JP5180468B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5180468B2 JP5180468B2 JP2006344227A JP2006344227A JP5180468B2 JP 5180468 B2 JP5180468 B2 JP 5180468B2 JP 2006344227 A JP2006344227 A JP 2006344227A JP 2006344227 A JP2006344227 A JP 2006344227A JP 5180468 B2 JP5180468 B2 JP 5180468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- diffusion layer
- layer
- gate electrode
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 191
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
2 P型の単結晶シリコン基板
3 N型のエピタキシャル層
5 P型の拡散層
6 N型の拡散層
7 N型の拡散層
9 ゲート電極
Claims (5)
- 半導体層と、
前記半導体層に形成されるバックゲート領域としての拡散層と、
前記バックゲート領域としての拡散層と重畳して形成されるソース領域としての拡散層と、
前記半導体層に形成されるドレイン領域としての拡散層と、
前記半導体層上に形成されるゲート酸化膜及びゲート電極とを有し、
前記ゲート電極の一領域は、前記ソース領域としての拡散層と前記ドレイン領域としての拡散層とが対向する領域の前記バックゲート領域としての拡散層上に配置され、且つ、前記ゲート電極の他の領域は、前記ドレイン領域としての拡散層及びドレイン領域としての前記半導体層上に配置され、
前記対向領域に配置された前記ドレイン領域としての拡散層の拡散幅は、前記対向領域に配置された前記バックゲート領域としての拡散層の拡散幅よりも広く、且つ、前記対向領域に配置された前記バックゲート領域としての拡散層の拡散幅は、前記ゲート電極の一領域の幅よりも広くなることを特徴とする半導体装置。 - 前記ドレイン領域としての前記半導体層を囲むように配置された分離領域とを有し、
前記ゲート電極は、前記ドレイン領域としての前記半導体層から前記分離領域上を通過して延在することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ドレイン領域としての拡散層の不純物濃度は、前記バックゲート領域としての拡散層の不純物濃度よりも高濃度であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体層にドレイン領域としての拡散層を形成し、前記ドレイン領域としての拡散層と一部重畳するように前記半導体層にバックゲート領域としての拡散層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート酸化膜を形成し、前記ゲート酸化膜上にゲート電極を形成し、前記バックゲート領域としての拡散層と重畳するようにソース領域としての拡散層を形成する工程とを有し、
前記ドレイン領域としての拡散層の不純物濃度は、前記バックゲート領域としての拡散層の不純物濃度よりも高濃度となり、
前記ゲート電極の一領域は、前記ソース領域としての拡散層と前記ドレイン領域としての拡散層が対向する領域の前記バックゲート領域としての拡散層上に配置され、且つ、前記ゲート電極の他の領域は、前記ドレイン領域としての拡散層及び前記ドレイン領域としての前記半導体層上に配置され、
前記対向領域に配置された前記ドレイン領域としての拡散層の拡散幅は、前記対向領域に配置された前記バックゲート領域としての拡散層の拡散幅よりも広く、且つ、前記対向領域に配置された前記バックゲート領域としての拡散層の拡散幅は、前記ゲート電極の一領域の幅よりも広くなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極を用いたセルファラインにより前記ソース領域としての拡散層を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006344227A JP5180468B2 (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006344227A JP5180468B2 (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008159674A JP2008159674A (ja) | 2008-07-10 |
JP5180468B2 true JP5180468B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=39660294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006344227A Active JP5180468B2 (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5180468B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011024367A1 (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP5720000B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2015-05-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2609753B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1997-05-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR100289049B1 (ko) * | 1997-12-17 | 2001-10-24 | 정선종 | 이중필드판구조를갖는전력소자 |
JP2004096119A (ja) * | 2003-09-12 | 2004-03-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006245093A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Renei Kagi Kofun Yugenkoshi | 高電圧デバイス並びに静電気保護回路用高電圧デバイス |
-
2006
- 2006-12-21 JP JP2006344227A patent/JP5180468B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008159674A (ja) | 2008-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7485922B2 (en) | Isolation structure for semiconductor device including double diffusion isolation region forming PN junction with neighboring wells and isolation region beneath | |
US6940145B2 (en) | Termination structure for a semiconductor device | |
JP2008034649A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009239111A (ja) | 半導体装置 | |
EP2919273B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP2006128640A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4979212B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5261640B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5307966B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7196393B2 (en) | Semiconductor device including a high voltage transistor | |
JP5073933B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4989085B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009272453A (ja) | トランジスタ、半導体装置及びその製造方法 | |
JP5180468B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20080001185A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US20070148892A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2008010626A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4959931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7547950B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JPS6129154B2 (ja) | ||
JP2007227775A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007180244A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4694846B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20070145529A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2008159675A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091127 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5180468 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160118 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160118 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160118 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160118 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |