JP5208261B2 - バックライト装置及びその制御方法、画像表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、バックライト装置及びその制御方法、画像表示装置に関するものである。

画像表示装置として、カラーフィルタを有するカラー液晶パネルの背面に、白色光を照射するバックライト装置を組み合わせた構成が一般的となっている。バックライト装置の光源としては、冷陰極管（ＣＣＦＬ：Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ）等の蛍光ランプが主流であった。近年、消費電力、寿命、色再現性、環境負荷の面で優位な発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を光源として用いたＬＥＤバックライト装置も用いられるようになってきている。

液晶パネルの表示領域に対応するＬＥＤバックライト装置の領域を複数のブロック（ＬＥＤブロックという）に分割し、ＬＥＤブロック毎にＬＥＤを設け、各ＬＥＤブロックのＬＥＤの輝度を独立して制御可能な画像表示装置がある（例えば特許文献１を参照）。カラー液晶パネルの表示領域のうち、暗い映像を表示する領域に光を照射するＬＥＤブロックの輝度を落とすことで消費電力が低減し、表示される画像のコントラストが向上する。このような、表示画像の内容（明るさ）に応じてＬＥＤブロック毎に行うＬＥＤの輝度制御をローカルディミング制御と呼ぶ。

特許文献２は、仕切られた複数のＬＥＤブロック毎にＬＥＤが配置された直下型方式のバックライト装置において、各ＬＥＤブロックのＬＥＤの光を光ファイバー等で外部の測定装置に導き測定することで、ＬＥＤブロック毎の輝度を測定する方法を開示している。

特開２００１−１４２４０９号公報 特開２００８−１５９５５０号公報

ローカルディミング制御によりＬＥＤブロック毎の輝度制御を行うと、ＬＥＤブロック毎の経年劣化のばらつきによる輝度むらが問題となる。ＬＥＤブロックを順次時分割点灯し、光センサで輝度検出することで、他のＬＥＤブロックからの光の影響を受けずに、各ＬＥＤブロックの輝度を精度良く測定できる。そして、測定結果に基づいてＬＥＤブロック毎にＬＥＤの輝度を補正することで、ＬＥＤブロック毎の輝度ばらつきを補正し、輝度むらを抑制できると考えられる。このように、ＬＥＤブロック毎のＬＥＤの経年劣化による輝度の変動を補正する処理を、本明細書では「ＬＥＤ劣化補正処理」と呼ぶ。

ＬＥＤバックライトの構造として、導光板を用いず、液晶パネルの背面全面にＬＥＤを配置するものを直下型と呼ぶ。直下型ＬＥＤバックライト装置のＬＥＤブロック数は数百にも及ぶ。この数百のＬＥＤブロック全てに対し１つずつＬＥＤ劣化補正処理を実行すると、全てのＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理が完了するまでに長い時間が必要となる（例えば数分程度）。そこで、ユーザが画像表示装置を使用した後の空き時間に、バックグラウンドで自動的にＬＥＤ劣化補正処理を実施することが考えられる。

複数のＬＥＤブロックを時分割で１つずつ順次点灯させていくことで全ＬＥＤブロックに対しＬＥＤ劣化補正処理を行う場合、点灯するＬＥＤブロックの数が少ないので、ＬＥ
Ｄの発熱によるバックライト装置の温度への影響が少なくなる。全てのＬＥＤブロックに対するＬＥＤ劣化補正処理を完了するまでには長い時間を要するため、ＬＥＤ劣化補正処理を実行している期間にバックライト装置の温度が変動（低下）してしまう可能性がある。

ＬＥＤの発光効率には温度依存性があるため、ＬＥＤ劣化補正処理の実行期間にバックライト装置の温度が変動すると、ＬＥＤブロック毎にＬＥＤの発光特性がばらつく可能性がある。そうすると、全てのＬＥＤブロックに対してＬＥＤ劣化補正処理を行っても、十分に輝度むらを抑制することができない可能性がある。

そこで、本発明は、光源ブロックの輝度検出を実行している期間の温度変動を抑制することができるバックライト装置及びその制御方法、画像表示装置を提供することを目的とする。

本発明は、複数の光源ブロックを有するバックライト装置であって、
前記複数の光源ブロックのそれぞれの発光を制御する発光制御手段と、
光源ブロックの輝度を検出するための輝度検出手段と、
前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出し、検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、各光源ブロックの発光量の補正値を決定する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出する処理を全ての光源ブロックについて行う途中で、次に輝度値を検出する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行するバックライト装置である。

本発明は、複数の光源ブロックを有するバックライト装置の制御方法であって、
複数の光源ブロックのぞれぞれの発光を制御する発光制御工程と、
光源ブロックの輝度を検出する輝度検出工程と、
前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出し、検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、各光源ブロックの発光量の補正値を決定する制御工程と、
を有し
前記制御工程では、前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出する処理を全ての光源ブロックについて行う途中で、次に輝度値を検出する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行するバックライト装置の制御方法である。

本発明によれば、光源ブロックの輝度検出を実行している期間の温度変動を抑制することができるバックライト装置及びその制御方法、画像表示装置を提供することができる。

実施例の画像表示装置の構成部品図 直下型ＬＥＤバックライトモジュールの一部を拡大視した模式図 直下型ＬＥＤバックライトモジュールの構成を示すブロック図 ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤ劣化補正処理のフローチャート ＬＥＤ温度変動抑制処理が挿入されるＬＥＤ劣化補正処理のフローチャート ＬＥＤ劣化補正処理の経過時間、ステップ、ＬＥＤ温度の関係の一例 ＬＥＤブロック番号の割り当ての一例を示す模式図 ＬＥＤ温度変動抑制処理（Ｎ＝２１）で点灯するＬＥＤブロック ＬＥＤ温度変動抑制処理（Ｎ＝３４）で点灯するＬＥＤブロック ＬＥＤ劣化補正処理の経過時間、ステップ、ＬＥＤ温度の関係の一例

