JP5192245B2 - 導電性高分子コンデンサ - Google Patents
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24≦y≦x(48<x) (2)
また本発明は、少なくとも弁金属の化成電圧をx(V(ボルト))とした際に、エージング電圧y(V)が、下式(3)および下式(4)をそれぞれ満足する電圧であることを特徴とする請求項1記載の導電性高分子コンデンサの製造方法に関する。
28.8≦y≦0.88x(48<x) (4)
本発明は、第一工程に使用される固体電解質を形成する導電性高分子のモノマーとイオン液体が、モル比で1:0.01以上1:0.5以下の割合で配合されたことを特徴とする導電性高分子コンデンサの製造方法、であることが好ましい。
CH3OSO3 −、CH3CH2OSO3 −、CH3CH2CH2OSO3 −、
CH3(CH2)2CH2OSO3 −、CH3(CH2)3CH2OSO3 −、
CH3(CH2)4CH2OSO3 −、CH3(CH2)5CH2OSO3 −、
CH3(CH2)3CH2SO3 −、CH3(CH2)4CH2SO3 −、
CH3(CH2)5CH2SO3 −、
などを例示できる。
最初に、実施例として用いたイオン性体の合成法および入手先について述べる。
(ILs−1)(1−C4H9−3−CH3−Im)+(CH3OSO3)−
MERCK社より購入(1−Buthyl−3methyl−imidazoli
um methylsulfate)
(ILs−2)(1−C2H5−3−CH3−Im)+(H(CH2)6(CH3OSO3))−
Solvent Inovationより購入(1−Ethyl−3methyl−imidazolium n−hexylsulfate)
(ILs−3)(1−C2H5−3−CH3−Im)+CH3(CH2)3OSO3)−
Solvent Inovationより購入(1−Ethyl−3methyl
−imidazolium n−buthylsulfate)
(ILs−4)(1−C2H5−3−CH3−Im)+(p−TsO)−
STREM CHEMICAL社より購入(1−Ethyl−3methyl−imidazolium tosylate)
(電極箔)
陽極箔としてKDK販売(株)から購入した所定の電圧で陽極酸化を施したアルミニウムエッチド箔U157、陰極箔としてアルミニウムエッチド箔C208を用いて捲回型電極を作製した。陽極箔の長さ90mm、幅2.2mmである。なお、陽極酸化電圧(Vfs)は、13V、24V、55V、70Vの4種類である。作製された捲回型電極を、図1に示す測定セルを用い1%アジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬し、まず20mV/secの速度で0からそれぞれの化成電圧(Vfs)まで上げ、つづけてVfsの定電圧を40分間印加し修復化成した。
修復化成後の捲回型電極箔の液中容量を、東洋テクニカ製の充放電測定装置を用い、0〜4V間の50μAの定電流充放電試験において得られるグラフの傾きから算出した。尚、測定は室温で実施した。13V化成した捲回型電極の平均液中容量は186μF、24V化成した捲回型電極の平均液中容量は108μF、55V化成した捲回型電極の平均液中容量は57μF、70V化成した捲回型電極の平均液中容量は40μFであった。
得られた箔を試料とし化学重合法により電解質を形成した。電解質の形成方法は後述するそれぞれの実施例に記載した通りである。電解質形成後に初期容量の測定を行なった。装置には、東洋テクニカ製の充放電測定装置を用い、0〜4Vの範囲において、50μAの定電流充放電試験を行い、得られるグラフの傾きから容量を算出した。尚、測定は室温で実施した。上記方法で測定した(箔の液中容量/初期容量)×100を「容量発現率」と定義した。
100℃の環境下で電圧を20mV/secの速度で0Vからそれぞれのエージング電圧(Veg)まで上昇させ、つづいてVegの定電圧を40分間印加する事でエージングを実施した。捲回型電極素子の規定電流を10mAと定義し、電圧上昇の過程あるいは電圧保持の過程でこの電流値を越えた素子はエージング不良とした。
エージング後、室温雰囲気下においてインピーダンスの測定を行なった。装置には、東洋テクニカ製のインピーダンスアナライザー用い、DC Potential:0V、AC Amplitude:100Vの条件で1Hzから1MHzの範囲で測定を行なった。20kHzのインピーダンス値を電極のインピーダンスと定義した。
エージングの後、耐電圧(V)を測定した。装置にはアドバンテスト社製の型番「TR6143を用い、室温中1.0V/秒の速度で電圧をエージング電圧まで上昇させて測定した。耐圧値は10mAの電流が流れた電圧と定義し測定中にこの電流値に達した素子を耐圧不良とした。この定義によって20個のコンデンサの耐圧を測定した。この様な実験によって20個中何個のコンデンサ素子が上記電圧範囲で破壊するかどうかを確認した。なおこの不良個数の中には前記エージング不良を含んでいる。
化成電圧が24Vの捲回型電極箔を用いて3,4−エチレンジオキシチオフェンと酸化剤溶液からなる重合溶液を含浸後乾燥させることで、 導電性高分子アルミ電解コンデンサの作製を行った。具体的な電解質形成の方法は以下の通りである。
