JP4863076B2 - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、各種電子機器の配線基板及びその製造方法に関し、さらに詳しくは半導体素子等の電子部品が実装される配線基板において、電極間隔が狭いピッチの電子部品の実装を可能にした配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a wiring board for various electronic devices and a method for manufacturing the same, and more particularly, in a wiring board on which electronic components such as semiconductor elements are mounted, and a wiring board that enables mounting of electronic components with a narrow pitch between electrodes. It relates to the manufacturing method.

近年、電子機器の高性能化及び小型化の要求に伴い、電子回路の高密度化や高機能化が要望されている。そのため、能動素子や受動素子などの電子回路部品を内蔵した配線基板の開発が盛んに行われている(特許文献1参照)。
また、電子機器、特に携帯機器においては、高機能化、高性能化の要求に対して、低コスト化が強く求められている。その対応策として、銅張りガラス布基板や銅張りガラス不織布基板のような安い樹脂材料が用いられ、大きな基板サイズで一連の工程を実行し、そして、配線基板の配線形成方法としては、フォトレジストの一括露光現像を行い、サブストラクティブ法(ウエットエッチング法)で行う方式が用いられている。
In recent years, with the demand for higher performance and smaller size of electronic devices, higher density and higher functionality of electronic circuits have been demanded. For this reason, development of wiring boards incorporating electronic circuit components such as active elements and passive elements has been actively conducted (see Patent Document 1).
Further, in electronic devices, particularly portable devices, cost reduction is strongly demanded in response to demands for higher functionality and higher performance. As a countermeasure, a cheap resin material such as a copper-clad glass cloth substrate or a copper-clad glass nonwoven substrate is used, and a series of processes are executed with a large substrate size. A method of performing the batch exposure development and performing by a subtractive method (wet etching method) is used.

従来の配線基板及びその製造方法について図6を参照して説明する。図6(a)〜(f)は部品内蔵配線基板の製造工程を示す断面図である。
まず、図6(a)に示すように、ガラスエポキシやポリアミド等の絶縁材からなる絶縁層11の両面に銅などの金属膜41を形成する。次いで、図6(b)に示すように、金属膜41を含む絶縁層11にその厚さ方向に貫通するスルーホール用の穴13をドリル等などで形成する。しかる後、この穴13の内壁面に無電解銅メッキまたは電解メッキを施すことにより、図6(c)に示すように、導電層(例えば、絶縁層11の両面に形成される後述の配線間)間を電気的接続するスルーホール19を形成する。
なお、上記絶縁層11は、エポキシ含浸ガラスを1または数枚積層し、その両面に銅箔を形成した、いわゆる銅張りガラス布両面板に限らず、エポキシ含浸ガラス不織布の両面に銅箔を形成した、いわゆる銅張りガラス不織布両面板を用いてもよい。この場合、スルーホール用の穴は、炭酸ガスレーザーやYAGレーザー等で形成し、この穴の内壁面に無電解銅メッキ及び電解メッキを施すことで、スルーホールを形成するようにしてもよい。
A conventional wiring board and a manufacturing method thereof will be described with reference to FIG. 6A to 6F are cross-sectional views showing the manufacturing process of the component built-in wiring board.
First, as shown in FIG. 6A, metal films 41 such as copper are formed on both surfaces of an insulating layer 11 made of an insulating material such as glass epoxy or polyamide. Next, as shown in FIG. 6B, a through-hole 13 that penetrates the insulating layer 11 including the metal film 41 in the thickness direction is formed by a drill or the like. Thereafter, by applying electroless copper plating or electrolytic plating to the inner wall surface of the hole 13, as shown in FIG. 6C, a conductive layer (for example, between the wirings described later formed on both surfaces of the insulating layer 11). ) Through holes 19 are formed for electrical connection therebetween.
The insulating layer 11 is not limited to the so-called copper-clad glass cloth double-sided plate in which one or several epoxy-impregnated glass is laminated and copper foil is formed on both sides thereof, and copper foil is formed on both sides of the epoxy-impregnated glass nonwoven fabric. You may use what is called a copper-clad glass nonwoven fabric double-sided board. In this case, the through hole may be formed by a carbon dioxide laser, a YAG laser, or the like, and electroless copper plating and electrolytic plating are applied to the inner wall surface of the hole.

次に、図6(b)に示す絶縁層11両面の金属膜41の表面に、図示省略した配線用のフォトレジスト(感光性樹脂)を形成した後、このフォトレジストに所望の配線パターンを焼き付けて現像し、図示省略の配線用マスクパターンを形成する。しかる後、この配線用マスクパターンをマスクとして金属膜41をエッチングし、不用になった配線用のフォトレジストを除去する。これにより、絶縁層11の両面に図6(d)に示すような配線10を形成する。
次に、図6(d)に示す絶縁層11両面の配線10の上面に、図示省略した電極形成用のフォトレジストを形成し、このフォトレジストに電子部品実装用の電極を形成するための電極用パターンを焼き付けて現像し、図示省略した電極用マスクを形成する。その後、この電極用マスクを用いて、図6(e)に示すように、電子部品実装箇所の配線10に無電解ニッケルメッキ及び無電解金メッキを施すことで電極3を形成する。その後、不要になった電極用のフォトレジストを除去する。
Next, a wiring photoresist (photosensitive resin) (not shown) is formed on the surface of the metal film 41 on both surfaces of the insulating layer 11 shown in FIG. 6B, and a desired wiring pattern is baked on the photoresist. Then, a wiring mask pattern (not shown) is formed. Thereafter, the metal film 41 is etched using the wiring mask pattern as a mask, and the unnecessary wiring photoresist is removed. Thereby, wirings 10 as shown in FIG. 6D are formed on both surfaces of the insulating layer 11.
Next, a photoresist for electrode formation (not shown) is formed on the upper surface of the wiring 10 on both surfaces of the insulating layer 11 shown in FIG. 6D, and an electrode for forming an electrode for mounting an electronic component on the photoresist. The pattern for printing is printed and developed to form an electrode mask (not shown). Thereafter, as shown in FIG. 6E, the electrode 3 is formed by applying electroless nickel plating and electroless gold plating to the wiring 10 at the electronic component mounting location using the electrode mask. Thereafter, the electrode photoresist that is no longer needed is removed.

次に、図6(f)に示すように、絶縁層11の電子部品実装箇所にNCF(Non.Conductive.Film)等の非導電性接着剤18によりフリップチップ2を装着し、さらに、このフリップチップ2をこれに設けたバンプ1を介して電極3にフェースダウン方式でボンディングする。これにより、フリップチップ2が配線基板に実装される。
特開平6−45763号公報
Next, as shown in FIG. 6 (f), the flip chip 2 is attached to the electronic component mounting portion of the insulating layer 11 with a non-conductive adhesive 18 such as NCF (Non. Conductive Film). The chip 2 is bonded to the electrode 3 through a bump 1 provided on the chip 2 in a face-down manner. As a result, the flip chip 2 is mounted on the wiring board.
JP-A-6-45763

一般的に配線基板に内蔵されるフリップチップ2のバンプ1の径は60μm程度であり、そのバンプピッチは120μm程度であるが、今後、バンプ1の径及びピッチは益々小さくなり、バンプ1の径が30μm以下で、バンプピッチが60μm以下のフリップチップ2も開発され実用化されようとしている。
しかるに、上述したような従来の配線基板において、バンプ径が60μm程度でバンプピッチが120μm程度とする前者(銅張りガラス布両面板)の場合、その絶縁層11の厚さは最小で0.1mm程度であり、配線形成の最小ライン幅/スペース間隔は40μm/40μm、スルーホール径は100μm、ランド径は200μmである。後者(銅張りガラス布織布両面板)の場合は、穴の加工性が良くランド径を小さくできるため、ビアまたはスルーホール径は100μm、ランド径は160μmである。
このような設計ルールにおいて、バンプ径が60μm、バンプピッチが120μm、フリップチップの実装精度が±5μmとすると、配線基板上の電極3のサイズは70μmが必要となり、エッチング加工時のサイドエッチング量を10μmとすると、配線基板に電極3を形成するためのフォトレジストの電極パターンサイズは90μmとなることからフォトレジストの電極パターン間のスペースは30μmであり、しかも、設計ルール(エッチング加工性等)から、フォトレジストの最小スペース幅は20μmであるため、ぎりぎり、配線基板上に所望の電極3を形成することが可能であった。
Generally, the diameter of the bump 1 of the flip chip 2 built in the wiring board is about 60 μm and the bump pitch is about 120 μm. However, the diameter and pitch of the bump 1 will become smaller and smaller in the future. A flip chip 2 having a thickness of 30 μm or less and a bump pitch of 60 μm or less is also being developed and put to practical use.
However, in the case of the former (copper-coated glass cloth double-sided board) in which the bump diameter is about 60 μm and the bump pitch is about 120 μm in the conventional wiring board as described above, the thickness of the insulating layer 11 is at least 0.1 mm. The minimum line width / space interval for wiring formation is 40 μm / 40 μm, the through hole diameter is 100 μm, and the land diameter is 200 μm. In the case of the latter (copper-clad glass cloth woven double-sided board), the hole diameter is good and the land diameter can be reduced, so the via or through hole diameter is 100 μm and the land diameter is 160 μm.
In such a design rule, if the bump diameter is 60 μm, the bump pitch is 120 μm, and the flip chip mounting accuracy is ± 5 μm, the size of the electrode 3 on the wiring board needs to be 70 μm, and the amount of side etching during the etching process is reduced. If the thickness is 10 μm, the electrode pattern size of the photoresist for forming the electrode 3 on the wiring board is 90 μm, so the space between the electrode patterns of the photoresist is 30 μm, and moreover, from the design rule (etching processability, etc.) Since the minimum space width of the photoresist is 20 μm, the desired electrode 3 can be formed on the wiring board.