（実施例１）
図１は、本発明を適用できる画像表示装置の構成部品図である。カラー液晶パネル１０５の背面に白色光を照射するバックライトとして、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１を用いる。直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１は、縦方向に２０個、横方向に３２個の、合計６４０個のＬＥＤブロック１０６（光源ブロック）に分割され、ＬＥＤブロック毎に（光源ブロック単位で）それぞれ独立に輝度制御可能とする。

ＬＥＤブロック１０６の分割数が多いほど、ローカルディミング制御における表示領域の分割精度が向上する。一つのＬＥＤブロックは、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１の発光面を分割した複数の分割領域の一つを発光させる一又は複数のＬＥＤ（光源）の集合である。

直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１は点光源であるＬＥＤを多数集めたものであるが、拡散板１０２を用いてＬＥＤからの白色光を十分に拡散させることで面発光させ、面光源として機能させる。拡散板１０２で拡散され、様々な入射角度で入射した白色光は集光シート１０３で正面方向に集光されることにより、正面の輝度が向上する。

反射型偏光フィルム１０４は、入射した白色光を効率的に偏光することで、カラー液晶パネル１０５で表示される輝度を向上させる。カラー液晶パネル１０５は、照射された白色光をＲＧＢの画素毎に透過率変調することでカラー映像を表示する。直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１、拡散板１０２、集光シート１０３、反射型偏光フィルム１０４は、バックライト装置を構成する。

本実施例では直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１を用いたが、フレーム部分に複数のＬＥＤを配置し、導光板でカラー液晶パネル１０５全体に配光するエッジライト型を用いることも可能である。

図２（Ａ）は直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１の一部を拡大視した模式図である。縦４個、横４個の合計１６個のＬＥＤブロック１０６のグループ毎に、光センサ１０７が１つ設けられる。１つのＬＥＤブロック１０６のみを発光させて、拡散板１０２で反射した白色光を当該ＬＥＤブロック１０６の属するグループに対応する光センサ１０７で輝度検出することで、当該ＬＥＤブロック１０６の輝度を検出する。このようにして検出されるＬＥＤブロック１０６毎の輝度値に基づいて、ＬＥＤブロック１０６毎に、ＬＥＤの経年劣化による輝度低下を補正することが可能となる。直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１全体では、光センサ１０７が合計４０個設けられる。

図２（Ｂ）は、ＬＥＤブロック１０６を拡大視した模式図である。１つのＬＥＤブロック１０６は、直列接続された合計４個の白色ＬＥＤ１０８で構成される。直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１を構成する複数の白色ＬＥＤは、ＬＥＤブロック単位で輝度制御することができる。なお、白色ＬＥＤ１０８の代わりに、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど多色のＬＥＤを組み合わせて白色光を得る構成にすることも可能である。

図２（Ｃ）は温度センサ１１１（温度検出手段）を実装したＬＥＤブロック１１０の模式図である。温度センサ１１１を実装したＬＥＤブロック１１０は、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１の中央付近にひとつ配置される。温度センサ１１１にはチップ型のサーミスタを用いる。温度センサ１１１は、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０
１の温度を検出する。本実施例では、ＬＥＤブロック１１０の温度センサ１１１で検出される温度を、ＬＥＤブロックのＬＥＤの動作環境温度（周囲温度）を代表する温度とし、後述するＬＥＤ劣化補正処理において「ＬＥＤ温度」として参照する。ただし、温度センサ１１１は、所定数のＬＥＤブロックからなるグループ毎に１つずつ設けても良い。その場合、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１には複数の温度センサが配置される。温度センサが複数設けられる構成とした場合、あるＬＥＤブロックの動作環境温度を、そのＬＥＤブロックが属するグループに対応する温度センサにより検出される温度により代表させることができる。

図３は、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１の構成を示すブロック図である。ＬＥＤブロック２０２はＬＥＤドライバ２０１により点灯（発光）させられ、電流量制御およびＰＷＭ制御によって、ＬＥＤブロック２０２毎に独立に輝度調整可能である。電流量およびＰＷＭによるデューティ比の変更は、マイコン２１０（発光制御手段）からの制御信号に基づいて行われる。電流量およびＰＷＭによるデューティ比は、光源制御手段が光源ブロックの光源を発光させる際の指令値（又は発光量）に相当する。

縦４個×横４個のＬＥＤブロック集合２１１にひとつずつ、当該グループに属するＬＥＤブロックの輝度を検出する光センサ２０４を設ける。光センサ２０４にはＬＥＤブロック２０３の発光スペクトルをカバーする感度を持つフォトダイオードを用いる。或る１つのＬＥＤブロックのみが発光した場合の当該ＬＥＤブロックの輝度は、そのＬＥＤブロックの属するＬＥＤブロック集合に対応する光センサ２０４による検出値と、当該ＬＥＤブロックと光センサ２０４との位置関係と、に基づき算出できる。光センサ２０４によって、ＬＥＤブロック２０２毎の輝度を検出することができるため、ＬＥＤブロック２０２毎の経年劣化による輝度低下を補正することが可能になる。