イオン液体の種類を変えた以外は実施例1と同様にして実験を行った。結果を表2に示す。ILs−2、ILs−3、ILs−4のいずれにもILs−1と同様の効果が認められた。
化成電圧およびエージング電圧を変えた以外は実施例1と同様にして実験を行った。その結果を表3に示す。本発明の方法によれば、化成電圧55Vにおいても70Vにおいても、24V以上の電圧でのエージングが可能であるばかりでなく、55Vにおいては50Vのエージングが、70Vにおいては56Vのエージングが可能であり、少なくともエージング電圧以下での耐圧不良はゼロであった。この事から本発明の方法で従来不可能であった高耐圧の導電性高分子コンデンサが出来る事が分かった。
比較例6〜8、10〜16においては、イオン液体を含まない電解質をもちいて実施例9〜21と同じ様に実験を行った。化成電圧が13Vでエージングが6Vの場合には耐圧不良はゼロであったが、その他の条件ではいずれも耐圧不良が発生した。この傾向は化成電圧が高くなり、エージング電圧も高くなるほど顕著で、化成電圧が55Vでエージング電圧48Vの条件や、化成電圧70Vでエージング電圧56Vの条件では、ほとんどが耐圧不良であった。
モノマー(1.0等量)に対するイオン液体(ILs−1)の量を、0.01、0.02、0.05、0.2、0.5.1.0に変更し、化成電圧を55Vとした以外は実施例1と同様に実験を行った。なお、酸化剤の比率は0.25で一定である。得られた結果を表4にしめす。イオン液体の添加量が0.01の場合(実施例22〜25)でも添加なしの場合(比較例10〜13)に比較して耐圧向上効果は認められ36Vのエージングは可能であった。しかし、50Vのエージングでは20個中7個が不良となった。同様に添加量が0.02の場合42Vのエージングは可能であったが、50Vのエージングでは20個中1個が耐圧不良であった。
Claims (8)
- 少なくとも導電性高分子とイオン液体から形成される電解質、及び、弁金属からなる電極を有し、弁金属がアルミニウムである導電性高分子コンデンサであって、かつ弁金属の化成電圧をx(V(ボルト))、エージング電圧をy(V)とした際に、下式(3)および下式(4)をそれぞれ満足する電圧を印加することによりコンデンサをエージング処理した導電性高分子コンデンサの製造方法であって、
固体電解質を形成する導電性高分子とイオン液体が、導電性高分子のモノマー単位を1モルと換算した時に、モル比で1:0.02以上1:0.5以下の割合で配合されたことを特徴とする導電性高分子コンデンサの製造方法。
0.6x≦y≦0.88x(0<x≦48) (3)
28.8≦y≦0.88x(48<x) (4) - 固体電解質を形成する導電性高分子のモノマーがピロールまたはその誘導体、チオフェンまたはその誘導体、アニリンまたはその誘導体、キノンまたはその誘導体である請求項1に記載の導電性高分子コンデンサの製造方法。
- イオン液体のアニオン成分が、カルボン酸アニオン誘導体、スルフォニルイミドアニオン誘導体、フルオロホウ素アニオン誘導体、硝酸アニオン誘導体、シアノイミドアニオン誘導体、スルホン酸アニオン誘導体、または、アルコキシスルホン酸アニオン誘導体、の原子団を含むイオン液体である請求項1又は2に記載の導電性高分子コンデンサの製造方法。
- スルホン酸アニオン誘導体が下記一般式(1)である、請求項3に記載の導電性高分子コンデンサの製造方法。
R1−SO3 − 一般式(1)
(R1は炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基であり、O,S,NHCO,CO基により置換されていてもよく、フッ素原子を1個以上含んでいてもよい。) - 前記R1が、炭素数1〜7の直鎖飽和炭化水素基である請求項4に記載の導電性高分子コンデンサの製造方法。
- アルコキシスルホン酸アニオン誘導体が下記一般式(2)である、請求項3記載の導電性高分子コンデンサの製造方法。
R2−OSO3 − 一般式(2)
(R2は炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基であり、O,S,NHCO,CO基により置換されていてもよく、フッ素原子を1個以上含んでいてもよい。) - 前記R2が、炭素数1〜7の直鎖飽和炭化水素基である請求項6に記載の導電性高分子コンデンサの製造方法。
- イオン液体のカチオン成分が、アンモニウムおよびその誘導体、イミダゾリニウムおよびその誘導体、ピリジニウムおよびその誘導体、ピロリジニウムおよびその誘導体、ピロリニウムおよびその誘導体、ピラジニウムおよびその誘導体、ピリミジニウムおよびその誘導体、トリアゾニウムおよび誘導体、トリアジニウムおよびその誘導体、トリアジン誘導体カチオン、キノリニウムおよびその誘導体、イソキノリニウムおよびその誘導体、インドリニウムおよびその誘導体、キノキサリニウムおよびその誘導体、ピペラジニウムおよびその誘導体、オキサゾリニウムおよびその誘導体、チアゾリニウムおよびその誘導体、モルフォリニウムおよびその誘導体、ピペラジンおよびその誘導体からなる群から選ばれる少なくとも1種類を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の導電性高分子コンデンサの製造方法。
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