。

一方、供給路２２ｂの外部側の開口（ガス導入口）には、マスフローコントローラ３４を介して、供給路２２ｂに原料ガスを供給するための供給配管２５が接続されている。マスフローコントローラ３４は、流量計や電磁弁等を備え、ガス流量や圧力の調整に用いられている。原料ガスの圧力は、マスフローコントロー３４の上流側ではガスボンベの圧力によって高くなっているが（０．１ＭＰａ程度）、その下流側では減圧されて低くなる（１００Ｐａ程度）。図５においては、マスフローコントローラ３４は外形のみを示している。供給配管２５は、金属配管２５ａ及び２５ｃと、これらを絶縁状態に保つ絶縁部材（絶縁配管）２５ｂとで構成されている。金属配管２５ｃは、図示していないが、原料ガスが充填されたガスボンベに接続されている。

そして、シャワーヘッド２６から原料ガスを拡散させ、フィラメント（図示せず）への通電によって熱電子を放出させることにより、または、ＲＦ（Radio Frequency）電力等の高周波電力の印加により、イオン発生部２２の空間２２ａに供給された原料ガスがプラズマ化し、プラズマ２７が発生する。また、絶縁部２４には、引出電極２８、加速電極２９、減速電極３０及び接地電極３１が配置されている。これらの電極は、無数の貫通孔を設けられたプレート状を呈している。

引出電極２８には、イオン発生部２２と同電位の電位が与えられている。加速電極２９には、引出電極２８に対してプラス側となる電位が与えられている。また、接地電極３１は、処理部２３と同電位の電位（接地電位）が与えられている。減速電極３０には、接地電極３１に対してマイナス側となる電位が与えられている。

よって、プラズマ２７中のイオンは、引出電極２８によって引き出され、加速電極２９によって加速される。そして、加速されたイオンは、減速電極３０及び接地電極３１を通過して、イオンビームとなり、処理対象物３２に衝突する。この結果、処理対象物３２においてイオンドープが進行する。
特開平１０−２７５６９５号公報

ところで、図５に示すように、供給配管２５の途中に絶縁配管２５ｂを設ける場合は、部材間の接合部分はＯリング等の樹脂製の部材でシーリングすることとなるため、接合部分から原料ガスが外部にリークする可能性がある。また、絶縁配管２５ｂそのものを原料ガスがすり抜けて外部にリークする可能性がある。このような原料ガスのリークが発生すると、リークの程度により原料ガスの浪費によるコストの増大や、原料ガスの供給量の低下による品質異常の発生といった問題が生じる可能性がある。また、原料ガスのリークの発生によって絶縁配管２５ｂの内部の圧力が低下した場合、絶縁配管２５ｂの内部で放電（異常放電）が生じる可能性がある。

また、リークした際の安全性を確保すべく、図５に示す例では、絶縁部材２５ｂ及びその周辺を外界から遮蔽する真空室３４を設けて、二重配管構造としている。更に、この二重配管の内側の管と外側の管との間を真空引きするための排気装置（図示せず）も設けられている。

しかしながら、このような真空室３４や排気装置を設けるのであれば、結果的に、ガスボンベを高電位に保持する場合と同程度に、装置コストがかかってしまう。この場合、プラズマ処理にかかるコストの低減は困難となる。

本発明の目的は、上記問題を解消し、原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明におけるプラズマ処理装置は、チャンバーを備えるプラズマ処理装置であって、原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物が配置される処理部と、前記イオン発生部と前記処理部とを電気的に絶縁する絶縁部と、ガス導入口から導入された前記原料ガスを前記イオン発生部に導くためのガス導入路とを備え、前記イオン発生部、前記絶縁部、及び前記処理部は、これらが接合されたときに、その接合体の内部に前記チャンバーとなる空間が設けられるように形成され、前記ガス導入口は、前記処理部に設けられ、前記ガス導入路は、前記チャンバー内部に設けられた配管、又は、前記チャンバーの側壁の内部に形成された孔を備え、且つ、前記ガス導入口と前記イオン発生部とを電気的に絶縁していることを特徴とする。

