JP5142090B2 - Ceramic multilayer electronic component and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、セラミックスを主組成(主成分)とした素体を備えるセラミック積層電子部品およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a ceramic multilayer electronic component including an element body having ceramic as a main composition (main component) and a method for manufacturing the same.

サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタ等、及びそれらの複合体等からなるセラミック積層電子部品では、セラミックスからなる素体の内部に内部電極が形成されている。素体の端面の所定の位置には内部電極が露出しており、この上に下地電極を形成した後に、めっきによりNi層およびSn層を設けて端子電極を形成する。かかる構成のセラミック積層電子部品が例えばプリント配線基板等に実装される際には、このように素体の端面に形成された端子電極が、そのプリント配線基板の所定の配線部分に設けられた電極にはんだ付けされる。   In a ceramic multilayer electronic component composed of a thermistor, a capacitor, an inductor, a LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics), a varistor or the like, and a composite thereof, an internal electrode is formed inside an element body made of ceramic. An internal electrode is exposed at a predetermined position on the end face of the element body, and after forming a base electrode thereon, a Ni layer and a Sn layer are provided by plating to form a terminal electrode. When the ceramic multilayer electronic component having such a configuration is mounted on, for example, a printed wiring board, the terminal electrode formed on the end surface of the element body in this way is provided on a predetermined wiring portion of the printed wiring board. Soldered to.

ここで、セラミック積層電子部品の製造において、Ni層およびSn層の形成のためにセラミックスからなる素体をめっき液に浸漬させた場合には、素体及び下地電極に存在する微小な細孔にめっき液が侵入し、セラミックスからなる素体の浸食や、素体表面へのめっき金属の析出といった不具合が発生し得ることがある。また、素体にはんだペーストが接触すると、はんだペーストに含まれるフラックスが素体を直接還元し、接続不良が発生するといった問題も生じ得る。   Here, in the production of ceramic multilayer electronic components, when an element body made of ceramics is immersed in a plating solution for forming the Ni layer and the Sn layer, the fine pores existing in the element body and the base electrode are formed. In some cases, the plating solution may intrude and cause problems such as erosion of the ceramic body and deposition of plating metal on the surface of the ceramic body. Further, when the solder paste comes into contact with the element body, the flux contained in the solder paste directly reduces the element body, which may cause a problem of poor connection.

そこで、このような素体中にめっき液が侵入することによる不具合を抑制する技術として、素体の表面を被覆するガラス層を形成する技術が提案されている(特許文献1参照)。   In view of this, as a technique for suppressing problems caused by the penetration of the plating solution into the element body, a technique for forming a glass layer covering the surface of the element body has been proposed (see Patent Document 1).

特開平4−68502号公報JP-A-4-68502

しかしながら、本発明者が上記従来の技術を含めてかかるめっき技術について鋭意研究を行なったところ、焼結体である下地電極の表面には無数の細孔が存在しており、下地電極上にめっき膜を形成するためのめっき液がこの細孔に残留してしまうおそれがあることが判明した。このように下地電極の細孔にめっき液が残留していると、はんだ付けの際にその熱によって残留めっき液が膨張して溶融しているはんだを飛散させ、その結果、接続不良(爆ぜ不良)が発生するという問題が生じ得る。   However, when the present inventor has conducted intensive research on such plating techniques including the above-described conventional technique, there are innumerable pores on the surface of the base electrode, which is a sintered body, and plating is performed on the base electrode. It has been found that a plating solution for forming a film may remain in the pores. If the plating solution remains in the pores of the base electrode in this way, the remaining plating solution expands due to the heat during soldering and the molten solder is scattered, resulting in poor connection (explosion failure). ) May occur.

そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、素体および下地電極にめっき液が侵入することを防止して、めっき膜の形成およびはんだ付けを良好に行なうことが可能なセラミック積層電子部品およびその製造方法を提供することにある。   Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to prevent the plating solution from entering the element body and the base electrode, and to satisfactorily form the plating film and solder it. It is an object of the present invention to provide a ceramic multilayer electronic component and a method for manufacturing the same.

上記の目的を達成するため、本発明のセラミック積層電子部品は、主としてセラミックスからなる素体と、素体の内部に設けられ、かつ素体の端面に一部が露出した内部電極と、素体の端面上に形成された下地電極と、下地電極の形成部位以外の素体の露出面を被覆するガラス層と、下地電極の表層にガラスが浸透して形成されたガラス浸透層とを有する。   In order to achieve the above object, a ceramic multilayer electronic component of the present invention includes an element body mainly made of ceramics, an internal electrode provided inside the element body, and a part thereof exposed on the end face of the element body, and an element body The base electrode formed on the end surface of the base electrode, a glass layer covering the exposed surface of the element body other than the base electrode forming portion, and a glass permeation layer formed by glass permeating the surface layer of the base electrode.

上記構成によれば、下地電極の表層にガラス浸透層が形成されている。ここで、「下地電極」とは、めっき膜の下地となる電極をいう。また、「表層」とは、下地電極の表面よりも内側の領域をいう。従って、下地電極の表層にガラス浸透層が形成されていることにより、下地電極の導電性表面を維持しつつ、下地電極の表層に形成された細孔が充填される。したがって、下地電極上にめっき膜を形成しつつ、下地電極の細孔にめっき液が残留することが抑制される。また、下地電極の形成部位以外の素体の露出面はガラス層により被覆されていることから、素体がめっき液に晒されることが防止される。従って、素体中にめっき液が侵入することなく、下地電極上に良好なめっき膜が形成される。   According to the above configuration, the glass permeation layer is formed on the surface layer of the base electrode. Here, the “underlying electrode” refers to an electrode that becomes the underside of the plating film. The “surface layer” refers to a region inside the surface of the base electrode. Therefore, by forming the glass permeation layer on the surface layer of the base electrode, the pores formed in the surface layer of the base electrode are filled while maintaining the conductive surface of the base electrode. Therefore, it is possible to suppress the plating solution from remaining in the pores of the base electrode while forming the plating film on the base electrode. Further, since the exposed surface of the element body other than the base electrode forming portion is covered with the glass layer, the element body is prevented from being exposed to the plating solution. Accordingly, a good plating film is formed on the base electrode without the plating solution entering the element body.

