JP5187854B2 - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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窒化物半導体積層体と第1酸化物層との間には、Inを含む窒化物半導体層を含むことが好ましく、Inを含む窒化物半導体層は、AlxInyGa1-x-yN(x>0、y>0)からなることがより好ましく、さらに好ましくは、AlxInyGa1-x-yNのIn混晶比yが、Al混晶比xよりも大きいことである。
アノード側またはカソード側のパット電極から枝状に伸びるように金属電極が形成されることが好ましい。
<窒化物半導体発光素子>
以下、本実施の形態の窒化物半導体発光素子について図1を参照しつつ説明する。図1は、本発明の窒化物半導体発光素子の好ましい一例を示す模式的な断面図である。
第1酸化物層5は、p型窒化物半導体層4と接する側の透明電極として設けるものであり、導電性を有するものである。第1酸化物層5は、酸化物材料からなるものであることが好ましい。ここで、「導電性」とは、抵抗率が1×104Ωcm未満であるものをいう。
第2酸化物層6は、絶縁性の材料であって、第1酸化物層5に用いる材料と同一種類の酸化物材料を用いることを特徴とする。第1酸化物層5の材料と第2酸化物層6の材料とに同一種類の酸化物材料を用いることにより、両者の界面で全反射を生じにくくすることができ、以って光取り出し効率のロスを減らすことができる。ここで、「絶縁性」とは、抵抗率が1×104Ωcm以上であるものをいう。
本発明において、p型窒化物半導体層4と第1酸化物層5との間に、導電性酸化物層(図示せず)を形成することが好ましい。この位置に導電性酸化物層を形成することにより、p型窒化物半導体層4と第1酸化物層5とのコンタクト抵抗を下げることができ、以って発光効率を高めることができる。
本実施の形態において、窒化物半導体積層体10と第1酸化物層5との間には、Inを含む窒化物半導体層(図示せず)を含むことが好ましい。Inを含む窒化物半導体層を臨界膜厚以上の厚みにすることにより、Inを含む窒化物半導体層の歪みを緩和し転位が生ずる。この転位により電流のパスが生じ、窒化物半導体積層体10と第1酸化物層5とのコンタクト抵抗を下げることができる。Inを含む窒化物半導体層を臨界膜厚以上の厚みにするためには、Inを含む窒化物半導体層を厚く形成する、またはInを含む窒化物半導体層に含まれるIn混晶比を上げる等の手法を用いることができる。
本実施の形態は、図2に示すように絶縁性基板としてサファイヤを基板として用いることを特徴とする。このようにサファイヤを基板に用いた場合、第2酸化物層6は、p電極7を避けて形成することが好ましい。
実施の形態3〜7の窒化物半導体発光素子は、第2酸化物層6に形成される凹凸が、メッシュ状、円錐状、円柱状、角錐状、または角柱状にパターニングされることを特徴とする。
図14および図15は、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の断面図および上面図である。本実施の形態の窒化物半導体発光素子は、第2酸化物層6が窒化物半導体発光素子の側面の一部を覆うように形成され、かつ電極パットから枝状に伸びるように金属電極7、8を形成することを特徴とする。なお、電極パットから伸びる枝状は、図15に示される一例に限定されるものではない。
Claims (14)
- 窒化物半導体積層体と、導電性の第1酸化物層と、絶縁性の第2酸化物層とを含み、
前記第1酸化物層および前記第2酸化物層は、
前記窒化物半導体積層体、前記第1酸化物層、および前記第2酸化物層の順にアノード側に形成され、
前記酸化物材料は、二酸化チタンであり、
前記第1酸化物層は、二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で1%以上10%以下ドープされ、
前記第2酸化物層は、二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で1%未満ドープされるか、もしくはドーパントを含まない、
窒化物半導体発光素子。 - 前記酸化物材料は、2.3以上の屈折率を有する、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記二酸化チタンからなる第1酸化物層は、アナターゼ型である、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2酸化物層は、100nm以上の厚さである、請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2酸化物層は、その表面に凹凸を有する、請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2酸化物層は、その表面に100nm以上の高さの凹凸を有する、請求項5に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2酸化物層は、メッシュ状、円錐状、円柱状、角錐状、または角柱状のいずれかにパターニングされる、請求項5または6に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体積層体と前記第1酸化物層との間に、導電性酸化物層が形成され、
前記導電性酸化物層は、窒化物半導体発光素子の発光波長の4分の1以下の厚さであり、かつ、二酸化チタン以外の酸化物からなる、請求項1〜7のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記導電性酸化物層は、Snドープ酸化インジウムからなる、請求項8に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体積層体と、前記第1酸化物層との間に、Inを含む窒化物半導体層を含む、請求項1〜9のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記Inを含む窒化物半導体層は、5nm以上の厚さである、請求項10に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記Inを含む窒化物半導体層は、AlxInyGa1-x-yN(x>0、y>0)からなる、請求項10または11に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記AlxInyGa1-x-yNのIn混晶比yは、Al混晶比xよりも大きい、請求項12に記載の窒化物半導体発光素子。
- アノード側またはカソード側のパット電極から枝状に伸びるように金属電極が形成される、請求項1〜13のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
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