直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１全体では、縦４個×横４個のＬＥＤブロック集合２１１が全４０個設けられ、従って光センサ２０４も全４０個設けられる。全４０個の光センサ２０４からの検出値は、検出値を切り替えるためのマルチプレクサ２０５へ入力する。マイコン２１０によりマルチプレクサ２０５の切り替え制御を行うことで、４０個の光センサ２０４のうちどの光センサ２０４からの検出値を後段の機能ブロックに出力するか選択することができる。

マルチプレクサ２０５で選択した検出値は、ローパスフィルタ２０６に入力される。ＬＥＤブロック２０２はＰＷＭ制御によって間欠的に点灯するため、光センサ２０４の検出値も間欠出力となる。これをローパスフィルタ２０６で積分して、平滑化された検出値として出力する。

ローパスフィルタ２０６で積分した検出値はＡ／Ｄコンバータ２０７へ入力される。Ａ／Ｄコンバータ２０７は、入力される検出値をデジタル変換する。デジタル変換された検出値はマイコン２１０へ入力される。

マイコン２１０には不揮発メモリ２０８が接続される。不揮発メモリ２０８には、ＬＥＤ劣化補正処理の結果得られた補正パラメータ（補正値）等が保持される。また、マイコン２１０には温度センサ２０９が接続される。温度センサ２０９は、ＬＥＤの温度をＬＥＤ劣化補正処理期間に検出する。

以上のブロック図で示される構成を有する画像表示装置において、マイコン２１０は、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１のＬＥＤ劣化補正処理を行う。ＬＥＤ劣化補正処理では、マイコン２１０は、合計６４０個のＬＥＤブロック２０２を順次ひとつずつ時分割で点灯する。ここで、ＬＥＤ劣化補正処理において、一のＬＥＤブロック２０２の
みを発光させ、同時に複数のＬＥＤブロック２０２を点灯しないのは、以下の理由による。すなわち、複数のＬＥＤブロック２０２を発光させると、光センサが輝度検出対象のＬＥＤブロック以外のＬＥＤブロックの光を検出してしまい、補正に誤差が生じる可能性があるからである。

ＬＥＤ劣化補正処理では、マイコン２１０は、ＬＥＤドライバ２０１によりＬＥＤブロック２０２を順次時分割点灯させ、光センサ２０４から出力された検出値を点灯させたＬＥＤブロック２０２に応じてマルチプレクサ２０５で選択する。これにより、ローパスフィルタ２０６を通過して積分された検出値がＡ／Ｄコンバータ２０７でデジタル変換され、デジタル変換された検出値がマイコン２１０に入力される。マイコン２１０は、入力される検出値と、不揮発メモリ２０８に保持された目標検出値との比較に基づき、点灯させたＬＥＤブロック２０２のＬＥＤを発光させる際の指令値（電流値、ＰＷＭデューティ比等）を補正する補正パラメータを更新する。ＬＥＤを発光させる際の電流値、ＰＷＭデューティ比等の指令値が補正されることにより、ＬＥＤの発光量が補正される。マイコン２１０が、このようなＬＥＤ劣化補正処理を、全てのＬＥＤブロック２０２に対して順次時分割で実行することで、各ＬＥＤブロック２０２の経年劣化による輝度低下が補正され、画像表示装置の表示画面全体での輝度むらを抑制することができる。

ＬＥＤブロック２０２を順次時分割点灯する期間、温度センサ２０９はＬＥＤ温度を検出する。ＬＥＤ劣化補正処理を行っていない通常動作時は、ローカルディミング制御が行われる場合であっても、多数のＬＥＤブロックが点灯するため、ＬＥＤの廃熱によってＬＥＤ温度が高くなる。

一方で、ＬＥＤ劣化補正処理の実行期間は、ＬＥＤブロック２０２を順次ひとつずつ時分割点灯するため、ＬＥＤからの廃熱が殆ど無くなり、通常動作時に温まっていたバックライト装置は温度低下していく。ＬＥＤ劣化補正処理期間にＬＥＤ温度が変動すると、ＬＥＤの発光効率が変化してＬＥＤ劣化補正処理による補正を精度良く行えない可能性がある。そこで、本実施例では、ＬＥＤブロック２０２を１つずつ順次点灯していくＬＥＤ劣化補正処理期間の途中に、全てのＬＥＤブロック２０２を一斉点灯する処理を挿入する。これにより、ＬＥＤの廃熱を一時的に増加させ、バックライト装置の温度低下を抑制する。本実施例では、このようにＬＥＤ劣化補正処理の実行期間の途中に挿入する全ＬＥＤブロックの一斉点灯処理を、ＬＥＤ温度変動抑制処理と呼ぶ。なお、ＬＥＤ温度変動抑制処理では、必ずしも全てのＬＥＤブロックを一斉点灯する必要はない。バックライト装置の温度低下を抑制し、各ＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理が実行される時のＬＥＤの周囲温度の変動を抑制する効果を奏するのであれば、６４０個のうちの一部のＬＥＤブロックを点灯するのでも良い。

直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１の合計６４０個のＬＥＤブロック２０２には、それぞれＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎが割り振られている。ｎは１から６４０の整数である。図４は、マイコン２１０により実施されるＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理の手順を示すフローチャートである。図４のフローチャートで表される処理が、本発明の補正処理に相当する。

まず初めに、ステップＳ１０１では、マイコン２１０は、不揮発メモリ２０８に保持されたＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎの補正パラメータＡ_{（Ｎ＝ｎ）}を読み出す。