好ましくは、下地電極は、平均粒径が0.8μm以上5μm以下の金属粉を含む。金属粉の粒径が0.8μmより小さくなると、下地電極に発生する細孔が過度に小さくなり、ガラスが下地電極に良好に浸透せず、下地電極の表面の外側にその表面を覆うようにガラス層が形成されてしまい、下地電極に接続するめっき膜を形成し難くなる傾向にある。また、金属粉の粒径が5μmを超えると、下地電極にその粒径に匹敵する程度の大きさの細孔が形成されてしまい、細孔の容積が過度に増大し、細孔をガラス浸透層で十分に埋めることが困難な傾向にある。   Preferably, the base electrode includes metal powder having an average particle size of 0.8 μm or more and 5 μm or less. When the particle size of the metal powder is smaller than 0.8 μm, the pores generated in the base electrode become excessively small, and the glass does not penetrate well into the base electrode, so that the surface is covered outside the surface of the base electrode. A glass layer is formed, and it tends to be difficult to form a plating film connected to the base electrode. In addition, if the particle size of the metal powder exceeds 5 μm, pores with a size comparable to the particle size are formed in the base electrode, the pore volume increases excessively, and the pores penetrate into the glass. Tend to fill well with layers.

さらに、上記の目的を達成するため、本発明のセラミック積層電子部品の製造方法は、本発明によるセラミック積層電子部品を有効に製造するための方法であって、主としてセラミックからなる素体と、素体に内蔵されかつ素体の端面において一部が露出した内部電極とを備える積層構造体を形成する工程と、素体の端面に導電性ペーストを塗布して下地電極を形成する工程と、下地電極の形成部位以外の素体の露出面にガラススラリーを塗布してその露出面を被覆するガラス層を形成し、かつ下地電極の表層にガラス浸透層を形成する工程とを有する。   Furthermore, in order to achieve the above object, a method for manufacturing a ceramic multilayer electronic component according to the present invention is a method for effectively manufacturing a ceramic multilayer electronic component according to the present invention. Forming a laminated structure including an internal electrode embedded in the body and partially exposed at the end face of the element body; forming a base electrode by applying a conductive paste to the end face of the element body; A step of applying a glass slurry to the exposed surface of the element body other than the electrode forming portion to form a glass layer covering the exposed surface, and forming a glass permeation layer on the surface layer of the base electrode.

上記構成によれば、素体の露出面へのガラス層の形成および下地電極の内表面へのガラス浸透層の形成が同時に行なわれることから、工程数を増大させることなく、素体へのめっき液の侵入および下地電極の細孔へのめっき液の残留を防止することができる。   According to the above configuration, since the formation of the glass layer on the exposed surface of the element body and the formation of the glass permeation layer on the inner surface of the base electrode are performed at the same time, plating on the element body without increasing the number of steps. It is possible to prevent the penetration of the solution and the remaining of the plating solution in the pores of the base electrode.

好ましくは、導電性ペーストは、金属粉、有機バインダ、およびガラスフリットを含み、金属粉およびガラスフリットの合計量に対するガラスフリットの含有量が、0.5重量(質量)%以上8重量%以下である。これは、焼成後に残るのはメタル成分とガラス成分のみなので、最終的に残る固形分に対するガラス成分の含有量を規定したものである。このガラスフリットの含有量が0.5重量%未満になると、ガラス浸透層では埋めることができない程度にまで下地電極内に細孔が発生し易くなることがある。また、ガラスフリットの含有量が8重量%を超えると、めっき膜による下地電極被覆性が低下する傾向にあるからである。   Preferably, the conductive paste includes a metal powder, an organic binder, and a glass frit, and the content of the glass frit with respect to the total amount of the metal powder and the glass frit is not less than 0.5% by weight and not more than 8% by weight. is there. Since only the metal component and the glass component remain after firing, the content of the glass component with respect to the finally remaining solid content is specified. When the glass frit content is less than 0.5% by weight, pores may be easily generated in the base electrode to such an extent that it cannot be filled with the glass permeation layer. Further, if the glass frit content exceeds 8% by weight, the coverage of the base electrode by the plating film tends to decrease.

好ましくは、下地電極、ガラス層、およびガラス浸透層を同時に焼成すると有用である。この場合、金属粉の焼結温度をガラスの軟化温度より高くしておくと金属粉の隙間にガラスが浸透し、容易にガラス浸透層を形成出来る。これに対して、下地電極の焼成後にガラス浸透層を焼成する場合には、銀は少なくとも部分的には焼結しているので隙間は前者より少なくなっており、ガラス浸透層の形成出来る条件の範囲は狭くなる。さらに、これらの下地電極、ガラス層、およびガラス浸透層を同時に焼成することにより、セラミック積層電子部品に付与される熱履歴(サーマルバジェット)が軽減され、特性変動、熱による歪の発生等の不具合が低減される利点もある。   Preferably, it is useful to fire the base electrode, the glass layer, and the glass permeation layer simultaneously. In this case, if the sintering temperature of the metal powder is set higher than the softening temperature of the glass, the glass penetrates into the gaps between the metal powders, and a glass permeation layer can be easily formed. On the other hand, in the case of firing the glass-penetrating layer after firing the base electrode, the silver is sintered at least partially, so the gap is smaller than the former, and the conditions for forming the glass-penetrating layer are The range becomes narrower. Furthermore, by firing these base electrode, glass layer, and glass permeation layer at the same time, the thermal history (thermal budget) imparted to the ceramic multilayer electronic component is reduced, resulting in problems such as fluctuations in characteristics and generation of strain due to heat. There is also an advantage that is reduced.

