JP5148334B2 - Manufacturing method of multilayer wiring board - Google Patents

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Description

本発明は、多層配線基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board.

近年、電気機器、電子機器等の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板等にも小型化や高密度化が要求されている。かかる市場の要求に応えるべく、配線基板の多層化技術が検討されている。この配線基板の多層化の方法としては、いわゆるコア基板の表裏両面に対して樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層一体化する、いわゆるビルドアップ法が一般的に採用される。   In recent years, with the miniaturization of electrical equipment, electronic equipment, etc., miniaturization and high density have been demanded for wiring boards and the like mounted on these equipments. In order to meet such market demand, multilayer circuit board technology has been studied. As a method of multilayering this wiring board, a so-called build-up method is generally employed in which a resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated and integrated on both the front and back surfaces of a so-called core board.

この種の多層配線基板では、最上層の導体層を覆うようにソルダーレジストが形成され、そのソルダーレジストには、導体層の一部(具体的には、例えばIC接続用の端子パッド)を露出させるための開口部が設けられている。この多層配線基板を形成する場合、配線基板側に形成された位置合わせマークを位置基準として位置合わせを行いながらソルダーレジスト上に露光用ガラスマスクを配置する。そして、この状態で露光用ガラスマスクを介して露光を行い、さらに現像を行うことで、ソルダーレジストを穴あけし、開口部を形成する。   In this type of multilayer wiring board, a solder resist is formed so as to cover the uppermost conductor layer, and a part of the conductor layer (specifically, for example, a terminal pad for IC connection) is exposed to the solder resist. An opening is provided for this purpose. In the case of forming this multilayer wiring board, an exposure glass mask is placed on the solder resist while performing alignment using the alignment mark formed on the wiring board side as a position reference. And in this state, it exposes through the glass mask for exposure, and by developing further, a soldering resist is drilled and an opening part is formed.

このように配線基板に位置合わせマークを形成してガラスマスクの位置合わせを行う配線基板の製造方法が、例えば、特許文献1に開示されている。この特許文献1の製造方法では、レーザ加工によりソルダーレジストを掘削して、下層の導体層がリング状に露出した形態の位置合わせマークを形成している。そして、その位置合わせマークをCCDカメラ等の撮像手段によって撮影する。この撮影データをコンピュータに取り込んで位置合わせマークの画像認識を行い、その認識した画像に基づいて、位置合わせを行ったうえでガラスマスクをソルダーレジスト上に配置している。
特開2005−244182号公報
For example, Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a wiring substrate in which alignment marks are formed on the wiring substrate to align the glass mask. In the manufacturing method of Patent Document 1, a solder resist is excavated by laser processing to form an alignment mark in a form in which a lower conductor layer is exposed in a ring shape. And the alignment mark is image | photographed by imaging means, such as a CCD camera. The captured data is taken into a computer to perform image recognition of the alignment mark, and after aligning based on the recognized image, a glass mask is placed on the solder resist.
JP-A-2005-244182

ところで、上記の従来技術のように、レーザ加工によって位置合わせマークを形成する場合では、そのレーザ加工のための工程が必要となるため、多層配線基板の製造コストが嵩む。また、レーザの出力を適切に設定しないと、導体層上のソルダーレジストを均一に削って穴あけすることは難しく、導体層をレーザ加工によって削ってしまったり、その導体層の上面にソルダーレジストの一部が残ってしまったりするといった問題が生じる。そのため、位置合わせマークを露出させない状態でソルダーレジストを介して位置合わせマークを読み取る手法が検討されている。   By the way, when the alignment mark is formed by laser processing as in the above-described prior art, a process for the laser processing is required, which increases the manufacturing cost of the multilayer wiring board. If the laser output is not set appropriately, it is difficult to evenly cut and drill the solder resist on the conductor layer, and the conductor layer may be shaved by laser processing, or a solder resist may be formed on the upper surface of the conductor layer. The problem that a part may remain arises. Therefore, a technique for reading the alignment mark through the solder resist without exposing the alignment mark has been studied.

具体的には、図18に示されるように、導体層において導体回路とは異なる位置に、位置合わせマーク71(例えば、直径が1mmの円形マーク)を形成しておき、導体層上にソルダーレジスト72を形成してその位置合わせマーク71を覆う。その後、上方からソルダーレジスト72を介して位置検出用光L1を位置合わせマーク71に照射する。そして、その位置検出用光L1の反射光L2に基づいて画像認識処理を行い、位置合わせマーク71の位置を検出する。   Specifically, as shown in FIG. 18, an alignment mark 71 (for example, a circular mark having a diameter of 1 mm) is formed at a position different from the conductor circuit in the conductor layer, and a solder resist is formed on the conductor layer. 72 is formed to cover the alignment mark 71. Thereafter, the position detection light L <b> 1 is irradiated onto the alignment mark 71 from above via the solder resist 72. Then, image recognition processing is performed based on the reflected light L2 of the position detection light L1, and the position of the alignment mark 71 is detected.

ところが、一般的なソルダーレジストは有色であり、製品性能等に応じて色が濃い製品(例えば、日立化成工業製のSR−7200)も存在する。その濃色のソルダーレジストを用いる場合では、十分な強度の反射光L2を取得することができず、画像認識によって位置合わせマーク71の位置を正確に検出することが困難となる。この場合、位置合わせ精度が低下するため、露光用ガラスマスクを正確な位置に配置することができなくなる。そのため、各導体層の導体回路に対応した位置に開口部を形成することができず、導体回路の微細化の障害となってしまう。   However, a general solder resist is colored, and there is also a product (for example, SR-7200 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) whose color is dark according to product performance. When the dark solder resist is used, the reflected light L2 with sufficient intensity cannot be acquired, and it is difficult to accurately detect the position of the alignment mark 71 by image recognition. In this case, since the alignment accuracy is lowered, the exposure glass mask cannot be arranged at an accurate position. Therefore, an opening cannot be formed at a position corresponding to the conductor circuit of each conductor layer, which hinders miniaturization of the conductor circuit.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、位置合わせマークを確実に検出することができ、その位置合わせマークを位置基準として導体回路に対応した正確な位置に開口部を形成することができる多層配線基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reliably detect the alignment mark, and to open the opening at an accurate position corresponding to the conductor circuit using the alignment mark as a position reference. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of forming a substrate.

上記課題を解決するための手段(手段1)としては、コア主面を有するコア基板と、導体回路を構成するめっき金属層及び層間樹脂絶縁層を積層してなり前記コア主面上に配置された積層配線部と、前記めっき金属層の一部を露出させる開口部を有し前記積層配線部上に配置された有色のソルダーレジストとを備えた多層配線基板の製造方法であって、前記層間樹脂絶縁層上にめっきを施すことにより前記導体回路を形成するとともに、前記めっき金属層において前記導体回路とは異なる位置に、前記導体回路よりも厚さが厚い枠状導体部を位置合わせマークとして形成する導体形成工程と、前記めっき金属層上に前記導体回路及び前記枠状導体部を覆う前記有色のソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成工程と、前記有色のソルダーレジストを介して前記枠状導体部に照射された位置検出用光の反射光に基づいて前記枠状導体部を検出する検出工程と、検出された前記枠状導体部を位置基準として用いて位置合わせを行ったうえで前記有色のソルダーレジストを穴あけし、前記開口部を形成する穴あけ工程とを含み、前記ソルダーレジスト形成工程では、前記導体回路の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さが、前記枠状導体部の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さよりも厚くなるようにすることを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。 Means (Means 1) for solving the above-described problems include a core substrate having a core main surface, a plated metal layer and an interlayer resin insulating layer constituting a conductor circuit, and disposed on the core main surface. A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a multilayer wiring board comprising: The conductor circuit is formed by plating on the resin insulating layer, and a frame-shaped conductor portion thicker than the conductor circuit is used as an alignment mark at a position different from the conductor circuit in the plated metal layer. A conductor forming step for forming, a solder resist forming step for forming the colored solder resist covering the conductor circuit and the frame-like conductor portion on the plated metal layer, and the colored solder. A detection step of detecting the frame-shaped conductor portion based on the reflected light of the position detection light applied to the frame-shaped conductor portion via a resist, and a position using the detected frame-shaped conductor portion as a position reference; combined with drilling a solder resist of the color after performing, look including a drilling step of forming the opening, in the solder resist forming step, the thickness of the solder resist of the color that is immediately above the conductive circuit However, there is a method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the thickness is larger than the thickness of the colored solder resist immediately above the frame-like conductor portion .