以上のように、本発明におけるプラズマ処理装置では、ガス導入口からイオン発生部への原料ガスの供給は、これらを電気的に絶縁するガス導入路を介して行われており、従来のように、装置の外側にある供給配管に絶縁部材を設ける必要はない。また、ガス導入路は、プラズマ処理装置自体によって外界から遮蔽され、更に、上記の電気的絶縁も外界から遮蔽されていることから、従来のような原料ガスのリークは抑制される。

よって、本発明におけるプラズマ処理装置では、ガスボンベを接地状態とする場合であっても、装置への原料ガスの供給は金属配管のみで行うことができる。このことから、本発明におけるプラズマ処理装置によれば、装置の外部に付帯設備を設けることなく原料ガスのリークを抑制でき、装置コストの低減化を図ることができる。

本発明におけるプラズマ処理装置は、本発明におけるプラズマ処理装置は、チャンバーを備えるプラズマ処理装置であって、原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物が配置される処理部と、前記イオン発生部と前記処理部とを電気的に絶縁する絶縁部と、ガス導入口から導入された前記原料ガスを前記イオン発生部に導くためのガス導入路とを備え、前記イオン発生部、前記絶縁部、及び前記処理部は、これらが接合されたときに、その接合体の内部に前記チャンバーとなる空間が設けられるように形成され、前記ガス導入口は、前記処理部に設けられ、前記ガス導入路は、前記チャンバー内部に設けられた配管、又は、前記チャンバーの側壁の内部に形成された孔を備え、且つ、前記ガス導入口と前記イオン発生部とを電気的に絶縁していることを特徴とする。

また、上記本発明におけるプラズマ処理装置は、前記処理部における前記チャンバーの側壁となる部分の内部に、一方の開口が前記ガス導入口となり、且つ、他方の開口が前記絶縁部に対向する第１の孔が形成され、前記絶縁部における前記チャンバーの側壁となる部分の内部に、一方の開口が前記第１の孔に整合し、且つ、他方の開口が前記イオン発生部に対向する第２の孔が形成され、前記イオン発生部における前記チャンバーの側壁となる部分の内部に、一方の開口が前記第２の孔に整合し、且つ、他方の開口が前記チャンバーの内部に面する第３の孔が形成され、前記ガス導入路が、前記第１の孔、前記第２の孔、及び前記第３の孔によって形成され、前記第２の孔が、前記ガス導入口と前記イオン発生部とを電気的に絶縁している態様とすることもできる。

上記態様では、前記第２の孔は、その全長が、前記イオン発生部から前記処理部へと向かう方向における前記絶縁部の長さよりも長くなるように形成されているのが好ましい。この場合は、ガス導入路の絶縁性の部分の長さが長くなり、ガス導入路における絶縁性が高いものとなる。この結果、ガス導入路内部での放電発生の抑制効果や、放電が発生した場合の絶縁破壊の抑制効果を高めることができ、装置の安定性及び安全性の向上が図られる。

更に、上記本発明におけるプラズマ処理装置は、前記ガス導入路が、前記チャンバー内部に設けられ、且つ、前記ガス導入口に連通する配管を備え、前記配管の一部又は全部が、絶縁性の部材によって形成され、前記絶縁性の部材が、前記ガス導入口と前記イオン発生部とを電気的に絶縁している態様とすることもできる。

上記態様では、前記絶縁性の部材は、その前記配管の長手方向における長さが、前記イオン発生部から前記処理部へと向かう方向における前記絶縁部の長さよりも長くなるように形成されているのが好ましい。この場合は、チャンバー内部に設けられた配管における絶縁性の部分の長さが十分に長くなり、配管の絶縁性が高いものとなる。この結果、配管内部での放電発生の抑制効果や、放電が発生した場合の絶縁破壊の抑制効果を高めることができ、装置の安定性及び安全性の向上が図られる。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。本実施の形態１において、プラズマ処理装置は、表示パネルのアレイ基板を処理対象物１２とするイオンドープ装置であり、チャンバー１を備えている。

図１に示すように、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置は、背景技術において図５に示したプラズマ処理装置（以下「従来例」という。）と同様に、イオン発生部２と、処理対象物が配置される処理部３と、絶縁部４とを備えている。イオン発生部２は、導電性を備え、直流電源１９に接続されている。処理部３も、導電性を備えている。処理部３は、接地電位に接続されている。絶縁部４は、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁している。