本発明のセラミック積層電子部品およびその製造方法によれば、ガラス層により素体が保護され、かつガラス浸透層により下地電極の細孔が充填されていることから、素体へのめっき液の侵入および下地電極の細孔へのめっき液の残留を十分にかつ有効に防止することができる。   According to the ceramic multilayer electronic component and the manufacturing method thereof of the present invention, since the element body is protected by the glass layer and the pores of the base electrode are filled by the glass permeation layer, the plating solution enters the element body. In addition, it is possible to sufficiently and effectively prevent the plating solution from remaining in the pores of the base electrode.

本実施形態に係るセラミック積層電子部品の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the ceramic multilayer electronic component which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るセラミック積層電子部品の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the ceramic multilayer electronic component which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るセラミック積層電子部品の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the ceramic multilayer electronic component which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るセラミック積層電子部品の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the ceramic multilayer electronic component which concerns on this embodiment. 金属粉平均粒径とめっき膜の電極被覆率との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a metal powder average particle diameter and the electrode coverage of a plating film. 金属粉平均粒径と爆ぜ不良発生率との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a metal powder average particle diameter and an explosion failure incidence. ガラスフリット量とめっき膜の電極被覆率との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the glass frit amount and the electrode coverage of a plating film. ガラスフリット量と爆ぜ不良発生率との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the amount of glass frit, and an explosion failure incidence.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Furthermore, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios. Further, the following embodiments are exemplifications for explaining the present invention, and are not intended to limit the present invention only to the embodiments. Furthermore, the present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.

図1は、本発明によるセラミック積層電子部品の第1実施形態の概略構造を示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a ceramic multilayer electronic component according to a first embodiment of the present invention.

セラミック積層電子部品1は、セラミックスからなる素体2と、素体2内に形成された複数の内部電極3とを含む積層体4を有する。より具体的には、素体2の一方の側面(端面)から露出した端部を有する内部電極3と、素体2の他方の側面から露出した端部を有する内部電極3とが、素体2を介在させて交互に積層されている。素体2の両端面には、内部電極3に接続する下地電極7が形成されている。また、下地電極7の形成部位以外の素体2の露出面にはガラス層6aが形成されており、下地電極7の表層にガラスが浸透して形成されたガラス浸透層6bが形成されている。   The ceramic multilayer electronic component 1 has a multilayer body 4 including an element body 2 made of ceramics and a plurality of internal electrodes 3 formed in the element body 2. More specifically, the internal electrode 3 having an end portion exposed from one side surface (end surface) of the element body 2 and the internal electrode 3 having an end portion exposed from the other side surface of the element body 2 include the element body. 2 are alternately stacked. Base electrodes 7 connected to the internal electrodes 3 are formed on both end faces of the element body 2. Further, a glass layer 6 a is formed on the exposed surface of the element body 2 other than the formation site of the base electrode 7, and a glass permeation layer 6 b formed by glass permeating the surface layer of the base electrode 7 is formed. .

下地電極7の表面には、さらに、めっきによりNi層8a及びSn層8bからなる端子電極8が形成されている。これらの端子電極8と、例えば、配線基板上の電極とがはんだ等により接合される。   A terminal electrode 8 composed of a Ni layer 8a and a Sn layer 8b is further formed on the surface of the base electrode 7 by plating. These terminal electrodes 8 and, for example, electrodes on the wiring board are joined by solder or the like.

以下、各構成要素について説明する。   Hereinafter, each component will be described.

素体2はセラミックスからなり、具体的には、半導体セラミックス又は誘電体セラミックスからなるものである。このようなセラミック材料に限定はなく、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、窒化ホウ素、フェライト、チタン酸ジルコン酸鉛、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ステアタイト、酸化亜鉛、ジルコニア等が挙げられる。   The element body 2 is made of ceramics, and specifically is made of semiconductor ceramics or dielectric ceramics. Such a ceramic material is not limited, and examples thereof include barium titanate, strontium titanate, boron nitride, ferrite, lead zirconate titanate, silicon carbide, silicon nitride, steatite, zinc oxide, and zirconia.

素体2を形成するために用いられるセラミックス粉末の合成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、水熱法、加水分解法、共沈法、固相法、ゾルゲル法等を用いることができ、必要に応じて仮焼が施されてもよい。   A method for synthesizing the ceramic powder used for forming the element body 2 is not particularly limited, and for example, a hydrothermal method, a hydrolysis method, a coprecipitation method, a solid phase method, a sol-gel method, or the like is used. And may be calcined as necessary.

内部電極3には、素体2との間での確実なオーミック接触を可能とする点から、例えば、Ni、Cu、Pd、Ag、またはAlを主成分とする材料が用いられるが、特に材料に限定はない。内部電極3は、このような金属成分を含む導電性ペーストを例えば印刷することにより形成される。   For the internal electrode 3, for example, a material mainly composed of Ni, Cu, Pd, Ag, or Al is used in terms of enabling reliable ohmic contact with the element body 2. There is no limitation. The internal electrode 3 is formed, for example, by printing a conductive paste containing such a metal component.

下地電極7は、電気めっきにより端子電極8を形成するための下地層として機能する。例えば、下地電極7の材料に限定はないが、例えば、金属成分としてAg、Cu、またはNiを含む。下地電極7は、例えば、積層体4の側面への導電性ペーストの塗布および焼成により得られる。下地電極7を形成するための導電性ペーストとしては、主として、ガラス粉末(フリット)と、有機ビヒクル(バインダー)と、金属粉末とを含むものが挙げられ、導電性ペーストの焼成により、有機ビヒクルは揮散し、最終的にガラス成分および金属成分を含む下地電極7が形成される。なお、導電性ペーストには、必要に応じて、粘度調整剤、無機結合剤、酸化剤等種々の添加剤を加えてもよい。   The base electrode 7 functions as a base layer for forming the terminal electrode 8 by electroplating. For example, the material of the base electrode 7 is not limited, but includes, for example, Ag, Cu, or Ni as a metal component. The base electrode 7 is obtained, for example, by applying and baking a conductive paste on the side surface of the multilayer body 4. Examples of the conductive paste for forming the base electrode 7 mainly include a glass powder (frit), an organic vehicle (binder), and a metal powder. By firing the conductive paste, the organic vehicle The base electrode 7 which volatilizes and finally contains a glass component and a metal component is formed. In addition, you may add various additives, such as a viscosity modifier, an inorganic binder, and an oxidizing agent, to an electrically conductive paste as needed.