次に、ステップＳ１０２では、マイコン２１０は、補正パラメータＡ_{（Ｎ＝ｎ）}と直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１全体で一律に定める基準点灯デューティ比Ｂとの積から、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎの点灯デューティ比Ｃ_{（Ｎ＝ｎ）}を算出する。例えば
、マイコン２１０は、補正パラメータＡ_{（Ｎ＝ｎ）}＝１．０３１、基準点灯デューティ比Ｂ＝６０．４２５パーセントの積から、点灯デューティ比Ｃ_{（Ｎ＝ｎ）}＝６２．２９８パーセントを算出する。

基準点灯デューティ比Ｂは、ＬＥＤのＰＷＭ制御における点灯時間割合の基準値を示し、表示画面全体としての表示輝度を決めるものである。補正パラメータＡ_{（Ｎ＝ｎ）}は、ＬＥＤ劣化補正処理を実施することで更新される。ＬＥＤブロック２０２の輝度劣化が大きくなるほど、補正パラメータの値は大きい値に更新される。これにより、ＬＥＤブロック２０２の輝度劣化が大きくなるほど、算出される点灯デューティ比Ｃ_{（Ｎ＝ｎ）}も大きくなるので、結果として、ＬＥＤブロック２０２の輝度が目標値に維持される。

次に、ステップＳ１０３では、マイコン２１０は、不揮発メモリ２０８に保持されたＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎの目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}を読み出す。目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}は、表示画面全体の輝度むらが抑制されるように全てのＬＥＤブロックの輝度が調整された状態で、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックのみを点灯させた場合に、光センサ２０４で検出されるべき検出値である。

表示画面全体の輝度むらが抑制されるように全てのＬＥＤブロックの輝度が調整された状態とは、ＬＥＤブロック間の輝度のばらつきが許容レベル以下になるように各ＬＥＤブロックの輝度がそれぞれ調整された状態である。目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}は、本発明における、輝度検出手段により検出される光源ブロックの輝度値の目標値に相当する。目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}は工場の出荷調整時に決定され、光センサ２０４の受光感度のばらつきや、ＬＥＤブロック２０２と光センサ２０４の位置関係に応じた値となる。本実施例では光センサ２０４は複数（１６個）のＬＥＤブロックのグループ毎に設けられるので、目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}は、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックが属するグループに対応する光センサと当該ＬＥＤブロックとの位置関係に応じて定められる。

ステップＳ１０４では、目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}と、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックを点灯デューティ比Ｃ_{（Ｎ＝ｎ）}で点灯させた際の光センサ２０４による検出値Ｄ’_{（Ｎ＝ｎ）}と、の比に基づき、新しい補正パラメータＡ’_{（Ｎ＝ｎ）}が算出される。例えば、目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}＝１３２８、検出値Ｄ’_{（Ｎ＝ｎ）}＝１２４２の場合、マイコン２１０は、新しい補正パラメータＡ’_{（Ｎ＝ｎ）}＝１．０６９を算出する。経年劣化によりブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックのＬＥＤの輝度が低下しているほど、実際の検出値Ｄ’_{（Ｎ＝ｎ）}は目標検出値Ｄ_{（Ｎ＝ｎ）}より小さくなるので、新しい補正パラメータＡ’_{（Ｎ＝ｎ）}は大きい値が算出される。

次に、ステップＳ１０５で、マイコン２１０は、算出した新しい補正パラメータＡ’_{（Ｎ＝ｎ）}により、不揮発メモリ２０８に保持する補正パラメータＡ_{（Ｎ＝ｎ）}を更新する。以上でＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理のフローが終了する。このＬＥＤ劣化補正処理をＬＥＤブロック番号１〜６４０のＬＥＤブロックについて順次実行していくことになるが、本実施例のバックライト装置では、一又は複数のＬＥＤ劣化補正処理を実行する毎に、ＬＥＤ温度変動抑制処理が挿入される。

図５は、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１の合計６４０個のＬＥＤブロック２０２に対するＬＥＤ劣化補正処理を、ＬＥＤ温度変動抑制処理を挿入しながら順次実行する処理のフローチャートである。図５のフローチャートで表される処理が、本発明における温度変動抑制処理に相当する。

まず、ステップＳ２０１で、マイコン２１０は、温度センサ２０９により、ＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０（最初にＬＥＤ劣化補正処理が実行された後のＬＥＤ温度。初期温度。本実施例では、初期温度を、温度変動抑制処理に係る所定期間を長くするか、又は所定輝度を高くするか否か、を判断する基準温度とする。）を検出する。マイコン２１０は、ユーザが画像表示装置を使用した後の空き時間にバックグラウンドでＬＥＤ劣化補正処理を行う。ユーザが画像表示装置を使用した後は、バックライト装置が十分に温度エージングされ温まっているので、バックライト装置の温度が安定した状況下でＬＥＤ劣化補正処理を実行することができ、精度良く補正を行うことができる。

ステップＳ２０２では、マイコン２１０は、図４のフローチャートで示した通りに、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理を実施する。次に、マイコン２１０は、ステップＳ２０３でＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理を実施した後のＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}を検出する。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤ劣化補正処理期間はＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックのみが点灯しているため、廃熱が少なくなりＬＥＤ温度は低下する。なお、複数のＬＥＤブロックのグループ毎に温度センサを設けている場合、ＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}は、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎのＬＥＤブロックの属するグループに対応する温度センサによる検出値としてもよい。すなわち、直前に補正処理が実行されたＬＥＤブロックの属するグループに対応する温度センサにより、ＬＥＤ温度を検出する。