しかしながら、配線基板両面の導通を図るためには、前記前者の場合では200μm径のランドが、前記後者の場合においては、160μm径のランドが必要になる。このため、従来の配線基板では、全て実装面から放射状に長い配線10を形成し、反対側の面と導通を図る必要があり、その結果、配線基板が大きくなるといった問題があるほか、配線設計の自由度が小さいという問題があり、さらに、他の部品接続の配線長が長くなため電気的特性が悪いという問題があった。
また、配線基板上の電極間スペースが50μm程度と狭いので、設計ルール上、電極間には配線10を形成することが不可能であり、バンプが半導体素子の周辺部以外(例えば中央側)にも存在するフリップチップの場合には、実装が困難であるという問題があった。更に、フリップチップ2のバンプ1の径が50μm、バンプピッチが100μm未満になると、設計ルールから、配線基板上に電極3を形成することが不可能となる。
However, in order to conduct both sides of the wiring board, a land having a diameter of 200 μm is required in the former case, and a land having a diameter of 160 μm is required in the latter case. For this reason, all of the conventional wiring boards need to form long wirings 10 radially from the mounting surface and establish conduction with the opposite surface. As a result, there is a problem that the wiring board becomes large. degrees of freedom there is a problem that is small, further, electric properties for wire length other component connection may turn long is poor.
Further, since the space between the electrodes on the wiring board is as narrow as about 50 μm, it is impossible to form the wiring 10 between the electrodes according to the design rule, and the bumps are not on the periphery of the semiconductor element (for example, at the center side). In the case of existing flip chips, there is a problem that mounting is difficult. Furthermore, when the diameter of the bump 1 of the flip chip 2 is 50 μm and the bump pitch is less than 100 μm, it is impossible to form the electrode 3 on the wiring board from the design rule.

本発明は、上述のような従来の問題を解決するためになされたもので、基板への配線設計の自由度を大きくし、フリップチップ等の電子部品のバンプピッチが狭いピッチになっても、そのバンプに対応する電極を基板上に形成することができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention was made in order to solve the above-described conventional problems, increasing the degree of freedom of wiring design to the substrate, and even if the bump pitch of electronic components such as flip chips is narrow, It is an object of the present invention to provide a wiring board capable of forming electrodes corresponding to the bumps on the substrate and a method for manufacturing the wiring board.

上記の目的を達成するために請求項1の発明は、図1に示すように、電子部品が実装される配線基板であって、絶縁層と、前記絶縁層の厚さ方向の表裏両面にそれぞれ形成された配線とを備え、前記絶縁層の少なくとも一方の面に電子部品実装領域が設けられ、前記電子部品実装領域内に前記電子部品のペリフェラル型の電極がフリップチップ実装により電気的にボンディングされる複数の電極が設けられ、前記電極は、該電極の前記電子部品と接続されるボンディング面を有し、前記ボンディング面は、前記配線の形成に用いられる処理液に耐性のある金属膜で覆われ、かつ前記絶縁層の表面と同一面上に位置して露出しており、前記ボンディング面を除く前記電極の残りの部分は前記絶縁層に埋設されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the invention of claim 1 is a wiring board on which an electronic component is mounted as shown in FIG. 1, and includes an insulating layer and both sides of the insulating layer in the thickness direction. and a wiring formed, the electronic component mounting region provided on at least one surface of the insulating layer, the electronic component mounting region, electrically bonding the electronic component of the peripheral type electrode by flip chip mounting The electrode has a bonding surface connected to the electronic component of the electrode, and the bonding surface is a metal film resistant to a processing liquid used for forming the wiring. It is covered and exposed on the same plane as the surface of the insulating layer, and the remaining portion of the electrode excluding the bonding surface is embedded in the insulating layer.

また、請求項5の発明は配線基板の製造方法であって図2に示すように、金属層の一方の面に接着された絶縁層に、フリップチップ実装による電子部品のペリフェラル型の電極との電気的ボンディング用の電極を形成するための複数の穴を形成する電極パターン成形工程と、前記複数の穴内に位置する前記金属層の面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜を形成した後、前記穴内で前記金属膜上に導体層を形成して前記電子部品ボンディング用の複数の電極を形成する電極形成工程と、前記金属層の予め定められた位置と対向する前記絶縁層の箇所に前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記穴内に前記電極と導通される導電材を設けるとともに前記ビアホール内に前記金属層と導通する導電材を設け、さらに前記穴及び前記ビアホールを含む前記絶縁層の前記金属層と反対の面に導体層を形成する工程と、前記導体層にパターニングを施して配線を形成し、かつ前記金属層にパターニングを施して配線を形成するとともに電子部品が実装される領域の前記金属層を部分的に除去して前記電極の金属膜を前記絶縁層の表面に露出させる工程とを備えることを特徴とする。 The invention of claim 5 is a method of manufacturing a wiring board, as shown in FIG. 2, on one insulating layer adhered to the surface of the metal layer, and the peripheral type electrode of the electronic component by flip chip mounting An electrode pattern forming step for forming a plurality of holes for forming an electrode for electrical bonding, and a metal that is resistant to at least a processing solution used when forming a wiring on the surface of the metal layer located in the plurality of holes After forming the film, an electrode forming step of forming a plurality of electrodes for bonding the electronic component by forming a conductor layer on the metal film in the hole, and facing the predetermined position of the metal layer A via hole forming step for forming a via hole penetrating the insulating layer in a thickness direction at a position of the insulating layer; and a conductive material that is electrically connected to the electrode in the hole, and the via hole in the via hole Providing a conductive material conducting to the metal layer, and further forming a conductor layer on the surface of the insulating layer including the hole and the via hole opposite to the metal layer; and patterning the conductor layer to form a wiring. And patterning the metal layer to form a wiring and partially removing the metal layer in a region where an electronic component is mounted to expose the metal film of the electrode on the surface of the insulating layer. It is characterized by providing.

また、請求項6の発明は配線基板の製造方法であって図3に示すように、金属層の一方の面に接着された絶縁層に、フリップチップ実装による電子部品のペリフェラル型の電極との電気的ボンディング用の電極を形成するための複数の穴を形成する電極パターン成形工程と、前記複数の穴内に位置する前記金属層の面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜を形成した後、前記穴内で前記金属膜上に導体層を形成して前記電子部品ボンディング用の複数の電極を形成する電極形成工程と、前記金属層の予め定められた位置と対向する前記絶縁層の箇所に前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記穴内に前記電極と導通される導電材を設けるとともに前記ビアホール内に前記金属層と導通する導電材を設け、さらに前記穴及び前記ビアホールを含む前記絶縁層の前記金属層と反対の面に導体層を形成する工程と、前記導体層にパターニングを施して配線を形成し、かつ前記金属層にパターニングを施して配線を形成するとともに電子部品が実装される領域の前記金属層を部分的に除去して前記電極の金属膜を前記絶縁層の表面に露出させる工程とを備えることを特徴とする。 The invention of claim 6 is a method of manufacturing a wiring board, as shown in FIG. 3, on one insulating layer adhered to the surface of the metal layer, and the peripheral type electrode of the electronic component by flip chip mounting An electrode pattern forming step for forming a plurality of holes for forming an electrode for electrical bonding, and a metal that is resistant to at least a processing solution used when forming a wiring on the surface of the metal layer located in the plurality of holes After forming the film, an electrode forming step of forming a plurality of electrodes for bonding the electronic component by forming a conductor layer on the metal film in the hole, and facing the predetermined position of the metal layer A via hole forming step for forming a via hole penetrating the insulating layer in a thickness direction at a position of the insulating layer; and a conductive material that is electrically connected to the electrode in the hole, and the via hole in the via hole Providing a conductive material conducting to the metal layer, and further forming a conductor layer on the surface of the insulating layer including the hole and the via hole opposite to the metal layer; and patterning the conductor layer to form a wiring. And patterning the metal layer to form a wiring and partially removing the metal layer in a region where an electronic component is mounted to expose the metal film of the electrode on the surface of the insulating layer. It is characterized by providing.

また、請求項7の発明は配線基板の製造方法であって図4に示すように、金属層の一方の面に、フリップチップ実装による電子部品のペリフェラル型の電極との電気的ボンディング用の電極を形成するための複数の穴を形成する電極パターン成形工程と、前記複数の穴内に位置する前記金属層の面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜を形成した後、前記穴内で前記金属膜上に導体層を形成して前記電子部品ボンディング用の複数の電極を形成する電極形成工程と、前記金属層の予め定められた位置と対向する前記絶縁層の箇所に前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、前記穴内に前記電極と導通される導電材を設けるとともに前記ビアホール内に前記金属層と導通する導電材を設け、さらに前記穴及び前記ビアホールを含む前記絶縁層の前記金属層と反対の面に導体層を形成する工程と、前記導体層にパターニングを施して配線を形成し、かつ前記金属層にパターニングを施して配線を形成するとともに電子部品が実装される領域の前記金属層を部分的に除去して前記電極の金属膜を前記絶縁層の表面に露出させる工程とを備えることを特徴とする。 The invention of claim 7 is a method of manufacturing a wiring board, as shown in FIG. 4, on one surface of the metal layer, for electrical bonding of the peripheral type electrode of the electronic component by flip chip mounting After forming an electrode pattern forming step of forming a plurality of holes for forming an electrode, and a metal film that is resistant to at least a processing liquid used at the time of wiring formation on the surface of the metal layer located in the plurality of holes, An electrode forming step of forming a plurality of electrodes for electronic component bonding by forming a conductor layer on the metal film in the hole, and the insulating layer facing the predetermined position of the metal layer A via hole forming step of forming a via hole penetrating the insulating layer in the thickness direction; a conductive material that is electrically connected to the electrode in the hole; and a conductive material that is electrically connected to the metal layer in the via hole. Forming a conductor layer on a surface opposite to the metal layer of the insulating layer including the hole and the via hole; patterning the conductor layer to form a wiring; and Forming a wiring by patterning and partially removing the metal layer in a region where an electronic component is mounted to expose the metal film of the electrode on the surface of the insulating layer. .