ガラス層6aは、Ni層8aおよびSn層8bのめっきにおいて、セラミックスからなる素体2の浸食や、素体2の表面へのめっき金属の析出を防止するために形成される。ガラス層6aの材料に限定はないが、耐薬品性が良好であり、軟化点が素体の焼結温度よりも低いことが好ましい。これによりガラスの焼成温度を素体の焼成温度以下にすることが可能になり、素体の特性の変動、内部電極を構成する金属の素体中への拡散等に起因する素子特性の変動を抑えることが出来る。   The glass layer 6a is formed in order to prevent erosion of the element body 2 made of ceramics and deposition of plating metal on the surface of the element body 2 in the plating of the Ni layer 8a and the Sn layer 8b. The material of the glass layer 6a is not limited, but preferably has good chemical resistance and a softening point lower than the sintering temperature of the element body. This makes it possible to set the firing temperature of the glass to be equal to or lower than the firing temperature of the element body, and to prevent fluctuations in element characteristics due to fluctuations in the element characteristics and diffusion of the metal constituting the internal electrode into the element body. It can be suppressed.

ガラス浸透層6bは、焼結体である下地電極7の表層に存在する細孔にガラスが浸透するように充填されることにより形成された層である。ガラス浸透層6bは、ガラス層6aと同時に形成され、ガラス浸透層6b以外の下地電極7の部分よりもガラスの割合が多くなっている。また、ガラス浸透層6bの存在により下地電極7の表面が被覆されているのではなく、下地電極7の導電性表面は露出した状態にある。   The glass permeation layer 6b is a layer formed by filling the pores existing in the surface layer of the base electrode 7 that is a sintered body so that the glass permeates. The glass penetration layer 6b is formed at the same time as the glass layer 6a, and the ratio of glass is larger than the portion of the base electrode 7 other than the glass penetration layer 6b. In addition, the surface of the base electrode 7 is not covered by the presence of the glass permeation layer 6b, but the conductive surface of the base electrode 7 is exposed.

素体2上のガラス層6aの厚さは、0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。この厚さが0.5μm以上であれば、ガラス層6a中に細孔が発生するのを有効に抑制することができ、均一な膜厚のガラス層6aを形成し易い傾向にある。また、この厚さが2μm以上であると、ガラス層6aが過度に厚くなって下地電極7の表面の内側(表層部)にガラスが浸透し難くなることに起因して下地電極7の表面の外側にもガラス層が形成されてしまう傾向にある。   The thickness of the glass layer 6a on the element body 2 is preferably 0.5 μm or more and 2 μm or less. If the thickness is 0.5 μm or more, the generation of pores in the glass layer 6a can be effectively suppressed, and the glass layer 6a having a uniform thickness tends to be easily formed. Further, when the thickness is 2 μm or more, the glass layer 6a becomes excessively thick and the glass does not easily penetrate into the inner surface (surface layer portion) of the surface of the base electrode 7. There is a tendency that a glass layer is also formed on the outside.

端子電極8は、Ni層8aおよびSn層8bの積層体からなる。Ni層8aは、Sn層8bと下地電極7との接触を防止して、Snによる下地電極7の腐食を防止するバリアメタルとして機能するものであり、その厚さは例えば2μm程度である。また、Sn層8bは、はんだの濡れ性を向上させる機能を有するものであり、その厚さは例えば4μm程度である。Ni層8aおよびSn層8bは、電気めっきまたは無電解めっき等の湿式法を用いて形成される。めっき液の材料およびめっきの条件に限定はないが、ガラス層6a及びガラス浸透層6bを溶解せしめないようなめっき液組成およびめっき条件が適宜選択される。   The terminal electrode 8 is composed of a stacked body of a Ni layer 8a and a Sn layer 8b. The Ni layer 8a functions as a barrier metal that prevents the contact of the Sn layer 8b and the base electrode 7 and prevents the base electrode 7 from being corroded by Sn, and has a thickness of, for example, about 2 μm. Further, the Sn layer 8b has a function of improving the wettability of the solder, and the thickness thereof is, for example, about 4 μm. The Ni layer 8a and the Sn layer 8b are formed using a wet method such as electroplating or electroless plating. The material of the plating solution and the plating conditions are not limited, but the plating solution composition and the plating conditions that do not dissolve the glass layer 6a and the glass permeation layer 6b are appropriately selected.

次に、上記の本実施形態に係るセラミック積層電子部品1の製造方法について、図2〜図4を参照して説明する。図2〜図4は、セラミック積層電子部品1を製造する手順の一例を示す工程図である。   Next, a method for manufacturing the ceramic multilayer electronic component 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 4 are process diagrams showing an example of a procedure for manufacturing the ceramic multilayer electronic component 1.

まず、図2に示すように、素体2と内部電極3との積層構造からなる積層体4を形成する。積層体4は、例えば以下のようにして製造される。セラミック粉末、有機溶剤、有機バインダおよび可塑剤等を混合して、セラミックスラリーとした後、ドクターブレード法により成形して、シート状の素体、いわゆるセラミックグリーンシートを得る。続いて、セラミックグリーンシート上に、金属粉と、バインダ樹脂と、溶剤とを含有する導電性ペーストを印刷することにより、内部電極3のパターンを形成する。さらに、続いて、内部電極3が形成された複数の素体2と内部電極3が形成されていない複数の素体2とを交互に積層し、それを更に加圧して積層構造体を得る。それから、積層構造体を切断することにより個々の積層体4に分割する。これにより、切断後の積層体4の側面からは、内部電極3の端部が露出した状態となる。次に、積層体4を、大気中で脱バインダ処理した後、焼成を行うことにより、焼結された積層体4が得られる。   First, as shown in FIG. 2, a laminated body 4 having a laminated structure of an element body 2 and internal electrodes 3 is formed. The laminated body 4 is manufactured as follows, for example. A ceramic powder, an organic solvent, an organic binder, a plasticizer, and the like are mixed to form a ceramic slurry, and then molded by a doctor blade method to obtain a sheet-like body, a so-called ceramic green sheet. Subsequently, a pattern of the internal electrode 3 is formed on the ceramic green sheet by printing a conductive paste containing metal powder, a binder resin, and a solvent. Further, subsequently, a plurality of element bodies 2 in which the internal electrodes 3 are formed and a plurality of element bodies 2 in which the internal electrodes 3 are not formed are alternately laminated, and further pressed to obtain a laminated structure. Then, the laminated structure is divided into individual laminated bodies 4 by cutting. Thereby, the edge part of the internal electrode 3 will be in the state exposed from the side surface of the laminated body 4 after a cutting | disconnection. Next, the laminate 4 is subjected to a binder removal treatment in the air and then fired to obtain a sintered laminate 4.