また、イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、イオン発生部２と処理部３とで絶縁部４を挟み込んだ状態で接合される。そして、これらは、接合されたときに、その接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成されている。

具体的には、イオン発生部２は、凹部を備え、その内部は空間２ａとなっている。絶縁部４は、環状の形状を有し、環状の部分の内側は空間４ａとなっている。また、絶縁部４の環状の部分は、イオン発生部２の凹部の開口の周辺と接合する。処理部３は、内部に空洞を備え、この空洞は空間３ａとなっている。空間３ａの内部には、処理対象物１２が配置される。

また、処理部３の上方には、開口が設けられており、この開口の周辺も絶縁部４の環状の部分と接合する。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３を接合すると、それぞれの空間２ａ、４ａ、３ａが組み合わさり、一つのチャンバー１が形成される。本実施の形態１において、処理対象物１２は、空間３ａの底面に配置されたステージ１３の上に載置される。

また、空間２ａ内には、原料ガスを供給するシャワーヘッド６が配置されており、原料ガスは空間２ａ内に拡散した状態で供給される。更に、空間２ａと空間３ａとの間の空間（絶縁部４の内側の空間）４ａには、引出電極８、加速電極９、減速電極１０及び接地電極１１が配置されている。これらの電極は、無数の貫通孔を設けられたプレート状を呈している。

よって、直流電源１９からイオン発生部２に電圧を印加すると、イオン発生部２に供給された原料ガスがプラズマ化し、プラズマ７が発生する。そして、プラズマ７から引き出されたイオンは、本実施の形態１においても、従来例と同様に、上述の電極８〜１１によって加速され、イオンビームとなって処理対象物１２に衝突する。この結果、処理対象物１２においてイオンドープが実行される。

このように、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置は、従来例と同様の構成を備え、同様の処理を行うことができる。しかしながら、本実施の形態１におけるプラズマ処理装置は、以下の点で従来例と異なっている。

本実施の形態１におけるプラズマ処理装置では、ガス導入口１４は、イオン発生部２ではなく、処理部３に設けられている。また、プラズマ処理装置は、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５を、外界から遮蔽されたところに備えている。本実施の形態１では、ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部（即ち、処理部３、絶縁部４及びイオン発生部２のチャンバー１の側壁となっている部分の内部）に形成された孔によって形成されている。

具体的には、処理部３におけるチャンバー１の側壁となる部分の内部には、一方の開口がガス導入口１４となり、他方の開口が絶縁部４に対向する孔５ｃが形成されている。絶縁部４におけるチャンバー１の側壁となる部分の内部には、一方の開口が孔５ｃに整合し、他方の開口がイオン発生部２に対向する孔５ｂが形成されている。また、イオン発生部２におけるチャンバー１の側壁となる部分の内部には、一方の開口が孔５ｂに整合し、他方の開口がチャンバー１の内部に面する孔５ａが形成されている。

ガス導入路５は、これらの孔５ａ〜孔５ｃによって構成されている。また、イオン発生部２に設けられた孔５ａに、シャワーヘッド６の導入側の端部が挿入されている。更に、孔５ｂは、絶縁部４に設けられていることから、孔５ｂによって、ガス導入口１４とイオン発生部２とは電気的に絶縁される。

よって、本実施の形態１においては、従来例のようにプラズマ処理装置の外部に絶縁部材２５ｂ（図５参照）を設けなくても、原料ガスの供給元のガスボンベ（図示せず）とイオン発生部２とを電気的に絶縁することができる。つまり、ガスボンベとガス導入口１４とを接続する供給配管１５として、金属製の配管のみを用いることができるので、供給配管１５からの原料ガスのリークを抑制できる。更に、本実施の形態１では、チャンバー１の内部は、真空又はそれに近い状態となるため、ガス導入路５で原料ガスのリークが生じたとしても、リークした原料ガスはチャンバー１内へと流れる。

このように、本実施の形態１によれば、従来例のような排気設備を設けることなく、外部への原料ガスのリークを抑制できる。更に、排気設備や、ガスボンベを高電位に保持するための設備が必要ないことから、従来例に比べて、装置コストの低減化を図ることができる。