請求項1記載の発明にかかる配線基板によれば、電子部品実装領域内に、電子部品のペリフェラル型の電極がフリップチップ実装により電気的にボンディングされる複数の電極を設け、電子部品のボンディング用電極のボンディング面は、配線の形成に用いられる処理液に耐性のある金属膜で覆われ、かつ該金属膜を絶縁層の表面と同一面上に位置して露出し、さらにボンディング面を除く電極の残りの部分は絶縁層に埋設された構造にしたので、基板への配線設計の自由度が大きくなり、フリップチップ等の電子部品のバンプピッチが狭いピッチになっても、そのバンプに対応する電極を基板上に形成することができる。 According to the wiring board according to the first aspect of the invention, in the electronic component mounting region, a plurality of electrodes are peripheral type electrode of the electronic component are electrically bonded by flip-chip mounting, bonding of the electronic component bonding face of the electrode is covered with a metal film resistant to the processing solution used for formation of the wiring, and the metal film is exposed are located on the same surface as the surface of the insulating layer, further electrodes except a bonding surface Since the remaining part of the structure is embedded in the insulating layer, the degree of freedom in designing the wiring to the substrate is increased, and even if the bump pitch of electronic parts such as flip chips becomes narrow, it corresponds to the bump. An electrode can be formed on the substrate.

また、請求項5、6,7記載の発明にかかる配線基板の製造方法によれば、電子部品ボンディング用電極の金属膜のボンディング面は電子部品実装領域の絶縁層の表面から露出され、この金属膜のボンディング面を除くボンディング用電極の残りの部分は電子部品実装領域の絶縁層に埋没された構造にしたので、基板への配線設計の自由度を大きくし、フリップチップ等の電子部品のバンプピッチが狭いピッチになっても、そのバンプに対応する電極を基板上に形成することができる。
Further, according to the manufacturing method of the wiring substrate according to the invention of claim 5, 6, 7, wherein the bonding surface of the metal film of the electronic component bonding electrode is exposed from the surface of the insulating layer of the electronic component mounting region, the metal The remaining part of the bonding electrode, excluding the bonding surface of the film, is buried in the insulating layer in the electronic component mounting area, which increases the degree of freedom in designing the wiring on the substrate, and bumps for electronic components such as flip chips Even when the pitch is narrow, electrodes corresponding to the bumps can be formed on the substrate.

以下、本発明にかかる配線基板及びその製造方法の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明にかかる配線基板及びその製造方法は、以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。   Embodiments of a wiring board and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The wiring board and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the embodiments described below.

(実施の形態1)
以下、本実施の形態1における配線基板及びフリップチップが内蔵された配線基板について図1を参照して説明する。図1(a)は配線基板の断面図、図1(b)はフリップチップが内蔵された配線基板の断面図であり、図1(c)は配線基板に実装されるフリップチップの側面図である。
配線基板20は、図1(a)に示すように、絶縁層11と、この絶縁層11の厚さ方向の表裏両面にそれぞれ形成された配線10a,10bと、絶縁層11の一方の面に設けられた、電子部品が電気的にボンディングされる複数の電極3とを備え、この電極3が形成された絶縁層11の面には電子部品実装領域Aが形成されている。また、電極3は、その電子部品とのボンディング面3aを有し、このボンディング面3aは絶縁層11の表面に露出し、このボンディング面3aを除く電極3の残りの部分は絶縁層11に埋設されている。すなわち、電極3のボンディング面3aは絶縁層11の露出表面11aと同一面上に位置している。また、電極3のボンディング面3aは、配線10a,10bの形成時に用いられる処理液に耐性のある金等の金属膜7で覆われている。さらに、複数の電極のうちの一部の電極3は、その一部3bが複数の配線のうちの一部の配線10bと重なり合い、かつ面で接するように構成することで、上記一部の配線10bと電気的に接続されている。また、複数の電極のうちの他の一部の電極3は絶縁層11を厚さ方向に貫通するビアホール内に設けた導電材9を介して複数の配線のうちの一部の配線10aに電気的に接続され、かつ、複数の配線のうちの一部の配線10aと10bとの間は、絶縁層11を厚さ方向に貫通するビアホール内に設けた導電材9により電気的に接続されている。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the wiring board and the wiring board incorporating the flip chip according to the first embodiment will be described with reference to FIG. 1A is a cross-sectional view of a wiring board, FIG. 1B is a cross-sectional view of a wiring board in which a flip chip is incorporated, and FIG. 1C is a side view of a flip chip mounted on the wiring board. is there.
As shown in FIG. 1A, the wiring board 20 includes an insulating layer 11, wirings 10 a and 10 b formed on both front and back surfaces in the thickness direction of the insulating layer 11, and one surface of the insulating layer 11. A plurality of electrodes 3 to which electronic components are electrically bonded are provided, and an electronic component mounting area A is formed on the surface of the insulating layer 11 on which the electrodes 3 are formed. The electrode 3 has a bonding surface 3a with the electronic component, the bonding surface 3a is exposed on the surface of the insulating layer 11, and the remaining part of the electrode 3 excluding the bonding surface 3a is embedded in the insulating layer 11. Has been. That is, the bonding surface 3 a of the electrode 3 is located on the same plane as the exposed surface 11 a of the insulating layer 11. Further, the bonding surface 3a of the electrode 3 is covered with a metal film 7 such as gold that is resistant to a processing solution used when forming the wirings 10a and 10b. Further, some of the plurality of electrodes 3 are configured such that a portion 3b of the plurality of electrodes overlaps with and is in contact with a portion of the plurality of wires 10b. 10b is electrically connected. In addition, another part of the electrodes 3 among the plurality of electrodes is electrically connected to a part of the plurality of wirings 10a through the conductive material 9 provided in the via hole penetrating the insulating layer 11 in the thickness direction. In addition, a part of the plurality of wirings 10a and 10b is electrically connected by a conductive material 9 provided in a via hole penetrating the insulating layer 11 in the thickness direction. Yes.

上述のように構成された配線基板20の電子部品実装領域Aには、図1(b)に示すように、非導電性接着剤18によりフリップチップ2が装着され、さらに、このフリップチップ2は、これに設けたバンプ1を介して電極3にフェースダウン方式でボンディングすることにより配線基板20に実装される。また、配線基板20の電子部品実装側の面には絶縁層11Aが積層して接着され、これにより、フリップチップ2が配線基板20に内蔵された構造にする。そして、絶縁層11Aの外表面に形成した一部の配線10Aと配線基板20の一部の配線10bとの間は、絶縁層11Aを厚さ方向に貫通するビアホール内に設けた導電材9Aにより電気的に接続されている。また、配線基板20の電子部品実装側と反対の面には絶縁層11Bが積層して接着され、そして、絶縁層11Bの外表面に形成した一部の配線10Bと配線基板20の一部の配線10aとの間は、絶縁層11Aを厚さ方向に貫通するビアホール内に設けた導電材9Bにより電気的に接続されている。
また、配線基板に実装されるフリップチップ2は、図1(c)に示すように、混成ICなどに使用される半導体チップであり、その表面にはアルミパッドなどの金属膜1aを介して複数のバンプ1が形成されている。
As shown in FIG. 1B, the flip chip 2 is mounted on the electronic component mounting area A of the wiring board 20 configured as described above by a non-conductive adhesive 18, and the flip chip 2 is Then, it is mounted on the wiring substrate 20 by bonding to the electrode 3 through the bumps 1 provided thereon in a face-down manner. In addition, an insulating layer 11A is laminated and bonded to the surface of the wiring board 20 on the electronic component mounting side, so that the flip chip 2 is built in the wiring board 20. Then, between the part of the wiring 10A formed on the outer surface of the insulating layer 11A and the part of the wiring 10b of the wiring substrate 20, a conductive material 9A provided in a via hole penetrating the insulating layer 11A in the thickness direction. Electrically connected. Further, an insulating layer 11B is laminated and bonded to the surface of the wiring board 20 opposite to the electronic component mounting side, and a part of the wiring 10B and a part of the wiring board 20 formed on the outer surface of the insulating layer 11B. The wiring 10a is electrically connected by a conductive material 9B provided in a via hole that penetrates the insulating layer 11A in the thickness direction.
In addition, as shown in FIG. 1C, the flip chip 2 mounted on the wiring board is a semiconductor chip used for a hybrid IC or the like, and a plurality of flip chips 2 are provided on the surface via a metal film 1a such as an aluminum pad. The bump 1 is formed.