次に、図3に示すように、素体2の側面に下地電極7a(焼成前)を形成する。下地電極7aの形成では、素体2の側面に、金属粉と、有機バインダと、ガラスフリットと、溶剤とを含む導電性ペーストを塗布し乾燥する。なお、本実施形態では、この段階では下地電極7aを未だ焼成しない。また、焼成後に残る全固形分に対するガラスフリットの割合、すなわち金属粉およびガラスフリットの合計量に対するガラスフリットの割合が、0.5重量%以上8重量%以下であることが好ましい。さらに、導電性ペーストの含まれる金属粉は、平均粒径が0.8μm以上5μm以下であることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 3, the base electrode 7 a (before firing) is formed on the side surface of the element body 2. In the formation of the base electrode 7a, a conductive paste containing metal powder, an organic binder, glass frit, and a solvent is applied to the side surface of the element body 2 and dried. In this embodiment, the base electrode 7a is not yet fired at this stage. Further, the ratio of the glass frit to the total solid content remaining after firing, that is, the ratio of the glass frit to the total amount of the metal powder and the glass frit is preferably 0.5% by weight or more and 8% by weight or less. Further, the metal powder contained in the conductive paste preferably has an average particle size of 0.8 μm or more and 5 μm or less.

次に、図4に示すように、素体2および下地電極7aの全露出面に、ガラス粉末、バインダ樹脂及び溶剤を含むガラススラリーを塗布した後、焼成する。このときの焼成により、下地電極7aに含まれる有機ビヒクルは揮散し、最終的にガラス成分および金属成分を含む下地電極7(焼成後)が形成される。同様に、素体2上には、緻密で高密度のガラス層6aが形成される。さらに、下地電極7上では、下地電極7aの焼成過程において金属粉が焼結する前にガラスが軟化して金属粉の隙間にガラスが充填され、その後に金属粉が焼結して、下地電極7の表層にガラス浸透層6bが形成される。このためにはガラスの軟化温度を金属粉の焼結温度より低くすることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 4, a glass slurry containing glass powder, a binder resin and a solvent is applied to all exposed surfaces of the element body 2 and the base electrode 7a, followed by firing. By the firing at this time, the organic vehicle contained in the base electrode 7a is volatilized, and finally the base electrode 7 (after firing) including the glass component and the metal component is formed. Similarly, a dense and high-density glass layer 6 a is formed on the element body 2. Further, on the base electrode 7, the glass is softened before the metal powder is sintered in the firing process of the base electrode 7 a, and the glass is filled in the gap between the metal powders. A glass permeation layer 6 b is formed on the surface layer 7. For this purpose, the softening temperature of the glass is preferably lower than the sintering temperature of the metal powder.

以降の工程としては、図1に示すように、下地電極7の表面に、電気めっきによりNi層8aおよびSn層8bを順次堆積させて端子電極8を形成する。例えば、Ni層8aの形成では、バレルめっき方式を採用し、ワット系の浴を用いてNiを2μm析出させる。また、Sn層8bの形成では、バレルめっき方式を採用し、中性錫めっき浴を用いて、Snを4μm析出させる。以上により、セラミック積層電子部品1が製造される。   As the subsequent steps, as shown in FIG. 1, the Ni layer 8a and the Sn layer 8b are sequentially deposited on the surface of the base electrode 7 by electroplating to form the terminal electrode 8. For example, in the formation of the Ni layer 8a, a barrel plating method is adopted, and Ni of 2 μm is deposited using a Watt-based bath. Further, in the formation of the Sn layer 8b, a barrel plating method is adopted, and Sn is deposited by 4 μm using a neutral tin plating bath. Thus, the ceramic multilayer electronic component 1 is manufactured.

上述した構成のセラミック積層電子部品1およびその製造方法によれば、下地電極7の形成部位以外の素体2の露出面がガラス層6aにより被覆されていることから、素体2が端子電極8形成のためのめっき液に晒されることが防止される。従って、素体中にめっき液が侵入することによる素体の浸食や、素体上へのめっき膜の形成等の不具合を回避しつつ、下地電極7上に良好なめっき膜を形成することができる。   According to the ceramic multilayer electronic component 1 having the above-described configuration and the manufacturing method thereof, since the exposed surface of the element body 2 other than the formation site of the base electrode 7 is covered with the glass layer 6a, the element body 2 is connected to the terminal electrode 8. Exposure to the plating solution for formation is prevented. Therefore, it is possible to form a good plating film on the base electrode 7 while avoiding problems such as erosion of the element body due to penetration of the plating solution into the element body and formation of a plating film on the element body. it can.