本実施の形態１においても、背景技術において図５に示した例と同様に、供給配管１５は、マスフローコントローラ１８を介して、ガス導入口１４に接続されている。マスフローコントローラ１８は、流量計や電磁弁等を備え、ガス流量や圧力の調整に用いられている。また、マスフローコントローラ１８の下流側の原料ガスの圧力は減圧され、上流側の原料ガスの圧力よりも低くなっている。図１においても、マスフローコントローラ１８は外形のみを示している。

また、本実施の形態１においては、ガス導入路５における絶縁性を高めるため、孔５ｂの全長は出来る限り長くするのが好ましい。これは、上述したようにマスフローコントローラ１８の下流側では原料ガスの圧力が低くなることから、原料ガス自体の持つ絶縁性が低下するためである。この点について図２を用いて説明する。

図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の他の例の一部を示す断面図である。図２の例では、孔５ｂは絶縁部４に対して斜めに形成されており、孔５ｂの全長Ｌ１は、イオン発生部２から処理部３へと向かう方向（上下方向）における絶縁部４の長さＴよりも長くなっている。なお、孔５ｂの全長Ｌ１とは、孔５ｂの一方の開口面と中心軸との交点から、他方の開口面と中心軸との交点までの長さをいう。

このように、図２の例では、ガス導入路の絶縁性の部分の長さが長くなり、図１の例に比べて、ガス導入路における絶縁性は向上する。この結果、ガス導入路５の内部での放電発生の抑制効果を高めることができる。更に放電が発生した場合の絶縁破壊の抑制効果も高めることができる。図２の例によれば、装置の安定性及び安全性がよりいっそう向上される。

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２におけるプラズマ処理装置について図３及び図４を参照しながら説明する。図３は、本発明の実施の形態２におけるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。図４は、図３に示したプラズマ処理装置の一部分を拡大して示す断面図である。本実施の形態２におけるプラズマ処理装置も、実施の形態１におけるプラズマ処理装置と同様に、表示パネルのアレイ基板を処理対象物１２とするイオンドープ装置であり、チャンバー１を備えている。

図３に示すように、本実施の形態２におけるプラズマ処理装置は、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５の構成の点で、実施の形態１におけるプラズマ処理装置と異なっている。この点について、以下に説明する。なお、上記の点以外については、本実施の形態２におけるプラズマ処理装置は、実施の形態１におけるプラズマ処理装置と同様である。図３に示された符号のうち、図１においても示されている符号は、図１において当該符号が示すものと同一のものを示している。

本実施の形態２においては、ガス導入路５は、チャンバー１の内部に設けられた配管（チャンバー内配管）１６と、処理部３の側壁に設けられた貫通孔１７とを備えている。貫通孔１７の一方の開口はガス導入口１４となっている。また、貫通孔１７の他方の開口には、チャンバー内配管１６が接続されている。チャンバー内配管１６は、金属製の配管１６ａ、セラミック等の絶縁性材料で形成された配管１６ｂ、及び金属製の配管１６ｃを繋ぎ合わせて形成されている。図３の例では、配管１６ａは、シャワーヘッド６と一体的に形成されている。

本実施の形態２では、チャンバー内配管１６の一部を絶縁性の部材によって形成することによって、即ち、配管１６ｂを絶縁性材料で形成することによって、ガス導入口１４とイオン発生部２とが電気的に絶縁されている。なお、本実施の形態２においては、チャンバー内配管１６は、その全部が絶縁性の部材によって形成されていても良い。

よって、本実施の形態２においても、供給配管１５として、金属製の配管のみを用いることができるので、供給配管１５からの原料ガスのリークを抑制できる。また、チャンバー内配管１６から原料ガスがリークしても、チャンバー内配管１６はチャンバー１の内部に配置されているため、リークした原料ガスが外部に漏れる可能性は極めて低くなっている。

このように、本実施の形態２による場合も、実施の形態１の場合と同様に、従来例のような排気設備を設けることなく、外部への原料ガスのリークを抑制できる。更に、排気設備や、ガスボンベを高電位に保持するための設備が必要ないことから、従来例に比べて、装置コストの低減化を図ることができる。