このような本実施の形態にかかる配線基板20によれば、電子部品のボンディング用電極3のボンディング面3aは絶縁層11の表面に露出し、このボンディング面3aを除く電極3の残りの部分は絶縁層11に埋設された構造にし、フリップチップ2のバンプ1から最短距離で実装面と反対側の配線10aへ接続できるので、配線基板20への配線設計の自由度が大きくなり、フリップチップのバンプピッチが狭いピッチになっても、そのバンプに対応する電極3を配線基板20上に形成することができる。これにより、電極の配線ルールは、少なくとも20μmピッチ(配線10μm、配線間10μm)が可能であり、絶縁層の反対側の面と導通を図る部分のビアホールを形成する部分の絶縁層の厚さも薄くなることから、ビアホールも小径となり、ランドの大きさも小さくすることが可能となる。このため、配線長が短くなることから、配線基板20を小さくすることが可能となり、また、配線設計の自由度が大きく、他の部品接続の配線長が短くなるため電気的特性が良くなる。更に、従来では不可能であったバンプ径が50μm、バンプピッチが100μm未満のフリップチップを配線基板に実装することが可能となる。   According to the wiring board 20 according to the present embodiment, the bonding surface 3a of the bonding electrode 3 of the electronic component is exposed on the surface of the insulating layer 11, and the remaining part of the electrode 3 excluding the bonding surface 3a is formed. Since the structure is embedded in the insulating layer 11 and can be connected to the wiring 10a on the side opposite to the mounting surface at the shortest distance from the bump 1 of the flip chip 2, the degree of freedom in designing the wiring on the wiring board 20 is increased. Even when the bump pitch is narrow, the electrodes 3 corresponding to the bumps can be formed on the wiring board 20. As a result, the wiring rule of the electrodes can be at least 20 μm pitch (wiring 10 μm, wiring 10 μm), and the thickness of the insulating layer in the portion where the via hole of the portion that conducts with the opposite surface of the insulating layer is also thin. Therefore, the via hole has a small diameter, and the size of the land can be reduced. For this reason, since the wiring length is shortened, the wiring board 20 can be made small, the degree of freedom in wiring design is large, and the wiring length for connecting other components is shortened, so that the electrical characteristics are improved. Further, it becomes possible to mount a flip chip having a bump diameter of 50 μm and a bump pitch of less than 100 μm, which was impossible in the past, on a wiring board.

次に、図2(a)〜(f)を参照して本発明の実施の形態における配線基板の製造方法について説明する。図2(a)〜(f)は本実施の形態における配線基板の製造工程を示す断面図である。
この実施の形態においては、例えば、従来の配線板では実装不可能であった、ペリフェラル(周囲に電極が並ぶ)型の電極3のピッチ80μm(電極50μm角/電極間30μm)、バンプ1の径40μm、バンプ1の高さ35μmのフリップチップ2(図1(c)参照)を実装する配線基板において、図2(a)に示すように、例えば35μmの厚さの銅箔からなる金属層4の一方の面に、粘着材が形成されたペンフィルム(メッキ等で金属層の一方の面を保護する役目と工程中の金属層の支持材としての役目をする、例えばポリエチレンナフタレートフィルム等からなる)またはレジスト5(フォトレジストでも良い)を形成し、さらに、金属層4の他方の面にはフォトレジスト6を形成する。その後、フォトレジスト6に電子部品ボンディング用の電極パターンをパターニングして電子部品ボンディング用の電極を形成するための複数の穴6aを有する電極マスク61を形成する。
Next, a method for manufacturing a wiring board in the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2F are cross-sectional views showing the manufacturing process of the wiring board in the present embodiment.
In this embodiment, for example, the pitch of the peripheral (electrodes arranged around) type electrode 3 is 80 μm (50 μm square electrode / 30 μm between electrodes), and the diameter of the bump 1, which could not be mounted with a conventional wiring board. In a wiring board on which a flip chip 2 (see FIG. 1 (c)) having a thickness of 40 [mu] m and a bump 1 of 35 [mu] m is mounted, as shown in FIG. A pen film with an adhesive material formed on one side of the film (for example, from a polyethylene naphthalate film, which serves to protect one side of the metal layer by plating or the like, and serves as a support for the metal layer in the process) Or a resist 5 (which may be a photoresist), and a photoresist 6 is formed on the other surface of the metal layer 4. Then, an electrode mask 61 having a plurality of holes 6a for forming an electrode for electronic component bonding is formed on the photoresist 6 by patterning an electrode pattern for electronic component bonding.

次に、図2(b)に示すように、電極マスク61の複数の穴6a内に位置する金属層4の露出面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜7、例えば塩化第2銅液に耐性のある金を電解メッキ法により0.1μm程度の厚さに形成し、しかる後、この金属膜7の上面に電解メッキ法により導体層を形成して、電子部品ボンディング用の複数の電極3を形成する。この電極3は、例えば、ニッケルを電解メッキ法により3μmの程度の厚さに形成した後、その上面に、銅を電解メッキ法により20μm程度の厚さ(レーザー耐性上、10μm厚以上が望ましい)に形成することで構成される。   Next, as shown in FIG. 2B, a metal film 7 that is resistant to at least a processing solution used when forming wiring on the exposed surface of the metal layer 4 located in the plurality of holes 6a of the electrode mask 61, for example, chloride Gold having resistance to the second copper solution is formed to a thickness of about 0.1 μm by the electrolytic plating method, and then a conductor layer is formed on the upper surface of the metal film 7 by the electrolytic plating method. The plurality of electrodes 3 are formed. For example, after forming nickel to a thickness of about 3 μm by electrolytic plating, the electrode 3 has a thickness of about 20 μm on the upper surface by electrolytic plating (preferably 10 μm or more in terms of laser resistance). It is comprised by forming in.

次に、図2(b)に示す電極マスク61及びレジスト5を除去した後、図2(c)に示すように、電極3の表面及び金属層4の表面にプリプレグ(エポキシ系ガラス不織布など)からなる絶縁層11を加熱プレスで接着する。この場合、絶縁層11の金属層4と反対の面に図示しないテフロン(登録商標)シート(金属箔等でも良い)を接着しておく。
次いで、上記図示しないテフロン(登録商標)シートを剥がした後、図2(d)に示すように、複数の電極のうちの一部の電極3と対向する絶縁層11の箇所及び金属層4の予め定められた位置と対向する絶縁層11の箇所に絶縁層11を厚さ方向に貫通するビアホール12を炭酸ガスレーザー等でそれぞれ形成する。
Next, after removing the electrode mask 61 and the resist 5 shown in FIG. 2 (b), as shown in FIG. 2 (c), a prepreg (such as an epoxy-based glass nonwoven fabric) is formed on the surface of the electrode 3 and the surface of the metal layer 4. The insulating layer 11 made of is bonded with a hot press. In this case, a Teflon (registered trademark) sheet (not shown) may be bonded to the surface of the insulating layer 11 opposite to the metal layer 4.
Next, after peeling off the Teflon (registered trademark) sheet (not shown), as shown in FIG. 2 (d), the portion of the insulating layer 11 facing the part of the electrodes 3 of the plurality of electrodes and the metal layer 4 Via holes 12 penetrating the insulating layer 11 in the thickness direction are formed at locations of the insulating layer 11 facing a predetermined position by a carbon dioxide gas laser or the like.

次に、図2(e)に示すように、金属層4の表面を図示しないレジスト等で保護した状態で、無電解メッキまたは電解メッキ法により、各ビアホール12内に複数の電極のうちの一部の電極3もしくは金属層4の予め定められた位置と導通する導電材9を析出するとともに、この導電材9の上面を含む絶縁層11の金属層4と反対の面に導体層8を形成する。その後、導体層8に配線用のパターニングを施し、かつ塩化第2銅液等を用いてエッチングすることにより配線10aを形成し、さらに、金属層4に配線用のパターニングを施し、かつ塩化第2銅液等を用いてエッチングすることで配線10bを形成するとともに金属層4を部分的に除去して絶縁層11の表面が露出する電子部品実装領域Aを形成し、この電子部品実装領域A内に位置する電極3の金属膜7は電気部品のボンディング面となり、このボンディング面は絶縁層11の露出表面11aに露出させる。この場合、ボンディング面を除く電極3の残りの部分は絶縁層11に埋設され、そして、その金属膜7の表面は絶縁層11の露出表面11aと同一面上に位置している。さらに、複数の電極のうちの一部の電極3は、その一部3bが複数の配線のうちの一部の配線10bと重なり合い、かつ面で接するように構成することで、複数の電極のうちの一部の配線10bと電気的に接続される。このような製造工程を経ることにより、配線基板を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 2E, one of a plurality of electrodes is formed in each via hole 12 by electroless plating or electrolytic plating while the surface of the metal layer 4 is protected by a resist or the like (not shown). The conductive material 9 that is electrically connected to a predetermined position of the electrode 3 or the metal layer 4 is deposited, and the conductor layer 8 is formed on the surface of the insulating layer 11 including the upper surface of the conductive material 9 opposite to the metal layer 4. To do. Thereafter, the conductor layer 8 is patterned for wiring and etched using a cupric chloride solution or the like to form the wiring 10a. Further, the metal layer 4 is patterned for wiring, and the second chloride is added. Etching using a copper solution or the like forms the wiring 10b and partially removes the metal layer 4 to form an electronic component mounting area A where the surface of the insulating layer 11 is exposed. The metal film 7 of the electrode 3 located on the surface serves as a bonding surface of the electrical component, and this bonding surface is exposed on the exposed surface 11 a of the insulating layer 11. In this case, the remaining part of the electrode 3 excluding the bonding surface is buried in the insulating layer 11, and the surface of the metal film 7 is located on the same plane as the exposed surface 11 a of the insulating layer 11. Furthermore, a part of the plurality of electrodes 3 is configured such that a part 3b thereof overlaps with a part of the plurality of wirings 10b and is in contact with the surface. Are electrically connected to a part of the wiring 10b. A wiring board can be obtained through such a manufacturing process.