加えて、下地電極7の内表面にはガラス浸透層6bが形成されていることから、下地電極7の表面の導電性を維持しつつ、下地電極7の内表面に存在する細孔が充填されている。これにより、端子電極8の形成のためのめっき液が下地電極7の細孔に侵入することが抑制される。この結果、下地電極の細孔に入っためっき液が実装時の熱で膨張して溶融しているはんだを飛散させることによる配線間のショート不良(爆ぜ不良)、耐湿負荷試験で細孔に入っためっき液に起因するマイグレーションによるショート不良等の不具合の発生を回避することができる。   In addition, since the glass permeation layer 6 b is formed on the inner surface of the base electrode 7, the pores existing on the inner surface of the base electrode 7 are filled while maintaining the conductivity of the surface of the base electrode 7. ing. As a result, the plating solution for forming the terminal electrode 8 is prevented from entering the pores of the base electrode 7. As a result, the plating solution that has entered the pores of the base electrode expands due to the heat during mounting and disperses the molten solder, causing short-circuit failure between wires (explosion failure) and entering the pores in a moisture resistance load test. Occurrence of defects such as short-circuit defects due to migration caused by the plating solution can be avoided.

さらに、上述したセラミック積層電子部品1の製造方法によれば、ガラス層6aおよびガラス浸透層6bの形成が同時に行なわれることから、工程数を増大させることもない。   Furthermore, according to the manufacturing method of the ceramic multilayer electronic component 1 described above, since the glass layer 6a and the glass permeation layer 6b are formed simultaneously, the number of steps is not increased.

さらにまた、下地電極7a、ガラス層6aおよびガラス浸透層6bを同時に焼成することにより、別々に焼成する場合と比べて、焼成過程において金属粉が焼結する前にガラスを溶融されることが可能であり、これにより下地電極表面にガラス浸透層を容易に形成することが出来る。さらに、同時に焼成することにより、焼成工程の回数を減らすことができ、セラミック積層電子部品に与える熱履歴による歪の発生、特性の変動等の不具合を低減することができる。   Furthermore, by firing the base electrode 7a, the glass layer 6a, and the glass permeation layer 6b at the same time, the glass can be melted before the metal powder is sintered in the firing process, as compared with the case of firing separately. Thus, a glass permeation layer can be easily formed on the surface of the base electrode. Furthermore, by firing at the same time, the number of firing steps can be reduced, and defects such as distortion due to thermal history applied to the ceramic multilayer electronic component and fluctuations in characteristics can be reduced.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
素体2の主組成がチタン酸ストロンチウムであり、内部電極3がAgであり、外形が1.6×0.8×0.8mmのコンデンサチップ(積層体4のチップ)を作製した。そして、内部電極3が露出しているチップ面に、フリット量が5%であり、平均粒径が3μmであるAgペーストを塗布、乾燥した。続いて、軟化点670℃で平均粒径0.4μmのガラス粉末と、ガラスの粉末の15%の量のバインダとを含む水性塗料をバレススプレー法によってスプレーして2μmのガラススラリー層を形成した。その後に、チップを大気中で710℃で焼成することにより、素体2の表面上に1.3μmのガラス層6aを形成し、下地電極7の表層にガラス浸透層6bを形成した。このチップの下地電極7上には通常の電気めっきで連続的にめっき膜の形成が可能であり、2μmのNi層8a、および4μmのSn層8bを形成した。
Example 1
A capacitor chip (chip of laminated body 4) having a main composition of element body 2 of strontium titanate, an internal electrode 3 of Ag, and an outer shape of 1.6 × 0.8 × 0.8 mm was produced. Then, an Ag paste having a frit amount of 5% and an average particle diameter of 3 μm was applied to the chip surface where the internal electrode 3 was exposed, and dried. Subsequently, an aqueous paint containing a glass powder having a softening point of 670 ° C. and an average particle diameter of 0.4 μm and a binder in an amount of 15% of the glass powder was sprayed by a Bares spray method to form a 2 μm glass slurry layer. . Thereafter, the chip was baked in the atmosphere at 710 ° C. to form a 1.3 μm glass layer 6 a on the surface of the element body 2, and a glass permeation layer 6 b was formed on the surface layer of the base electrode 7. A plating film can be continuously formed on the base electrode 7 of this chip by ordinary electroplating, and a 2 μm Ni layer 8 a and a 4 μm Sn layer 8 b were formed.

(実施例2)
実施例1で下地電極7用の導電性ペーストに含まれる金属粉の平均粒径を変化させて、めっき後の電極被覆率を測定した。金属粉の平均粒径を変えた以外は実施例1と同じ条件を用いた。この結果を表1および図5に示す。表1および図5に示すように、金属粉の平均粒径が0.8μm未満になると被覆率が有意に低下することが判明した。これは、金属粉の平均粒径が小さくなると、下地電極7に発生する細孔サイズが過小となり、また金属粉の焼結温度は粒子径が小さいほど下がるのでガラスが充分に溶融して粘度が下がる前に金属が焼結する傾向が現れて、これによりガラスが下地電極7の表面の内部(表層部)に十分に浸透せず、下地電極7の外表面にガラス層が形成されてしまい、めっき膜を形成し難くなることによるものと推定される。ただし、作用はこれに限定されない。
(Example 2)
In Example 1, the average particle diameter of the metal powder contained in the conductive paste for the base electrode 7 was changed, and the electrode coverage after plating was measured. The same conditions as in Example 1 were used except that the average particle size of the metal powder was changed. The results are shown in Table 1 and FIG. As shown in Table 1 and FIG. 5, when the average particle diameter of the metal powder was less than 0.8 μm, it was found that the coverage ratio was significantly reduced. This is because when the average particle size of the metal powder becomes small, the pore size generated in the base electrode 7 becomes too small, and the sintering temperature of the metal powder decreases as the particle size decreases, so that the glass is sufficiently melted and the viscosity is reduced. The tendency for the metal to sinter before it falls down, and thus the glass does not sufficiently penetrate the inside (surface layer portion) of the surface of the base electrode 7, and a glass layer is formed on the outer surface of the base electrode 7, It is presumed that it is difficult to form a plating film. However, the action is not limited to this.