従って、手段1の多層配線基板の製造方法によると、導体形成工程において、層間樹脂絶縁層上にめっきを施すことにより導体回路が形成されるとともに、めっき金属層において導体回路とは異なる位置に、導体回路よりも厚さが厚い枠状導体部が位置合わせマークとして形成される。ソルダーレジスト形成工程では、めっき金属層上に有色のソルダーレジストが形成され、そのソルダーレジストにより導体回路及び枠状導体部が覆われる。本発明の位置合わせマークは、導体回路よりも厚さが厚い枠状導体部であるので、その枠状導体部を覆うソルダーレジストの厚さを導体回路側の厚さよりも薄くすることができる。従って、検出工程において、ソルダーレジストを介して枠状導体部に位置検出用光を照射したとき、反射光の強度を十分に確保することができ、その反射光に基づいて枠状導体部の位置を確実に検出できる。このようにすれば、穴あけ工程において、枠状導体部を位置基準として用いて位置合わせを行うことにより、導体回路に対応した正確な位置に開口部を形成することができ、多層配線基板における導体回路の微細化を図ることができる。
ここで「枠状導体部」とは、中抜けしていて外形線のみによって構成された形状の導体部のことを意味する。枠状導体部の平面視での形状は特に限定されず、例えば、円形状(即ちリング状)、楕円形状、三角形状、四角形状、六角形状などを採用することができる。これらの中でも、パターン形成の容易さや位置合わせ作業の容易さ等を考慮すると、平面視で円形のリング状導体部を採用することが好ましい。
Therefore, according to the manufacturing method of the multilayer wiring board of means 1, in the conductor forming step, a conductor circuit is formed by plating on the interlayer resin insulating layer, and at a position different from the conductor circuit in the plated metal layer, A frame-shaped conductor portion thicker than the conductor circuit is formed as an alignment mark. In the solder resist forming step, a colored solder resist is formed on the plated metal layer, and the conductor circuit and the frame-shaped conductor portion are covered with the solder resist. Since the alignment mark of the present invention is a frame-shaped conductor portion that is thicker than the conductor circuit, the thickness of the solder resist that covers the frame-shaped conductor portion can be made thinner than the thickness on the conductor circuit side. Therefore, in the detection step, when the frame-shaped conductor portion is irradiated with the position detection light via the solder resist, the intensity of the reflected light can be sufficiently secured, and the position of the frame-shaped conductor portion is determined based on the reflected light. Can be reliably detected. In this way, by performing alignment using the frame-shaped conductor portion as a position reference in the drilling step, an opening can be formed at an accurate position corresponding to the conductor circuit, and the conductor in the multilayer wiring board can be formed. Circuit miniaturization can be achieved.
Here, the “frame-like conductor portion” means a conductor portion having a shape that is formed only by an outline line that is hollow. The shape of the frame-shaped conductor portion in plan view is not particularly limited, and for example, a circular shape (that is, a ring shape), an elliptical shape, a triangular shape, a quadrangular shape, a hexagonal shape, or the like can be adopted. Among these, considering the ease of pattern formation and the ease of alignment work, it is preferable to adopt a circular ring-shaped conductor portion in plan view.

前記枠状導体部は、例えば、前記導体回路よりも5μm以上厚いことが好ましい。このようにすれば、枠状導体部を覆うソルダーレジストの厚さを導体回路部側よりも5μm以上薄くすることができる。よって、検出工程において、位置検出用光の反射光の強度を十分に確保することができ、その反射光に基づいて位置合わせマークの位置を確実に検出できる。なお、前記枠状導体部の厚さは、前記導体回路の厚さの5μm以上10μm以下であることがより好ましい。   The frame-like conductor part is preferably thicker than the conductor circuit by 5 μm or more, for example. If it does in this way, the thickness of the soldering resist which covers a frame-shaped conductor part can be made 5 micrometers or more thinner than the conductor circuit part side. Therefore, in the detection step, the intensity of the reflected light of the position detection light can be sufficiently ensured, and the position of the alignment mark can be reliably detected based on the reflected light. In addition, it is more preferable that the thickness of the frame-shaped conductor portion is 5 μm or more and 10 μm or less of the thickness of the conductor circuit.

前記導体回路の周辺にある前記有色のソルダーレジストの厚さは10μm以上であり、前記枠状導体部の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さは5μm以下であることが好ましい。このようにすれば、10μm以上の比較的に厚いソルダーレジストによって導体回路を確実に保護することができる。また、枠状導体部の直上のソルダーレジストは5μm以下の厚さであり比較的に薄いため、位置検出用光の反射光の強度を十分に確保することができ、その反射光に基づいて位置合わせマークの位置を確実に検出できる。同様に、前記導体回路の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さは前記枠状導体部の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さよりも厚く、その差は5μm以上であることが好ましい。このようにすれば、相対的に厚いソルダーレジストによって導体回路を確実に保護できる一方、相対的に薄いソルダーレジストによって位置検出用光の反射光の強度を十分に確保でき、その反射光に基づいて位置合わせマークの位置を確実に検出することができる。   The thickness of the colored solder resist around the conductor circuit is preferably 10 μm or more, and the thickness of the colored solder resist immediately above the frame-shaped conductor is preferably 5 μm or less. In this way, the conductor circuit can be reliably protected by a relatively thick solder resist of 10 μm or more. Further, since the solder resist immediately above the frame-like conductor portion is 5 μm or less in thickness and is relatively thin, it is possible to sufficiently secure the intensity of the reflected light for position detection, and the position based on the reflected light. The position of the alignment mark can be detected reliably. Similarly, the thickness of the colored solder resist just above the conductor circuit is larger than the thickness of the colored solder resist just above the frame-like conductor, and the difference is preferably 5 μm or more. In this way, while the conductor circuit can be reliably protected by the relatively thick solder resist, the intensity of the reflected light of the position detection light can be sufficiently secured by the relatively thin solder resist, and based on the reflected light. The position of the alignment mark can be reliably detected.

前記枠状導体部の幅は特に限定されないが、例えば10μm以上がよく、さらには50μm以上250μm以下であることが好ましい。その理由は、枠状導体部の幅が50μmよりも狭いと、位置合わせマークの認識精度を十分に確保できなくなるからである。また、枠状導体部の幅が250μmよりも広いと、めっきによる導体形成時において、めっきが析出し難くなり枠状導体部の厚さを十分に確保できなくなるからである。当該幅は100μm以上200μm以下がより好ましい。また、当該幅は一定幅であることが好ましい。   The width of the frame-shaped conductor portion is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more, and more preferably 50 μm or more and 250 μm or less. The reason is that if the width of the frame-like conductor portion is smaller than 50 μm, the recognition accuracy of the alignment mark cannot be sufficiently secured. Further, if the width of the frame-shaped conductor portion is larger than 250 μm, it is difficult to deposit the plating during the formation of the conductor by plating, and the thickness of the frame-shaped conductor portion cannot be secured sufficiently. The width is more preferably 100 μm or more and 200 μm or less. The width is preferably a constant width.