ここで、層間の接続を行う方法として、電極3にビアホールの導電材9を直接形成してもよく、また、電極3から放射状や内側へ伸びる配線を設けて、その配線の先端にビアホール用の導電材9が形成されるランドを設けてもよい。このとき、後工程で形成された配線と複数の電極のうちの一部は、重なって接続されている。更に、プリップチップ2の中央側にバンプ1がある場合は、電極3間に例えば、上記30μmの電極3間に10μm幅の配線10を形成しても良く、自由に設計できる。また、フリップチップ2の接続方法により、絶縁層11の露出表面11aよりも電極3の表面を低くする場合は、例えば、上述した金メッキで金属膜7を形成する前に、配線形成時に用いられる処理液に耐性のない導電層、例えば、数μm程度の電解銅メッキを行う。   Here, as a method for connecting between the layers, the conductive material 9 for the via hole may be directly formed on the electrode 3, and a wiring extending radially or inward from the electrode 3 is provided, and the via hole is formed at the tip of the wiring. A land on which the conductive material 9 is formed may be provided. At this time, the wiring formed in the subsequent process and a part of the plurality of electrodes are overlapped and connected. Further, when the bump 1 is present at the center side of the plip chip 2, for example, a wiring 10 having a width of 10 μm may be formed between the electrodes 3 of 30 μm, and the design can be freely made. Further, when the surface of the electrode 3 is made lower than the exposed surface 11a of the insulating layer 11 by the connection method of the flip chip 2, for example, before the metal film 7 is formed by the gold plating described above, a process used at the time of wiring formation Conductive layers not resistant to the liquid, for example, electrolytic copper plating of about several μm are performed.

このような本実施の形態に示す製造方法により製作された配線基板によれば、電子部品ボンディング用電極3の金属膜7のボンディング面は電子部品実装領域Aの絶縁層11の露出表面11aから露出され、この金属膜7のボンディング面を除く電極3の残りの部分は電子部品実装領域Aの絶縁層11に埋没状態に設けられる構造にしたので、配線基板への配線設計の自由度を大きくし、フリップチップなどの電子部品のバンプピッチが狭いピッチになっても、そのバンプに対応する電極を配線基板上に形成することができる。これにより、電極の配線ルールは、少なくとも20μmピッチ(配線10μm、配線間10μm)が可能であり、絶縁層の反対側の面と導通を図る部分のビアホールを形成する部分の絶縁層の厚さも薄くなることから、ビアホールも小径となり、ランドの大きさも小さくすることが可能となる。このため、配線長が短くなることから、配線基板を小さくすることが可能となり、また、配線設計の自由度が大きく、他の部品接続の配線長が短くなるため電気的特性が良くなる。更に、従来では不可能であったバンプ径が50μm、バンプピッチが100μm未満のフリップチップを配線基板に実装することが可能となる。   According to the wiring board manufactured by the manufacturing method shown in this embodiment, the bonding surface of the metal film 7 of the electronic component bonding electrode 3 is exposed from the exposed surface 11a of the insulating layer 11 in the electronic component mounting region A. In addition, since the remaining part of the electrode 3 except for the bonding surface of the metal film 7 is provided in a buried state in the insulating layer 11 in the electronic component mounting area A, the degree of freedom in designing the wiring on the wiring board is increased. Even when the bump pitch of an electronic component such as a flip chip is narrow, electrodes corresponding to the bump can be formed on the wiring board. As a result, the wiring rule of the electrodes can be at least 20 μm pitch (wiring 10 μm, wiring 10 μm), and the thickness of the insulating layer in the portion where the via hole of the portion that conducts with the opposite surface of the insulating layer is also thin. Therefore, the via hole has a small diameter, and the size of the land can be reduced. For this reason, since the wiring length is shortened, the wiring board can be made smaller, the degree of freedom in wiring design is large, and the wiring length for connecting other components is shortened, so that the electrical characteristics are improved. Further, it becomes possible to mount a flip chip having a bump diameter of 50 μm and a bump pitch of less than 100 μm, which was impossible in the past, on a wiring board.

次に、図3(a)〜(e)を参照して本発明の他の実施の形態における配線基板の製造方法について説明する。図3(a)〜(e)は他の実施の形態における配線基板の製造工程を示す断面図である。
まず、図3(a)に示すように、例えば35μm厚さの銅箔からなる金属層4の一方の面にプリプレグ(エポキシ系ガラス不織布など)からなる絶縁層11を加熱プレスで接着する。この場合、絶縁層11の金属層4と反対の面に図示しないテフロン(登録商標)シート(金属箔等でも良い)をラミネートしておく。
Next, a method for manufacturing a wiring board in another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIGS. 3A to 3E are cross-sectional views showing a manufacturing process of a wiring board in another embodiment.
First, as shown in FIG. 3A, an insulating layer 11 made of prepreg (epoxy glass nonwoven fabric or the like) is bonded to one surface of a metal layer 4 made of, for example, a 35 μm thick copper foil by a hot press. In this case, a Teflon (registered trademark) sheet (not shown) may be laminated on the surface of the insulating layer 11 opposite to the metal layer 4.

次に、上記図示しないテフロン(登録商標)シートを剥がした後、図3(b)に示すように、絶縁層11を厚さ方向に貫通して金属層4に達する、電子部品ボンディング用電極を形成するための複数の穴13を炭酸ガスレーザー等で形成する(特許請求の範囲に記載した電極パターン成形工程に相当する)。
次いで、複数の穴13内に位置する金属層4の露出面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜7、例えば塩化第2銅液に耐性のある金を電解メッキ法により0.1μm程度の厚さに形成し、しかる後、この金属膜7の上面に電解メッキ法により導体層を形成して、電子部品ボンディング用の電極3を形成する。この電極3は、例えば、ニッケルを電解メッキ法により3μmの程度の厚さに形成した後、その上面に、銅を電解メッキ法により20μm程度の厚さに形成することで構成される。その後、金属層4の所定の位置と対向する絶縁層11の箇所に絶縁層11を厚さ方向に貫通するビアホール12を炭酸ガスレーザー等で形成する。
Next, after peeling off the Teflon (registered trademark) sheet (not shown), as shown in FIG. 3B, an electrode for bonding electronic parts that reaches the metal layer 4 through the insulating layer 11 in the thickness direction is formed. A plurality of holes 13 for forming are formed by a carbon dioxide laser or the like (corresponding to the electrode pattern forming step described in the claims).
Next, a metal film 7 that is resistant to at least a processing solution used when forming the wiring on the exposed surface of the metal layer 4 located in the plurality of holes 13, for example, gold that is resistant to cupric chloride solution is formed by electrolytic plating. Then, a conductive layer is formed on the upper surface of the metal film 7 by electrolytic plating to form an electrode 3 for electronic component bonding. The electrode 3 is formed, for example, by forming nickel to a thickness of about 3 μm by electrolytic plating and then forming copper on the upper surface thereof to a thickness of about 20 μm by electrolytic plating. Thereafter, a via hole 12 that penetrates the insulating layer 11 in the thickness direction is formed at a location of the insulating layer 11 facing a predetermined position of the metal layer 4 by a carbon dioxide laser or the like.

次に、金属層4の表面を図示しないレジスト等で保護した状態で、無電解メッキ及び電解メッキ法により、各穴13内に電極3と導通される導電材81を析出し、さらに、ビアホール12内に金属層4の予め定められた位置と導通する導電材82を析出するとともに、この導電材81,82の上面を含む絶縁層11の金属層4と反対の面に導体層8を形成する。その後、導体層8に配線用のパターニングを施し、かつ塩化第2銅液等を用いてエッチングすることで配線10aを形成する。さらに、金属層4に配線用のパターニングを施し、かつ塩化第2銅液等を用いてエッチングすることで配線10bを形成するとともに、金属層4を部分的に除去して絶縁層11の表面が露出される電子部品実装領域Aを形成し、この電子部品実装領域A内に位置する電極3の金属膜7は電気部品のボンディング面となり、このボンディング面は絶縁層11の露出表面11aに露出させる。この場合、ボンディング面を除く電極3の残りの部分は絶縁層11に埋設され、そして、その金属膜7の表面は絶縁層11の露出表面11aと同一面上に位置している。さらに、複数の電極のうちの一部の電極3は、その一部3bが複数の配線のうちの一部の配線10bと重なり合い、かつ面で接するように構成することで、複数の電極のうちの一部の配線10bと電気的に接続される。このような製造工程を経ることにより、配線基板を得ることができる。   Next, in a state where the surface of the metal layer 4 is protected with a resist or the like (not shown), a conductive material 81 that is electrically connected to the electrode 3 is deposited in each hole 13 by electroless plating and electrolytic plating. A conductive material 82 that is electrically connected to a predetermined position of the metal layer 4 is deposited therein, and a conductor layer 8 is formed on the surface of the insulating layer 11 that includes the upper surfaces of the conductive materials 81 and 82 and is opposite to the metal layer 4. . Thereafter, the conductor layer 8 is subjected to patterning for wiring and etched using a cupric chloride solution or the like to form the wiring 10a. Further, the metal layer 4 is patterned for wiring and etched using a cupric chloride solution or the like to form the wiring 10b, and the metal layer 4 is partially removed so that the surface of the insulating layer 11 is An exposed electronic component mounting region A is formed, and the metal film 7 of the electrode 3 located in the electronic component mounting region A becomes a bonding surface of the electric component, and this bonding surface is exposed to the exposed surface 11a of the insulating layer 11. . In this case, the remaining part of the electrode 3 excluding the bonding surface is buried in the insulating layer 11, and the surface of the metal film 7 is located on the same plane as the exposed surface 11 a of the insulating layer 11. Furthermore, a part of the plurality of electrodes 3 is configured such that a part 3b thereof overlaps with a part of the plurality of wirings 10b and is in contact with the surface. Are electrically connected to a part of the wiring 10b. A wiring board can be obtained through such a manufacturing process.