Figure 0005142090
Figure 0005142090

さらに、実装後の爆ぜ不良発生率を調査した結果を表2および図6に示す。金属粉の平均粒径が5μmを超えると爆ぜ不良が発生し易くなることが判明した。これは金属粉の粒径が大きくなると下地電極7内に発生する細孔サイズが逆に過大となってしまい、そのようにサイズが大きい細孔をガラスで埋めきれなくなっていると考えられる。その結果、めっき時にめっき液がこの細孔の内部に残留し、実装時の温度上昇によってめっき液が膨張して溶融しているSnを飛散させるものと推定される。ただし、作用はこれにも限定されない。   Further, Table 2 and FIG. 6 show the results of examining the occurrence rate of explosion failures after mounting. It has been found that when the average particle size of the metal powder exceeds 5 μm, explosion failure tends to occur. It can be considered that when the particle size of the metal powder is increased, the size of the pores generated in the base electrode 7 becomes excessively large, and the pores having such a large size cannot be filled with glass. As a result, it is presumed that the plating solution remains inside the pores during plating, and the plating solution expands and melts Sn due to the temperature rise during mounting. However, the action is not limited to this.

Figure 0005142090
Figure 0005142090

(実施例3)
さらに、実施例1で下地電極7用の導電性ペーストに含まれるガラスフリットの量を変化させて、めっき後の電極被覆率を測定した。この結果を表3および図7に示す。表3のガラスフリット量(wt%)は、焼成後に残る全固形分に対するガラスフリットの割合、すなわち金属粉およびガラスフリットの合計量に対するガラスフリットの割合を示す。ガラスフリット量が8%より大きくなると被覆率が低下する傾向にあることが判明した。これは、ガラススラリー層のガラスが溶融するときに、導電性ペーストに含まれるガラスフリットも同時に溶融しておりこれが金属粉の隙間を部分的に埋めるので、導電性ペーストに含まれるガラスフリット量が多くなると、表層のガラスが金属粉の隙間に浸透することが阻害されることによると考えられる。
(Example 3)
Furthermore, the amount of glass frit contained in the conductive paste for the base electrode 7 in Example 1 was changed, and the electrode coverage after plating was measured. The results are shown in Table 3 and FIG. The glass frit amount (wt%) in Table 3 indicates the ratio of the glass frit to the total solid content remaining after firing, that is, the ratio of the glass frit to the total amount of metal powder and glass frit. It has been found that when the glass frit amount exceeds 8%, the coverage tends to decrease. This is because when the glass of the glass slurry layer melts, the glass frit contained in the conductive paste is also melted at the same time, and this partially fills the gaps in the metal powder, so the amount of glass frit contained in the conductive paste is small. It is thought that this is because the surface glass is inhibited from penetrating into the gaps of the metal powder when the number is increased.

Figure 0005142090
Figure 0005142090

また、実装後の爆ぜ不良発生率について調べた。この結果を表4および図8に示す。ガラスフリット量が0.5%を下回ると爆ぜ不良が発生し易くなる傾向にあることが理解される。これは、ガラスフリット量が少なくなると下地電極内に多くの細孔が発生してしまい、この細孔をガラスで十分に埋めきれなくなってしまい易いものと推定される。その結果、めっき時にめっき液がこの細孔の内部に残留し、実装時の温度上昇によってめっき液が膨張して溶融しているSnを吹き飛ばし易くなるものと推察される。ただし、作用はこれに制限されない。   In addition, the occurrence rate of explosion defects after mounting was examined. The results are shown in Table 4 and FIG. It is understood that explosion defects tend to occur when the glass frit amount is less than 0.5%. This is presumed that when the amount of glass frit decreases, many pores are generated in the base electrode, and the pores are not easily filled with glass. As a result, it is presumed that the plating solution remains in the pores during plating, and the plating solution expands and melts Sn due to the temperature rise during mounting. However, the action is not limited to this.

Figure 0005142090
Figure 0005142090

本発明は上記の実施形態および実施例の説明に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、下地電極7a、ガラススラリー層を同時に焼成したが、別々に焼成してもよい。その他、本発明の要旨を変更しない範囲で、種々の変更が可能である。   The present invention is not limited to the description of the above embodiments and examples. For example, in this embodiment, the base electrode 7a and the glass slurry layer are fired simultaneously, but may be fired separately. In addition, various changes can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明は、サーミスタ、コンデンサ、インダクタ、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)、バリスタ、それらの複合部品からなるセラミック積層電子部品等、および、それらを備える機器、装置、システム、設備等、ならびに、それらの製造に広く利用することができる。   The present invention includes a thermistor, a capacitor, an inductor, a LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics), a varistor, a ceramic multilayer electronic component composed of a composite part thereof, and a device, an apparatus, a system, a facility, and the like including the same, and It can be widely used for their production.

1…セラミック積層電子部品、2…素体、3…内部電極、4…積層体、6a…ガラス層、6b…ガラス浸透層、7a,7…下地電極、8…端子電極、8a…Ni層、8b…Sn層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic laminated electronic component, 2 ... Element body, 3 ... Internal electrode, 4 ... Laminated body, 6a ... Glass layer, 6b ... Glass penetration layer, 7a, 7 ... Base electrode, 8 ... Terminal electrode, 8a ... Ni layer, 8b ... Sn layer.

Claims (6)