前記枠状導体部の中心孔の直径は、500μm以上1500μm以下であることがよく、めっきの析出を考慮すると、1000μm以下であることが好ましい。このようにすると、枠状導体部が適切な大きさとなり、画像認識による枠状導体部の認識精度を十分に確保することができる。   The diameter of the central hole of the frame-shaped conductor portion is preferably 500 μm or more and 1500 μm or less, and is preferably 1000 μm or less in consideration of plating deposition. If it does in this way, a frame-shaped conductor part becomes an appropriate magnitude | size and it can fully ensure the recognition accuracy of the frame-shaped conductor part by image recognition.

前記穴あけ工程では、検出された前記枠状導体部を位置基準として用いて位置合わせを行いながら前記有色のソルダーレジスト上に露光用ガラスマスクを配置し、この状態で前記露光用ガラスマスクを介して露光を行い、さらに現像を行うことで、前記有色のソルダーレジストを穴あけし、前記開口部を形成することが好ましい。この場合、枠状導体部を位置基準として用いて位置合わせを行うことにより、露光用ガラスマスクをより正確な位置に配置させることができるため、導体回路に対応した正確な位置に開口部を形成することができる。   In the drilling step, an exposure glass mask is disposed on the colored solder resist while performing alignment using the detected frame-shaped conductor portion as a position reference, and in this state, the exposure glass mask is interposed. It is preferable that the colored solder resist is perforated to form the opening by performing exposure and further development. In this case, by aligning using the frame-shaped conductor as a position reference, the exposure glass mask can be placed at a more accurate position, so an opening is formed at an accurate position corresponding to the conductor circuit. can do.

前記検出工程では、コンピュータを用いた画像認識処理により前記位置合わせマークの位置を検出することが好ましい。   In the detection step, the position of the alignment mark is preferably detected by image recognition processing using a computer.

前記コア基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。コア基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。樹脂基板の具体例としては、EP樹脂(エポキシ樹脂)基板、PI樹脂(ポリイミド樹脂)基板、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)基板、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質PTFE等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。前記セラミック基板の具体例としては、例えば、アルミナ基板、ベリリア基板、ガラスセラミック基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる基板などがある。前記金属基板の具体例としては、例えば、銅基板や銅合金基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の金属の合金からなる基板などがある。なお、前記コア基板にはその上面及び下面を貫通する複数のめっきスルーホールなどが形成されていてもよく、それら複数のめっきスルーホール内には充填材が充填されていてもよい。また、上記コア基板は、その内部に配線層を形成した基板でもよし、チップコンデンサやチップ抵抗などの電子部品を埋め込んだ基板でもよい。   The material for forming the core substrate is not particularly limited, and can be appropriately selected in consideration of cost, workability, insulation, mechanical strength, and the like. Examples of the core substrate include a resin substrate, a ceramic substrate, and a metal substrate. Specific examples of the resin substrate include an EP resin (epoxy resin) substrate, a PI resin (polyimide resin) substrate, a BT resin (bismaleimide-triazine resin) substrate, and a PPE resin (polyphenylene ether resin) substrate. In addition, a substrate made of a composite material of these resins and organic fibers such as glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) or polyamide fibers may be used. Alternatively, a substrate made of a resin-resin composite material obtained by impregnating a thermosetting resin such as an epoxy resin with a three-dimensional network fluorine-based resin base material such as continuous porous PTFE may be used. Specific examples of the ceramic substrate include an alumina substrate, a beryllia substrate, a glass ceramic substrate, and a substrate made of a low-temperature fired material such as crystallized glass. Specific examples of the metal substrate include a copper substrate, a copper alloy substrate, a substrate made of a single metal other than copper, and a substrate made of an alloy of a metal other than copper. The core substrate may be formed with a plurality of plated through holes penetrating the upper and lower surfaces thereof, and the plurality of plated through holes may be filled with a filler. The core substrate may be a substrate in which a wiring layer is formed, or a substrate in which electronic components such as a chip capacitor and a chip resistor are embedded.

前記導体回路を構成するめっき金属層の材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。また、かかるめっき金属層は、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成されることができる。具体的にいうと、例えば、無電解銅めっきあるいは電解銅めっき、無電解ニッケルめっきあるいは電解ニッケルめっきなどの手法を用いることができる。   Examples of the material of the plated metal layer constituting the conductor circuit include copper, copper alloy, nickel, nickel alloy, tin, tin alloy and the like. The plated metal layer can be formed by a known method such as a semi-additive method or a full additive method. Specifically, for example, techniques such as electroless copper plating, electrolytic copper plating, electroless nickel plating, or electrolytic nickel plating can be used.

前記層間樹脂絶縁層は例えば熱硬化性を有する樹脂を用いて形成される。熱硬化性樹脂の好適例としては、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等が挙げられる。これらの中でも、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)を選択することが好ましい。例えば、エポキシ樹脂としては、いわゆるBP(ビスフェノール)型、PN(フェノールノボラック)型、CN(クレゾールノボラック)型のものを用いることがよい。特には、BP(ビスフェノール)型を主体とするものがよく、BPA(ビスフェノールA)型やBPF(ビスフェノールF)型が最もよい。   The interlayer resin insulation layer is formed using a thermosetting resin, for example. Preferable examples of the thermosetting resin include EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), BT resin (bismaleimide-triazine resin), phenol resin, xylene resin, polyester resin, silicon resin and the like. . Among these, it is preferable to select EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), and BT resin (bismaleimide-triazine resin). For example, as the epoxy resin, a so-called BP (bisphenol) type, PN (phenol novolac) type, or CN (cresol novolac) type may be used. In particular, the BP (bisphenol) type is mainly used, and the BPA (bisphenol A) type and BPF (bisphenol F) type are the best.

前記ソルダーレジストは、絶縁性及び耐熱性を有する樹脂からなり、導体回路を覆い隠すことでその導体回路を保護する保護膜として機能する。本発明においては、例えば光硬化性を有する樹脂からなるソルダーレジストが用いられ、具体的にはエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの使用が好適である。   The solder resist is made of a resin having insulating properties and heat resistance, and functions as a protective film for protecting the conductor circuit by covering the conductor circuit. In the present invention, for example, a solder resist made of a photocurable resin is used, and specifically, use of an epoxy resin, a polyimide resin, or the like is preferable.

ここで多層配線基板が、少なくとも1つ以上の製品領域及び前記製品領域を包囲する枠部領域を有するものの場合、前記位置合わせマークとしての枠状導体部は、製品領域に形成されるのではなく、むしろ枠部領域に形成されることが好ましい。製品領域内には多数の導体回路が密集しており、そこに枠状導体部を設けようとすると製品全体の小型化を阻害してしまう。これに対して、最終的に製品とはならない枠部領域であれば、そこに枠状導体部を設けたとしても特に製品の小型化を阻害せず、また、枠状導体部を形成するときの配置の自由度も大きいからである。   Here, when the multilayer wiring board has at least one product region and a frame region surrounding the product region, the frame-shaped conductor as the alignment mark is not formed in the product region. Rather, it is preferably formed in the frame region. A large number of conductor circuits are concentrated in the product area, and if a frame-like conductor portion is provided there, the downsizing of the entire product is hindered. On the other hand, if it is a frame region that will not eventually become a product, even if a frame-shaped conductor portion is provided there, it does not hinder downsizing of the product in particular, and when the frame-shaped conductor portion is formed This is because the degree of freedom of the arrangement of is large.

以下、本発明を具体化した多層配線基板の一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図1は、多層配線基板の概略平面図であり、図2は、多層配線基板の断面図である。   Hereinafter, an embodiment of a multilayer wiring board embodying the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic plan view of a multilayer wiring board, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the multilayer wiring board.

図1に示されるように、多層配線基板11は、平面視で矩形状を呈しており、複数(ここでは4×4個)の製品領域100と、それら製品領域100を包囲する枠部領域101とを有している。枠部領域101は、製品にはならないので、最終的にダイシング工程を経て切断され除去される。   As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board 11 has a rectangular shape in plan view, and includes a plurality (4 × 4 in this case) of product regions 100 and a frame region 101 that surrounds the product regions 100. And have. Since the frame region 101 does not become a product, it is finally cut and removed through a dicing process.