このような他の実施の形態に示す製造方法により製作された配線基板によれば、上記図2に示す実施の形態と同様に、電子部品ボンディング用電極3の金属膜7のボンディング面は電子部品実装領域Aの絶縁層11の露出表面11aから露出され、この金属膜7のボンディング面を除く電極3の残りの部分は電子部品実装領域Aの絶縁層11に埋没状態に設けられる構造にしたので、配線基板への配線設計の自由度を大きくし、フリップチップなどの電子部品のバンプピッチが狭いピッチになっても、そのバンプに対応する電極を配線基板上に形成することができる。   According to the wiring board manufactured by the manufacturing method shown in the other embodiment, the bonding surface of the metal film 7 of the electronic component bonding electrode 3 is the electronic component as in the embodiment shown in FIG. Since it is exposed from the exposed surface 11a of the insulating layer 11 in the mounting area A, and the remaining portion of the electrode 3 excluding the bonding surface of the metal film 7 is provided in a buried state in the insulating layer 11 in the electronic component mounting area A. The degree of freedom in designing the wiring on the wiring board can be increased, and even when the bump pitch of electronic components such as flip chips becomes narrow, electrodes corresponding to the bumps can be formed on the wiring board.

次に、図4(a)〜(d)を参照して本発明の更に他の実施の形態における配線基板の製造方法について説明する。図4(a)〜(d)は更に他の実施の形態における配線基板の製造工程を示す断面図である。
まず、図2(a),(b)に示すように、例えば35μm厚さの銅箔からなる金属層4の一方の面に、粘着材が形成されたペンフィルム(例えばポリエチレンナフタレートフィルム等からなる)またはレジスト5(フォトレジストでも良い)を形成し、さらに、金属層4の他方の面にはフォトレジスト6を形成する。その後、フォトレジスト6に電子部品ボンディング用の電極パターンをパターニングして電子部品ボンディング用の電極を形成するための複数の穴6aを有する電極マスク61を形成する。そして、電極マスク61の穴6a内に位置する金属層4の露出面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜7、例えば塩化第2銅液に耐性のある金を電解メッキ法により0.1μm程度の厚さに形成し、しかる後、この金属膜7の上面に電解メッキ法により導体層を形成して、電子部品ボンディング用の複数の電極3を形成する。
Next, a method for manufacturing a wiring board in still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views showing a manufacturing process of a wiring board in still another embodiment.
First, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), a pen film (for example, a polyethylene naphthalate film) in which an adhesive material is formed on one surface of a metal layer 4 made of a copper foil having a thickness of 35 μm, for example. Or a resist 5 (which may be a photoresist), and a photoresist 6 is formed on the other surface of the metal layer 4. Then, an electrode mask 61 having a plurality of holes 6a for forming an electrode for electronic component bonding is formed on the photoresist 6 by patterning an electrode pattern for electronic component bonding. Then, a metal film 7 that is resistant to at least a processing solution used when forming the wiring on the exposed surface of the metal layer 4 located in the hole 6a of the electrode mask 61, for example, gold that is resistant to a cupric chloride solution is electroplated. Then, a conductive layer is formed on the upper surface of the metal film 7 by electrolytic plating to form a plurality of electrodes 3 for electronic component bonding.

次に、上記図2(a),(b)に示す工程を経て電極3を形成した後の金属層4を1対用意し、これら金属層4から電極マスクを除去した後の1対の金属層4を、図4(a)に示すように、金属層4の電極形成面側同士が向き合うようにプリプレグ(エポキシ系ガラス不織布等)からなる絶縁層111を介して積層し、次いで、これらを上下両面から加熱加圧して、図4(b)に示すように接着する。これにより、電極3は絶縁層111内に埋設された状態になる。
次に、図4(c)に示すように、互いに接着された上部側の金属層4の所定の箇所から絶縁層111を厚さ方向に貫通して下部側の金属層4に達するビアホール12と、上部側の金属層4の予め定められた箇所から絶縁層111を厚さ方向に貫通して下部側の金属層4の複数の電極のうちの一部の電極3に達するビアホール12とをそれぞれ形成し、これらビアホール12内に銅ペースト等を埋め込み、この銅ペーストを硬化させることで導電材15を形成する。
Next, a pair of metal layers 4 after the electrodes 3 are formed through the steps shown in FIGS. 2A and 2B are prepared, and a pair of metals after the electrode mask is removed from the metal layers 4. As shown in FIG. 4A, the layer 4 is laminated via an insulating layer 111 made of a prepreg (epoxy glass nonwoven fabric or the like) so that the electrode forming surfaces of the metal layer 4 face each other. It heat-presses from both upper and lower surfaces, and it adhere | attaches as shown in FIG.4 (b). As a result, the electrode 3 is embedded in the insulating layer 111.
Next, as shown in FIG. 4 (c), via holes 12 that penetrate the insulating layer 111 in a thickness direction from predetermined locations of the upper metal layer 4 bonded to each other and reach the lower metal layer 4; Via holes 12 that penetrate through the insulating layer 111 from predetermined locations of the upper metal layer 4 in the thickness direction and reach some of the plurality of electrodes 3 of the lower metal layer 4 respectively. The conductive material 15 is formed by filling the via holes 12 with copper paste or the like and curing the copper paste.

次に、図4(d)に示すように、上部側の金属層4に配線用のパターニングを施し、かつ塩化第2銅液等を用いてエッチングすることにより配線10aを形成するとともに、一部の金属層4を部分的に除去して絶縁層111の表面が露出される電子部品実装領域Aを形成し、この電子部品実装領域A内に位置する電極3の金属膜7を絶縁層111の露出表面111aに露出させる。さらに、下部側の金属層4に配線用のパターニングを施し、かつ塩化第2銅液等を用いてエッチングすることで配線10bを形成するとともに、金属層4を部分的に除去して絶縁層111の表面が露出される電子部品実装領域Bを形成し、この電子部品実装領域B内に位置する電極3の金属膜7を絶縁層111の露出表面111aに露出させる。この場合、電極3のボンディング面となる金属膜7の表面は絶縁層111の露出表面111aから露出され、かつ絶縁層111の露出表面111aと同一面上に位置する。また、電極3のボンディング面を除く電極3の残りの部分は絶縁層111に埋設される。さらに、複数の電極のうちの一部の電極3は、その一部3bが複数の配線のうちの一部の配線10bと重なり合い、かつ面で接するように構成することで、複数の配線のうちの一部の配線10bと電気的に接続される。このような製造工程を経ることにより、両面に電子部品を実装できる配線基板を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 4D, the upper metal layer 4 is patterned for wiring, and etched using a cupric chloride solution or the like to form the wiring 10a and partially The metal layer 4 is partially removed to form an electronic component mounting area A where the surface of the insulating layer 111 is exposed, and the metal film 7 of the electrode 3 located in the electronic component mounting area A is formed on the insulating layer 111. Exposed on the exposed surface 111a. Further, the metal layer 4 on the lower side is patterned for wiring and etched using a cupric chloride solution or the like to form the wiring 10b, and the metal layer 4 is partially removed to remove the insulating layer 111. The electronic component mounting region B where the surface of the insulating layer 111 is exposed is formed, and the metal film 7 of the electrode 3 located in the electronic component mounting region B is exposed to the exposed surface 111a of the insulating layer 111. In this case, the surface of the metal film 7 serving as the bonding surface of the electrode 3 is exposed from the exposed surface 111 a of the insulating layer 111 and is located on the same plane as the exposed surface 111 a of the insulating layer 111. Further, the remaining part of the electrode 3 excluding the bonding surface of the electrode 3 is embedded in the insulating layer 111. Furthermore, some of the electrodes 3 of the plurality of electrodes are configured such that a part 3b of the plurality of wires overlaps and contacts a part of the wires 10b of the plurality of wires. Are electrically connected to a part of the wiring 10b. Through such a manufacturing process, a wiring board on which electronic components can be mounted on both sides can be obtained.

このような更に他の実施の形態に示す製造方法により製作された配線基板によれば、上記図2に示す実施の形態と同様に、電子部品ボンディング用電極3の金属膜7のボンディング面は電子部品実装領域A、Bの絶縁層111の露出表面111aから露出され、この金属膜7のボンディング面を除く電極3の残りの部分は電子部品実装領域A、Bの絶縁層111に埋没状態に設けられる構造にしたので、配線基板への配線設計の自由度を大きくし、フリップチップなどの電子部品のバンプピッチが狭いピッチになっても、そのバンプに対応する電極を配線基板上に形成することができる。   According to the wiring board manufactured by such a manufacturing method shown in another embodiment, the bonding surface of the metal film 7 of the electronic component bonding electrode 3 is an electron as in the embodiment shown in FIG. The remaining part of the electrode 3 excluding the bonding surface of the metal film 7 is exposed in the insulating layer 111 in the component mounting areas A and B, and is buried in the insulating layer 111 in the electronic component mounting areas A and B. The design of the wiring board has increased flexibility in wiring design, and even if the bump pitch of electronic components such as flip chips becomes narrow, electrodes corresponding to the bumps should be formed on the wiring board. Can do.