主としてセラミックスからなる素体と、
前記素体の内部に設けられ、かつ前記素体の端面に一部が露出した内部電極と、
前記素体の端面上に形成された下地電極と、
前記下地電極の形成部位以外の前記素体の露出面を被覆するガラス層と、
前記下地電極の表層に存在する細孔にガラスが浸透して形成されたガラス浸透層と、
前記ガラス浸透層上にめっきによって形成された端子電極と、
を有し、
前記ガラス浸透層は、前記下地電極における当該ガラス浸透層以外の部分よりもガラスの割合が多くなっている、
セラミック積層電子部品。
An element made mainly of ceramics,
An internal electrode provided inside the element body and partially exposed on an end surface of the element body;
A base electrode formed on an end face of the element body;
A glass layer covering the exposed surface of the element body other than the formation site of the base electrode;
A glass permeation layer formed by glass permeating into pores present on the surface layer of the base electrode;
A terminal electrode formed by plating on the glass permeation layer;
Have
The glass penetration layer has a higher glass ratio than the portion other than the glass penetration layer in the base electrode.
Ceramic multilayer electronic components.
前記下地電極は、平均粒径が0.8μm以上5μm以下の金属粉を含む導電性ペーストが焼結されてなる、
請求項1記載のセラミック積層電子部品。
The base electrode is formed by sintering a conductive paste containing metal powder having an average particle size of 0.8 μm or more and 5 μm or less.
The ceramic multilayer electronic component according to claim 1.
前記下地電極の表層に存在する細孔に浸透してガラス浸透層を形成する前記ガラスは、前記ガラス層を形成するガラスと同一のものである、
請求項1又は2に記載のセラミック積層電子部品。
The glass that penetrates into the pores existing in the surface layer of the base electrode to form a glass permeation layer is the same as the glass that forms the glass layer,
The ceramic multilayer electronic component according to claim 1 or 2 .
前記ガラス層の厚さは、0.5μm以上2μm以下である、
請求項1〜のいずれか1項記載のセラミック積層電子部品。
The glass layer has a thickness of 0.5 μm or more and 2 μm or less.
The ceramic multilayer electronic component according to any one of claims 1 to 3 .
主としてセラミックからなる素体と、前記素体に内蔵されかつ前記素体の端面において一部が露出した内部電極とを備える積層構造体を形成する工程と、
前記素体の端面に導電性ペーストを塗布して下地電極を形成する工程と、
前記下地電極の形成部位以外の前記素体の露出面および下地電極の表面にガラススラリーを塗布して該露出面を被覆するガラス層を形成し、かつ、前記下地電極の表層にガラス浸透層を形成する工程と、
前記下地電極、前記ガラス層、および前記ガラス浸透層を同時にガラスの軟化温度より高い温度で焼成する工程と、
前記ガラス浸透層上にめっきにより端子電極を形成する工程と、
を有するセラミック積層電子部品の製造方法。
Forming a laminated structure including an element body mainly made of ceramic and an internal electrode embedded in the element body and partially exposed at an end surface of the element body;
Applying a conductive paste to the end face of the element body to form a base electrode;
A glass layer is formed by applying glass slurry to the exposed surface of the element body and the surface of the base electrode other than the portion where the base electrode is formed, and a glass permeation layer is formed on the surface layer of the base electrode. Forming, and
Firing the base electrode, the glass layer, and the glass permeation layer simultaneously at a temperature higher than the softening temperature of the glass;
Forming a terminal electrode by plating on the glass permeation layer;
A method of manufacturing a ceramic multilayer electronic component having
前記導電性ペーストは、金属粉、有機バインダ、およびガラスフリットを含み、
前記金属粉および前記ガラスフリットの合計量に対する前記ガラスフリットの含有量が、0.5重量%以上8重量%以下である、
請求項記載のセラミック積層電子部品の製造方法。
The conductive paste includes a metal powder, an organic binder, and a glass frit,
The content of the glass frit with respect to the total amount of the metal powder and the glass frit is 0.5 wt% or more and 8 wt% or less.
The method for producing a ceramic laminated electronic component according to claim 5 .
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5498973B2 (en) * 2011-01-24 2014-05-21 太陽誘電株式会社 Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor
CN103460315B (en) 2011-03-28 2016-12-14 株式会社村田制作所 Electronic unit
JP5769532B2 (en) * 2011-07-22 2015-08-26 京セラ株式会社 Capacitor and manufacturing method thereof
EP2874159A3 (en) 2013-05-14 2015-10-07 Longke Electronics (Huiyang) Co., Ltd. Base metal combination electrode of electronic ceramic component and manufacturing method thereof
KR20140039016A (en) 2014-02-27 2014-03-31 삼성전기주식회사 Multi-layered ceramic capacitor and board for mounting the same
DE102014112678A1 (en) * 2014-09-03 2016-03-03 Epcos Ag Electrical component, component arrangement and method for producing an electrical component and a component arrangement
JP6592923B2 (en) * 2015-03-20 2019-10-23 株式会社村田製作所 Electronic component and manufacturing method thereof
JP6841611B2 (en) * 2016-07-25 2021-03-10 太陽誘電株式会社 Multilayer ceramic capacitors
JP6778535B2 (en) * 2016-07-25 2020-11-04 太陽誘電株式会社 Multilayer ceramic capacitors
JP2020167367A (en) * 2018-10-30 2020-10-08 Tdk株式会社 Multilayer ceramic electronic component
JP7495785B2 (en) * 2018-10-30 2024-06-05 Tdk株式会社 Multilayer ceramic electronic components
JP7314884B2 (en) * 2020-08-31 2023-07-26 株式会社村田製作所 Laminated ceramic electronic component and manufacturing method thereof

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6055566A (en) * 1983-09-02 1985-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd High-speed reproduction of pcm sound signal
JP2560891B2 (en) * 1990-07-09 1996-12-04 株式会社村田製作所 Varistor manufacturing method
JPH04251910A (en) * 1990-12-26 1992-09-08 Tama Electric Co Ltd Production of chip component external electrode
JPH06140278A (en) * 1992-10-23 1994-05-20 Tokin Corp Laminated ceramic capacitor
JP3758293B2 (en) * 1997-04-21 2006-03-22 株式会社村田製作所 Multilayer ceramic electronic component and manufacturing method thereof
JPH1167574A (en) * 1997-08-26 1999-03-09 Taiyo Yuden Co Ltd Ceramic electronic component and its manufacturing
JP4200765B2 (en) * 2002-02-28 2008-12-24 株式会社村田製作所 Manufacturing method of multilayer ceramic electronic component
JP3933077B2 (en) * 2002-04-01 2007-06-20 株式会社村田製作所 Manufacturing method of ceramic electronic component
JP2005019185A (en) * 2003-06-26 2005-01-20 Murata Mfg Co Ltd Copper conductive paste and laminated ceramic electronic part
JP4158713B2 (en) * 2004-02-03 2008-10-01 住友金属鉱山株式会社 Copper paste composition for external electrodes
JP2006080428A (en) * 2004-09-13 2006-03-23 Murata Mfg Co Ltd Electronic component

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