また、本実施の形態２においては、図３及び図４に示すように、絶縁性材料で形成された配管１６ｂは、その長手方向における長さＬ２が、絶縁部４における上下方向の長さＴよりも長くなるように形成されているのが好ましい。これは、チャンバー内配管１６における絶縁性の部分の長さを十分に長くして、チャンバー内配管１６の絶縁性を高いものとするためである。この場合、チャンバー内配管１６内部での放電発生の抑制効果や、放電が発生した場合の絶縁破壊の抑制効果が高められ、装置の安定性及び安全性の向上が図られる。

実施の形態１及び２において、プラズマ処理装置はイオンドープ装置であるが、本発明はこのような例に限定されるものではない。本発明においては、プラズマ処理装置は、チャンバーを備え、チャンバー内でプラズマを発生させる装置であれば良い。その他の例としては、イオン注入装置、イオンビームエッチング装置、イオンビーム蒸着装置、イオンビームスパッタリング装置等が挙げられる。

以上のように、本発明によれば、プラズマ処理に用いられる原料ガスの外部へのリークを抑制でき、更に、装置コストの低減化も図ることもができる。このことから、本発明のプラズマ処理装置は、産業上の利用可能性を有するものである。

図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理装置の他の例の一部を示す断面図である。 図３は、本発明の実施の形態２におけるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 図４は、図３に示したプラズマ処理装置の一部分を拡大して示す断面図である。 図５は、従来のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。

符号の説明

１ チャンバー
２ イオン発生部
３ 処理部
４ 絶縁部
５ ガス導入路
５ａ〜５ｃ 孔
６ シャワーヘッド
７ プラズマ
８ 引出電極
９ 加速電極
１０ 減速電極
１１ 接地電極
１２ 処理対象物
１３ ステージ
１４ ガス導入口
１５ 供給配管
１６ チャンバー内配管
１６ａ、１６ｂ 金属製の配管
１６ｃ 絶縁性材料で形成された配管
１７ 貫通孔
１８ マスフローコントローラ
１９ 電源

Claims (5)

1. チャンバーを備えるプラズマ処理装置であって、
   原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物が配置される処理部と、前記イオン発生部と前記処理部とを電気的に絶縁する絶縁部と、ガス導入口から導入された前記原料ガスを前記イオン発生部に導くためのガス導入路とを備え、
   前記イオン発生部、前記絶縁部、及び前記処理部は、これらが接合されたときに、その接合体の内部に前記チャンバーとなる空間が設けられるように形成され、
   前記ガス導入口は、前記処理部に設けられ、
   前記ガス導入路は、前記チャンバー内部に設けられた配管、又は、前記チャンバーの側壁の内部に形成された孔を備え、且つ、
   前記ガス導入口と前記イオン発生部とを電気的に絶縁していることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記処理部における前記チャンバーの側壁となる部分の内部に、一方の開口が前記ガス導入口となり、且つ、他方の開口が前記絶縁部に対向する第１の孔が形成され、
   前記絶縁部における前記チャンバーの側壁となる部分の内部に、一方の開口が前記第１の孔に整合し、且つ、他方の開口が前記イオン発生部に対向する第２の孔が形成され、
   前記イオン発生部における前記チャンバーの側壁となる部分の内部に、一方の開口が前記第２の孔に整合し、且つ、他方の開口が前記チャンバーの内部に面する第３の孔が形成され、
   前記ガス導入路が、前記第１の孔、前記第２の孔、及び前記第３の孔によって形成され、前記第２の孔が、前記ガス導入口と前記イオン発生部とを電気的に絶縁している請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記ガス導入路が、前記チャンバー内部に設けられ、且つ、前記ガス導入口に連通する配管を備え、
   前記配管の一部又は全部が、絶縁性の部材によって形成され、前記絶縁性の部材が、前記ガス導入口と前記イオン発生部とを電気的に絶縁している請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記絶縁性の部材は、その前記配管の長手方向における長さが、前記イオン発生部から前記処理部へと向かう方向における前記絶縁部の長さよりも長くなるように形成されている請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記第２の孔は、その全長が、前記イオン発生部から前記処理部へと向かう方向における前記絶縁部の長さよりも長くなるように形成されている請求項３に記載のプラズマ処理装置。

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