(実施例1)
次に、本発明の実施例1について図5(a)〜(g)を参照して説明する。なお、図5(b)は図5(c)のA−A'線に沿う断面図である。
まず、図5(a)に示すように、35μm厚さの銅箔411の一方の面に、配線形成に耐性のあるペンフィルム16(ポリエチレンナフタレートフィルム)の粘着材面を接着し、銅箔411の他方の面には解像度が20μm、厚さが25μmのメッキ液耐性のあるフォトレジスト6を形成し、所望の露光現像を行うことで、図5(a)及び(c)に示すようなフリップチップ実装用の電極3(電極50μm角/電極間30μm)を形成するための穴6a及び電極3に連なって放射状にまたは電極3群の内側に伸びる配線形成用の穴6bを有する電極マスク61を設ける。次に、穴6a,6b内に位置する銅箔411の表面に、図5(b)に示すように、配線形成に用いられる塩化第2銅液に耐性のある金71を電解メッキ法により0.1μm程度の厚さに形成し、さらに、金71の表面にニッケルを3μm程度の厚さに電解メッキするとともに、このニッケルの上面に銅を20μm程度の厚さに電解メッキして電極3を形成した。
Example 1
Next, Example 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
First, as shown in FIG. 5A, an adhesive material surface of a pen film 16 (polyethylene naphthalate film) resistant to wiring formation is bonded to one surface of a 35 μm-thick copper foil 411 to obtain a copper foil. On the other surface of 411, a plating solution resistant photoresist 6 having a resolution of 20 μm and a thickness of 25 μm is formed, and a desired exposure and development is carried out, as shown in FIGS. 5A and 5C. Electrode mask 61 having holes 6a for forming flip-chip mounting electrodes 3 (electrodes 50 μm square / 30 μm between electrodes) and wiring forming holes 6b extending radially inward from the electrodes 3 and extending inside the electrode 3 group. Is provided. Next, on the surface of the copper foil 411 located in the holes 6a and 6b, as shown in FIG. 5 (b), gold 71 which is resistant to the cupric chloride solution used for wiring formation is electroplated to 0. Further, the electrode 3 is formed by electroplating nickel on the surface of the gold 71 to a thickness of about 3 μm and electrolytically plating copper on the upper surface of the nickel to a thickness of about 20 μm. Formed.

次に、図5(b)に示す電極マスク61を剥離した後、図示省略のテフロン(登録商標)シートをラミネートした厚さ0.1mmのプリプレグ(エポキシ系ガラス不織布)111を図5(d)に示すように銅箔411の電極面側に積層し、最高加熱温度175℃で、2時間程度加熱プレスしてプリプレグ111を電極3及び銅箔411に接着させた。次に、上記テフロン(登録商標)シートを剥がし、図5(d)に示すように、炭酸ガスレーザーで、所望のビアホール12を形成した。その後、図5(e)に示すように無電解メッキ及び電解メッキ法により、ビアホール12内に銅からなる導電材9を析出させるとともに、この導電材9の表面とプリプレグ111表面に、35μm程度の厚さの銅を析出させて導電層8を形成した。次いで、ペンフィルム16を剥がした後、銅箔411の外表面及び導電材9の外表面に配線形成用のフォトレジスト(図示せず)を形成し、露光現像を行い、所望の配線パターンを形成した(図示せず)。   Next, after peeling the electrode mask 61 shown in FIG. 5 (b), a prepreg (epoxy glass nonwoven fabric) 111 having a thickness of 0.1 mm laminated with a Teflon (registered trademark) sheet (not shown) is formed in FIG. 5 (d). As shown in FIG. 4, the laminate was laminated on the electrode surface side of the copper foil 411 and heated and pressed at a maximum heating temperature of 175 ° C. for about 2 hours to adhere the prepreg 111 to the electrode 3 and the copper foil 411. Next, the Teflon (registered trademark) sheet was peeled off, and a desired via hole 12 was formed with a carbon dioxide gas laser as shown in FIG. Thereafter, as shown in FIG. 5 (e), a conductive material 9 made of copper is deposited in the via hole 12 by electroless plating and electrolytic plating, and about 35 μm is formed on the surface of the conductive material 9 and the surface of the prepreg 111. A conductive layer 8 was formed by depositing a thickness of copper. Next, after the pen film 16 is peeled off, a photoresist for wiring formation (not shown) is formed on the outer surface of the copper foil 411 and the outer surface of the conductive material 9, and exposure and development are performed to form a desired wiring pattern. (Not shown).

次に、上記配線パターンをマスクとして塩化第2銅液を用いて、導電材9及び銅箔411をエッチングし、図5(f)に示すように基板の表裏両面に配線10a,10bをそれぞれ形成すると同時に、銅箔411を部分的に除去して、フリップチップ2等が実装される電子部品実装領域Aを形成し、この電子部品実装領域A内に位置する金71の表面を部品のボンディング面として露出させる。そして、フォトレジストを剥離することで、本発明によるフリップチップ2等が実装される内層基板である配線基板を作製した。
次いで、半田ペーストを所望の電極3上に印刷し、キャパシタや抵抗等のチップを接着して、リフロー実装した。次いで、図5(g)に示すように、ペリフェラル(周囲に電極が並ぶ)型の電極のピッチを80μm(電極50μm角/電極間30μm)、金スタッドバンプ1の径を40μm、バンプ1の高さを35μmとするフリップチップ2を非導電性接着剤18等を介して所望の電極3に実装した。次いで、積層等の残された一連の配線基板の製造工程を行うことで、本発明の部品内蔵配線基板を作製した。
Next, the conductive material 9 and the copper foil 411 are etched using cupric chloride solution with the wiring pattern as a mask, and wirings 10a and 10b are formed on both the front and back surfaces of the substrate as shown in FIG. 5 (f). At the same time, the copper foil 411 is partially removed to form an electronic component mounting area A on which the flip chip 2 and the like are mounted, and the surface of the gold 71 positioned in the electronic component mounting area A is bonded to the component bonding surface. Expose as. Then, by peeling off the photoresist, a wiring substrate, which is an inner layer substrate on which the flip chip 2 or the like according to the present invention is mounted, was produced.
Next, a solder paste was printed on the desired electrode 3, and a chip such as a capacitor or a resistor was adhered, followed by reflow mounting. Next, as shown in FIG. 5 (g), the pitch of the peripheral type electrode is 80 μm (50 μm square electrode / 30 μm between electrodes), the diameter of the gold stud bump 1 is 40 μm, and the bump 1 height is high. The flip chip 2 having a thickness of 35 μm was mounted on a desired electrode 3 via a non-conductive adhesive 18 or the like. Subsequently, the manufacturing process of a series of remaining wiring boards, such as lamination, was performed to produce the component built-in wiring board of the present invention.

なお、本発明の配線基板の製造方法は、携帯機器等の配線基板の小型化や電気的特性を向上させるといった、能動素子や受動素子を内蔵する配線基板の製造に利用でき、特に、電極ピッチの狭ピッチ化に対応した半導体素子の表面実装や基板への内蔵を可能とする。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention can be used for manufacturing a wiring board containing an active element or a passive element, such as miniaturization of a wiring board for a portable device or the like, and improvement of electrical characteristics. It is possible to mount the semiconductor element corresponding to the narrow pitch of the surface and to be embedded in the substrate.

(a)は本発明の実施の形態1における配線基板の断面図、(b)は本発明の実施の形態1におけるフリップチップが内蔵された配線基板の断面図、(c)は本発明の実施の形態1における配線基板に実装されるフリップチップの側面図である。(A) is a cross-sectional view of the wiring board in the first embodiment of the present invention, (b) is a cross-sectional view of the wiring board in which the flip chip is embedded in the first embodiment of the present invention, and (c) is an embodiment of the present invention. It is a side view of the flip chip mounted in the wiring board in the form 1. 本発明の実施の形態における配線基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the wiring board in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における他の例を示す配線基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the wiring board which shows the other example in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における更に他の例を示す配線基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the wiring board which shows the other example in embodiment of this invention. 本発明の実施例における配線基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the wiring board in the Example of this invention. 従来における配線基板の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the wiring board in the past.

符号の説明Explanation of symbols

1……バンプ、2……フリップチップ、3……電極、4……金属層、41……銅箔、5……レジスト、6……フォトレジスト、6a,6b……穴、61……電極マスク、7……金属膜、71……金、8……導体層、81,82……導電材、9……導電材、10a,10b……配線、11……絶縁層、11a……露出面、111……プリプレグ、12……ビアホール、13……穴、15……導電材、16……ペンフィルム、17……ランド、18……非導電性接着剤、A,B……電子部品実装領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Bump, 2 ... Flip chip, 3 ... Electrode, 4 ... Metal layer, 41 ... Copper foil, 5 ... Resist, 6 ... Photoresist, 6a, 6b ... Hole, 61 ... Electrode Mask, 7 ... Metal film, 71 ... Gold, 8 ... Conductor layer, 81, 82 ... Conductive material, 9 ... Conductive material, 10a, 10b ... Wiring, 11 ... Insulating layer, 11a ... Exposed Surface 111, prepreg, 12 ... via hole, 13 ... hole, 15 ... conductive material, 16 ... pen film, 17 ... land, 18 ... non-conductive adhesive, A, B ... electronic components Mounting area.

