JP5170653B2 - コーン・エミッタの形成方法 - Google Patents
コーン・エミッタの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5170653B2 JP5170653B2 JP2008081441A JP2008081441A JP5170653B2 JP 5170653 B2 JP5170653 B2 JP 5170653B2 JP 2008081441 A JP2008081441 A JP 2008081441A JP 2008081441 A JP2008081441 A JP 2008081441A JP 5170653 B2 JP5170653 B2 JP 5170653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cone
- thin film
- amorphous
- emitter
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
この従来のコーン・エミッタの製造方法では、レーザとプラズマを複合化したCVDプロセスを用いるため、プロセス自体の制御パラメータが多く、作製プロセス自体の制御と最適化に努力を要する。又、コーン・エミッタの分布の制御が必ずしも容易ではないなどの難点があった。
ここでは、予めプラズマCVD等により作製した平滑な(アモルファス)BN薄膜を、後に紫外光照射することによりコーン形状をもつ電子エミッター薄膜として形成し直すもので、特にコーン・エミッタの配列制御に威力を発揮し、電界電子放出素子としての性能強化と、プロセスの制御性の向上・簡易化をもたらすものである。
コーン・エミッタを有しないアモルファスBN薄膜を形成する従来周知の方法を用いることが可能である。代表例としては、プラズマCVD,熱CVD等により、ホウ素原料ガスとしてB2H6、BCl3等、窒素原料ガスとしてNH3等を用いる。基板としては、シリコン等の半導体材料、ステンレス、ニッケルなどの金属材料、ガラス、サファイヤ等を用いる。
基板上に作製された上記アモルファスBN薄膜を、光導入用光学窓を持つ合成チャンバーに設置し、チャンバー内雰囲気を不活性ガス(Arなど)、又は、不活性ガスにNH3ガスなどを混入したもので満たし、チャンバー外から光学窓を通して紫外光(代表的にはArFレーザ光:波長193nm)を薄膜表面に照射する。この際、NH3等の窒素を含有するガスを推奨するのはBNの組成変化(Nが抜けやすい)を抑制する効果があるためである。又、これらの雰囲気は、プラズマ化することで、プロセス時間の短縮などの効果がある。また、生成されるコーン・エミッタの形状、配置、大きさなどは、以下のようにして制御することが可能である。
(形状・大きさの制御)
レーザ光エネルギー密度(フルエンス)により、著しくコーン形成速度が異なる。したがって、形成に必要な時間はフルエンスに依存する。この際、コーン形状(アスペクト比)もフルエンスに依存する。一方、コーン形成には、レーザ照射により一時的に表面上で遊離した原子の拡散・再配置が大きな役割を果たす。この遊離原子の発生・表面密度はレーザフルエンス及びレーザ繰り返し周波数に依存し、表面遊離原子の拡散は基板温度に依存する。したがって、レーザフルエンス、レーザ周波数、及び基板温度の3者の最適化により、所望の形状と大きさ(これはプロセス時間に依存)のコーン形成が可能になる。(配置の制御)
例1:半導体プロセスの常套手段により(例:フォトレジストを用いたマスキングパターンの形成・アモルファスBN薄膜デポジション・メカニカルエッチング・マスクパターン除去)等により、数十μm径の正方形のアモルファスBN薄膜単位を基板上に望ましい格子間隔に形成し、その薄膜に現行手法を用いることにより、格子状の規則的な分布を持つコーン・エミッタレイの作成が可能になる。同様に、予めもとになるアモルファスBN薄膜単位を望みの配置に分布させておけば、レーザ照射によって、その配置を反映したコーン・エミッタ分布が得られる。
例2:照射レーザ光をマスキングパターンを透過させることで、レーザ光強度分布自体を例えば格子状にパターン化し、その格子パターンを反映したエミッター分布が形成できる。
図1は、以下の実施例を実施するために使用した装置の概略図である。
ガスプラズマとレーザ照射とは異なるタイミングで行われ、アモルファスBN薄膜を生成するときにガスプラズマを使用し、コーン・エミッタを生成するときにレーザ照射を行えるようにしてある。
そして、これらの操作を、チャンバー内から基板を出し入れしなくとも連続して順次行えるようにしてある。
なお、アモルファスBN薄膜とレーザ照射とを別個の装置で行うことを妨げるものではない。
アモルファスBN薄膜の作成
本実施例では、表1に示す条件にてモルファスBN薄膜を得た。
LOT No.1の表面写真を図3に示す。 他のロットのアモルファスBN薄膜も同様な表面であった。
前記表1にて得られたアモルファスBN薄膜を表2に示すようにして、コーン・エミッタを生成した。
得られたコーン・エミッタの内LOT No.1を走査型電子顕微鏡で撮影した結果を図2に示す。
ミクロンオーダーサイズのコーン・エミッタが自己組織的に形成していることが分かる。この形状はコーン先端での電界集中を高めるため、電子が出やすくなる。一方、電界電子放出自体は本BN材料の物性と表面構造により可能となっている。
なお、この薄膜の結晶構造はx線回折によりsp3−結合性6H−BN、sp3−結合性10H−BNの混合相であった。
この薄膜の電界電子放出特性を測定した結果、レーザプラズマ複合化プロセスによる既知のsp3−結合性BN薄膜同様の優れた特性(特許文献1の記載参照)が得られていることが分かった。
図4に表2のLot No.1の電界電子放出特性測定データを示す。電流値のリミッターまで出たため、飽和しているが、実際はさらなる電流密度I(mA/cm2)の増加が見込める。
(2)特殊光源。エミッター素子の作成が容易になり、低コスト化につながる。
Claims (3)
- BN薄膜の表面にコーン・エミッタを形成する方法であって、基板表面に平坦な表面を持つアモルファスBN薄膜を形成する工程と、
前記アモルファスBN薄膜表面に紫外光を照射して、前記アモルファスBN薄膜表面を結晶化して、前記アモルファスBN薄膜の表面にコーン・エミッタを形成する工程と、を有することを特徴とするコーン・エミッタの形成方法。 - 前記紫外光は、一定の周期をもってパルス照射することを特徴とする請求項1に記載のコーン・エミッタの形成方法。
- 紫外光の照射を、不活性ガス、又は、不活性ガスにNH3ガスを混入したガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のコーン・エミッタの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008081441A JP5170653B2 (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | コーン・エミッタの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008081441A JP5170653B2 (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | コーン・エミッタの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009238504A JP2009238504A (ja) | 2009-10-15 |
