JP5196755B2 - デバイス - Google Patents
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特許文献1では擬ヘキサゴナル構造を有し、二重結合に基づいたπ電子によるスーパー螺旋共役構造を有するポリアセチレンが開示されている。特許文献1には、ポリアセチレンは変色材料として使用できる他、電気伝導性が良いことから電子を供給する材料として利用できることが記載されている。
しかしながら特許文献1及び2には螺旋型置換ポリアセチレンを用いた具体的なデバイスの構成については開示がない。
本発明により提供されるデバイスは、絶縁層に接して離間して配された一対の電極と、該一対の電極間を結ぶ主鎖が周期的な螺旋構造を有する螺旋型置換ポリアセチレンと、を備えたデバイスであって、前記螺旋型置換ポリアセチレンを構成する少なくとも1つの分子が、前記一対の電極間の距離以上の長さを有すると共に、該少なくとも1つ分子の形状が直線状をなし、前記一対の電極を結ぶ方向に、配置されていることを特徴とする。
本発明のデバイスは、螺旋型置換ポリアセチレンが単一分子からなり、該螺旋型置換ポリアセチレンの単一分子の長さが前記一対の電極間の距離以上のものを包含する。
また、本発明のデバイスは、螺旋型置換ポリアセチレンの側鎖に極性置換基を有するものを包含する。
螺旋型置換ポリアセチレンはその立体規則的な構造、螺旋構造や自己組織的な構造から従来の無螺旋型置換ポリアセチレンとは異なる次世代の共役系高分子として期待されている。螺旋型置換ポリアセチレンは交互二重結合の主鎖は無螺旋型置換ポリアセチレンと同様の一次構造を持つが、水素原子よりも大きな置換基を有するため、主鎖は平面構造にならず、立体的に捻じれた構造を形成する。
螺旋型置換ポリアセチレンの構造としては式1に示すような構造が挙げられる。
螺旋型置換ポリアセチレンの合成は、下記の式1Aで表されるアセチレン化合物を、遷移金属錯体を触媒として重合反応により得ることができる。
図4から図6に示したポリアセチレンは、側鎖に非共役官能基120を有していることが図1から図3に示したものとは異なっている。尚、図面に付記した番号で図1から図3で示された部位と同一の部位には同じ番号を付しているので、ここでの説明は省略する。図4から図6に示したポリアセチレンは、非共役官能基(例えば、アルキル基、ハロゲン原子)120を有することでアセチレン分子が直線性を有すると共に表面を絶縁性分子で被覆された構造をとり得る。
図10は本発明の有機デバイスの一例を示す模式図である。図10において、401は基板、402は絶縁膜であり、403及び404は離間して配された一対の電極、405は螺旋型置換ポリアセチレンである。基板401に例えばハイドープのシリコン基板等の導電性の基板材料を用いることで、基板401を螺旋型置換ポリアセチレンに電圧を印加する制御電極として用いることもできる。402は絶縁膜で、制御電極としての基板401と螺旋型置換ポリアセチレン405の間を絶縁する。電極403、404は螺旋型置換ポリアセチレン405に電圧を印加したり、電流を注入する機能を担う。本発明では螺旋型置換ポリアセチレン405を構成する分子の長さが、電極403,403の間距離以上の長さを有するため、電子は電極403と404の間で分子間のホッピングが抑制される。これにより、電極403、404の間をキャリアが高速に走るためデバイスの動作速度の向上がはかられる。図10で螺旋型置換ポリアセチレン405の長さが電極403と404の間隔と同じでもよく、この場合は螺旋型置換ポリアセチレン405の両端が電極403と404の両者に接する配置となる。さらに、制御用電極を設けた場合には螺旋型置換ポリアセチレン分子内で発現する機能を変調するもので、高速な機能素子を実現できる。例えばこの螺旋型置換ポリアセチレン内におけるキヤリア濃度、バンド構造、キャリア速度等を変調することによりスイッチング動作や増幅動作等を行う高速なトランジスタ素子を実現できる。このようなデバイス構造において螺旋型置換ポリアセチレン分子の側鎖に適切な分子を用いることにより、様々な機能を発現する有機デバイスを形成することができる。
実施例1
本実施例はポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)を用いた有機デバイスの例である。
ヨードフェノール11.0g(50mmol)と水酸化ナトリウム6.0g(150mmol)をジメチルスルホキシド50mlに溶解し、臭化オクチル9.7g(50mmol)を添加し、室温で4時間攪拌して反応させた。これに200mlのクロロホルムを添加し、クロロホルムに生成物を抽出した後、クロロホルム層を蒸留水で洗浄した。その後、クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過し、クロロホルムを留去して生成物Aを得た。得られた生成物Aは、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶媒:ヘキサン)で精製し、収率99%で得られた。
1H−NMR(TMS標準、CDCl3溶媒)