図2に示されるように、多層配線基板11を構成するコア基板12は、ガラスエポキシからなる略矩形板状の部材(厚さ0.8mm)であり、コア主面としての上面13及び下面14を有している。コア基板12の上面13には第1のビルドアップ層15(積層配線部)が形成され、コア基板12の下面14には第2のビルドアップ層16(積層配線部)が形成されている。コア基板12における製品領域100の所定箇所には、上面13及び下面14を連通させるめっきスルーホール17が多数形成されている。めっきスルーホール17内にある空洞部には、銅フィラー入りのエポキシ樹脂からなる充填材18が充填されている。また、コア基板12の上面13及び下面14には、銅からなる導体層19がパターン形成されており、各導体層19は、めっきスルーホール17に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 2, the core substrate 12 constituting the multilayer wiring substrate 11 is a substantially rectangular plate-shaped member (thickness 0.8 mm) made of glass epoxy, and has an upper surface 13 and a lower surface 14 as core main surfaces. have. A first buildup layer 15 (laminated wiring portion) is formed on the upper surface 13 of the core substrate 12, and a second buildup layer 16 (laminated wiring portion) is formed on the lower surface 14 of the core substrate 12. A large number of plated through holes 17 that allow the upper surface 13 and the lower surface 14 to communicate with each other are formed at predetermined locations in the product region 100 of the core substrate 12. A hollow portion in the plated through hole 17 is filled with a filler 18 made of an epoxy resin containing a copper filler. A conductor layer 19 made of copper is patterned on the upper surface 13 and the lower surface 14 of the core substrate 12, and each conductor layer 19 is electrically connected to the plated through hole 17.

コア基板12の上面13上に形成された第1のビルドアップ層15は、エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層20,21(層間樹脂絶縁層)と、銅からなる導体層22,23(めっき金属層)とを2層ずつ積層した構造を有している。本実施の形態において、各樹脂絶縁層20,21の厚さは40μm程度であり、各導体層22,23の厚さは20μm程度である。   The first buildup layer 15 formed on the upper surface 13 of the core substrate 12 includes resin insulation layers 20 and 21 (interlayer resin insulation layer) made of epoxy resin and conductor layers 22 and 23 (plating metal layer made of copper). ) And two layers. In the present embodiment, the thickness of each of the resin insulation layers 20 and 21 is about 40 μm, and the thickness of each of the conductor layers 22 and 23 is about 20 μm.

2層めの樹脂絶縁層21の表面上における複数箇所には、導体層23の導体回路を構成する端子パッド230がアレイ状に形成されている。1層めの樹脂絶縁層20内には、複数のビア穴25及びビア導体26が設けられ、2層めの樹脂絶縁層21内には、複数のビア穴27及びビア導体28が設けられている。これらビア導体26,28を介して導体層19,22の導体回路190,220及び端子パッド230が相互に電気的に接続されている。また、2層めの樹脂絶縁層21の表面は、有色のソルダーレジスト29(具体的には、日立化成工業株式会社製のSR−7200)によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト29の所定箇所には、端子パッド230を露出させる開口部30が形成されている。各端子パッド230は、図示しないはんだバンプを介してICチップ(半導体集積回路素子)の接続端子に電気的に接続される。   Terminal pads 230 constituting a conductor circuit of the conductor layer 23 are formed in an array at a plurality of locations on the surface of the second resin insulating layer 21. A plurality of via holes 25 and via conductors 26 are provided in the first resin insulation layer 20, and a plurality of via holes 27 and via conductors 28 are provided in the second resin insulation layer 21. Yes. Via these via conductors 26 and 28, the conductor circuits 190 and 220 of the conductor layers 19 and 22 and the terminal pads 230 are electrically connected to each other. Further, the surface of the second resin insulating layer 21 is almost entirely covered with a colored solder resist 29 (specifically, SR-7200 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). An opening 30 for exposing the terminal pad 230 is formed at a predetermined location of the solder resist 29. Each terminal pad 230 is electrically connected to a connection terminal of an IC chip (semiconductor integrated circuit element) via a solder bump (not shown).

コア基板12の下面14上に形成された第2のビルドアップ層16は、上述した第1のビルドアップ層15とほぼ同じ構造を有している。即ち、第2のビルドアップ層16は、エポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層31,32と、銅からなる導体層33,34とを2層ずつ積層した構造を有している。2層めの樹脂絶縁層32の下面上における複数箇所には、導体層34の導体回路を構成するBGA用パッド340がアレイ状に形成されている。1層めの樹脂絶縁層31内には、複数のビア穴25及びビア導体26が設けられ、2層めの樹脂絶縁層32内には、複数のビア穴27及びビア導体28が設けられている。これらビア導体26,28を介して導体層19,33の導体回路190,330及びBGA用パッド340が相互に電気的に接続されている。また、2層めの樹脂絶縁層32の下面は、ソルダーレジスト36によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト36の所定箇所には、BGA用パッド340を露出させる開口部37が形成されている。BGA用パッド340の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ38が配設され、各はんだバンプ38により、多層配線基板11は図示しないマザーボード上に実装される。   The second buildup layer 16 formed on the lower surface 14 of the core substrate 12 has substantially the same structure as the first buildup layer 15 described above. That is, the second buildup layer 16 has a structure in which two resin insulating layers 31 and 32 made of epoxy resin and two conductor layers 33 and 34 made of copper are laminated. BGA pads 340 constituting the conductor circuit of the conductor layer 34 are formed in an array at a plurality of locations on the lower surface of the second resin insulation layer 32. A plurality of via holes 25 and via conductors 26 are provided in the first resin insulation layer 31, and a plurality of via holes 27 and via conductors 28 are provided in the second resin insulation layer 32. Yes. The conductor circuits 190 and 330 of the conductor layers 19 and 33 and the BGA pad 340 are electrically connected to each other through the via conductors 26 and 28. The lower surface of the second resin insulating layer 32 is almost entirely covered with a solder resist 36. An opening 37 for exposing the BGA pad 340 is formed at a predetermined position of the solder resist 36. On the surface of the BGA pad 340, a plurality of solder bumps 38 for electrical connection with a mother board (not shown) are disposed, and the multilayer wiring board 11 is mounted on the mother board (not shown) by each solder bump 38. Is done.

また、図1及び図2に示されるように、多層配線基板11の枠部領域101の所定の位置(基板の四隅となる位置)において、2層めの樹脂絶縁層21,32の表面上に位置合わせマークとしてのリング状導体部41(枠状導体部)が設けられている。このリング状導体部41は、ソルダーレジスト29,36に開口部30,37を形成するための位置基準として使用される。   Further, as shown in FIGS. 1 and 2, on the surface of the second resin insulating layers 21 and 32 at predetermined positions (positions corresponding to the four corners of the substrate) of the frame region 101 of the multilayer wiring board 11. A ring-shaped conductor 41 (frame-shaped conductor) is provided as an alignment mark. The ring-shaped conductor portion 41 is used as a position reference for forming the openings 30 and 37 in the solder resists 29 and 36.

