JP5175989B1 - 平板形状の半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平板形状のカソード電極1の一端に底部が平坦な椀形状部12を形成し、前記椀形状部12の内部にダイオード素子3をはんだ付けし、前記ダイオード素子3の上面に、平板形状のアノード電極2の一端21をはんだ付けし、前記椀形状部の内部を絶縁樹脂で充填した。
【選択図】図1
Description
図2及び図3に示すように、平板状リード部11と椀形状部12との境界には、突出成形されている部分13が設けられている。突出成形されている部分13は、椀形状部12の側壁のうち平板状リード部11側の側壁を半円状に突出成形することにより設けられている。
平板状リード部11には目印としての切欠き15を設けてもよい。切欠きが設けられた電極はカソード電極1であり、切欠きが設けられていない電極はアノード電極2となるため、半導体装置を組み立てる際に、電極の平板状部分を見れば一目でカソード電極1とアノード電極2とが識別できる。
Claims (4)
- 平板形状のカソード電極の一端部に底部が平坦な椀形状部を形成し、
前記椀形状部の内部にダイオード素子をはんだ付けし、
前記ダイオード素子の上面に、平板形状のアノード電極の一端部をはんだ付けし、
前記椀形状部の内部を絶縁樹脂で充填して前記ダイオード素子、前記アノード電極及び前記カソード電極が一体に固着され、
前記ダイオード素子を覆う前記アノード電極の一端部を前記ダイオード素子の外側で前記ダイオード素子の厚さ方向に屈曲して、外方に延びる埋め込み片を形成し、前記埋め込み片が前記絶縁樹脂に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。 - 前記アノード電極の一端部には前記ダイオード素子の外側に位置するばり穴を形成し、前記ばり穴のばりが前記絶縁樹脂に埋め込まれていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記椀形状部と前記カソード電極の平板状のリード部との境界に、長手方向に直角に屈曲部が設けられ、前記アノード電極に長手方向に直角に屈曲部が設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記椀形状部と前記カソード電極の平板状リード部との境界の前記屈曲部の中央に向かって前記椀形状部の側壁の一部が突出成形されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
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