ステップＳ２０４では、マイコン２１０は、ＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}がＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値ａ以上低くなっている（Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}＜Ｔ_０−ａ）か否かを判断する。閾値ａは、全てのＬＥＤブロックについてＬＥＤ劣化補正処理を実施した直後における直下型ＬＥＤバックライトモジュールの輝度むらが所定の許容レベル以下になるようなＬＥＤ劣化補正処理期間のＬＥＤ温度変動幅に基づき定められる。

ＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}がＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値ａ以上低くなっていた場合、マイコン２１０は、ステップＳ２０５でＬＥＤ温度変動抑制処理の点灯期間ｔを、点灯期間調整幅ｂだけ長くする。点灯期間調整幅ｂは、ＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}とＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０の差の大きさに応じて適宜変更するようにしても良い。点灯期間ｔは、本発明の温度変動抑制処理において制御手段が複数の光源ブロックを発光させる際の所定期間に相当する。

ステップＳ２０６では、マイコン２１０は、ＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}がＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値ａ以上高くなっている（Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}＞Ｔ_０＋ａ）か否かを判断する。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎ−１におけるＬＥＤ温度変動抑制処理の点灯期間ｔが長いと、ＬＥＤ温度が必要以上に上昇する場合がある。また、環境温度の上昇によりＬＥＤ温度がＬＥＤ温度変動抑制処理により予期される温度よりも高い温度まで上昇する場合も考えられる。

ＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝ｎ）}がＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値以上高い場合は、マイコン２１０は、ステップＳ２０７でＬＥＤ温度変動抑制処理の点灯期間ｔを、点灯期間調整幅ｂだけ短くする。なお、ここでは閾値を、上述した点灯期間調整幅ｂだけ長くする場合と同じ閾値ａとする。点灯期間ｔを長くするか否かの判定と短くするか否かの判定とで、閾値を異ならせても良い。

ステップＳ２０８では、マイコン２１０は、ＬＥＤ温度変動抑制処理を、点灯期間ｔ実行する。ＬＥＤ温度変動抑制処理における電流量を、通常点灯時の電流量よりも大きくすることで、短い点灯期間ｔでＬＥＤ温度の変動（低下）を抑制できる。このように定められる電流量で点灯する場合のＬＥＤブロックの輝度は、本発明の温度変動抑制処理において制御手段が複数の光源ブロックを発光させる際の所定輝度に相当する。ＬＥＤ温度変動抑制処理において光源ブロックを発光させる際の所定輝度及び所定期間を適当に調整することで、ＬＥＤ温度の低下抑制効果を調節することができる。

ステップＳ２０９では、マイコン２１０は、ｎ＜６４０であれば全ＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理が済んでいない為、ステップＳ２１０でｎ＝ｎ＋１と置き換えて次のＬＥＤブロック２０２のＬＥＤ劣化補正処理へ進む。ｎ＝６４０であれば、マイコン２１０は、全ＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理が終了する。

図６（Ａ）は、図５のフローチャートに示すＬＥＤ劣化補正処理を実施した場合の、経過時間と処理ステップ及びＬＥＤ温度との関係の一例を示す図である。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のステップＳ２０２でＬＥＤ劣化補正処理が行われた後のＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ=１
）}は、ＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０から低下している。

ここで、ＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝１）}は、ＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値ａ以上低くなっていないので、ステップＳ２０８でＬＥＤ温度変動抑制処理が点灯期間ｔの期間行われる。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２のステップＳ２０２でＬＥＤ劣化補正処理が行われた後のＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ=２）}もＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ
_０より閾値ａ以上低くなっていないのでステップＳ２０８でＬＥＤ温度変動抑制処理が点灯期間ｔの期間行われる。

ＬＥＤブロック番号Ｎ＝３のステップＳ２０２でＬＥＤ劣化補正処理が行われた後のＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ=３）}は、ＬＥＤ劣化補正処理開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０より閾値ａ以上低
くなっている。従って、ステップＳ２０５でＬＥＤ温度変動抑制処理がｔ＋ｂに長くされ、ステップＳ２０８でＬＥＤ温度変動抑制処理が点灯期間ｔ＋ｂの期間行われる。このＬＥＤ温度変動抑制処理の結果、図６（Ａ）に示すように、ＬＥＤ劣化補正処理期間のＬＥＤ温度の変動が、初期温度Ｔ_０から閾値ａ以内に収まるように調節されることになる。従って、ＬＥＤの発光効率の温度依存性に起因するＬＥＤ劣化補正処理の精度低下を抑えることが可能になる。

なお、点灯期間調整幅ｂの大きさは任意に設定可能であり、例えば、初期値ｔの半分（ｔ／２）、初期値ｔと等しい値などとしてもよい。

図５に示す処理では、１つのＬＥＤブロックについてＬＥＤ劣化補正処理を実行するたびにＬＥＤ温度変動抑制処理が挿入されるが、複数のＬＥＤブロックについてＬＥＤ劣化補正処理を実行するたびにＬＥＤ温度変動抑制処理を挿入しても良い。

すなわち、図５に示す処理ではＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎが１増えるたびにステップＳ２０８のＬＥＤ温度変動抑制処理が実行されるが、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎが所定数増えるたびにステップＳ２０８のＬＥＤ温度変動抑制処理が実行されるようにしても良い。

図６（Ｂ）は、２個のＬＥＤブロックについてＬＥＤ劣化補正処理を実行するたびにＬＥＤ温度変動抑制処理を挿入するようにした場合の、経過時間と処理ステップ及びＬＥＤ温度との関係の一例を示す図である。図６（Ｂ）に示すように、１つのＬＥＤブロックについてのＬＥＤ劣化補正処理期間におけるＬＥＤ温度の低下量が小さければ、２個或いはそれ以上のＬＥＤブロックについてのＬＥＤ劣化補正処理を連続して実行することもできる。

また、図５のフローチャートのステップＳ２０５では、点灯期間ｔを長くしているが、代わりに、或いは合わせて、ＬＥＤ温度変動抑制処理において発光させるＬＥＤブロックの発光輝度を高くするようにしても良い。これによっても、ＬＥＤ温度を高くすることができる。また、ステップＳ２０７では、点灯期間ｔを短くしているが、代わりに、或いは合わせて、ＬＥＤ温度変動抑制処理において発光させるＬＥＤブロックの発光輝度を低くするようにしても良い。これによっても、ＬＥＤ温度を低くすることができる。

（実施例２）
実施例１では、ＬＥＤ劣化補正処理期間に挿入するＬＥＤ温度変動抑制処理において、全てのＬＥＤブロック２０２を一斉に点灯させる例を説明した。実施例２では、ＬＥＤ温度変動抑制処理による電力消費を低減するために、ＬＥＤ温度変動抑制処理において不要なＬＥＤブロックの点灯を抑制する例を説明する。

以下、ＬＥＤ劣化補正処理を行うＬＥＤブロック１０６の順序の一例と、各ＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理後に実行されるＬＥＤ温度変動抑制処理で点灯させる必要のないＬＥＤブロック１０６の一例を示す。なお、特に言及しない点については、実施例１と同様である。

図７は、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１を、縦方向に５個、横方向に７個の、合計３５個のＬＥＤブロック１０６に分割した場合のＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎの割り当てを示す模式図である。図７に示すように、直下型ＬＥＤバックライトモジュール１０１の最も外周側にあるＬＥＤブロックから、より内周側（中央側）に位置するＬＥＤブロック向かって、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎを割り当てる。そして、実施例１と同様、マイコン２１０は、ＬＥＤ劣化補正処理を、このＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎの順に行う。温度センサを実装したＬＥＤブロック１１０にはＬＥＤブロック番号Ｎ＝３５を割り当て、ＬＥＤ劣化補正処理を最後に行う。

本実施例では、ＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックのいずれにも隣接しないＬＥＤブロックの温度は、当該ＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックの温度変動に影響しないと考える。そこで、ＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックのいずれにも隣接しないＬＥＤブロックの温度が初期温度Ｔ_０から閾値ａ以上低下することを許容する。従って、或る時点でＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックのいずれにも隣接しないＬＥＤブロックは、その時点以降に行われるＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯させない。言い換えると、或る時点で、ＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロック、およびＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックに隣接するＬＥＤブロックだけを、その時点以降に行われるＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯させる。このようにしても、その時点以降に行われるＬＥＤ劣化補正処理の対象となるＬＥＤブロックのＬＥＤ温度の変動は、初期温度Ｔ_０から閾値以内に抑えることができるので、ＬＥＤ劣化補正処理による補正の精度低下を十分に抑制できる。

なお、ここでは、あるＬＥＤブロックと辺又は頂点を共有するＬＥＤブロックを、そのＬＥＤブロックに隣接するＬＥＤブロックとする。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のＬＥＤブロック１０６に隣接するＬＥＤブロックは、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２，２０，２１のＬＥＤブロック１０６である。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２２のＬＥＤブロック１０６に隣接するＬＥＤブロックは、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２，３，４，２３，３５，３３，３２，２１のＬＥＤブロック１０６である。

ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１から２０までのＬＥＤブロック１０６のそれぞれのＬＥＤ劣化補正処理の実行後に行われるＬＥＤ温度変動抑制処理においては、全てのＬＥＤブロック１０６を点灯する。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎ（ｎ＝１〜２０）のＬＥＤブロックについては、そのＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理の実行後の時点でＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロック（ＬＥＤブロック番号Ｎ＝ｎ＋１〜３５）のいずれかに隣接するからである。

図８は、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２１のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理後に実行するＬＥＤ温度変動抑制処理において、点灯させるＬＥＤブロック１０６及び点灯させないＬＥＤブロック１０６を示す図である。図８に示すように、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２１のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理の実行後に行われるＬＥＤ温度変動抑制処理では、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のＬＥＤブロック１０６は点灯させない。

ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のＬＥＤブロックは、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２１のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理が実行されて以降にＬＥＤ劣化補正処理の対象となるＬＥＤブロック（ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２２以降のＬＥＤブロック）には隣接しない。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２１のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理の実行後は、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のＬＥＤブロック１０６が隣接するＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理は行われない。よって、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のＬＥＤブロック１０６が大きく温度変動したとしても、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２２以降のＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理による補正の精度が低下することを抑制できる。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のＬＥＤブロックを点灯させないことで、ＬＥＤ温度変動抑制処理を行うために必要な消費電力の削減が期待出来る。

同様に、それ以降ＬＥＤ劣化補正処理を行うＬＥＤブロック１０６に隣接しないＬＥＤブロック１０６は、ＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯させない。言い換えると、未だＬＥＤ劣化補正処理が実行されていないＬＥＤブロック及びそれに隣接するＬＥＤブロックを、ＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯させる。

例えば、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２２のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理後に実行するＬＥＤ温度変動抑制処理においては、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１，２を除いたＬＥＤブロック１０６を点灯する。ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１，２のＬＥＤブロック１０６は、ＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロック（ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２３〜３５）のいずれにも隣接しないからである。同様に、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２３のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理後に実行するＬＥＤ温度変動抑制処理においては、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１〜３を除いたＬＥＤブロック１０６を点灯する。

図９は、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝３４のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理後に実行するＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯するＬＥＤブロック１０６を示す模式図である。この場合、ＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックはＬＥＤブロック番号Ｎ＝３５のＬＥＤブロックのみであり、これに隣接しないＬＥＤブロック１０６を除いた合計９個のＬＥＤブロック１０６が点灯する。

本実施例によれば、ＬＥＤ温度変動抑制処理に関わる電力消費を抑制しつつ、ＬＥＤ劣化補正処理期間のＬＥＤ温度の変動を抑制することができ、ＬＥＤの発光効率の温度依存性に起因するＬＥＤ劣化補正処理の精度低下を抑制できる。
なお、本実施例では、或る時点でＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックのいずれにも隣接しないＬＥＤブロックは、その時点以降に行われるＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯させない例を挙げたが、これに限定されない。或る時点でＬＥＤ劣化補正処理が実行済みのＬＥＤブロックは、その時点以降に行われるＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯させないようにしてもよい。言い換えると、或る時点でＬＥＤ劣化補正処理が未実行のＬＥＤブロックだけを、その時点以降に行われるＬＥＤ温度変動抑制処理において点灯させるようにしてもよい。この場合、例えばＬＥＤブロック番号Ｎ＝２１のＬＥＤブロック１０６のＬＥＤ劣化補正処理後に実行するＬＥＤ温度変動抑制処理において、つぎのように点灯制御が行われる。すなわち、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１〜２１のＬＥＤブロック１０６は点灯させず、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２２〜３５のＬＥＤブロック１０６を点灯させるように制御が行われる。また、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝３４のＬＥＤブロック１
０６のＬＥＤ劣化補正処理後に実行するＬＥＤ温度変動抑制処理において、次のように点灯制御が行われる。すなわち、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１〜３４のＬＥＤブロック１０６は点灯させず、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝３５のＬＥＤブロック１０６だけを点灯させるように制御が行われる。

（実施例３）
実施例１では、一又は複数のＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理を行うたびにＬＥＤ温度変動抑制処理を実行する例を説明した。つまり、所定数のＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理を行うたびにＬＥＤ温度変動抑制処理を挿入した。

一方、本実施例では、一又は複数のＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理を行うたびに、ＬＥＤ温度がＬＥＤ劣化補正処理の開始時のＬＥＤ温度から閾値以上低くなったか否かを判定し、判定結果に応じてＬＥＤ温度変動抑制処理の実行要否を判定する。つまり、ＬＥＤ温度がＬＥＤ劣化補正処理の開始時のＬＥＤ温度より閾値以上低くならなければ、ＬＥＤ温度変動抑制処理は実行されないため、ＬＥＤ温度変動抑制処理の実行間隔は一定ではない。

図１０は、本実施例のＬＥＤ劣化補正処理を実行した場合の経過時間とＬＥＤ温度及び処理ステップとの関係を示す図である。図１０に示すように、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝１のＬＥＤ劣化補正処理の実行後のＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝１）}はＬＥＤ劣化補正処理の開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値ａ以上低くなっていない。従って、マイコン２１０は、ＬＥＤ温度変動抑制処理を実行せずに、次のＬＥＤブロック番号Ｎ＝２のＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理に進む（ステップＳ２０８の処理をスキップしてステップＳ２１０及びステップＳ２０２に進む）。

ＬＥＤブロック番号Ｎ＝２のＬＥＤ劣化補正処理の実行後のＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝２）}は、ＬＥＤ劣化補正処理の開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値ａ以上低くなっている。従って、マイコン２１０は、ＬＥＤ温度変動抑制処理を実行した後に次のＬＥＤブロック番号Ｎ＝３のＬＥＤ劣化補正処理に進む。また、ＬＥＤブロック番号Ｎ＝３のＬＥＤ劣化補正処理の実行後のＬＥＤ温度Ｔ_{（Ｎ＝３）}は、ＬＥＤ劣化補正処理の開始時のＬＥＤ温度Ｔ_０よりも閾値ａ以上低くなっている。従って、マイコン２１０は、ＬＥＤ温度変動抑制処理を実行した後に次のＬＥＤブロック番号Ｎ＝４のＬＥＤ劣化補正処理に進む。

このように、ＬＥＤブロックのＬＥＤ劣化補正処理を実行するたびにＬＥＤ温度変動抑制処理の実行要否を判定することにより、不要なＬＥＤ温度変動抑制処理が実行されることを抑制でき、ＬＥＤ温度変動抑制処理の実行に起因する電力消費を抑制できる。

２０１ ＬＥＤドライバ、２０２ ＬＥＤブロック、２０４ 光センサ、２１０ マイコン

Claims (23)

1. 複数の光源ブロックを有するバックライト装置であって、
   前記複数の光源ブロックのそれぞれの発光を制御する発光制御手段と、
   光源ブロックの輝度を検出するための輝度検出手段と、
   前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出し、検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、各光源ブロックの発光量の補正値を決定する制御手段とを有し、
   前記制御手段は、前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出する処理を全ての光源ブロックについて行う途中で、次に輝度値を検出する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行するバックライト装置。
2. 前記目標値は、複数の光源ブロックの間の輝度のばらつきが許容レベル以下になるように、光源ブロックごとに定められる請求項１に記載のバックライト装置。
3. 前記制御手段は、前記温度変動抑制処理において、全ての光源ブロックを発光させる請求項１又は２に記載のバックライト装置。
4. 前記制御手段は、前記温度変動抑制処理において、未だ輝度値の検出を行っていない全ての光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる請求項１又は２に記載のバックライ
   ト装置。
5. 前記制御手段は、前記温度変動抑制処理において、未だ輝度値の検出を行っていない全て光源ブロックおよびそれらに隣接する光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる請求項１又は２に記載のバックライト装置。
6. さらに、光源ブロックの温度を検出する温度検出手段を有し、
   前記制御手段は、前記温度検出手段で検出した温度が、基準温度に対し閾値以上低い場合、前記所定期間を長くするか、または前記所定輝度を高くする請求項１から５のいずれか１項に記載のバックライト装置。
7. 前記制御手段は、前記温度検出手段で検出した温度が、前記基準温度に対し閾値以上高い場合、前記所定期間を短くするか、または前記所定輝度を低くする請求項６に記載のバックライト装置。
8. さらに、光源ブロックの温度を検出する温度検出手段を有し、
   前記制御手段は、前記温度検出手段で検出した温度が、基準温度に対し閾値以上低い場合に、前記温度変動抑制処理を実行する請求項１から５のいずれか１項に記載のバックライト装置。
9. 前記温度検出手段は、発光面の中央に位置する光源ブロックの温度を検出する請求項６から８のいずれか１項に記載のバックライト装置。
10. 前記温度検出手段は、複数の光源ブロックのグループ毎に設けられる温度センサを含み、直前に輝度値の検出が行われた光源ブロックの属するグループに対応する温度センサにより、光源ブロックの温度の検出を行う請求項６から８のいずれか１項に記載のバックライト装置。
11. 前記輝度検出手段は、複数の光源ブロックのグループ毎に設けられる光センサを含み、
    前記輝度検出手段により検出される光源ブロックの輝度値の目標値は、当該光源ブロックと当該光源ブロックが属するグループに対応する光センサとの位置関係に応じて定められる請求項１から１０のいずれか１項に記載のバックライト装置。
12. 請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のバックライト装置と、液晶パネルと、を有する画像表示装置。
13. 複数の光源ブロックを有するバックライト装置の制御方法であって、
    複数の光源ブロックのぞれぞれの発光を制御する発光制御工程と、
    光源ブロックの輝度を検出する輝度検出工程と、
    前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出し、検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、各光源ブロックの発光量の補正値を決定する制御工程と、
    を有し
    前記制御工程では、前記複数の光源ブロックを１つずつ発光させて輝度値を検出する処理を全ての光源ブロックについて行う途中で、次に輝度値を検出する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行するバックライト装置の制御方法。
14. 前記目標値は、複数の光源ブロックの間の輝度のばらつきが許容レベル以下になるように、光源ブロックごとに定められる請求項１３に記載のバックライト装置の制御方法。
15. 前記制御工程では、前記温度変動抑制処理において、全ての光源ブロックを発光させる請求項１３又は１４に記載のバックライト装置の制御方法。
16. 前記制御工程では、前記温度変動抑制処理において、未だ輝度値の検出を行っていない全ての光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる請求項１３又は１４に記載のバックライト装置の制御方法。
17. 前記制御工程では、前記温度変動抑制処理において、未だ輝度値の検出を行っていない全て光源ブロックおよびそれらに隣接する光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる請求項１３又は１４に記載のバックライト装置の制御方法。
18. さらに、光源ブロックの温度を検出する温度検出工程を有し、
    前記制御工程では、前記温度検出工程で検出した温度が、基準温度に対し閾値以上低い場合、前記所定期間を長くするか、または前記所定輝度を高くする請求項１３から１７のいずれか１項に記載のバックライト装置の制御方法。
19. 前記制御工程では、前記温度検出工程で検出した温度が、前記基準温度に対し閾値以上高い場合、前記所定期間を短くするか、または前記所定輝度を低くする請求項１８に記載のバックライト装置の制御方法。
20. さらに、光源ブロックの温度を検出する温度検出工程を有し、
    前記制御工程では、前記温度検出工程で検出した温度が、基準温度に対し閾値以上低い場合に、前記温度変動抑制処理を実行する請求項１３から１７のいずれか１項に記載のバックライト装置の制御方法。
21. 前記温度検出工程では、発光面の中央に位置する光源ブロックの温度を検出する請求項１８から２０のいずれか１項に記載のバックライト装置の制御方法。
22. 前記温度検出工程では、複数の光源ブロックのグループ毎に設けられる温度センサのうち、直前に輝度値の検出が行われた光源ブロックの属するグループに対応する温度センサにより、光源ブロックの温度の検出を行う請求項１８から２０のいずれか１項に記載のバックライト装置の制御方法。
23. 前記輝度検出工程では、複数の光源ブロックのグループ毎に設けられる光センサにより輝度の検出を行い、
    前記輝度検出工程により検出される光源ブロックの輝度値の目標値は、当該光源ブロックと当該光源ブロックが属するグループに対応する光センサとの位置関係に応じて定められる請求項１３から２２のいずれか１項に記載のバックライト装置の制御方法。

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