本実施の形態において、リング状導体部41の幅W1は200μmであり、中心孔の直径D1は1000μmである(図3参照)。また、図4に示されるように、リング状導体部41は、導体回路としての端子パッド230よりも厚く形成されている。具体的には、リング状導体部41の厚さT1は28μmであり、導体回路の厚さT2は20μmである。さらに、リング状導体部41の直上にあるソルダーレジスト29,36の厚さT3は5μm以下(具体的には3μm〜4μm)であり、端子パッド230やBGA用パッド340の周辺にあるソルダーレジスト29,36の厚さT4+T2は10μm以上(具体的には15μm〜30μm)である。また、端子パッド230やBGA用パッド340の直上のソルダーレジスト29,36の厚さT4は10μm以上(具体的には12μm〜15μm)である。   In the present embodiment, the width W1 of the ring-shaped conductor portion 41 is 200 μm, and the diameter D1 of the center hole is 1000 μm (see FIG. 3). Further, as shown in FIG. 4, the ring-shaped conductor portion 41 is formed thicker than the terminal pad 230 as a conductor circuit. Specifically, the thickness T1 of the ring-shaped conductor portion 41 is 28 μm, and the thickness T2 of the conductor circuit is 20 μm. Further, the thickness T3 of the solder resists 29 and 36 immediately above the ring-shaped conductor portion 41 is 5 μm or less (specifically, 3 μm to 4 μm), and the solder resist 29 around the terminal pads 230 and the BGA pads 340 is used. , 36 has a thickness T4 + T2 of 10 μm or more (specifically, 15 μm to 30 μm). The thickness T4 of the solder resists 29 and 36 immediately above the terminal pad 230 and the BGA pad 340 is 10 μm or more (specifically, 12 μm to 15 μm).

次に、上記構成の多層配線基板11の製造手順について説明する。   Next, a manufacturing procedure of the multilayer wiring board 11 having the above configuration will be described.

まず、基板準備工程において、コア基板12両面に銅箔47を貼着した両面銅張積層板48を用意する(図5参照)。そして、YAGレーザまたは炭酸ガスレーザを用いてレーザ孔あけ加工を行い、両面銅張積層板48を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでめっきスルーホール17を形成した後、そのめっきスルーホール17内に充填材18を充填し熱硬化させる。その後、基板両面の銅箔47のエッチングを行うことでコア基板12上に導体層19(導体回路190)をパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、コア基板12の製品領域100にて所定パターンの導体層19(導体回路190)が形成される(図6参照)。   First, in the substrate preparation step, a double-sided copper-clad laminate 48 in which a copper foil 47 is bonded to both surfaces of the core substrate 12 is prepared (see FIG. 5). Then, laser drilling is performed using a YAG laser or a carbon dioxide laser, and a through hole penetrating the double-sided copper-clad laminate 48 is formed in advance at a predetermined position. Then, after forming a plated through hole 17 by performing electroless copper plating and electrolytic copper plating according to a conventionally known method, the plated through hole 17 is filled with a filler 18 and thermally cured. Thereafter, the conductor layer 19 (conductor circuit 190) is patterned on the core substrate 12 by etching the copper foil 47 on both sides of the substrate. Specifically, after electroless copper plating, exposure and development are performed to form a predetermined pattern of plating resist. In this state, after electrolytic copper plating is performed using the electroless copper plating layer as a common electrode, first, the resist is dissolved and removed, and further unnecessary electroless copper plating layer is removed by etching. As a result, a conductor layer 19 (conductor circuit 190) having a predetermined pattern is formed in the product region 100 of the core substrate 12 (see FIG. 6).

絶縁層形成工程において、コア基板12の上面13及び下面14に、それぞれエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料を重ね合わせるようにして配置する。そして、このような積層物を真空圧着熱プレス機(図示しない)で真空下にて加圧加熱することにより、フィルム状絶縁樹脂材料を硬化させて上面13及び下面14に1層めの樹脂絶縁層20,31を各々形成する(図7参照)。   In the insulating layer forming step, a film-like insulating resin material mainly composed of an epoxy resin is disposed on the upper surface 13 and the lower surface 14 of the core substrate 12 so as to overlap each other. Then, such a laminate is pressurized and heated under vacuum with a vacuum press hot press machine (not shown) to cure the film-like insulating resin material so that the upper layer 13 and the lower surface 14 have a first layer of resin insulation. Layers 20 and 31 are formed (see FIG. 7).

その樹脂絶縁層20,31の所定の位置にレーザを照射することにより、ビア穴25を形成する。そして、無電解銅めっきを行うことにより、ビア穴25内にビア導体26を形成するとともに、樹脂絶縁層20の上面全体に無電解銅めっき層を形成する。その後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。そして、電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、樹脂絶縁層20,31上に所定パターンの導体層22,33(導体回路220,330)が形成される(図8参照)。   By irradiating a predetermined position of the resin insulating layers 20 and 31 with a laser, the via hole 25 is formed. Then, by performing electroless copper plating, a via conductor 26 is formed in the via hole 25, and an electroless copper plating layer is formed on the entire upper surface of the resin insulating layer 20. Thereafter, exposure and development are performed to form a predetermined pattern of plating resist. Then, after the electrolytic copper plating is performed, the resist is first dissolved and removed, and an unnecessary electroless copper plating layer is removed by etching. As a result, conductor layers 22 and 33 (conductor circuits 220 and 330) having a predetermined pattern are formed on the resin insulating layers 20 and 31 (see FIG. 8).

次いで、上記1層めの樹脂絶縁層20,31の場合と同様に、絶縁層形成工程を行うことにより、2層めの樹脂絶縁層21,32を形成する。さらに、樹脂絶縁層21,32の所定の位置にレーザを照射することでビア穴27を形成する。   Next, as in the case of the first resin insulation layers 20 and 31, the second resin insulation layers 21 and 32 are formed by performing an insulation layer forming step. Furthermore, a via hole 27 is formed by irradiating a predetermined position on the resin insulating layers 21 and 32 with a laser.

続く、導体形成工程において、無電解銅めっきを行うことにより、ビア穴27内にビア導体28を形成するとともに、樹脂絶縁層21,32の上面全体に無電解銅めっき層を形成する。その後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジスト43を形成して、電解銅めっきを施す(図9参照)。ここで、めっきレジスト43の厚さは30μm程度であり、製品領域100において各導体回路に対応する位置には20μm程度の厚さのめっき層44が形成される。また、製品領域100には各導体回路に対応したパターンが密集しているのに対して、枠部領域101にはリング状導体部41のみのパターンしかなく、めっき時の電流密度が高くなる。そのため、枠部領域101は製品領域100側よりもめっきが析出しやすく、リング状導体部41に対応する位置には28μmの厚さのめっき層45が形成される。特に、本実施の形態では、従来技術のような円形ではなくリング状の導体部とすることにより、その導体部の面積が少なくなりめっきが析出しやすい状態になるため、めっき層45が厚く形成される。   In the subsequent conductor forming step, by performing electroless copper plating, the via conductor 28 is formed in the via hole 27 and the electroless copper plating layer is formed on the entire upper surfaces of the resin insulating layers 21 and 32. Thereafter, exposure and development are performed to form a plating resist 43 having a predetermined pattern, and electrolytic copper plating is performed (see FIG. 9). Here, the thickness of the plating resist 43 is about 30 μm, and a plating layer 44 having a thickness of about 20 μm is formed at a position corresponding to each conductor circuit in the product region 100. In addition, the product region 100 has a pattern corresponding to each conductor circuit, whereas the frame region 101 has only a pattern of the ring-shaped conductor portion 41, and the current density at the time of plating becomes high. Therefore, the frame region 101 is more easily deposited than the product region 100 side, and a plating layer 45 having a thickness of 28 μm is formed at a position corresponding to the ring-shaped conductor portion 41. In particular, in the present embodiment, by forming a ring-shaped conductor portion instead of a circle as in the prior art, the area of the conductor portion is reduced and plating is likely to be deposited, so that the plating layer 45 is formed thick. Is done.

その後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、樹脂絶縁層21上には、製品領域100に複数の端子パッド230が形成されるとともに、枠部領域101にリング状導体部41が形成される。また、樹脂絶縁層32上には、製品領域100に複数のBGA用パッド340が形成されるとともに枠部領域101にリング状導体部41が形成される(図10参照)。   Thereafter, the resist is first dissolved and removed, and an unnecessary electroless copper plating layer is removed by etching. As a result, a plurality of terminal pads 230 are formed in the product region 100 and the ring-shaped conductor portion 41 is formed in the frame region 101 on the resin insulating layer 21. On the resin insulating layer 32, a plurality of BGA pads 340 are formed in the product region 100, and a ring-shaped conductor portion 41 is formed in the frame region 101 (see FIG. 10).

ソルダーレジスト形成工程では、コア基板12の上面及び下面の表面上に感光性液状樹脂材料を塗布して硬化させることにより有色のソルダーレジスト29,36を形成する(図11参照)。なお、本実施の形態では、ハロゲンフリータイプの感光性液状ソルダーレジスト(例えば、日立化成工業株式会社製のSR−7200)が用いられる。   In the solder resist forming step, colored solder resists 29 and 36 are formed by applying and curing a photosensitive liquid resin material on the upper and lower surfaces of the core substrate 12 (see FIG. 11). In the present embodiment, a halogen-free photosensitive liquid solder resist (for example, SR-7200 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is used.

検出工程では、リング状の照射器51を用いてソルダーレジスト29を介してリング状導体部41に赤外光L1(位置検出用光)を照射し、その反射光L2に基づいてリング状導体部41を検出する(図12参照)。具体的には、リング状導体部41からの反射光L2に基づいてそのリング状導体部41の像をCCDカメラ52によって撮影する。そして、そのCCDカメラ52の撮影データをコンピュータ53に取り込んで画像認識処理を行い、その認識した画像に基づいてリング状導体部41の位置を検出する。なお、この画像認識処理では、撮影した画像を二値化処理し、その処理後の画像データに基づいてリング状導体部41の位置を検出している。   In the detection process, the ring-shaped conductor 51 is irradiated with infrared light L1 (position detection light) through the solder resist 29 using the ring-shaped irradiator 51, and the ring-shaped conductor is based on the reflected light L2. 41 is detected (see FIG. 12). Specifically, an image of the ring-shaped conductor portion 41 is taken by the CCD camera 52 based on the reflected light L <b> 2 from the ring-shaped conductor portion 41. Then, the photographing data of the CCD camera 52 is taken into the computer 53 and image recognition processing is performed, and the position of the ring-shaped conductor portion 41 is detected based on the recognized image. In this image recognition process, the captured image is binarized, and the position of the ring-shaped conductor portion 41 is detected based on the image data after the processing.

次ぐ、穴あけ工程では、検出したリング状導体部41を位置基準として用いて、位置合わせ装置54を駆動して位置合わせを行ったうえでソルダーレジスト29の表面に露光用ガラスマスク56を重ね合わせるように配置する(図12参照)。なお、露光用ガラスマスク56において、リング状導体部41に対応した位置には円形の抜きパターン57(ガラスマスク56を構成するメタル層における円形穴)が形成されており、そのパターン57の中心位置とリング状導体部41の中心位置とを一致させるように露光用ガラスマスク56を配置させる(図13参照)。その状態で、露光用ガラスマスク56を介して露光を行い、さらに現像を行うことで、ソルダーレジスト29に開口部30をパターニングする(図14参照)。   Next, in the drilling step, using the detected ring-shaped conductor portion 41 as a position reference, the alignment device 54 is driven to perform alignment, and then the exposure glass mask 56 is overlaid on the surface of the solder resist 29. (Refer to FIG. 12). In the exposure glass mask 56, a circular punch pattern 57 (a circular hole in the metal layer constituting the glass mask 56) is formed at a position corresponding to the ring-shaped conductor portion 41, and the center position of the pattern 57 And an exposure glass mask 56 are arranged so that the center position of the ring-shaped conductor portion 41 coincides with that of the ring-shaped conductor portion 41 (see FIG. 13). In this state, the opening 30 is patterned in the solder resist 29 by performing exposure through the glass mask for exposure 56 and further developing (see FIG. 14).

また、コア基板12の下面側のソルダーレジスト36についても、同様に、検出工程でリング状導体部41の位置を検出し、穴あけ工程にてソルダーレジスト36の表面に露光用ガラスマスク56を配置して、露光及び現像を行い、ソルダーレジスト36に開口部37をパターニングする(図14参照)。   Similarly, for the solder resist 36 on the lower surface side of the core substrate 12, the position of the ring-shaped conductor portion 41 is detected in the detection process, and an exposure glass mask 56 is disposed on the surface of the solder resist 36 in the drilling process. Then, exposure and development are performed to pattern the opening 37 in the solder resist 36 (see FIG. 14).

そして、各開口部30から露出した端子パッド230や各開口部37から露出したBGA用パッド340に対して表面粗化処理及びニッケル−金めっきの処理を行う。その後、周知の手法によりはんだバンプ形成工程を行い、BGA用パッド340の表面上にはんだバンプ38を形成する(図2参照)。具体的には、ソルダーレジスト36上に、所定パターンのマスクを載置し、BGA用パッド340上にはんだペーストを印刷した後、そのはんだペーストをリフローする。その後、大判状態で一体化されている中間製品を、ダイシングブレード等の切断具を用いて個片に切り離すことにより、多層配線基板が完成する。   Then, a surface roughening process and a nickel-gold plating process are performed on the terminal pads 230 exposed from the openings 30 and the BGA pads 340 exposed from the openings 37. Thereafter, a solder bump forming step is performed by a well-known method to form solder bumps 38 on the surface of the BGA pad 340 (see FIG. 2). Specifically, a mask having a predetermined pattern is placed on the solder resist 36, a solder paste is printed on the BGA pad 340, and then the solder paste is reflowed. Thereafter, the intermediate product integrated in a large format is cut into individual pieces using a cutting tool such as a dicing blade to complete a multilayer wiring board.

図15には、本実施の形態において検出工程で撮影されたリング状導体部41(位置合わせマーク)の画像61を示しており、図16には、従来技術のように円形の導体部からなる位置合わせマーク71(直径が1mmのサイズのマーク)の画像62を比較例として示している。図15に示されるように、本実施の形態では、従来技術の比較例と比べて、リング状導体部41の輪郭が鮮明な画像61を取得することができる。そのため、画像認識によるリング状導体部41の認識性が良好となり、リング状導体部41の位置がより正確に検出される。   FIG. 15 shows an image 61 of the ring-shaped conductor portion 41 (alignment mark) photographed in the detection process in the present embodiment, and FIG. 16 includes a circular conductor portion as in the prior art. An image 62 of an alignment mark 71 (a mark having a diameter of 1 mm) is shown as a comparative example. As shown in FIG. 15, in the present embodiment, an image 61 with a clear outline of the ring-shaped conductor portion 41 can be acquired as compared with the comparative example of the prior art. Therefore, the recognizability of the ring-shaped conductor part 41 by image recognition becomes good, and the position of the ring-shaped conductor part 41 is detected more accurately.

また、本願発明者は、リング状導体部41の幅を200μmから100μmに変更し、そのリング状導体部の画像(図示略)を撮影した。この場合でも、リング状導体部41の輪郭が鮮明な画像を撮影することができ、リング状導体部41の認識精度を十分に確保することができた。   The inventors of the present application changed the width of the ring-shaped conductor portion 41 from 200 μm to 100 μm and photographed an image (not shown) of the ring-shaped conductor portion. Even in this case, an image with a clear outline of the ring-shaped conductor portion 41 can be taken, and the recognition accuracy of the ring-shaped conductor portion 41 can be sufficiently ensured.

さらに、本願発明者は、比較例の位置合わせマーク71の直径を1mmから0.2mmに変更し、位置合わせマークの画像63(図17参照)を撮影した。このように、位置合わせマーク71のサイズを小さくした場合、本実施の形態と同様に、導体回路側よりも厚いめっき層を形成することができたが、位置合わせマーク71のサイズが小さくなるため、認識精度を十分に確保することはできなかった。   Further, the inventor of the present application changed the diameter of the alignment mark 71 of the comparative example from 1 mm to 0.2 mm, and took an image 63 of the alignment mark (see FIG. 17). In this way, when the size of the alignment mark 71 is reduced, a plating layer thicker than the conductor circuit side can be formed as in the present embodiment, but the size of the alignment mark 71 is reduced. The recognition accuracy could not be secured sufficiently.

従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施の形態の多層配線基板11では、配線回路のない枠部領域101に位置合わせマークとしてのリング状導体部41が設けられている。この多層配線基板11を製造する場合、導体形成工程において、銅めっきを施すことにより、端子パッド230やBGA用パッド340などの導体回路よりもリング状導体部41を厚く形成することができる。その結果、リング状導体部41を覆うソルダーレジスト29,36の厚さT3を導体回路側の厚さT4よりも薄くすることができる。従って、濃色のソルダーレジスト29,36を用いた場合でも、そのソルダーレジスト29,36を介してリング状導体部41に照射された位置検出用光L1の反射光L2の強度を十分に確保することができ、リング状導体部41の輪郭が鮮明な画像61を取得することができる。そして、画像認識処理によってリング状導体部41の位置を確実に検出することができ、そのリング状導体部41を位置基準として用いて位置合わせを行うことにより、端子パッド230やBGA用パッド340に対応した正確な位置に開口部30,37を形成することができる。従って、多層配線基板11において、端子パッド230やBGA用パッド340を含む導体回路の微細化を図ることができる。   (1) In the multilayer wiring board 11 of the present embodiment, a ring-shaped conductor 41 as an alignment mark is provided in a frame region 101 without a wiring circuit. When manufacturing this multilayer wiring board 11, the ring-shaped conductor part 41 can be formed thicker than conductor circuits, such as the terminal pad 230 and the BGA pad 340, by performing copper plating in the conductor forming step. As a result, the thickness T3 of the solder resists 29 and 36 covering the ring-shaped conductor portion 41 can be made thinner than the thickness T4 on the conductor circuit side. Therefore, even when the dark solder resists 29 and 36 are used, the intensity of the reflected light L2 of the position detection light L1 irradiated to the ring-shaped conductor portion 41 through the solder resists 29 and 36 is sufficiently secured. The image 61 with a clear outline of the ring-shaped conductor portion 41 can be acquired. Then, the position of the ring-shaped conductor portion 41 can be reliably detected by the image recognition processing, and by performing alignment using the ring-shaped conductor portion 41 as a position reference, the terminal pad 230 and the BGA pad 340 are aligned. The openings 30 and 37 can be formed at corresponding and accurate positions. Therefore, in the multilayer wiring board 11, the conductor circuit including the terminal pad 230 and the BGA pad 340 can be miniaturized.

(2)本実施の形態の場合、端子パッド230やBGA用パッド340の周辺のソルダーレジスト29,36は10μm以上の厚さであり、比較的に厚いソルダーレジスト29,36によって導体回路を確実に保護することができる。また、リング状導体部41の直上のソルダーレジスト29,36は5μm以下の厚さであり比較的に薄いため、位置検出用光L1の反射光L2の強度を十分に確保することができる。この結果、画像認識によるリング状導体部41の認識精度を高めることができる。   (2) In the case of the present embodiment, the solder resists 29 and 36 around the terminal pad 230 and the BGA pad 340 are 10 μm or thicker, and the relatively thick solder resists 29 and 36 ensure the conductor circuit. Can be protected. Further, since the solder resists 29 and 36 immediately above the ring-shaped conductor portion 41 have a thickness of 5 μm or less and are relatively thin, it is possible to sufficiently secure the intensity of the reflected light L2 of the position detection light L1. As a result, the recognition accuracy of the ring-shaped conductor part 41 by image recognition can be improved.

(3)本実施の形態では、リング状導体部41の幅W1は200μmであり、その中心孔の直径D1は1000μmである。この場合、めっきによる導体形成時において、めっきが析出しやすく、リング状導体部41の厚さT1を十分に確保することができる。   (3) In the present embodiment, the width W1 of the ring-shaped conductor portion 41 is 200 μm, and the diameter D1 of the center hole is 1000 μm. In this case, when the conductor is formed by plating, the plating is easily deposited, and the thickness T1 of the ring-shaped conductor portion 41 can be sufficiently ensured.

(4)本実施の形態の場合、リング状導体部41は、製品領域100に形成されるのではなく、その製品領域100を包囲する枠部領域101に形成されている。多層配線基板11において、製品領域100内には端子パッド230やBGA用パッド340などの多数の導体回路やビア導体26,28が密集しており、そこにリング状導体部41を設けようとすると製品全体の小型化を阻害してしまう。これに対して、本実施の形態のように、最終的に製品とはならない枠部領域101にリング状導体部41を設けることにより、製品の小型化を図ることができる。また、リング状導体部41を形成するときの配置の自由度も大きくなり、実用上好ましいものとなる。   (4) In the case of the present embodiment, the ring-shaped conductor portion 41 is not formed in the product region 100 but is formed in the frame region 101 surrounding the product region 100. In the multilayer wiring board 11, a large number of conductor circuits such as terminal pads 230 and BGA pads 340 and via conductors 26 and 28 are concentrated in the product region 100, and the ring-shaped conductor portion 41 is provided there. It will hinder downsizing of the entire product. On the other hand, the product size can be reduced by providing the ring-shaped conductor portion 41 in the frame region 101 that is not finally a product as in the present embodiment. Further, the degree of freedom in arrangement when forming the ring-shaped conductor portion 41 is increased, which is practically preferable.

なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。   In addition, you may change embodiment of this invention as follows.

・上記実施の形態の多層配線基板11は、コア基板12が樹脂材料からなるオーガニックタイプの多層配線基板であるが、セラミック材料や金属材料からなる多層配線基板に本発明を適用してもよい。   The multilayer wiring board 11 of the above embodiment is an organic type multilayer wiring board in which the core substrate 12 is made of a resin material, but the present invention may be applied to a multilayer wiring board made of a ceramic material or a metal material.

・上記実施の形態では、多層配線基板11のパッケージ形態はBGA(ボールグリッドアレイ)であるが、BGAのみに限定されず、例えばPGA(ピングリッドアレイ)やLGA(ランドグリッドアレイ)等であってもよい。   In the above embodiment, the package form of the multilayer wiring board 11 is BGA (ball grid array), but is not limited to BGA alone, for example, PGA (pin grid array), LGA (land grid array), etc. Also good.

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, in addition to the technical ideas described in the claims, the technical ideas grasped by the embodiments described above are listed below.

(1)コア主面を有するコア基板と、導体回路を構成するめっき金属層及び層間樹脂絶縁層を積層してなり前記コア主面上に配置された積層配線部と、前記めっき金属層の一部を露出させる開口部を有し前記積層配線部上に配置された有色のソルダーレジストとを備えた多層配線基板の製造方法であって、前記層間樹脂絶縁層上にめっきを施すことにより前記導体回路を形成するとともに、前記めっき金属層において前記導体回路とは異なる位置に、所定幅を有しかつ前記導体回路よりも厚さが厚いリング状導体部を位置合わせマークとして形成する導体形成工程と、前記めっき金属層上に前記導体回路及び前記リング状導体部を覆う前記有色のソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成工程と、前記有色のソルダーレジストを介して前記リング状導体部に照射された位置検出用光の反射光に基づいて画像認識処理を行い、前記リング状導体部を検出する検出工程と、検出された前記リング状導体部を位置基準として用いて位置合わせを行ったうえで前記有色のソルダーレジストを穴あけし、前記開口部を形成する穴あけ工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。   (1) A core substrate having a core main surface, a plated metal layer and an interlayer resin insulation layer constituting a conductor circuit, and a laminated wiring portion disposed on the core main surface, and one of the plated metal layers A method of manufacturing a multilayer wiring board having an opening that exposes a portion and a colored solder resist disposed on the laminated wiring portion, wherein the conductor is formed by plating on the interlayer resin insulating layer Forming a circuit, and forming a ring-shaped conductor portion having a predetermined width and a thicker thickness than the conductor circuit as an alignment mark at a position different from the conductor circuit in the plated metal layer; A solder resist forming step of forming the colored solder resist covering the conductive circuit and the ring-shaped conductor on the plated metal layer, and the colored solder resist. An image recognition process is performed based on the reflected light of the position detection light irradiated on the ring-shaped conductor portion, and a detection step of detecting the ring-shaped conductor portion and using the detected ring-shaped conductor portion as a position reference A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: a step of drilling the colored solder resist after the alignment and forming the opening.

(2)上記(1)において、前記リング状導体部の中心孔の直径は、500μm以上1000μm以下であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。   (2) In the method (1), the diameter of the center hole of the ring-shaped conductor is 500 μm or more and 1000 μm or less.

(3)上記(1)において、前記導体回路が形成される製品領域と、その製品領域を包囲する枠部領域とを有し、前記枠部領域に前記リング状導体部が形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。   (3) In (1) above, a product region in which the conductor circuit is formed and a frame region surrounding the product region, and the ring-shaped conductor is formed in the frame region. A method for producing a multilayer wiring board, which is characterized.

本発明を具体化した一実施の形態の多層配線基板を示す概略平面図。1 is a schematic plan view showing a multilayer wiring board according to an embodiment embodying the present invention. 本発明を具体化した一実施の形態の多層配線基板を示す要部断面図。The principal part sectional view showing the multilayer wiring board of one embodiment which materialized the present invention. 一実施の形態のリング状導体部を示す平面図。The top view which shows the ring-shaped conductor part of one Embodiment. リング状導体部、導体回路、及びそれらを覆う樹脂絶縁層の厚さを示す断面図。Sectional drawing which shows the thickness of the ring-shaped conductor part, a conductor circuit, and the resin insulating layer which covers them. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための説明図。Explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one Embodiment. 一実施の形態の多層配線基板の製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the multilayer wiring board of one embodiment. 一実施の形態におけるリング状導体部の画像を示す説明図。Explanatory drawing which shows the image of the ring-shaped conductor part in one embodiment. 比較例における位置決めマークの画像を示す説明図。Explanatory drawing which shows the image of the positioning mark in a comparative example. 比較例における位置決めマークの画像を示す説明図。Explanatory drawing which shows the image of the positioning mark in a comparative example. 従来の位置合わせマークの検出方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the detection method of the conventional alignment mark.

符号の説明Explanation of symbols

11…多層配線基板
12…コア基板
13…コア主面としての上面
14…コア主面としての下面
15,16…積層配線部としてのビルドアップ層
20,21,31,32…層間樹脂絶縁層としての樹脂絶縁層
22,23,33,34…めっき金属層としての導体層
29,36…ソルダーレジスト
30,37…開口部
41…位置合わせマークとしての枠状導体部(リング状導体部)
56…露光用ガラスマスク
220,330…導体回路
230…導体回路としての端子パッド
340…導体回路としてのBGA用パッド
D1…中心孔の直径
L1…位置検出用光
L2…反射光
T3,T4…ソルダーレジストの厚さ
W1…枠状導体部の幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Multilayer wiring board 12 ... Core board 13 ... Upper surface as a core main surface 14 ... Lower surface as a core main surface 15, 16 ... Build-up layer as a laminated wiring part 20, 21, 31, 32 ... As an interlayer resin insulation layer Resin insulation layers 22, 23, 33, 34... Conductive layer 29, 36... Solder resist 30, 37... Opening 41 .. Frame-shaped conductor (ring-shaped conductor) as an alignment mark
56 ... Glass mask for exposure 220, 330 ... Conductor circuit 230 ... Terminal pad as conductor circuit 340 ... BGA pad as conductor circuit D1 ... Diameter of center hole L1 ... Light for position detection L2 ... Reflected light T3, T4 ... Solder Resist thickness W1 Width of frame-shaped conductor

Claims (8)

コア主面を有するコア基板と、導体回路を構成するめっき金属層及び層間樹脂絶縁層を積層してなり前記コア主面上に配置された積層配線部と、前記めっき金属層の一部を露出させる開口部を有し前記積層配線部上に配置された有色のソルダーレジストとを備えた多層配線基板の製造方法であって、
前記層間樹脂絶縁層上にめっきを施すことにより前記導体回路を形成するとともに、前記めっき金属層において前記導体回路とは異なる位置に、前記導体回路よりも厚さが厚い枠状導体部を位置合わせマークとして形成する導体形成工程と、
前記めっき金属層上に前記導体回路及び前記枠状導体部を覆う前記有色のソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成工程と、
前記有色のソルダーレジストを介して前記枠状導体部に照射された位置検出用光の反射光に基づいて前記枠状導体部を検出する検出工程と、
検出された前記枠状導体部を位置基準として用いて位置合わせを行ったうえで前記有色のソルダーレジストを穴あけし、前記開口部を形成する穴あけ工程と
を含み、
前記ソルダーレジスト形成工程では、前記導体回路の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さが、前記枠状導体部の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さよりも厚くなるようにする
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
A core substrate having a core main surface, a plated metal layer and an interlayer resin insulating layer constituting a conductor circuit, and a laminated wiring portion disposed on the core main surface and a part of the plated metal layer are exposed. A manufacturing method of a multilayer wiring board comprising a colored solder resist having an opening to be disposed and disposed on the laminated wiring part,
The conductor circuit is formed by plating on the interlayer resin insulation layer, and a frame-shaped conductor portion thicker than the conductor circuit is aligned at a position different from the conductor circuit in the plated metal layer. A conductor forming step to be formed as a mark;
A solder resist forming step of forming the colored solder resist covering the conductor circuit and the frame-shaped conductor on the plated metal layer;
A detection step of detecting the frame-shaped conductor portion based on the reflected light of the position detection light irradiated to the frame-shaped conductor portion via the colored solder resist;
Drilled solder resist of the color after conducting alignment with said detected frame-shaped conductor portion as a position reference, see contains a drilling process for forming the opening,
In the solder resist forming step, the thickness of the colored solder resist just above the conductor circuit is made thicker than the thickness of the colored solder resist just above the frame-shaped conductor portion. > A method for producing a multilayer wiring board, characterized by:
前記枠状導体部は平面視で円形のリング状導体部であることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the frame-shaped conductor is a circular ring-shaped conductor in plan view. 前記枠状導体部は前記導体回路より5μm以上厚いことを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the frame-shaped conductor is 5 μm or more thicker than the conductor circuit. 前記導体回路の周辺にある前記有色のソルダーレジストの厚さは10μm以上であり、前記枠状導体部の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さは5μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。   The thickness of the colored solder resist around the conductor circuit is 10 μm or more, and the thickness of the colored solder resist just above the frame-shaped conductor is 5 μm or less. The method for producing a multilayer wiring board according to any one of 1 to 3. 前記導体回路の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さと、前記枠状導体部の直上にある前記有色のソルダーレジストの厚さとの差は、5μm以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。 The difference between the thickness of the colored solder resist immediately above the conductor circuit and the thickness of the colored solder resist directly above the frame-shaped conductor is 5 μm or more. The method for producing a multilayer wiring board according to any one of 1 to 4. 前記枠状導体部の幅は、10μm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。   6. The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein a width of the frame-shaped conductor portion is 10 μm or more. 前記枠状導体部の幅は、50μm以上250μm以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。   7. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the width of the frame-shaped conductor portion is not less than 50 μm and not more than 250 μm. 前記穴あけ工程では、検出された前記枠状導体部を位置基準として用いて位置合わせを行いながら前記有色のソルダーレジスト上に露光用ガラスマスクを配置し、この状態で前記露光用ガラスマスクを介して露光を行い、さらに現像を行うことで、前記有色のソルダーレジストを穴あけし、前記開口部を形成することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。   In the drilling step, an exposure glass mask is disposed on the colored solder resist while performing alignment using the detected frame-shaped conductor portion as a position reference, and in this state, the exposure glass mask is interposed. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the colored solder resist is perforated to form the opening by performing exposure and further development. .
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