δ(ppm):0.9(triplet,3H −CH 3 )、1.3(multiplet,8H −(CH 2 )4−CH3)、1.5(quintet,2H −O−(CH2)2−CH 2 −)、1.8(quintet,2H −O−CH2−CH 2 −)、3.0(singlet,1H −C≡CH)、4.0(triplet,2H −O−CH 2 −)、6.8(doublet,2H Phenyl)、7.4(doublet,2H Phenyl)
試験管にロジウム(ノルボルナジエン)塩化物二量体6.0mg、トリエチルアミン110mgとエタノール3.3mlを入れ、上記の方法で合成した式2の化合物(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)0.3gとエタノール3.3mlの混合液をシリンジで注入することにより重合反応を開始させた。反応は20℃で2時間行った。沈澱したポリマーをメタノールで洗浄、濾過した後、真空乾燥し、収率90%で目的物を得た。得られたポリマーの数平均分子量(Mn)は2.9×105であり、分子量分散(Mw/Mn)は2.0であった。得られたポリマーの構造は1H−NMRスペクトルにより確認した。重クロロホルム溶媒で測定した1H−NMRスペクトルの結果を以下に示し、1H−NMRチャートを図15に示す。
δ(ppm):0.9(broad,3H −O−(CH2)7−CH 3 )、1.3(broad,8H −(CH 2 )4−CH3)、1.4(broad,2H −O−(CH2)2−CH 2 −)、1.7(broad,2H −O−CH2−CH 2 −)、3.7(broad,2H −O−CH 2 −)、5.8(singlet,1H −C=CH−)、6.5(broad,2H Phenyl)、6.6(broad,2H Phenyl)
得られたポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)を電極間に塗布してデバイスを作製する。
本実施例によるデバイスは表面に膜厚300nmの熱酸化膜802を有したハイドープのSi基板801に形成される。803と804は電子ビーム露光を用いたリソグラフィーにより形成したAu電極であり電極間の距離はおよそ50nmである。上記方法により得られたポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)1.0mgをクロロホルム1.0mlに溶解させ、1.0×10-3重量%の溶液を作成する。この溶液をシリコン基板上にパターニングした金電極上803及び804上にスピンコート法で塗布する。これにより薄膜状のポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)805を形成する。本実施例で用いるポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)805の平均長さはおよそ100nmであり、多数の分子が電極803と804の両方に接触することになり、電極803と804の間での分子間のホッピング伝導が抑制される。なお、ポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)805の長さはAFMにより測定できる。
実施例2は螺旋型置換ポリアセチレン分子一本を電極間に配置した例である。そのデバイス構成を図13に示す。本実施例では実施例1で用いたポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)の1分子だけ電極903と904の間に配置する。図13においてはこの1分子を905で示している。このように一分子だけを配置する方法としては、実施例1において示したポリ(p−オクチルオキシフェニルアセチレン)分子の電極間へのスピンコートによる塗布において濃度を薄くして塗布するといった方法や、AFMのプローブを用いて分子を並べたりするといった方法が挙げられる。
実施例1と同様に試験管にロジウム(ノルボルナジエン)塩化物二量体11.4mg、トリエチルアミン208mgとクロロホルム6.2mlを入れ、下記式3の化合物(2−エチニル−3−オクチルチオフェン)を0.5gとクロロホルム6.2mlの混合液をシリンジで注入することにより重合反応を開始させた。反応は30℃で2時間行った。沈澱したポリマーをメタノールで洗浄、濾過した後、真空乾燥し、収率71%で目的物を得た。得られたポリマーの数平均分子量(Mn)は10.7×104であり、分子量分散(Mw/Mn)は4.0であった。
本実施例はポリ(p−2−エチルヘキシルアミドフェニルアセチレン)を用いた有機デバイスの例である。
p−ヨード安息香酸10g(40.3mmol)とジメチルホルムアミド0.15mlをトルエン20mlに溶解し、塩化チオニル7.3g(61.3mmol)を添加し、室温で4時間攪拌して反応させた。この溶液を減圧加熱することにより塩化チオニルを除いた後、2−エチルヘキシルアミン11.6gとトルエン7.5mlの混合液を添加し、室温で4時間攪拌して反応させた。この溶液に100mlのクロロホルムを添加し,クロロホルムに生成物を抽出した後、クロロホルム層を蒸留水で洗浄した。その後、クロロホルム層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過し、クロロホルムを留去して生成物を得た。得られた生成物は、カラムクロマトグラフィー(溶媒:ヘキサン)で生成し,収率94%で得られた。