JP5170653B2 true JP5170653B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=41252207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008081441A Expired - Fee Related JP5170653B2 (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | コーン・エミッタの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5170653B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04154970A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-27 | Olympus Optical Co Ltd | 立方晶窒化硼素の合成方法 |
JP2920203B2 (ja) * | 1996-06-25 | 1999-07-19 | 科学技術庁無機材質研究所長 | sp3結合型窒化ホウ素の製造方法 |
JP3598381B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2004-12-08 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 一般式;BNで示され、六方晶系5H型ないしは6H型多形構造を有し、紫外域で発光するsp3結合型窒化ホウ素とその製造方法、及びこれを利用した機能性材料 |
JP2006172797A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | National Institute For Materials Science | 自己造形性電子放出bn薄膜を使用してなる発光・表示デバイスとその製作方法。 |
JP2007242543A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | 電子放出素子 |
JP2007265884A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Ricoh Co Ltd | 電子放出素子、帯電装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
JP5126845B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-01-23 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 半導体材料とその製造方法 |
JP5218969B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-06-26 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | sp3−結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。 |
-
2008
- 2008-03-26 JP JP2008081441A patent/JP5170653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009238504A (ja) | 2009-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108121153B (zh) | 用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备 | |
JP6219905B2 (ja) | 半導体薄膜構造及びその形成方法 | |
Kim et al. | Annealing effects on the properties of Ga2O3 thin films grown on sapphire by the metal organic chemical vapor deposition | |
KR101467118B1 (ko) | 스퍼터링 방법을 이용한 산화갈륨 나노와이어의 제조 방법 | |
JP2009500275A (ja) | イオンビーム照射によって作製されるナノロッドアレイ | |
JP2008156222A (ja) | カーボンナノチューブ配列の成長方法 | |
WO2003106030A1 (en) | Selective area growth of aligned carbon nanotubes on a modified catalytic surface | |
TW201135807A (en) | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing | |
JP5170653B2 (ja) | コーン・エミッタの形成方法 | |
JP2004269338A (ja) | 薄膜単結晶の成長方法 | |
Mendelsberg et al. | Photoluminescence behavior of ZnO nanorods produced by eclipse PLD from a Zn metal target | |
EP0240306B1 (en) | Method for forming deposited film | |
CN108257848B (zh) | 紫外光产生用靶及其制造方法以及电子束激发紫外光源 | |
JP2007216369A (ja) | シリコンナノ結晶材料の製造方法及び該製造方法で製造されたシリコンナノ結晶材料 | |
TW201238886A (en) | A method for making a substrate with micro-structure | |
JP2015040156A (ja) | グラフェン形成方法および形成装置 | |
CN103132077A (zh) | 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法 | |
TWI489516B (zh) | 電子束還原圖案化金屬的裝置及其方法 | |
Qayyum et al. | Formation of uniform high-density and small-size Ge/Si quantum dots by scanning pulsed laser annealing of pre-deposited Ge/Si film | |
Li et al. | Large-area and high-density silicon nanocone arrays by Ar+ sputtering at room temperature | |
Liu et al. | Single photon emitters in hexagonal boron nitride fabricated by focused helium ion beam | |
JP4200271B2 (ja) | 微粒子の製造方法 | |
KR102680664B1 (ko) | 포토리소그래피와 이온빔 조사 기술을 이용한 그래핀 양자점 패턴의 제조방법 | |
JP2007290953A (ja) | FeSi2ドットアレイ構造体及びその作製方法 | |
JP5218969B2 (ja) | sp3−結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5170653 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160111 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |