JP5137333B2 - イオン注入用マスクパターンの形成方法及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
即ち、図1(a)に示されているように、素子分離膜(図示省略)が備えられた半導体基板1の上部にゲート物質層(図示省略)を形成し、写真食刻工程を行いゲートラインパターン3を形成する。
次いで、前記図1(b)のフォトレジスト層5に対しイオン注入用露光マスクを利用した露光および現像工程を行い、図1(c)に示したようなフォトレジストパターン5−1を形成する。
即ち、半導体素子のパターン線幅(Critical Dimension;CD)の減少で前記ゲートラインパターンのアスペクト比(aspect ratio)が増加したため、露光工程時にゲートラインパターンの下部まで露光源に十分露出されず、現像工程が完了した後も図1(c)に示したようにBLCノード領域11にフォトレジスト物質9が残留する。それだけでなく、フォトレジスト物質を利用してゲートラインパターンを埋め込むとき均一に埋め合わせることができないので、ヴォイド(void)(図示省略)が発生する。
このような問題点は高いレンズ開口数(Numerical Aperture;NA)を有する露光装置を用いてアスペクト比の高い超微細パターンを形成する最近の場合さらに深化し、最終半導体素子の製造収率が減少する。
半導体基板上にゲートラインパターンを形成する段階と、
前記ゲートラインパターン表面にコーティング膜を形成する段階と、
前記ゲートラインパターンの上部に対しプラズマ処理工程を行う段階と、
これら段階を経て得られた構造物上に疎水性または親水性の物性を有するフォトレジスト層を形成する段階と、
前記ゲートラインパターン上にフォトレジストパターンを得るため前記フォトレジスト層をパターニングする段階とを含み、
前記コーティング膜は、前記フォトレジスト層と相反する物性を有し、
前記コーティング膜の表面張力は前記フォトレジスト膜より低いことを特徴とする。
先ず、図2(a)に示されているように、素子分離膜が備えられた半導体基板121上にゲートラインパターン123を形成する。
このとき、前記コーティング膜はフォトレジスト膜より表面張力が低いもので、フォトレジストの物性と逆の物性を有する化合物を含むものであれば特に限定しないが、フォトレジスト物質が疏水性の場合、親水性を有する化合物を含むのが好ましい。例えば、前記コーティング膜はヒドロキシエチルメタクリレート(hydroxyethyl methacrylate)、N−ビニール−2−ピロリドン(N-vinyl-2-pyrollidone)、メタクリル酸(methacrylic acid)およびアクリルアミド(acrylamide)でなる群から選択された化合物またはこれらのオリゴマ(oligomer)を利用することができる。
3、123 ゲートラインパターン
5、127 フォトレジスト層
5−1、127−1 フォトレジストパターン
7 イオン注入工程
9 フォトレジスト残留物
125 コーティング膜
129 ゲートラインパターン間の空間
11、131 ビットラインコンタクト
13、133 ストリッジノードコンタクト
a、a′ビットライン領域に形成されたフォトレジストパターン開口部の幅
b、b′ストリッジノード領域に形成されたフォトレジストパターンの厚さ
Claims (6)
- 半導体基板上にゲートラインパターンを形成する段階と、
前記ゲートラインパターン表面にコーティング膜を形成する段階と、
前記ゲートラインパターンの上部に対しプラズマ処理工程を行う段階と、
これら段階を経て得られた構造物上に疎水性または親水性の物性を有するフォトレジスト層を形成する段階と、
前記ゲートラインパターン上にフォトレジストパターンを得るため前記フォトレジスト層をパターニングする段階とを含み、
前記コーティング膜は、前記フォトレジスト層と相反する物性を有し、
前記コーティング膜の表面張力は前記フォトレジスト膜より低いことを特徴とするイオン注入用マスクパターンの形成方法。 - 前記コーティング膜は、ヒドロキシエチルメタクリレート、N−ビニール−2−ピロリドン、メタクリル酸およびアクリルアミドでなる群から選択された化合物またはこれらの低重合体で形成されることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入用マスクパターンの形成方法。
- 前記コーティング膜は、前記表面張力が前記フォトレジスト膜より低い化合物を有機溶媒または水性溶媒に溶解させて溶液を得る段階と、前記ゲートラインパターンが形成された半導体基板を前記溶液に沈漬する段階とを含む方法で形成されることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入用マスクパターンの形成方法。
- 前記コーティング膜は半導体基板が位置する真空状態のチャンバ内に前記表面張力が前記フォトレジスト膜より低い化合物をガス状態に流して形成されることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入用マスクパターンの形成方法。
- 前記プラズマ処理工程は、O2プラズマガスを利用して前記ゲートラインパターン上部の前記コーティング膜を除去することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入用マスクパターンの形成方法。
- 請求項1に記載のイオン注入用マスクパターンの形成方法を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
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