δ(ppm):0.9(triplet,3H −(CH2)3−CH 3 )、1.0(triplet,3H >CH−CH2−CH 3 )、1.3(broad,8H −CH 2 −)、1.4(quintet,2H −C(O)NH−CH2−CH<)、3.2(singlet,1H −C≡CH)、3.4(triplet,2H −C(O)NH−CH 2 −)、6.1(broad,1H −C(O)NH−)、7.6(doublet,2H Phenyl)、7.7(doublet,2H Phenyl)
試験管にロジウム(ノルボルナジエン)塩化物二量体13mg,トリエチルアミン160mgとクロロホルム4.8mlを入れ、上記の方法で合成した式4の化合物(p−2−エチルヘキシルアミドフェニルアセチレン)0.5gとクロロホルム4.8mlの混合液をシリンジで注入することにより重合反応を開始させた。反応は30℃で2時間行った。沈澱したポリマーをメタノールで洗浄、濾過した後、真空乾燥し、収率80%で目的物を得た。得られたポリマーの数平均分子量(Mn)は1.33×105であり、分子量分散(Mw/Mn)は3.5であった。得られたポリマーの構造は1H−NMRスペクトルにより確認した。重クロロホルム溶媒で測定した1H−NMRスペクトルの結果を以下に示し、1H−NMRチャートを図17に示す。
δ(ppm):0.9(broad,6H −CH 3 )、1.4(broad,8H −CH 2 −)、1.8(broad,1H −C(O)NH−CH2−CH<)、3.4(broad,2H −C(O)NH−CH 2 −)、5.5(singlet,1H −C=CH−)、6.2(broad,2H Phenyl)、6.8(broad,2H Phenyl)、8.8(broad,1H −C(O)NH−)
得られたポリ(p−2−エチルヘキシルアミドフェニルアセチレン)を電極間に塗布してデバイスを作製する。得られたポリ(p−2−エチルヘキシルアミドフェニルアセチレン)を用いた以外、実施例1と同様にしてデバイスを作製した。本実施例で用いたポリ(p−2−エチルヘキシルアミドフェニルアセチレン)の平均長さはおよそ80nmである。
実施例4で合成したポリ(p−2−エチルヘキシルアミドフェニルアセチレン)を用いた以外は実施例2と同様にして電極間に一本のポリアセチレン分子を配したデバイスを作製した。本実施例で用いたポリ(p−2−エチルヘキシルアミドフェニルアセチレン)の平均長さはおよそ80nmである。
実施例4と同様に試験管にロジウム(ノルボルナジエン)塩化物二量体47mg、メタノール2.6mlを入れ、下記式5のエチルプロピオレート0.5gとメタノール2.5mlの混合液をシリンジで注入することにより重合反応を開始させた。反応は40℃で24時間行った。沈澱したポリマーをメタノールで洗浄、濾過した後、真空乾燥し、収率59%で目的物を得た。GPCにより評価したポリマーの数平均分子量(Mn)は4.2×104であり、分子量分散(Mw/Mn)は6.4であった。得られたポリマーの構造は1H−NMRスペクトルにより確認した。重クロロホルム溶媒で測定した1H−NMRスペクトルの結果を以下に示し、1H−NMRチャートを図18に示す。
δ(ppm):1.3(broad、3H −O−CH2−CH 3 )、3.9から4.0(broad、2H −O−CH 2 −CH3)、6.9(singlet、1H −C=CH−)
106、107 芳香環
108 主鎖
120 非共役官能基
201、202 炭素原子
401 基板
402 絶縁膜
403、404 電極
405 螺旋型置換ポリアセチレン
501 基板
502 絶縁膜
503、504 電極
505 螺旋型置換ポリアセチレン分子
801 Si基板
802 熱酸化膜
803、804 電極
805 螺旋型置換ポリアセチレン
901 Si基板
902 熱酸化膜
903、904 電極
905 螺旋型置換ポリアセチレン分子
Claims (6)
- 絶縁層に接して離間して配された一対の電極と、該一対の電極間を結ぶ主鎖が周期的な螺旋構造を有する螺旋型置換ポリアセチレンと、を備えたデバイスであって、前記螺旋型置換ポリアセチレンを構成する少なくとも1つの分子が、前記一対の電極間の距離以上の長さを有すると共に、該少なくとも1つ分子の形状が直線状をなし、前記一対の電極を結ぶ方向に、配置されていることを特徴とするデバイス。
- 前記螺旋型置換ポリアセチレンの平均分子の平均長さが、前記一対の電極間の距離以上である請求項1に記載のデバイス。
- 前記螺旋型置換ポリアセチレンが単一分子からなり、該単一分子の長さが、前記一対の電極間の距離以上である請求項1に記載のデバイス。
- 前記螺旋型置換ポリアセチレンは側鎖に非共役官能基を有する請求項1乃至3のいずれかの項に記載のデバイス。
- 前記螺旋型置換ポリアセチレンは側鎖に極性置換基を有する請求項1乃至3のいずれかの項に記載のデバイス。
- 前記絶縁層に接して配された制御用電極をさらに備える電界効果型の請求項1乃至5のいずれかの項に記載のデバイス。
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