Claims (7)

電子部品が実装される配線基板であって、
絶縁層と、
前記絶縁層の厚さ方向の表裏両面にそれぞれ形成された配線とを備え、
前記絶縁層の少なくとも一方の面に電子部品実装領域が設けられ、
前記電子部品実装領域内に前記電子部品のペリフェラル型の電極がフリップチップ実装により電気的にボンディングされる複数の電極が設けられ、
前記電極は、該電極の前記電子部品と接続されるボンディング面を有し、
前記ボンディング面は、前記配線の形成に用いられる処理液に耐性のある金属膜で覆われ、かつ該ボンディング面は前記絶縁層の表面と同一面上に位置して露出しており、前記ボンディング面を除く前記電極の残りの部分は前記絶縁層に埋設されている、
ことを特徴とする配線基板。
A wiring board on which electronic components are mounted,
An insulating layer;
Wiring formed respectively on both front and back surfaces in the thickness direction of the insulating layer,
An electronic component mounting region is provided on at least one surface of the insulating layer,
In the electronic component mounting area, a plurality of electrodes to which peripheral type electrodes of the electronic component are electrically bonded by flip chip mounting are provided,
The electrode has a bonding surface connected to the electronic component of the electrode,
The bonding surface is covered with a metal film that is resistant to a processing solution used for forming the wiring, and the bonding surface is exposed on the same surface as the surface of the insulating layer. The remaining part of the electrode except for is embedded in the insulating layer,
A wiring board characterized by that.
前記複数の電極のうちの一部の電極は該電極の一部が前記複数の配線のうちの一部の配線と面で接するように構成することで前記一部の配線と接続されることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   A part of the plurality of electrodes may be connected to the part of the wiring by configuring a part of the electrode to be in contact with a part of the plurality of wirings on the surface. The wiring board according to claim 1. 前記電極は前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホール内に設けた導電材を介して前記配線に接続されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   2. The wiring board according to claim 1, wherein the electrode is connected to the wiring via a conductive material provided in a via hole penetrating the insulating layer in the thickness direction. 前記電子部品がボンディングされる前記複数の電極の形状は異なることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the plurality of electrodes to which the electronic component is bonded have different shapes. 金属層の一方の面に、フリップチップ実装による電子部品のペリフェラル型の電極との電気的ボンディング用の電極を形成するための複数の穴を有する電極マスクを形成するマスク形成工程と、
前記電極マスクの複数の穴内に位置する前記金属層の面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜を形成した後、前記穴内で前記金属膜上に導体層を形成して前記電子部品ボンディング用の複数の電極を前記穴内に形成する電極形成工程と、
前記電極マスクを除去した後、前記複数の電極の表面及び前記金属層の一方の面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記複数の電極のうちの一部の電極と対向する前記絶縁層の箇所及び前記金属層の予め定められた位置と対向する前記絶縁層の箇所に前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールをそれぞれ形成し、これらビアホール内に前記電極もしくは前記金属層と導通する導電材を設けるとともに前記ビアホールを含む前記絶縁層の前記金属層と反対の面に導体層を形成する工程と、
前記導体層にパターニングを施して配線を形成し、かつ前記金属層にパターニングを施して配線を形成するとともに電子部品が実装される領域の前記金属層を除去して前記電極の金属膜を前記絶縁層の表面に露出させる工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
A mask forming step of forming an electrode mask having a plurality of holes for forming an electrode for electrical bonding with a peripheral type electrode of an electronic component by flip chip mounting on one surface of the metal layer;
After forming a metal film that is resistant to at least a treatment liquid used at the time of wiring formation on the surface of the metal layer located in the plurality of holes of the electrode mask, a conductor layer is formed on the metal film in the hole, and An electrode forming step of forming a plurality of electrodes for electronic component bonding in the hole;
An insulating layer forming step of forming an insulating layer on the surface of the plurality of electrodes and one surface of the metal layer after removing the electrode mask;
Via holes penetrating the insulating layer in the thickness direction are provided at a portion of the insulating layer facing a part of the plurality of electrodes and a portion of the insulating layer facing a predetermined position of the metal layer. Forming a conductive layer on the surface opposite to the metal layer of the insulating layer including the via hole and providing a conductive material that is electrically connected to the electrode or the metal layer in each via hole;
The conductor layer is patterned to form a wiring, and the metal layer is patterned to form a wiring, and the metal layer in an area where an electronic component is mounted is removed to insulate the metal film of the electrode Exposing to the surface of the layer;
A method for manufacturing a wiring board, comprising:
金属層の一方の面に接着された絶縁層に、フリップチップ実装による電子部品のペリフェラル型の電極との電気的ボンディング用の電極を形成するための複数の穴を形成する電極パターン成形工程と、
前記複数の穴内に位置する前記金属層の面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜を形成した後、前記穴内で前記金属膜上に導体層を形成して前記電子部品ボンディング用の複数の電極を形成する電極形成工程と、
前記金属層の予め定められた位置と対向する前記絶縁層の箇所に前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記穴内に前記電極と導通される導電材を設けるとともに前記ビアホール内に前記金属層と導通する導電材を設け、さらに前記穴及び前記ビアホールを含む前記絶縁層の前記金属層と反対の面に導体層を形成する工程と、
前記導体層にパターニングを施して配線を形成し、かつ前記金属層にパターニングを施して配線を形成するとともに電子部品が実装される領域の前記金属層を部分的に除去して前記電極の金属膜を前記絶縁層の表面に露出させる工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
An electrode pattern forming step of forming a plurality of holes for forming an electrode for electrical bonding with a peripheral type electrode of an electronic component by flip chip mounting in an insulating layer bonded to one surface of the metal layer;
After forming a metal film that is at least resistant to a processing solution used at the time of wiring formation on the surface of the metal layer located in the plurality of holes, a conductor layer is formed on the metal film in the hole to bond the electronic component An electrode forming step of forming a plurality of electrodes for use;
A via hole forming step of forming a via hole penetrating through the insulating layer in a thickness direction at a position of the insulating layer facing a predetermined position of the metal layer;
A conductive material that is electrically connected to the electrode is provided in the hole, and a conductive material that is electrically conductive to the metal layer is provided in the via hole, and a conductor is provided on a surface opposite to the metal layer of the insulating layer including the hole and the via hole. Forming a layer;
The conductor layer is patterned to form a wiring, and the metal layer is patterned to form a wiring, and the metal layer in a region where an electronic component is mounted is partially removed to form a metal film of the electrode Exposing the surface of the insulating layer;
A method for manufacturing a wiring board, comprising:
金属層の一方の面に、フリップチップ実装による電子部品のペリフェラル型の電極との電気的ボンディング用の電極を形成するための複数の穴を有する電極マスクを形成するマスク形成工程と、
前記複数の穴内に位置する前記金属層の面に少なくとも配線形成時に用いられる処理液に耐性のある金属膜を形成した後、前記穴内で前記金属膜上に導体層を形成して前記電子部品ボンディング用の複数の電極を形成する電極形成工程と、
前記マスク形成工程及び前記電極形成工程を経て電極が形成された金属層を1対用意し、これら金属層から前記電極マスクを除去した後の1対の金属層を該金属層の電極側が向き合うように絶縁層を介して積層し接着する接着工程と、
前記接着された一方の金属層の所定の箇所から前記絶縁層を厚さ方向に貫通して他方の金属層に達するビアホールと前記一方の金属層の予め定められた箇所から前記絶縁層を厚さ方向に貫通して他方の金属層の前記複数の電極のうちの一部の電極に達するビアホールとをそれぞれ形成し、これらビアホール内に前記電極もしくは前記金属層と導通する導電材を設ける工程と、
前記金属層から前記電極マスクを除去した後の1対の金属層に、パターニングを施して配線を形成するとともに電子部品が実装される領域の前記金属層を部分的に除去して前記電極の金属膜を前記絶縁層の表面に露出させる工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
A mask forming step of forming an electrode mask having a plurality of holes for forming an electrode for electrical bonding with a peripheral type electrode of an electronic component by flip chip mounting on one surface of the metal layer;
After forming a metal film that is at least resistant to a processing solution used at the time of wiring formation on the surface of the metal layer located in the plurality of holes, a conductor layer is formed on the metal film in the hole to bond the electronic component An electrode forming step of forming a plurality of electrodes for use;
A pair of metal layers on which electrodes are formed through the mask formation step and the electrode formation step are prepared, and the pair of metal layers after the electrode mask is removed from these metal layers so that the electrode sides of the metal layers face each other. An adhesion process of laminating and bonding to each other via an insulating layer;
A thickness of the insulating layer from a predetermined portion of the one metal layer and a via hole reaching the other metal layer through the insulating layer from a predetermined portion of the bonded one metal layer in the thickness direction Forming via holes penetrating in a direction and reaching some of the plurality of electrodes of the other metal layer, and providing a conductive material in conduction with the electrodes or the metal layer in these via holes;
The pair of metal layers after removing the electrode mask from the metal layer is patterned to form wiring, and the metal layer in the region where the electronic component is mounted is partially removed to remove the metal of the electrode Exposing a film to the surface of the insulating layer;
A method for manufacturing a wiring board, comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI600097B (en) * 2011-03-09 2017-09-21 Hitachi Chemical Co Ltd Manufacturing method of package substrate for mounting semiconductor device, package substrate for mounting semiconductor device, and semiconductor package
JP2012216824A (en) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi Chem Co Ltd Manufacturing method of package substrate for mounting semiconductor element
JP6584939B2 (en) * 2015-12-10 2019-10-02 新光電気工業株式会社 Wiring board, semiconductor package, semiconductor device, wiring board manufacturing method, and semiconductor package manufacturing method
CN113228259A (en) * 2018-12-26 2021-08-06 京瓷株式会社 Wiring substrate, electronic device, and electronic module

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60263494A (en) * 1984-06-12 1985-12-26 日立化成工業株式会社 Method of producing recording electrode plate
JP2001015919A (en) * 1999-06-25 2001-01-19 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board, circuit-board therefor and its manufacture
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